1

Familias Lgicas


Electrnica Digital




Electrnica Bsica
Jos Ramn Sendra Sendra
Dpto. de Ingeniera Electrnica y Automtica
ULPGC

2
Familias lgicas
Basadas en transistores de efecto de campo

CMOS: Complementary Metal-Oxide-Semiconductor
Field Effect Transistor

Basadas en transistores bipolares

TTL: Transistor-Transistor logic

ECL: Emiter-coupled logic
El diseo lgico de un circuito combinacional es independiente de
la tecnologa usada, sin embargo la realizacin fsica de este circuito
si debe tenerla en cuenta, por factores como:
-Mrgenes de ruido -Entorno de trabajo del circuito
-Fanout -Necesidad de:
-Velocidad -Salidas en colector abierto
-Consumo -Salidas Three-state
-Alimentacin disponible
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Familias lgicas: CMOS
Inversor
Veamos la configuracin bsica de un inversor (circuito ms simple)
para analizar sus caractersticas
V =+5.0V
V V
DD
IN OUT
Transistor p-MOS cerrado
cuando V -V < V -V
Transistor n-MOS
cerrado cuando V -0>V
IN
IN
DD
Gnd
ILmax
IHmin
DD
V <V
IN
ILmax
G
G
S
D
D
S
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Niveles lgicos y margen de ruido

Parmetros caractersticos

V :Es la tensin de salida mnima que se garantiza en
nivel alto.

V :Es la mnima tensin de entrada que se garantiza ser
reconocida como nivel alto.

V :Es la tensin de salida mxima que se garantiza en
nivel bajo.

V :Es la mxima tensin de entrada que se garantiza ser
reconocida como nivel bajo.

OHmin
IHmin
ILmax
OLmax
5
Familias lgicas: CMOS
Los elementos lgicos abstractos procesan 0's y 1's.
Los circuitos reales procesan seales elctricas, en este caso
niveles de tensin
Niveles lgicos
para para puertas
CMOS
VDD
VIHmin
VILmax
Gnd
Nivel alto, 1
Nivel bajo, 0
VOHmin
VOLmax
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Familias lgicas: CMOS
Inversor
V =+5.0V
DD
V =+5.0V
DD
0V 5V
Abierto
Abierto
Cerrado
Cerrado
VOH ~ 5V VOL~0V
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Los parmetros relacionados con los niveles lgicos nos dan
informacin acerca de los niveles de ruido que ser capaz de
aceptar nuestra lgica sin que se corrompa la informacin.

Estos parmetros pueden venir dados como valores absolutos
o como relativos a la alimentacin.
Ejemplo: Serie HC atacando puertas CMOS
OHmin
IHmin ILmax
OLmax
V =4.9V
V =3.5V V =1.5V
V =0.1V
El margen de ruido ser:
Niveles lgicos y margen de ruido
Nivel alto 4.9V-3.5V=1.4V
Nivel bajo 1.5V-0.1V=1.4V
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Comportamiento con cargas resistivas.
1.-En rgimen esttico cualquier carga es resistiva, por tanto este
estudio es totalmente generalizable.
2.-Cualquier carga puede representarse por su equivalente de
Thevenin
+
-
VDD
Gnd
VIN
V
Thev
R
Thev
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Comportamiento con cargas resistivas.
+
-
VDD
Gnd
5V
V
Thev
R
Thev
Ejemplo
R
nO
N
R
pOFF
OUT
V
OUT
V =
V
Thev
R + R
Thev nO
N
R
nO
N
Si V >V no podremos
cargar nuestro inversor
con ese circuito.
OUT OLmax
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Comportamiento con cargas resistivas.
+
-
VDD
Gnd
0V
V
Thev
R
Thev
Ejemplo 2
R
nOFF
R
pON
OUT
V
Si V <V no podremos
cargar nuestro inversor
con ese circuito.
OUT OHmin
OUT
V =
-V
Thev
R + R
Thev pON
R +
Thev
V
DD
V
Thev
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Comportamiento con cargas resistivas.
Desafortunadamente no conocemos las impedancias de los
transistores, slo conocemos los siguientes parmetros.
I Mxima corriente que la salida puede absorber en
estado bajo manteniendo una tensin de salida
inferior a V


I Mxima corriente que la salida puede generar en
estado alto manteniendo una tensin de salida
superior a V
OLmax
OHmax
OLmax
OHmin
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Comportamiento con cargas resistivas.
+
-
VDD
Gnd
0V
V
Thev
R
Thev
R
nOFF
R
pON
OUT
V
Ejemplo:
R =1KO , V =3.5V
Thev Thev
Si consideramos R ~0O
pON
I =
OH
5-V
Thev
R
Thev
=1.5mA
I debe ser < I
OH
OHmax
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Comportamiento con cargas resistivas.
+
-
VDD
Gnd
5V
V
Thev
R
Thev
R
nON
R
pOFF
OUT
V
Continuacin del Ejemplo:
R =1KO , V =3.5V
Thev Thev
Si consideramos R ~0O
nON
I =
OH
V
Thev
R
Thev
=3.5mA
Si I < I
OL OLmax
Si I < I
OH OHmax
y
la puerta funcionar
correctamente con
esta carga
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Fanout
Definicin: Es el nmero mximo de entradas con las que se
puede cargar la salida de nuestra puerta lgica.
IImax Es la mxima corriente de entrada que se necesita en la
puerta de los transistores que forman la puerta lgica.
Fanout=Min( , )
I I
OLmax OHmax
I I
Para puertas CMOS I = I
ILmax
ILmax
IHmax
IHmax
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Comportamiento con entradas no ideales
Si las entradas no son cercanas
a las tensiones de alimentacin
y tierra, los transistores no estn
ni completamente abiertos, ni
totalmente cerrados, de forma que
los transistores en ON presentan
una resistencia mayor de la ideal
y los transistores en OFF menor.

La potencia consumida es no nula,
incluso sin carga y la salida
no es la ideal
VDD
Gnd
VIN
R
nVIN
R
p(VIN-VDD)
OUT
V =
R
nVIN
R
nVIN
+R
p(VIN-VDD)
VDD
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Familias lgicas: CMOS
Puertas NAND, NOR
A
A
A
A
B
B
B
B
NOR
NAND
Salida
Salida
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Familias lgicas: CMOS
Puertas NAND, NOR
Entradas sin usar.
Ejemplo: Puerta AND de cuatro entradas, slo tenemos tres
literales.
A
B
C
F
F=ABC=1ABC
1
A
B
C
F
VDD
1KO
Nunca dejar una entrada sin conectar. (al aire)
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
Tiempo de transicin: Es el tiempo que un circuito tarda en
cambiar de estado. Es debido a que un cambio de estado requiere
la carga de una serie de capacidades, entre las que cabe incluir:
-La puerta de los transistores a la salida
-Las capacidades del cableado
-Los circuitos de entrada, el encapsulado,etc....
Transicin ideal Transicin real
Nivel bajo
Nivel alto
t t
r f
Los tiempos tanto de subida como de bajada dependern de la capacidad de carga
as como de la resistencia en ON de los transistores y del cableado.
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
VDD
Gnd
VIN
R
n
R
p
Anlisis de los tiempos de transicin
V
L
+
-
R
L
C
L
Circuito equivalente
de carga
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
VDD
Gnd
VIN
R
n
R
p
Anlisis de los tiempos de transicin
V
L
+
-
R
L
C
L
Circuito equivalente
de carga
Carga de otra puerta
CMOSR = ,V =0V
L L

VDD
Gnd
VIN
R
n
R
p
C
L
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
Anlisis de los tiempos de transicin
VDD
Gnd
VIN
R
n
R
p
C
L
Tiempo de subida
V V e
out DD
t R C
pON L
=
|
\

|
.
|

1
Ejemplo numrico
Datos: V =1.5V
V =3.5V
R =200O
C =100pF
OLmax
OHmin
nON
( ) ( ) ( )
t t t ns
r V V
= = =

3 5 15
9
20 10 3 5 5 15 5 17
. .
ln . ln .
L
OUT
V
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
Anlisis de los tiempos de transicin
VDD
Gnd
VIN
R
n
R
p
C
L
Tiempo de bajada
V V e
out DD
t R C
nON L
=

Ejemplo numrico
Datos: V =1.5V
V =3.5V
R =100O
C =100pF
OLmax
OHmin
nON
( ) ( ) ( )
t t t ns
f V V
= = =

15 3 5
9
10 10 3 5 5 15 5 8 5
. .
ln . / ln . .
L
OUT
V
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
Retardo de propagacin
Se define como el tiempo que transcurre desde que se
produce un cambio en la seal de entrada hasta que ste
se refleja en la salida
Se suele dar desde el punto medio del flanco de subida o
bajada de forma que se eliminan en lo posible los tiempos
de transicin
En caso de que se cargue una puerta en exceso los tiempos
de transicin harn incrementar el retardo de propagacin.
t Retardo de propagacin cuando la salida pasa de nivel alto
a nivel bajo
pHL
pLH
t Retardo de propagacin cuando la salida pasa de nivel bajo
a nivel alto
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
Retardo de propagacin
t
pHL
t
pHL
t
pLH
t
pLH
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
1.-Se consume potencia cuando hay paso de corriente desde
alimentacin a tierra cuando la tensin de entrada est lejos
de la alimentacin y la tierra, es decir en las transiciones.
P C V f
T PD
DD
=
2
Frecuencia de
las transiciones
Tensin de
alimentacin
Tiene magnitud de
capacidad aunque
no lo es. Viene dado
por el fabricante
Esta frmula deja de ser correcta cuando las transiciones son
muy lentas. Los fabricantes dan un tiempo mximo para estas
de forma que si se excede, el valor de C no es correcto
PD
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
2.-Se consume potencia cuando cargamos la carga capacitiva
a la salida. Esta capacidad es debida a las conexiones y a la
impedancia de carga.
P C V f
L L
DD
=
2
Frecuencia de
las transiciones
Tensin de
alimentacin
Capacidad que carga
la salida de la puerta
lgica.
( ) P C C V f
D PD L
DD
= +
2
Potencia total
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V
OUT
V
IN
5.0
0.0
2.1 2.9 5.0
Familias lgicas: CMOS
Dispositivos con entrada Schmitt-Trigger
Funcin de Transferencia
Este tipo de dispositivos son ms inmunes al ruido y son usadas
ordinariamente para seales en lneas de transmisin.
Smbolo de un inversor
Schmitt-Trigger
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Familias lgicas: CMOS
Dispositivos con salida Three-State
Puerta NOR
A
B
A
B
Enable
Enable
Salida
A
B
Z
Enable
Smbolo de una puerta NAND
con Enable
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Familias lgicas: CMOS
Dispositivos con salida Three-State
Tabla de verdad

0 0 0 Z
0 0 1 Z
0 1 0 Z
0 1 1 Z
1 0 0 1
1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 0

Z significa Alta Impedancia
Puerta NOR
Enable A B Salida
A
B
A
B
Enable
Enable
Salida
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Familias lgicas: CMOS
Salidas en colector abierto
A
B
NAND
VDD
Gnd
VOUT
Tabla de verdad
A B Salida
0 0 Abierta
0 1 Abierta
1 0 Abierta
1 1 0

A
B
Z
Smbolo de una puerta NAND
con salida en colector abierto
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Familias lgicas: CMOS
Salidas en colector abierto
A
B
NAND
VDD
Gnd
VOUT
Para el funcionamiento de estas
puertas debe conectarse una
resistencia de pull-up
El valor de la resistencia que pongamos va a fijar:
OHmax
I =(V -V )/R
R C t
pLH
pull-up DD OHmin
pull-up carga
Su valor mximo vendr fijado por:
OLmax
I =VDD/R
pull-up
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Familias lgicas: TTL
Caractersticas diferenciadoras respecto a CMOS
Los transistores usados son bipolares, esto implica:
corrientes de entrada mucho mayores
consumo de potencia en esttica
mayor velocidad?
Niveles lgicos
indicativos para
puertas TTL
VDD
VIHmin (2.0V)
VILmax (0.8V)
Gnd
Nivel alto, 1
VOHmin (2.7V)
VOLmax (0.5V)
Nivel bajo, 0
Podemos apreciar en los niveles lgicos, que no son simtricos
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Compatibilidad entre CMOS y TTL
-Hay una diferencia apreciable entre los niveles lgicos de ambos tipos de
dispositivos.
-Cuando cargamos una puerta CMOS con una TTL estamos exigiendo
mayor corriente y por lo tanto los niveles lgicos de salida disminuyen
-Las caractersticas que ofrecen los fabricantes, tanto para IOLmax y IOHmax
como para VOLmax y VOHmin dependen del tipo de puerta con que estemos
cargando.
Ejemplo: Familia HC con VDD=5.0V
Carga CMOS Carga TTL
IOLmaxC 0.02 mA
VOLmaxC 0.1 V
IOHmaxC -0.02 mA
VOHminC 4.9 V
IOLmaxT 4 mA
VOLmaxT 0.33 V
IOHmaxT -4 mA
VOHminT 4.3 V
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Compatibilidad entre CMOS y TTL
Gnd
VDD
VIHmin (2.0V)
VILmax (0.8V)
Nivel alto, 1
VOHmin (2.7V)
VOLmax (0.5V)
Nivel bajo, 0
VDD
VIHmin(3.5V)
VILmax(1.5V)
Gnd
Nivel alto, 1
Nivel bajo, 0
VOHmin(4.3V)
VOLmax(0.33V)
TTL
CMOS
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Compatibilidad entre CMOS y TTL
Familias CMOS actuales
HC y HCT
Las siglas significan High-speed CMOS y
High-speed CMOS TTL-compatible
AC y ACT
Son mucho ms rpidas que las anteriores y eliminan el
problema de la poca cantidad de corriente a la salida que
eran capaces de suministrar HC y HCT sus siglas significan
Advanced CMOS y Advanced CMOS TTL-compatible
La nica diferencia de los dispositivos TTL compatibles con
los que no lo son radica en los niveles lgicos a la entrada.
4000
Son las primeras pero estn en desuso, admiten gran rango
de alimentaciones y son muy robustas pero muy lentas.
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Compatibilidad entre CMOS y TTL
Familias CMOS actuales
FCT y FCT-T
Sali a principios de esta dcada reduce el consumo
de potencia y disminuye los retardos. Ambas son TTL
compatibles, la diferencia radica en que la segunda
reduce el nivel de salida a nivel alto (como las TTL),
reduciendo as ms el consumo de potencia.
Importante
FCT, FCT-T


AC, ACT


HC, HCT
Prestaciones
- Velocidad |
- Consumo +
Precio |
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Compatibilidad entre CMOS y TTL
Familias TTL actuales
S


LS


AS


ALS


F
Shottky TTL


Low-power Shottky TTL


Advanced Shottky TTL


Advanced Low-power Shottky TTL


Fast TTL
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Compatibilidad entre CMOS y TTL
Nivel alto
Nivel
bajo
Salidas
V
OHmin
OLmax
V
HC, HCT 3.98
AC, ACT 3.94
LS, S , ALS, AS 2.7
LS, S , ALS, AS 0.5
AC, ACT 0.37
HC, HCT 0.33
5.0V
Entradas
V
IHmin
ILmax
V
3.15 HC, AC
Margen de ruido
a nivel alto
2.0 LS, S, ALS, AS, HCT, ACT
0.8 LS, S, ALS, AS, HCT, ACT
Margen de ruido
a nivel bajo
1.35 HC, AC
Zona no vlida
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Familias lgicas: ECL
Produce diferencias de tensin pequeas, menores de 1 voltio, entre los
niveles alto y bajo.
Sus niveles de alimentacin son 0V y entre -4.5 y -5.2V
V -0.810
IHmax
V -1.105
IHmin
V -1.475
ILmax
V -1.850
ILmin
-1.850 V
OLmin
-1.630 V
OLmax
-0.980 V
OHmin
-0.810 V
OHmax
Las potencias consumidas son altas >20mW por puerta
Los retardos y tiempos de transicin son muy bajos ~ 1ns
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Familias lgicas: Generalidades
Modelo de caja negra: Los parmetros descritos anteriormente van a
ser tiles para cualquier familia lgica, no necesitamos saber como
est estructurado internamente un dispositivo sino cuales son sus
parmetros de funcionamiento.
.
.
.
Entradas
Salidas
Alimentacin
Alimentacin
VIHmin
VILmax
IIHmax
IILmax
VOHmin
VOLmax
tPLH
tPHL
IOLmax
IOHmax
Fanout
CINtyp