Introduccin a los tiristores,

LASCR.
LASCR son las siglas para Light Activated Silicon
Controlled Rectifir. En otras palabras, la LASCR es un
rectificador controlado de silicio comn.

LASCR
La electrnica de potencia concierne a los circuitos con
tiristores, a su diseo y a su funcin en el control de
potencia en un sistema. Existen gran variedad de
tiristores, pero todos ellos tienen ciertas propiedades
en comn: son dispositivos de estado slido que se
"disparan" bajo ciertas condicones pasando de un
estado de alta impedancia a uno de baja, estado que se
mantiene mientras que la corriente y la tensin sean
superiores a un valor mnimo denominado niveles de
mantenimiento. Estructuralmente, todos los tiristores
consisten en varias capas alternadas de silicio dopado
con impurezas p y n. El disparo de un tiristor se realiza
inyectando corrientes en esas uniones de forma que,
mediante un reaccin regenerativa, conmuta a
conduccin y lo mantiene en este estado aunque la
seal de disparo sea retirada, siempre que se verifiquen
unos requerimientos mnimos de tensin y corriente.
Estas caractersticas hacen que los tiristores sean
mucho ms tiles que los conmutadores mecnicos, en
trminos de flexibilidad, duracin y velocidad. Estos
dispositivos se utilizan en control de potertcia,
convertidores DC-DC o DC-AC o AC-DC o AC-AC,
motores, luz incandescente,etc.
Rectificador gobernado de silicio o SCR

El SCR o Silicon Controled Rectifier es un dispositivo
triterminal (A o nodo, C o ctodo y G o gate o puerta de
control). En la figura muestra el smbolo del SCR.
En el modelo a nivel de transistor, se observa claramente
que al introducir una corriente por la lnea G se produce la
conduccin de los transistores, es decir, el disparo del
dispositivo sin ser necesario alcanzar la V/BO
En la figura permite ver claramente como las
caractersticas del SCR varan con la corriente
de su puerta cuyos valores son del orden de
miliamperios o inferiores
Parmetros caracteristicos de los SCR.

Tiempo de conduccin (Turn-on Time). Tiempo de duracin mnima de
la tensin de disparo para pasar el SCR de bloqueo a conduccin. Este
tiempo tiene dos componentes: , siendo td el tiempo de retraso (delay
time) y Ir el tiempo de subida (rise time). Por ejemplo, e12N5060 tiene el


Tiempo de corte (Turn-off Time). Tiempo que el SCR puede
permanecer por debajo de las condiciones de mantenimiento. El
2N5060 tiene un T OFF=tq de lOus.

Mxima corriente de conduccin. Mxima corriente eficaz que puede
circular por el SCR durante el estado de conduccin. Para e1 2N5060, la
IT(rms)=O.8A.

Velocidad crtica de elevacin. Variaciones muy rpidas de tensin
entre el nodo y ctodo en un SCR pueden originar un disparo
indeseado. Para evitar este problema, la variacin de tensin nodo-
ctodo no debe superar un valor conocido como velocidad crtica de
elevacin (dv/dt); si se supera este valor adems de producir el disparo
puede llegar a deteriorar el dispositivo. El 2N5060 tiene un
dv/dt=30V/us. A veces transitorios en las lneas de alimentacin pueden
originar problemas de comportamiento del SCR al ser superado su
velocidad crtica