TRANSISTOR FET

FET
Construo
Transistor de efeito de campo (FET)
Elemento de trs terminais
Dispositivo controlado por tenso
No BJT, o controle do dispositivo feito por corrente na base
Controle induzido por campo eltrico
Da o nome efeito de campo
Melhor estabilidade em relao ao BJT
Pior sensibilidade ao sinal de entrada em relao ao BJT
FET
Tipos
JFET
Transistor de juno (J)
MOSFET por depleo
MOSFET por intensificao
Metal-xido-semicondutor (MOS)
Facilidade para integrao em CI
FET
Construo (JFET canal n)
Dreno
Porta (Gain)
n p p
Fonte (Source)
FET
Construo (JFET canal p)
Dreno
Porta (Gain)
p n n
Fonte (Source)
FET
Construo
Regio de depleo
Formada pela juno dos materiais p e n
Fenmeno idntico ao dos diodos
DDPs importantes:
v
DS
Tenso entre dreno e fonte
v
GS
Tenso aplicada nas portas e fonte
Atente para conexo entre ambas as portas
FET
v
GS
= 0, v
DS
> 0
n p p
FET
v
GS
= 0, v
DS
> 0
Fluxo de eltrons
induzidos por v
DS
sentido real
da corrente
Alterao forada
da zona de
depleo
n p p
FET
v
GS
= 0, v
DS
> 0
Aumentando v
DS
,
aumenta-se a zona de
depleo.
Existe limite?
E a corrente entre
os ns D e S?
n p p
i
D
i
S
FET
v
GS
= 0, v
DS
> 0
Por que a zona de depleo aumenta?
FET
v
GS
= 0, v
DS
> 0
Por que a zona de depleo aumenta?
Eltrons externos cobrem as lacunas do material n
Tenso da fonte v
DS

Cobertura propaga-se no sentido real da corrente
Existem regies de depleo maiores e menores ao
longo do FET
Orientao depende do sentido real da corrente
Induzidas pelo fluxo de eltrons da fonte externa
Distribuio uniforme de resistncia R no FET
FET
v
GS
= 0, v
DS
> 0
Aumento de v
DS
induz uma resistncia no JFET
i
D
= i
S
JFET no altera densidade de fluxo de corrente (v
G
=0)

No limite (v
DS
= v
P
)
JFET limita densidade de fluxo de corrente
Corrente limitada a i
D
= i
DSS
Corrente de saturao
Corrente do dreno quando porta est em curto
No h estrangulamento de corrente!
FET
Curva i
D
v
DS
i
DSS
v
P
i
D
v
DS
v
GS
= zero
FET
v
GS
< 0, v
DS
> 0 (JFET canal n)
v
DS
aumenta regio
de depleo
Polarizao reversa
Independente de v
DS
n p p
i
G
=zero
FET
v
GS
< 0, v
DS
> 0 (JFET canal n)
Aumentando v
DS
,
aumenta-se a zona de
depleo
n p p
FET
v
GS
< 0, v
DS
> 0 (JFET canal n)
Aumentando v
DS
,
aumenta-se a zona de
depleo
n p p
FET
v
GS
< 0, v
DS
> 0 (JFET canal n)
Reduzindo v
GS
Aumentamos zona de depleo nas junes p-n
Para v
DS
= zero
Reduzimos v
P
Reduzimos i
DSS
FET
Curva i
D
v
DS
(JFET canal n)

FET
Curva i
D
v
DS
(JFET canal n)

Lugar geomtrico de v
P
i
DSS
s

FET
v
GS
< 0, v
DS
> 0 (JFET canal n)
Quando v
GS
= v
GS-off
= |v
p
|

i
DSS
= zero
FET est desligado
direita do lugar geomtrico de v
P
Regio de saturao do FET
FET como fonte de corrente!
FET
v
GS
> 0, v
DS
< 0 (JFET canal p)
Fluxo das lacunas
p n n
i
D
i
S
i
G
=zero
FET
Curva i
D
v
DS
(JFET canal p)

FET
Smbolos para JFET
S
BF245C
D
G G
S
J174
D
Material N

Material P

FET
Construo (MOSFET depleo do tipo n)
p
n
n
n
Porta (Gain)
Fonte (Source)
Dreno
Substrato (SSubstract)
Isolante (SiO
2
)
FET
Construo (MOSFET depleo do tipo n)
Regio isolante (SiO
2
)
Da o nome de xido
O nome metal vm dos contatos metlicos
Corpo formado de material p
Canal formato de material n
No h contato entre porta (G) e canal
FET
Construo (MOSFET depleo do tipo n)
v
DS
> 0, v
GS
= 0
p
n
n
n
FET
Construo (MOSFET depleo do tipo n)
v
DS
> 0, v
GS
= 0
Corrente flui
pelo canal de
material n
i
D
= i
S
Pode atingir i
DSS
Como no JFET
p
n
n
n
i
D
i
S
FET
Construo (MOSFET depleo do tipo n)
v
DS
> 0, v
GS
< 0
Reduo da
corrente no
canal.

i
D
i
S
p
n
n
n
FET
Construo (MOSFET depleo do tipo n)
v
DS
> 0, v
GS
< 0
Tenso negativa na porta induz aumento de zona de
depleo na regio do canal
Efeito de campo
Importante: no h contato entre porta e canal
Reduo da corrente de eltrons no canal
Corrente real, at o estrangulamento
Como no JFET
FET
Construo (MOSFET depleo do tipo n)
v
DS
> 0, v
GS
> 0
Aumento da
corrente no
canal.
i
D
i
S
p
n
n
n
FET
Construo (MOSFET depleo do tipo n)
v
DS
> 0, v
GS
> 0
Aumento da corrente de eltrons no canal
Eltrons adicionais so roubados dos portadores
minoritrios presentes no corpo material p
Exige cuidado para no destruir o componente
i
D
> i
DSS

Intensificao da corrente no canal
FET
Construo (MOSFET depleo do tipo p)
Comportamento
anlogo ao
MOSFET por
depleo do
tipo p
i
D
i
S
n
p
p
p
FET
Comportamento (MOSFET depleo tipo n)
FET
Comportamento (MOSFET depleo tipo p)
FET
Comportamento (MOSFET depleo)
Mesmas j vistas anteriormente
i
D
= i
DSS
[ 1 (v
GS
/v
P
) ]
2
v
GS
= v
P
[ 1 (i
D
/i
DSS
)
1/2
]
i
DSS
e v
P
dados do fabricante
FET
Smbolos para MOSFET por depleo







Atente para a ligao do substrato com a fonte.
D
2
1
3
G
S
D
S
G
2
1
3
Material N

Material P

SS
G
S
D
G
D
SS
S