Transistor Bipolar

transistor =transfer resistor

E=Emissor B=Base C=Coletor
O emissor a regio mais dopada (de onde os portadores de carga
so emitidos)
A base muito estreita e pouco dopada (para evitar que os eletrons
que chegam do emissor se recombinem com as lacunas da base).
O coletor a maior das regies ( nessa regio que dissipada toda a
Potencia em um transistor).
Caractersticas das Trs Regies
Polarizando o Transistor
Como explicar que a corrente de coletor alta quando deveria ser baixa?
A bateria VEE polariza diretamente a juno base emissor, e portanto existe
um fluxo elevado de eltrons livres indo do emissor para o coletor ( IEn) e
de lacunas da base para o emissor (IEp), a corrente de emissor (IE) a soma
dessas duas correntes sendo a primeira predominante.
A bateria Vcc polariza a juno base coletor reversamente. O que
acontece com a corrente entre a base e o coletor?
Explicando o efeito transistor
Como a base muito estreita e pouco dopada a maior parte (>99%)
dos eletrons que saem do emissor atingem o coletor., isto , a probabilidade
De um eletron que chega na base se recombinar com uma lacuna muito
pequena
Importante: A juno Base-Emissor polarizada diretamente.

A juno Base Coletor polarizada reversamente
Considerando o smbolo
O circuito chamado: conexo Base comum
entrada sada
Equaes
O transistor pode ser considerado um n:
I
E
= I
C
+I
B

O transistor pode ser considerado uma malha:
V
CE
=V
BE
+V
CB

Define-se:
E
C
I
I

como sendo o ganho de corrente na configurao
base comum
Por exemplo: I
E
=2mA e I
C
=1,98mA
99 , 0
2
98 , 1

mA
mA

Notao de Tenso e Corrente

Grandezas contnuas (correntes e tenses) sero representadas por letras
maisculas e ndices maisculos, por exemplo, correntes de coletor (IC),
emissor (IE) e de base (IB). Tenso entre dois pontos representada por
ndice com duas letras, a primeira o ponto de maior potencial e a segundo
o ponto de menor potencial, por exemplo, a tenso base emissor (VBE),
a tenso coletor-emissor (VCE) e coletor-base (VCB). Se a tenso for
entre terminal e terra (GND), usa-se somente a letra relativa ao terminal,
VB, tenso da base ao terra.
IB= IE IC=2mA 1,98mA=0,02mA=20uA
A configurao Emissor Comum
entrada
sada
A juno base emissor continua polarizada diretamente
A juno base coletor continua polarizada reversamente
Considerando o smbolo
Continuam validas as equaes
I
E
= I
C
+I
B

V
CE
=V
BE
+V
CB

V
CE

V
BE

V
CB

Para a montagem emissor comum define-se o ganho:
O Ganho de Corrente
B
C
I
I

Esse parmetro tambm designado por h
FE
nos manuais
Por exemplo: I
C
=2mA e I
B
=20A
100
02 , 0
2
20
2

A
mA

o valor do beta no constante varia com a temperatura e com o valor da

corrente de coletor.
Os transistores so construdos para aplicaes especificas (udio, vdeo, chave, etc)
ou mesmo uso geral e por isso mesmo tem diferentes tamanhos e caractersticas.
BC548 BD 140 2N3055

Datasheet (folha de dados)
As grandezas que determinam os principais limites em um transistor so a
mxima corrente de coletor, a mxima tenso inversa entre base e emissor,
a mxima tenso inversa entre emissor e coletor e a mxima potencia
dissipada pelo transistor

Curvas Caractersticas de Coletor
So grficos de I
C
xV
CE
tendo I
B
como parmetro
Circuito para obter as curvas
RBB
V VBB
I
BE
B

Por exemplo: VBB ajustado para IB=10A

V
CE
variado, variando-se V
CC

V
CE
(V) 0,1 0,2 0,5 1 2 3 4 5 6
I
C
(mA)
I
C
medido,
Com esses dados levantado o grfico
Observar a relao entre as duas correntes:
100
2
2

A
mA

Se o procedimento for repetido para outros valores de IB sero

obtidas varias curvas chamadas de curvas caractersticas de coletor
As Regies de Operao do Transistor
Regio ativa ou regio de amplificao

A juno base emissor est polarizada diretamente e a juno base coletor
reversamente. Nessa regio o transistor usado como amplificador.
B C
I I .
Regio de Saturao

As duas junes esto polarizadas diretamente. Nessa regio o transistor
usado como chave fechada.
B C
I I .
Regio de Corte

As duas junes esto polarizadas reversamente. Nessa regio o transistor
usado como chave aberta.
0
B C
I I