Compuertas Logicas

Programa de Estudio: Mecnica Automotriz en Sistemas Electrnicos
Electrnica Aplicada

Cdigo Asignatura: MA0112

Docente: Pedro Olivares Concha
Marzo, del 2013
Instituto Profesional Concepcin-Talcahuano

Es una asignatura de carcter lectivo, con una duracin de 88 horas
pedaggicas. Para aprobar se exige una nota mnima de 4.0 (escala de 1.0
a 7.0), y un mnimo de horas presnciales de 64 horas (60% de asistencia a
clases).

La asignatura lectiva comienza el da 07 de Marzo y finaliza el 27 de Julio del
2012.

Se dicta en dos modalidades; la de fundamentacin, en el aula de clases y
la practica, en el laboratorio: horas de carcter terico, 46 horas (lectivas),
horas de carcter practico, 42 horas (Laboratorio).

Descripcin asignatura

1. Determinar las caractersticas y el estado de los circuitos electrnicos,
mediante la medicin e interpretacin de magnitudes elctricas con
instrumentos de diagnstico.

2. Determinar las caractersticas y el estado de los sensores, actuadores y
sistemas de encendido, mediante la medicin e interpretacin de
magnitudes elctricas con instrumentos de diagnstico.

3. Diagnosticar, mantener y reparar los Sistemas Elctricos del Automvil,
segn especificaciones tcnicas utilizando adecuadamente el
instrumental de diagnostico para la revisin y control de componentes.

Competencia asignatura
Objetivo general, al aprobar la asignatura, el alumno estar en
condiciones de:

a. Determinar las caractersticas y el estado de los circuitos
electrnicos, mediante la medicin e interpretacin de
magnitudes elctricas con instrumentos de diagnstico.

b. Determinar las caractersticas y el estado de los sensores,
actuadores y el sistema de encendido, mediante la medicin e
interpretacin de magnitudes elctricas con instrumentos de
diagnstico.

Objetivo asignatura

a. Permitir el pensamiento reflexivo del estudiante.
b. Permitir al estudiante confrontar la realidad con su mundo interno.
c. Inculcar en el estudiante la responsabilidad, la empata, disciplina y
honradez en el plano profesional.
d. Promover la capacidad de coordinar acciones con otras personas, es
decir, el trabajo en equipo, potenciando as sus habilidades propias y la de
los dems.
e. Promover en el estudiante maneras adecuadas de comunicacin, para
que pueda manifestar sentimientos, ideas, opiniones y convicciones de
manera clara, precisa y consistente, respetndose a si mismo y a los
dems.
f. Promover la asertividad y auto evaluacin en el estudiante.
Objetivo transversal

1. Diodos y Transistores, (30 hrs.)
2. Fundamentos de Electrnica, (25 hrs.)
3. Sensores y Actuadores, (20 hrs.)
4. Sistemas de Encendido, (05 hrs.)

Unidades asignatura
Biobliografa
N Ttulo N Edicin Ao ISBN Autor
1
Fundamentos de
electrnica analgica
Universitat
de Valencia
2006
8437065
607
CAMPS
VALLS,GUSTAVO;
MUOZ MAR, JORDI
2 Electrnica Bsica Limusa S.A. 2001
9681857
909
ZETINA, ANGEL
3 Electrnica automotriz Limusa S.A 2008
xxxxxxxx
xxxx
WILLIAM B. RIBBENS

1. Sumativa, unidad N1, 131:11; 132:11; 133:14 y 137:12 del 04-2012, ponderacin
10%.
2. Prctica, unidad N1, 131:27; 132:26 ; 133:23 y 137:24 del 04-2012, ponderacin
10%.
10%.
4. Prctica, unidad N2, 131:17; 132:16; 133:19 y 137:15 del 05-2012, ponderacin
15%.
5. Sumativa, unidades N1, 2, y 3, 131:08; 132:07; 133:02 y 137:05 del 06-2012,
ponderacin 15%.
10%.
15%.
15%. Falta ingresar al sistema.

Evaluaciones
Introduccin a la Electrnica
La electricidad consiste en el movimiento de los electrones en un conductor.
Para entender que es un electrn y como se comporta, tendremos que
estudiar la composicin de la materia.

La Materia es todo aquello que ocupa un lugar en el espacio y tiene masa
(ejemplo: hielo, agua, gas). Toda la materia est compuesta de bloques
qumicos los cuales son llamados elementos. La naturaleza ha proporcionado
ms de 100 elementos, los cuales en combinacin forman los diferentes tipos
de materia que se encuentran en nuestro planeta.

Sustancia Elemento tomo
Estructura de la materia: Si tomamos una gota de agua y la dividimos en dos
tendremos dos partes, pero ambas sern de agua. El agua es un compuesto
qumico de dos elementos: Hidrgeno (H) y Oxgeno (O) cuya frmula
qumica es H
2
O. Si se divide la gota de agua, existe un punto en el que
tendremos dos tomos de Hidrgeno por uno de Oxgeno, y stos a su vez
estn compuestos por electrones, protones y neutrones.

a. Molcula: Es la parte ms pequea en que puede dividirse la materia y
seguir conservando sus caractersticas de compuesto. Por ejemplo una
molcula de H
2
O.

b. tomo: Es la parte ms pequea en la cual un elemento puede ser
reducido y ser clasificado an. Por ejemplo un tomo de Hidrgeno, un
tomo de Oxgeno, un tomo de Cloro, etc., El tomo es similar a nuestro
sistema solar, en el cual el Sol es el ncleo y sus planetas las partculas que
giran alrededor del ncleo.
La electrnica es la rama de la fsica y especializacin de la
ingeniera, que estudia y emplea sistemas cuyo funcionamiento se
basa en la conduccin y el control del flujo microscpico de los
electrones u otras partculas cargadas elctricamente!!!

Utiliza una gran variedad de conocimientos, materiales y dispositivos, desde
los semiconductores hasta las vlvulas termoinicas. El diseo y la gran
construccin de circuitos electrnicos para resolver problemas prcticos
forma parte de la electrnica y de los campos de la ingeniera electrnica,
electromecnica y la informtica en el diseo de software para su control. El
estudio de nuevos dispositivos semiconductores y su tecnologa se suele
considerar una rama de la fsica, ms concretamente en la rama de
ingeniera de materiales.
El automvil es inconcebible hoy en da sin las unidades de control
electrnicas con sus numerosos sensores y actuadores. Ellas han
revolucionado el mundo automovilsticos. Todas las funciones esenciales del
vehculo son contraladas y reguladas electrnicamente en un espacio
mnimo: el mando del motor y del cambio de velocidades, los sistemas de
seguridad, pero tambin un sinnmero de sistemas de confort -y la
inteligencia en el automvil sigue creciendo vertiginosamente, sin que
pueda percibirse el fin del desarrollo.

El control y regulacin electrnicos abren una multiplicidad de posibilidades.
Aumentan la seguridad y el confort de la marcha. Al mismo tiempo son los
vehculos cada vez ms econmicos y menos contaminantes.

Con la marcha triunfal de la electrnica se ha creado un mundo de
conceptos con los que nos confrontamos continuamente.
Unidad N1
Diodos y transistores
El tomo es elctricamente neutro, ya que tiene tantas cargas positivas
(protones), como cargas negativas (electrones). Las cargas de signo contrario
se atraen. La rbita perifrica (la ms alejada del ncleo) da al tomo sus
propiedades qumicas y elctricas. Esta no puede tener ms de ocho
electrones. Los tomos pueden clasificarse a partir de esta rbita perifrica,
en:

a. Los tomos que tienen 1, 2 3 electrones en la rbita perifrica, tienen la
tendencia a perderlos y reciben el nombre de electrones libres. Estos
tomos se vuelven iones positivos pues, elctricamente se vuelven
positivos. Este es el caso de los elementos conductores (Cobre, Plata, Oro,
Aluminio, etc.).
b. Los tomos que tengan 5, 6 7 electrones en la rbita perifrica, tienen la
tendencia de completar esta rbita a ocho electrones. Estos tomos se
vuelven iones negativos pues, elctricamente se vuelven negativos.
Este es el caso de los Aislantes (Azufre, Cloro, etc.).
Unidad N1
c. Los tomos que tienen 4 electrones en la rbita perifrica, son intermedios.
Estos tomos son semiconductores (Carbono, Germanio, Silicio, etc.).
d. Los tomos que tengan 8 electrones en la rbita perifrica, no tienen
tendencia alguna. Estos son los gases raros (Nen, Argn, etc.).
Unidad N1
Nucleus
8 Protones (+) 8 Neutrones
8 Electrones (-)
tomo de Oxigeno
(K, L, M, N.)
K
Anillos Orbitales
L
Unidad N1
Unidad N1
Unidad N1
Semiconductores

Existe una clase de materiales entre los conductores y los aislantes, que son
conocidos como Semiconductores. Algunos de ellos son: el Selenio, el xido
de Cobre, el Asenato de Galio. Probablemente los dos materiales
semiconductores ms comunes y conocidos son el Silicio y el Germanio.
Muchos diodos y transistores son fabricados con cualquiera de stos dos
elementos.

El Silicio y el Germanio en su forma pura no llevarn a cabo completamente
las funciones para que se necesitan, pero cada uno puede ser cortado para
reunir las especificaciones deseadas. Recuerde que la corriente elctrica es
un flujo de electrones. En un semiconductor de cristal puro los electrones se
encuentran en una configuracin muy apretada y no hay lugar para que
los electrones se muevan. Lo que tenemos que crear es un exceso o una
ausencia de electrones.

Unidad N1
Esto puede ser realizado por una inyeccin o una adicin de impurezas al
cristal puro, en su punto de fusin. El tipo de impurezas agregadas al Silicio
determinar si tiene un exceso o una ausencia de electrones.

La inyeccin de Fsforo al Silicio puro, por ejemplo, resultar un material TIPO
N. Esto ocasionar que tenga un exceso de electrones. Inyectndolo con
Boro, se crear un material TIPO P. Esto ocasionar que tenga ausencia de
electrones. Si se aplica voltaje a este cristal de Silicio inyectado este podra
causar ahora un flujo ordenado de electrones de una de las terminales de la
fuente de voltaje, a la otra.

El voltaje bombea un electrn en un extremo del cristal, y un electrn sale en
el extremo opuesto, as mantendr un nmero constante de electrones en el
material. Esta es la razn por la que al agregar ms Fsforo al cristal, se
dispondr de ms electrones libres para la conduccin.

Unidad N1
Principio de Funcionamiento de los Semiconductores

Enlace Covalente: Cuando los tomos se unen compartiendo pares de
electrones, entre tomos vecinos, se denomina Enlace Covalente.

Bandas de Energa: Ac podemos destacar a la Banda de Valencia, que
corresponde a la zona en que los electrones se encuentran semilibres, la
Banda de Conduccin, que corresponde a la zona donde los electrones se
encuentran con la suficiente energa para moverse libremente en una
estructura cristalina, y la Banda Prohibida que corresponde a la zona
cerrada al paso libre de los electrones entre las bandas de Conduccin y de
Valencia.
Unidad N1
Unidad N1
Para explicar el funcionamiento de los semiconductores es necesario definir el
concepto de Par Hueco. Como se ha visto los tomos se unen unos a otros
mediante enlaces covalentes. Cuando a un tomo se le saca un electrn de
stos enlaces, queda un hueco que puede ser eventualmente llenado por
otro electrn. Por lo tanto, el hueco es ausencia de carga en una posicin del
tomo en que debera existir carga. Al hueco se le asigna carga positiva.
Unidad N1
Unin N P :

A travs de procesos fsico qumicos es posible unir dos semiconductores
Extrnseco, uno del TIPO N y el otro del TIPO P, en un solo encapsulado, y a
la zona de contacto se le denomina UNIN.
Unidad N1
En el cristal N P se va a producir una difusin de portadores mayoritarios.
Los electrones de la zona N pasarn a la zona P y los huecos de la zona P
pasarn a la zona N, cruzando la unin. Esta difusin se produce debido a
que los electrones tendern a llenar los huecos adyacentes a la unin,
dejando a su vez una zona de huecos en la posicin original. La difusin se
manifiesta en los lados adyacentes de la frontera y se denomina Zona de
Transicin.
Unidad N1
Unidad N1
a. Polarizacin Directa: En este caso existe una inyeccin de portadores
mayoritarios por la diferencia de potencial aplicada, con lo cual se
reduce la barrera de potencial y se produce la conduccin
Unidad N1
b. Polarizacin Inversa: Los portadores mayoritarios son atrados por el
potencial contrario aplicado en sus extremos, lo cual hace que aumente
el potencial de barrera; por lo tanto, los electrones no tendrn la
suficiente energa para atravesar la barrera y la corriente ser
prcticamente nula.
Unidad N1
Diodos

Un diodo es un dispositivo elctrico que permitir el paso de corriente a
travs de el, en una sola direccin. Aplicando la teora convencional del
flujo de corriente, el diodo permitir el flujo de esta solamente en la
direccin de la flecha.
Unidad N1
Unidad N1
Aplicaciones del diodo:

Rectificacin: Cambio de corriente alterna a continua.
Circuito de control: Corriente directa en direcciones especficas entre
circuitos.
Proteccin: Controla los pick de voltaje que pueden daar circuitos de
estado slido sensibles. Mantener el voltaje del circuito dentro de un
rango especfico

Cuando seis diodos son montados dentro d dos disipadores de calor, el
ensamble es llamado Puente Rectificador.

Unidad N1
Grfica de un Diodo

Otra forma de entender como
funciona un diodo es a travs de su
grfico, del cual podemos deducir
que es un dispositivo NO lineal.

Donde:
OA: Zona de baja polarizacin
directa, pequea corriente.
AB: Zona de Conduccin (a
partir de los 0,6 [V]).
OC: Corriente inversa de
saturacin, a partir de C, zona de
avalancha.
Unidad N1
Unidad N1
Unidad N1
Unidad N1
Ejemplo: se desea rectificar el voltaje a la salida de un transformador de 12
[V]. Como muestra la siguiente figura, calcular:
Voltaje peak
Voltaje medio de rectificacin
Corriente peak.
Corriente media.
Unidad N1
Unidad N1
A la salida de un rectificador se obtiene una tensin continua pulsante.
Para mejorar esta seal y dejarla lo ms cercano posible a una seal
continua pura, se utilizan los filtros.
Existen diferentes tipos de filtros, como son los capacitivos
(condensadores), filtro inductivo (bobinas). Adems pueden usarse
ambos juntos (filtro inductivo capacitivo.
Unidad N1
Seal rectificada con un condensador
Unidad N1
Rectificacin de Onda por medio de un Condensador
Unidad N1
El funcionamiento del condensador consiste en lo siguiente: Este se carga a
travs de la tensin continua pulsante que entrega el rectificador, una vez
que el condensador almacena un valor mximo de tensin, comienza su
descarga hasta que nuevamente la tensin continua pulsante alcance el
valor del condensador, comenzando nuevamente su carga.
Unidad N1
El diodo adems de
rectificar, se puede utilizar
como elemento de
proteccin, como por
ejemplo asegurar el paso de
corriente en un solo sentido.
Unidad N1
Diodo Zener

Es un tipo de diodo diseado especialmente para conducir
satisfactoriamente el flujo de corriente en sentido inverso. La principal
caracterstica de este tipo de diodo, es que se le inyectan ms impurezas de
lo normal durante su fabricacin.
Unidad N1
Unidad N1
Unidad N1
El diodo Zener:

Estabiliza la tensin.
Para trabajar la corriente (I)
tiene que ser mayor que la
corriente (Iz) mnima.
Nunca debe pasar la Iz
mxima.
El diodo Zener es un elemento
estabilizador de tensin, que para
pequeos mrgenes de variacin de
voltaje.
Unidad N1
Diodo LED (Emisor de luz)

Estos diodos funcionan por un complicado proceso fsico, que en definitiva,
concluye con la particularidad que tienen determinados electrones de
desprender fotones cuando vuelve a su rbita de valencia.

Unidad N1
Los Fotodiodos

Funciona de una manera inversa a lo que se ha visto en los diodos emisores
de luz. Se trata de un diodo semiconductor, en el cual la corriente inversa
vara con la iluminacin que incide sobre su unin N P. Trabajan al recibir
una radiacin luminosa y se deben polarizar en forma inversa.

Unidad N1
Transistores

Es un dispositivo elctrico utilizado para controlar el flujo de corriente. En
sta seccin la operacin del transistor es descrita por observacin de las
condiciones bajo las cuales el flujo de corriente NO permite el paso de
corriente.

Cuando se forma una segunda seccin de material TIPO P con la unin N P,
se forma un Transistor.

Unidad N1
Unidad N1
El material P en el lado izquierdo es llamado emisor, el material tipo N
en el centro es la base y el material tipo P en el lado derecho es llamado
colector. Este arreglo es conocido como un transistor PNP

Unidad N1
El emisor es la lnea con la flecha, la lnea gruesa es la base y la lnea sin
flecha es el colector. Note que la flecha va en la direccin de la teora
convencional del flujo de corriente de positivo a negativo en el circuito
externo.

Unidad N1
Modo de Funcionamiento:

Unidad N1

1. En saturacin: Cuando el transistor conduce el mximo de Ic que puede
tolerar. Esta disposicin se utiliza cuando queremos el transistor
funcionando como interruptor.

Unidad N1

2. Transistor en corte: En serie con la base se conecta una resistencia de
polarizacin Rb. Si el diodo emisor base est polarizado en inversa no
puede circular corriente alguna.

Unidad N1
3. En activa: Al polarizar directamente el diodo emisor base, circula una
pequea corriente que depende del valor de Rb, la que hace que se
establezca otra mayor entre el emisor y el colector (Ic), proporcional a la
corriente de base. De esta forma tenemos una corriente en el circuito
emisor colector elevada que se puede controlar mediante otra mucho
menor, el transistor funciona como un amplificador de corriente.

Unidad N1
3. En activa: Al polarizar directamente el diodo emisor base, circula una
pequea corriente que depende del valor de Rb, la que hace que se
establezca otra mayor entre el emisor y el colector (Ic), proporcional a la
corriente de base. De esta forma tenemos una corriente en el circuito
emisor colector elevada que se puede controlar mediante otra mucho
menor, el transistor funciona como un amplificador de corriente.

Unidad N1
Configuraciones de un transistor

Estas configuraciones dependen del terminal que se elija comn a la
entrada y a la salida.

Unidad N1
Funciones principales de un transistor

En lo que respecta al automvil se destaca la importancia del transistor en la
utilizacin como Rel y amplificador.

a. Como Rel: se deben dar rdenes a la base del transistor, a travs de una
dbil polarizacin, para conseguir el paso de una gran corriente entre
emisor colector.

Unidad N1
Unidad N1

Unidad N1

b. Como Amplificador: Estos se utilizan cuando se trata de recibir seales
procedentes de sensores o captadores, los cuales trabajan con seales
muy bajas. Para que stas seales puedan ser incorporadas a dispositivos
electrnicos, tales como: mdulos de encendido, unidad de control
electrnica de inyeccin u otro microprocesador, deben amplificar las
seales.

En resumen un amplificador es un dispositivo por medio del cual una dbil
corriente producida por una fuente, hace provocar una fuerte corriente
en la salida.

Unidad N1

Unidad N1

c. Configuracin Darlington: es un dispositivo semiconductor que combina
dos transistores bipolares en un tndem (a veces llamado par Darlington)
en un nico dispositivo.

Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de
proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo
integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la
misma configuracin.

Unidad N1

Unidad N1

La ganancia total del Darlington: es el producto de la ganancia de los
transistores individuales. Un dispositivo tpico tiene una ganancia en corriente
de 1000 o superior. Tambin tiene un mayor desplazamiento de fase en altas
frecuencias que un nico transistor, de ah que pueda convertirse fcilmente
en inestable.

La ganancia se determina multiplicando las de los transistores individuales. la
intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la
beta total.
Unidad N1

La tensin base-emisor: es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-
emisor, y para transistores de silicio es superior a 1,2 (V). Esto desventaja es la
duplicacin aproximada de la base-emisor de tensin. Ya que hay dos se
debe a las uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington, el
voltaje base-emisor equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor:
Para la tecnologa basada en silicio, en la que cada V
BEi
es de
aproximadamente 0,65 V cuando el dispositivo est funcionando en la
regin activa o saturada, la tensin base-emisor necesaria de la pareja es
de 1,3 V.
Unidad N1

Otro inconveniente del par Darlington es el aumento de su tensin de
saturacin. El transistor de salida no puede saturarse (es decir, su unin base-
colector debe permanecer polarizada en inversa), ya que su tensin
colector-emisor es ahora igual a la suma de su propia tensin base-emisor y
la tensin colector-emisor del primer transistor, ambas positivas en
condiciones de funcionamiento normal.
Por lo tanto, la tensin de saturacin de un transistor Darlington es un V
BE

(alrededor de 0,65 V en silicio) ms alto que la tensin de saturacin de un
solo transistor, que es normalmente 0,1 - 0,2 V en el silicio. Para corrientes de
colector iguales, este inconveniente se traduce en un aumento de la
potencia disipada por el transistor Darlington comparado con un nico
transistor.
Unidad N2
Tecnologa de montaje superficial

La tecnologa de montaje superficial, ms conocida por sus siglas en ingls
SMT (Surface Mount Technology) es el mtodo de construccin de
dispositivos electrnicos ms utilizado actualmente.

Se usa tanto para componentes activos como pasivos, y se basa en el
montaje de los mismos (SMC, en ingls Surface Mount Component) sobre
la superficie misma del circuito impreso.

Tanto los equipos as construidos como los componentes de montaje
superficial pueden ser llamados dispositivos de montaje superficial, o por
sus siglas en ingls, SMD (Surface Mount Device).

Fundamentos de la Electrnica
Unidad N2
Unidad N2
Unidad N2
a. Seal Analgica: es como una forma de onda que toma un continuo de
valores en cualquier tiempo dentro de un intervalo de tiempos. Si bien un
dispositivo de media puede ser la resolucin limitada (esto es, tal vez no
sea posible leer un voltmetro anlogo con un exactitud mayor que la
centsima ms cercana de un voltio), la seal real puede tomar una
infinidad de valores posibles.

b. Seal Digital: es una forma de onda muestreada o discreta, pero cada
nmero en la lista puede, en este caso, tomar solo valores especficos.

Unidad N2
Unidad N2
Clasificacin de los CI

a. Segn el tipo de transistores que se emple: as, se puede tener un CI
bipolar, si se fabrica a base de transistores bipolares, NPN y PNP, y circuitos
integrados MOS, si lo que se usan son transistores de efecto campo ms
conocidos como MOS.

b. Segn la manera de fabricar un CI: se puede encontrar circuitos
integrados monolticos, circuitos integrados multilminas formados por
capas gruesas, o circuitos integrados de capas delgadas. Y, por ltimo,
dentro de esta clasificacin se pueden encontrar los circuitos hbridos.

c. Segn el numero de integracin de dispositivos electrnicos en el circuito
integrado: SSI (0-12), MSI (12-100), LSI (100-1000) y VLSI (1000000).

Unidad N2
Clasificacin de los CI

d. Segn el tipo de familia o fabricante: Los TTL (Lgica transistor-transistor)
por la Texas Instruments, y los CMOS (semiconductor de oxido metal
complementario) fabricados por la RCA.
Unidad N2
1. TTL (Lgica Transistor Transistor): Corresponde a la familia 7400, fue
introducida por la Texas Instruments en el ao 1964. Estos circuitos han ido
evolucionando, conduciendo a nuevas subfamilias las cuales estn
disponibles en la National Semiconductor.

a. Lgica TTL Standard 7404
b. Lgica TTL baja potencia 74L04
c. Lgica TTL Schohky 74S04
d. Lgica TTL Schohky baja potencia 74LS04
e. Lgica TTL Schohky avanzada 74AS04
f. Lgica TTL Schohky avanzada baja potencia 74ALS04

Las caractersticas de tensin en todas las subfamilias TTL son las mismas, la
tensin elctrica de alimentacin es de VCC +5 [V]. Sin embargo, cambian
sus caractersticas de velocidad y de potencia.

Unidad N2
Los conectores en los circuitos integrados TTL varan segn el fabricante, a
continuacin se presenta un ejemplo, en donde se destaca la tensin de
alimentacin y la tierra:
Unidad N2
Unidad N2
2. Circuitos integrados CMOS (Semiconductor de oxido de metal
complementario): Fue introducido por la RCA en el ao 1968, su
popularidad deriva a que tienen un extremado bajo consumo de
potencia, alta inmunidad al ruido y pueden funcionar con una fuente
econmica no reguladas. Las caractersticas de tensin son, en algunas
de ellas, hasta VCC +15 [V] de tensin electrica de alimentacin.

Los fabricantes producen 3 familias de circuitos integrados CMOS, que
incluyen la antigua serie o familia 4000, la familia 74C00 y la familia 74HC00.

A continuacin se muestra un ejemplo para un cdigo usado en un CI
CMOS: CD 4028 BE

Unidad N2
a. CD 4028 :Cdigo del Fabricante para CMOS digital
b. B :Funcin del dispositivo
c. E :Cdigo del fabricante, dispositivo plstico
Unidad N2
Circuitos integrados digitales (Compuertas lgicas)

La compuerta lgica es un elemento bsico en los sistemas digitales. Las
compuertas lgicas operan con nmeros binarios.

Todos los voltajes usados en las compuertas sern altos o bajos. Un alto
voltaje significa un 1 binario y un bajo voltaje significara un 0 binario.

Todos los sistemas digitales se construyen a partir de tres compuertas lgicas
bsicas, que son:

a. La compuerta AND
b. La compuerta OR
c. La compuerta NOT
Unidad N2
Unidad N2

La seal digital toma el valor 1 cuando supera al valor a, y toma valor 0
cuando desciende por debajo del valor b. Cuando la seal permanece
entre los valores a y b, se mantiene con el valor anterior.

Esto supone una gran ventaja, hace que la seal digital tenga un alto grado
de inmunidad frente a variaciones en la transmisin de datos.

Unidad N2

Pero tiene el inconveniente de que para transmitir una seal analgica
debemos hacer un muestreo de la seal, codificarla y posteriormente
transmitirla en formato digital y repetir el proceso inverso. Para conseguir
obtener la seal analgica original todos estos pasos deben hacerse muy
rpidamente. Por lo tanto el muestreo de una seal consiste en convertir
su valor en un valor binario.

Unidad N2
Compuerta AND: La compuerta AND llamada Todo o nada en los
esquemas se muestran su smbolo y el circuito AND usando conmutadores:

Smbolo Circuito Anlogo Tabla de Verdad

La expresin Booleana que define una compuerta o condicin AND, es la
siguiente:
S = AB

Unidad N2
Unidad N2
Compuerta OR: La compuerta OR llamada Cualquiera a todo en los
esquemas se muestran su smbolo y el circuito OR usando conmutadores:


La expresin Booleana que define una compuerta o condicin OR, es la
siguiente: S = A+B

Unidad N2
Unidad II

Compuerta NOT: La compuerta NOT se conoce tambin como un inversor.
La compuerta NOT tiene solamente una entrada y una salida, en los
esquemas se muestran su smbolo y el circuito NOT usando conmutadores:
.

La expresin Booleana que define una compuerta o condicin NOT, es la
siguiente:.

A
_
A
Unidad N2
Unidad N2
Combinaciones de compuertas:
Circuito Integral Digital

Expresin Booleana

Tabla de Verdad

Unidad N2
Unidad N2
Tarea, dada las siguientes expresiones Booleanas:

Realizar:
1. Los circuitos lgicos combinacionales
2. La tabla de verdad
C AB ABC ABC S
C AB C B A BC A S
C B A ABC AB BC A S
Unidad N2
Otras compuertas lgicas: Se pueden hacer otras cuatro compuertas lgicas a partir de las
fundamentales y son:
a) Compuerta NAND
b) Compuerta NOR
c) Compuerta OR EXCLUSIVA
d) Compuerta NOR EXCLUSIVA
Unidad N2
Compuerta NAND: Esta se puede alterar a travs de una compuerta AND y
una compuerta NOT, como se ve en el esquema:
Combinacin

Smbolo

Tabla de Verdad

Expresin Booleana

Unidad N2
Unidad N2
Compuerta NOR: Dicha compuerta se obtiene a travs de una compuerta
OR y una compuerta NOT, como se ve en la siguiente figura:
Combinacin

Smbolo

Unidad N2
Unidad N2
Compuerta OR exclusiva: La compuerta OR exclusiva se conoce como la
compuerta alguno para no todos, el termino OR exclusivo se abrevia X OR.
La siguiente figura muestra el circuito lgico que realiza la funcin X OR:
Smbolo

Expresin Booleana

Unidad N2
Unidad N2
Combinacin

Unidad N2
Compuerta NOR Exclusiva: Tambin se llama X NOR la compuerta NOR
produce la expresin . Al invertir esta, se forma la expresin Booleana: B A
Combinacin

Expresin Booleana

Smbolo

Tabla de Verdad

Unidad N2
Las compuertas que se han nombrado se denominan circuitos lgicos, ya
que toman decisiones lgicas, las compuertas tienen con frecuencia ms
de dos entradas; un aumento de ellas (N de entradas) implica un mayor
poder de toma de decisiones.

Las compuertas se utilizan individualmente o conectadas para formar una
red. Circuitos lgicos combinacionales: Estos responden a los datos que
entran y pueden ser (0 1).
Unidad N2
Unidades Electrnicas de Control.

Estas tienen la funcin de ser el cerebro, para comandar los diferentes elementos en
el automvil. Estos elementos reciben informacin de sensores y luego pueden calcular y
elegir en el mnimo de tiempo, la decisin ms conveniente.
Esquema del principio de mando de una unidad electrnica de control: Todo
aquello que deba controlarse en cuyo funcionamiento pueden producirse alternativas
puede ser regulado con gran facilidad por una unidad electrnica de control.

Sistemas Lgicos Secuenciales
Unidad N2

El procedimiento externo se muestra a continuacin:

Unidad N2
La pregunta o inquietud que resalta es Cmo una mquina con dispositivos electrnicos
puede tomar decisiones?, la respuesta no es simple, sin embargo se puede hacer una
analoga con el pensamiento humano:

Unidad N2
De acuerdo a las figuras el sensor representa a los sentidos del hombre; esta
informacin la traspasa a una memoria la cual lleva incorporado un programa
previamente almacenado que le indica que acciones debe ejecutar una vez enviada la
seal elctrica del sensor. La unidad electrnica de control dispone de un nmero muy
grande de elementos electrnicos y posee una reaccin prcticamente instantnea.
Unidad N2
La siguiente figura pertenece a una Unidad Electrnica Lgica para un equipo de
inyeccin de gasolina:

Unidad N2
Se observa que el sistema posee varios sensores cuyos datos pasan a la unidad
electrnica de control y dentro de ella a una unidad aritmtica lgica, que en combinacin
con dos memorias (ROM RAM) determinan la presin de la bomba, en el momento de
interrumpir el paso de la corriente por el primario de la bobina (salto de la chispa entre
los electrodos de la buja) y la fraccin de tiempo en que han de permanecer abierto los
inyectores.
Unidad N2
La siguiente figura, nos muestra en forma detallada a travs de un diagrama en bloques
de una caja electrnica de una inyeccin a gasolina:

Unidad N2
a) Conformacin de impulsos (C.I.): Acta para recibir los impulsos de tensin de los
rganos de informacin del encendido. Estos impulsos son modificados en magnitud
y en forma para dejarlos en condiciones que puedan ser procesados por el
microprocesador.

b) Convertidor anlogo digital (A/D): Es el encargado de recibir las seales que se
producen por variaciones de tensin y que corresponden a las entregadas por los
sensores.
c) Bus: Est formado por un conjunto de lneas de transmisin permitiendo el acceso a
todas las unidades que lo requieran y puede ser unidireccionales o bidireccionales.
Unidad N2
d) Microprocesadores (C.P.U): Es la unidad central de proceso, contiene en su
interior tres dispositivos fundamentales que son:
d.1.- Unidad aritmtica lgica (A.L.U.): Realiza operaciones aritmticas y
lgicas. Los programas y datos que se precisa saber, los obtiene de la
memoria: ROM mientras que los datos que ha de procesar vienen de la
memoria RAM.
d.2.- Acumulador: Es la memoria intermedia que le permite a la ALU guardar
datos mientras trabaja con otros datos que est procesando, es decir,
es una unidad de espera.

d.3.- Unidad de control: Es el elemento activo que solicita los datos, controla
las entradas y las salidas y el desarrollo de las operaciones.

Unidad N2
Unidad N2
Unidad III
Sensores y Actuadores
El diagrama siguiente, muestra una resistencia que depende de la luz
conocida como LDR (Resistencia Dependiente de la Luz), junto con su
smbolo de circuito:

La parte sensible a la luz del LDR es una pista 'ondulada' de sulfuro de
cadmio. La energa de la luz que incide en esta zona, acciona la
avalancha de los portadores de carga en este material (conduccin), de
modo que bajar su resistencia mientras que el nivel de la iluminacin se
mantenga. Un sensor de luz, utiliza una LDR como parte de un divisor del
tensin.
Unidad III
Circuito esencial de un divisor de tensin, tambin llamado divisor de
potencial o divisor de voltaje y su frmula:
Unidad III
Como se puede ver, dos resistencias estn conectadas en serie con la
tensin de entrada V
in
, que puede ser o no, la tensin de la fuente de
alimentacin, conectada a R
arriba
, la otra resistencia R
bajo
conectada a masa.

La tensin de la salida V
out
, es el voltaje a extremos de R
bajo
y viene dada
por:

Normalmente conocemos la tensin de entrada V
in
, la tensin de salida en
algunos casos y la corriente que se necesita en la salida del divisor, por lo
tanto podemos plantear un ejemplo de utilidad como el siguiente:
Tenemos una tensin de entrada de 9V, necesitamos una tensin de salida
de 5V. Calcular las resistencias necesarias para crear un divisor de tensin de
estas caractersticas.
Unidad III
Observemos estas dos formulas de la derecha, entre ellas podemos ver la
semejanza, en donde los trminos del quebrado se intercambia tensin (V)
por resistencia (R). Podemos deducir Va = 4V y Vb = 5V.

Tambin podemos deducir lo siguiente: (Ra+Rb) x Vout = Rb x Vin.
Suponiendo que la corriente en vaco a travs de Ra y Rb sea de 0'02A,
optemos el valor para el conjunto Ra+Rb = 450 Ohms, sustituimos los valores
conocidos y tenemos: (450) x 5 = Rb x 9; despejando Rb, tememos que: Rb
= 2250 / 9 = 250 Ohms, ahora podemos saber que Ra = 200 Ohms. La
potencia o voltaje de Ra se hallar dependiendo de la corriente que se
necesite en la salida ms la de drenaje (0'02A). Para comprobar los
clculos, aplicaremos la formula [F1], lo que nos muestra su validez.

Unidad III
Unidad III
Unidad III
Unidad III
Unidad II
Unidad II
Unidad II
Unidad II
Unidad II

Compuertas Logicas

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Programa de Estudio: Mecnica Automotriz en Sistemas Electrnicos

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