Modelos del Diodo

nodo
Ctodo
(a) Smbolo del circuito
Regin
de ruptura
inversa
Regin de
polarizacin
inversa
Regin de
polarizacin
directa
(b) Curva caracterstica tensin-corriente
MODELO REAL DEL DIODO
MODELO REAL DEL DIODO
V
T
, es el potencial trmico del diodo y es funcin de la constante de Boltzmann (K), la carga
del electrn (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K).
Curva caracterstica de tensin-corriente para un diodo tpico de silicio de pequea
seal a una temperatura de 300
0
K. Tenga en cuenta los cambios de escala.

Codo
0,6 V
Anlisis de la lnea de carga
Anlisis de la lnea de carga
Punto B
Curva caracterstica del diodo
Punto de trabajo
Lnea de carga Punto A
El intercepto x del load line es el voltaje de circuito abierto y el intercepto y es la
corriente de corto circuito.

El quiescent point or Q-point (punto de operacin DC) es la interseccin de la
caracterstica I-V del diodo con el load line.

Aproximaciones o modelos del diodo
En el modelo del diodo ideal se equipara ste a un cortocircuito o a un
circuito abierto, segn cmo est conectado.
1 aproximacin: diodo ideal
Anlisis usando el modelo ideal
Hacer una suposicin razonable del estado de cada
diodo

Redibujar el circuito sustituyendo los diodos en
conduccin por cortocircuitos y los diodos en corte por
un circuito abierto.

Mediante el anlisis de circuitos determinar la
corriente en cada diodo en conduccin y el voltaje en
cada diodo abierto.
Anlisis usando el modelo ideal (2)
Comprobar las suposiciones hechas para cada diodo. Si
hay contradiccin una corriente negativa en un diodo en
conduccin, un voltaje positivo en un diodo en corte en
cualquier lugar del circuito, entonces regresar al primer
paso con una suposicin mejorada.

Cuando no hay contradicciones, las corrientes y
valores en el circuito se aproximan bastante a las
verdaderas.
Ejemplo mtodo de estados
asumidos
Aproximacin lineal (2)
Se considera que el diodo conduce sin resistencia
por encima de la tensin umbral, y no conduce por
debajo de la misma. Esto equivale a considerar un
diodo como un interruptor o un diodo ideal en
serie con una fuente de voltaje DC.
V
U
= 0.3 V para el diodo de Ge
V
U
= 0.7 V para el de Si.
mA 3 . 5
1
7 . 0 6
0

k R
V V
I
U
V
U V
I
R=1k
V
0
= 6V
I
V
U
=0.7 V
R=1k
I
V
0
= 6V
Aproximacin lineal (3)
La 3 aproximacin es un
diodo ideal con una
resistencia en serie y una
fuente de tensin.
-0,05
0,05
0,15
V (V)
I

(
m
A
)
I
o
0,4 0,6 0,8 0,2
V
u

V = V
u
+ IR
d

DV
DI
R
d
= DV/DI
Modelo del diodo para pequea seal (con fuente de dc
y ac)
Dos modelos:
De gran seal (CD)
De pequea seal (AC)
Modelo de gran seal:
En un punto de operacin
especfico
punto de operacin Q
Modelo de pequea seal
Pequea variacin alrededor
de un punto de operacin
Considera slo el efecto de
fuentes de CA
Aplicaciones de modelo de
pequea seal
Anlisis de CA, respuesta de
frecuencia
I
D

V
D

Diodo ideal
(1 aproximacin)
Tres modelos de diodo
I
D

V
D

R
D

R
D
V
U

V
U

Modelo lineal
(3 aproximacin)
V
U

I
D

V
D

V
U

Modelo simplificado
(2 aproximacin)
Figura 3.11. Rectificador de media onda con carga resistiva.
(a) Diagrama del circuito
(b) Tensin de la fuente
en funcin del tiempo
(c) Tensin de la carga
en funcin del tiempo
Diodo ideal 0,7 V
Diodo
real
V
m
sen ( t)
Figura 3.23. Puertas lgicas con diodos.
(a) Puerta OR
(b) Puerta AND

Figura 3.31. Curva caracterstica del diodo, mostrando el punto Q.
Punto Q
Figura 3.32. Corrientes de los diodos.