*

*Efecto fotovoltaico
*tomo

*
*Conductores: Aquellos cuyos tomos
permiten fcilmente el paso de
electrones (Electrones de valencia
poco ligados al ncleo) Cu, Au, Ag.
*Semiconductores: Resistencia media
al paso de electrones. Si, Ge.
*Aislantes: Elevada resistencia al paso
de electrones.
Los materiales usados en las celdas
solares son los semiconductores.


*
*Es un dispositivo capaz de
convertir la energa proveniente
de la radiacin solar en energa
elctrica.
*
*Segundo elemento ms abundante
del planeta.
*14 electrones y 14 protones, 4e-
de valencia.
*Se presenta en la naturaleza en
forma amorfa y cristalizada.

*
*Poseen 4 e
-
en su rbita de valencia.
*Estructura del tomo inestable.
*Cuesta lo mismo (Energa) desprenderse de
4 e
-
electrones y quedarse sin una rbita,
que absorber 4 e
-
para hacerse estable al
pasar a 8 e
-
.
*Se unen 5 tomos del material, enlace
covalente.
*Cuanto mayor es la temperatura aumenta
la agitacin de los e
-
y por consiguiente
enlaces covalentes rotos, dando lugar a e
-

libres y huecos (falta de electrn).

*
*Si incorporamos una impureza
(P, Sb, As) (5 e
-
de valencia)
habr un e
-
libre.
*El material tendr exceso de
cargas negativas.
*
*Si incorporamos una impureza
(B, Al, Ga) (3 e
-
de valencia)
aparecer un hueco.
*No se produce enlace covalente
y hay exceso de cargas
positivas.
*
* Al colocar parte del semiconductor tipo P junto a otra parte del
semiconductor tipo N, e
-
de la zona N tienden a dirigirse a la
zona P (Cada vez mas positiva), sucediendo lo contrario con los
huecos, que tratan de dirigirse de la zona P a la zona N (Cada vez
mas negativa),(Ley de difusin).
* Encuentro y neutralizacin en la zona de unin.
* Diferencia de potencial entre las zonas N y P, separadas por la zona
de unin.
* La tensin que aparece entre las zonas (Barrera de potencial) se
opone a la ley de difusin.
* Potencial positivo que se va creando en la zona N repele a los
huecos que se acercan de P, y el potencial negativo de la zona P
repele a los electrones de la zona N.
* 0,7V Si y 0,3V Ge.


*
*Monocristalinas:
Estructura cristalina uniforme.
Estructura atmica muy ordenada.
Rendimiento entre el 15% y el 18%.
Difcil construccin, alto precio.
*Policristalinas:
Estructuras ubicadas arbitrariamente.
Estructura atmica no tan ordenada (Monocristalinas)
Rendimiento entre el 12% y el 15% .
*Amorfas:
Estructura atmica bastante desordenada.
Rendimiento es inferior al 10%.
Fabricacin sencilla, ms barato.
*
*Un contacto superior en la zona del material
tipo N.
*Dos semiconductores tipo N y tipo P.
*Un contacto inferior en la zona del material
tipo P.


*
*Caractersticas I-V
*Voltaje de circuito abierto VOC
*Corriente de cortocircuito ISC
*Potencia Mxima (rectngulo)
*Factor de llenado (Fill factor) : cociente entre
el rectngulo de mxima potencia y el
rectngulo inscrito entre el voltaje de circuito
abierto y la corriente de corto circuito. Esta
medida nos da una idea de la calidad de la
celda
*
*Definicin: Relacin entre la potencia elctrica generada por
unidad de rea (W/m2) y la irradiacin solar incidente (W/m2)
para obtenerla
*Mximas eficiencias tericas para las celdas solares para
diversos materiales (J.J. Loferski 1963)

*
*
Consiste en llevar los granos de cuarzita a
temperaturas sumamente elevadas, agregando
carbn para eliminar el oxigeno presente en la
cuarzita y producir una sustancia gris metlica
brillante de una pureza de aproximadamente
99%.
Para llegar a purezas de 99,9999%, la sustancia
obtenida es depurada mediante un proceso
similar al utilizado en las refineras de petrleo,
llamado destilacin fraccionada
*
*
*El Silicio Policristalino se funde en un crisol a
temperaturas cercanas a 1.410C,
*Se introduce una semilla de Silicio
Monocristalino.
*Se retira lentamente (10cm/hora) haciendo
crecer un lingote cilndrico de material
Monocristalino.
*
*Se coloca una semilla Monocristalina sobre
una barra de Silicio Policristalino
*Luego gracias a una bobina que induce un
campo elctrico, la barra se calienta y se
funde con la semilla
*Al desplazarse completamente por la bobina
permite la obtencin del lingote de Silicio
Monocristalino
*Este lingote es ms puro que el producido con
el mtodo CZ
*
*Una vez obtenido el cilindro de Silicio
Monocristalino, se procede a cortar las obleas o
wafers con espesor aproximado de 300um
*Para realizar esta operacin se utiliza una
sierra con multifilamentos, la cual al cortar las
obleas produce partculas de Silicio
*Se pierde casi un 20% de material
*Las obleas son dopadas con tomos de Fsforo
en un horno a temperaturas entre 800C y
900C para obtener la capa N
*El substrato tipo P se logra, antes de obtener
los lingotes, dopando el Silicio con tomos de
Boro, para luego cortar las obleas que sern
utilizadas como material tipo P en las celdas
*
*Consiste en una tratamiento o texturizado que
se le da al Silicio para disminuir el ndice de
reflexin
*Estructura piramidal, que aumenta la absorcin
de la luz incidente, gracias a reflexin mltiple
de sta

*
Superior : Debe construirse con unidades lo
bastante gruesas, para transportar la corriente
elctrica y lo bastante finas, para no
obstaculizar el paso de la luz solar
Inferior : material conductor simple (aluminio)
*
*N celdas en serie o en paralelo, la potencia
total de salida es
*WP = N (IP VP)
*IP = corriente de la celda
*VP = voltaje de la celda

*
*Radiacin solar : bajos niveles / altos niveles de
voltaje de salida
*Concentrador esttico : Encapsulado que aumenta
el rendimiento.
*Temperatura de operacin : Un aumento de esta
hace que la corriente aumente pero el voltaje
disminuya
*Sombra : Disipa la energa
*Una celda sombreada afecta al mdulo completo.
*Solucin : diodos bypass

*
*Suntech (China)
*JA Solar (China)
*First Solar (USA)
*Q-Cells (Alemania)
*Spectrolab (USA)