Electrnica de Potencia

Josu Antonio Yasmany Arreola Peralta

Nstor Osiris Uribe Gutirrez
Adrin Alejandro Hernndez Garca

Antecedentes de la Electrnica de Potencia
El tiristor

Es un componente electrnico constituido por
elementos semiconductores.


El tiristor es el equivalente electrnico de los
interruptores mecnicos.

Caractersticas

Los materiales de los que se compone son de tipo
semiconductor, es decir, dependiendo de la
temperatura a la que se encuentren pueden funcionar
como aislantes o como conductores.

Son dispositivos unidireccionales porque solamente
transmiten la corriente en un nico sentido.

Los tiristores (scr silicon controlled rectifiers) son
dispositivos de caractersticas muy similares a los
diodos.

1948
1956
1958
1970
Antecedentes
1900
La primera revolucin electrnica inicia en 1948 con la invencin del
transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratorios por los seores
Bardeen, Brattain y Schockley. La mayor parte de las tecnologas
electrnicas avanzadas actualmente tienen su origen en esta invencin.

En 1956, tambin proviene de los Bell Telephone
Laboratorios: la invencin del transistor de disparo
PNPN, que se defini como un tiristor o rectificador
controlado de silicio (SCR por sus siglas en ingles)

La segunda revolucin electrnica empez en 1958 con el desarrollo del
tiristor comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de
una nueva era en la electrnica de potencia. Desde entonces, se han
introducido muy diversos tipos de dispositivos semiconductores de
potencia y tcnicas de conversin.

En 1970, los tiristores convencionales se haban utilizado en forma
exclusiva para el control de la energa en aplicaciones industriales. A
partir de 1970, se desarrollaron varios tipos de dispositivos
semiconductores de potencia que quedaron disponibles en forma
comercial:
Diodos de potencia
Tiristores,
Transistores bipolares (BJT),
MOSFET de potencia
Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)

El SCR es un dispositivo compuesto de cuatro
capas de material semiconductor, este
dispositivo tiene tres terminales, nodo,
ctodo y compuerta
TRIAC es el acrnimo para identificar al triodo
de semiconductor de AC o tiristor triodo
bidireccional
Los DIAC son dispositivos que pertenecen a
la familia de los tiristores, estn construidos
con las cuatro capas tpicas de la familia
El MOSFET es un tipo de transistor que
pertenece a la familia de los transistores de
efecto de campo, el cual fue diseado
principalmente para aplicaciones de
conmutacin.
Como su nombre lo indica el transistor de
unijuntura tiene una sola unin, como un diodo.
Sin embargo, difiere del diodo en que el material N
es una barra de silicio con un contacto resistivo en
cada extremo
El PUT (Transistor Uniunin programable)
es un dispositivo que, a diferencia del
transistor bipolar comn (que tiene 3 capas:
NPN o PNP), tiene 4 capas.