TIRISTORES SCR

RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO

El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es un componente electrnico de estado slido (sin partes mviles) de 3 terminales: nodo (),
ctodo (!) " un electrodo de control denominado puerta (#, $ate), asi como los diodos semiconductores de silicio, los SCR se constru"en uniendo materiales
semiconductores tipo%p, " semiconductores tipo%n en uniones pn con la disposicin pnpn& 'a conduccin entre nodo " ctodo es controlada por el terminal de puerta& El
rectificador controlado de silicio es un dispositivo unidireccional (es decir, (ue de)a circular la corriente el*ctrica en un solo sentido: desde +acia ! como un diodo
rectificador semiconductor), pero adems del estado O, (conduciendo) del diodo com-n, tiene un se$undo estado esta.le: O// (cortado, sin conducir)& Si el volta)e 0#!
entre # " ! es el adecuado, conduce desde +acia !& El SCR es un dispositivo de conmutacin de estado slido en 1C " en C respectivamente& Es decir, son como
interruptores (s2itc+es) pero rpidos, silenciosos, sin partes mviles, sin contactos electromecnicos " (ue pueden controlarse electrnicamente&
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El SCR es uno de los varios dispositivos semiconductores capaces de reaccionar como rpidos interruptores para conmutar corrientes de
$ran intensidad& El nom.re (ue se le asi$na a estos dispositivos es de tiristores& Estos componentes se utili3an en circuitos como por e)emplo
controles de velocidad de motores o de intensidad de iluminacin de ampolletas (dimmers), para activar sistemas de proteccin, o en
convertidores de volta)e para via)es, car$ador de .ater4as, ma$neti3adores de imanes, rela"s de estado slido (SSR), controles de temperatura
de +ornos, etc& El tama5o de un SCR puede ser relativamente pe(ue5o o $rande, "a (ue como en el caso de los transistores, el encapsulado
((ue es lo (ue vemos desde fuera) var4a se$-n la potencia (ue de.en disipar " la corriente m6ima de tra.a)o&
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ESTR7CT7R I,TER,

El SCR se aseme)a a un diodo rectificador pero si el nodo es positivo en relacin al ctodo no circular la corriente +asta (ue una corriente positiva se in"ecte en la puerta& 'ue$o el diodo se
enciende " no se apa$ar +asta (ue no se remueva la tensin en el nodo%ctodo, de all4 el nom.re rectificador controlado& Es un tipo de semiconductor formado por cuatro capas de material
semiconductor con estructura 8,8, o .ien ,8,8 se puede considerar como dos transistores interconectados " de do.le )untura, uno 8,8 " el otro ,8,& ,ormalmente el SCR se comporta como
un circuito a.ierto +asta (ue activa su compuerta (#TE) con una pe(ue5a corriente (se cierra el interruptor S) " as4 este conduce " se comporta como un diodo en polari3acin directa si no e6iste
corriente en la compuerta el tiristor no conduce& 'o (ue sucede despu*s de ser activado el SCR, se (ueda conduciendo " se mantiene as4& Si se desea (ue el tiristor de)e de conducir, el volta)e 90
de.e ser reducido a 0 Voltios. Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tiristor seguir conduciendo hasta que por el pase una cantidad de corriente menor a la llamada
"corriente de mantenimiento o de retencin", lo que causar que el S! deje de conducir aunque la tensin V" (voltaje de la compuerta con respecto a tierra) no sea cero.
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#$%&!'(&'$)
*l S! tiene dos estados+
,- *stado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y ctodo es muy .aja.
/- *stado de corte, donde la resistencia es muy elevada.
El funcionamiento del SCR se puede entender como un circuito simple formado por dos transistores .ipolares
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/7,CIO, CO:O :O1E'O 1E TR,SISTORES
(a) Cuando a un transistor .ipolar pnp se le aplica un volta)e 0;E suficientemente ne$ativo de .ase (;) a emisor (E) (menor (ue %<&= 0), o cuando a un transistor .ipolar npn se le aplica
un volta)e 0;E suficientemente positivo de ; a E (ma"or (ue <&= 0), el transistor se satura (desde Emisor a Colector en el pnp, " desde C +acia E en el npn)&
(b) 7n transistor .ipolar amplifica la corriente de .ase I; apro6imadamente en un parmetro ; (>.eta del transistor>), es decir, la corriente de colector es apro6imadamente IC ? ; I;&
8ero el parmetro .eta depende de la corriente IC&
(c) Inicialmente no +a" conduccin (I ? < , tiristor a.ierto, O//)&
(d) Cuando se aplica un volta)e de # a ! suficientemente positivo, una corriente de puerta I# dispara al tiristor, comen3ando la conduccin desde +acia !&
(e) 1espu*s del disparo, cuando I# ? < , la corriente de nodo I del tiristor visto como @ transistores, resulta apro6imadamente i$ual a I ? ;A (;@9A) I;A& 1el anlisis del circuito, se
ve (ue durante la conduccin las corrientes se a)ustan para (ue ;A ;@ ? A&
(f) :ientras +a"a volta)e 0! desde +acia ! suficientemente positivo, se$uir e6istiendo corriente I (aun(ue I# ? < ), "a (ue la corriente de colector del B@ mantiene alimentada la
.ase del BA& 7n SCR comien3a a conducir desde +acia !, por la se5al (ue +u.o en #&
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' CORRIE,TE 1E :,TE,I:IE,TO
8ara mantener un tiristor en estado conductor es necesario (ue e6ista una corriente m4nima (ue manten$a la conduccin del SCRC en caso contrario, pasar al estado D.lo(ueadoE, Esta
corriente, IF, es la corriente mantenimiento& 8ara una aplicacin dada, es necesario ele$ir un tiristor cu"a corriente de mantenimiento sea inferior al valor m4nimo de la corriente alcan3ada
en el circuito, "a corre$ida con las posi.les variaciones de.idas a la temperatura&
'a corriente de mantenimiento var4a con:
G La sensibilidad de los semiconductores& 8ara tiristores de .a)a potencia (Ic H =< ), la corriente IF est relacionada con la variacin del valor de la corriente de disparo I#T&
G La temperatura de la unin& El valor de la corriente IF est f4sicamente relacionado con el de la corriente de disparo I#T&
G El !alor de la resistencia e"terior puerta#c$todo& El usuario puede ser inducido a colocar entre la puerta " el ctodo una resistencia para me)orar su mantenimiento de tensin en
caliente (derivacin de las corrientes de fu$a) o .ien para (ue forme parte de la corriente de disparo&
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' CORRIE,TE 1E E,#,CFE
'a corriente de en$anc+e de un tiristor I' es el valor m4nimo de la corriente principal (corriente (ue circula entre el nodo " el ctodo) (ue permite a este serniconductor permanecer en
estado conductor despu*s de la desaparicin de la corriente de control& 0ar4a en funcin de un cierto n-mero de factores, (ue son:
% La sensibilidad del semiconductor % el sentido de conduccin& 8ara SCR de .a)a potencia, la corriente de en$anc+e se relacionada con el valor de la corriente de disparo I#T&
% El !alor de la corriente de mantenimiento& El valor de esta corriente est relacionado con el valor de la corriente de en$anc+e I' siempre superior al valor de la corriente de
mantenimiento IF& 'a relacin I'IIF variar se$-n la sensi.ilidad del semiconductor&
% La temperatura de unin& El valor de la corriente de en$anc+e I' est relacionado f4sicamente con el de la corriente de puerta I#T&
% La resistencia e"terior puerta#c$todo& Esta resistencia influ"e en el valor de la corriente de en$anc+e en virtud de la sensi.ilidad del semiconductor& En ciertas aplicaciones, el
dise5ador estar interesado en definir un circuito de control de alta impedancia (A<<< o+mios)& En el caso de SCR estndar, el valor de esta resistencia no posee una influencia importante,
con la condicin no o.stante de (ue su valor no sea demasiado .a)o (R#C J @< o+mios)&
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C7R0 CRCTERISTIC
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