TRANSISTORES MOSFET

CONFIGURACIN Y POLARIZACIN

TIPOS DE MOSFET:
MOSFET- TIPO DE EMPOBRECIMIENTO
La corriente que fluye por el

transistor ingresa por el surtidor

(fuente), este la conduce por un
sustrato (regin tipo p) que es un
canal angosto hasta llegar al
drenador (tipo n).
A la izquierda, hay una compuerta

metlica llamada graduador

(aislante). Por ser aislante, la
corriente en el graduador es
despreciable.

MODO DE EMPOBRECIMIENTO

El transistor MOSFET efecta el proceso anterior;

VDD conduce los electrones del surtidor al drenador

a la izquierda del sustrato tipo P.
La tensin del graduador puede regular la corriente
que pasa por el canal.

CURVAS DE DRENADOR:

Las curvas de la parte superior son de voltaje VGS positivo

mientras que las inferiores son de voltaje VGS negativo. La
ultima curva es la de VGS (apag); esta indica que la corriente
de drenador es aproximadamente cero.
Cuando esta el voltaje entre VGS (apag) y cero esta en modo
de operacin de empobrecimiento.

POLARIZACION DE MOSFET DEL

TIPO DE EMPOBRECIMIENTO

Se establece un punto Q en Vgs=0, por lo tanto, una seal de

CA que entra por el graduador produce variaciones arriba y
abajo del punto Q. Es una ventaja cuando Vgs=0 porque as
se puede polarizar y se puede utilizar este circuito en donde
el graduador y el surtidor no necesitan voltaje.

CUATRO VENTAJAS Y APLICACIONES

1. Amplificar seales

pequeas casi igual

como los
transistores JFET.
3.

Un transistor MOSFET es
un amplificador
separador casi ideal
porque el graduador
aislado significa que la
resistencia de entrada se
aproxima a infinito.

2. Si la impedancia
de entrada de
un JFET no es
suficientemente
alta se puede
utilizar un
MOSFET.
4. Excelentes
propiedades de
bajo ruido.

TIPOS DE MOSFET:
MOSFET- TIPO DE ENRIQUECIMIENTO
Este tipo de MOSFET se usa en

microprocesadores y memorias de
computadores (funciona como
interruptor).
Para obtener corriente de

drenador, se tiene que aplicar un

voltaje positivo en el graduador
compuerta.

FORMACION DE LA CAPA DE INVERSION

El sustrato se extiende hasta el oxido de silicio. Ya no

hay un canal tipo N entre el surtidor y drenador; por

consecuencia, entre los dos terminales no habr flujo
de corriente hasta llegar a un voltaje determinado.
Un voltaje positivo en el graduador atrae electrones
libres dentro del sustrato tipo P. Estos se unen con
algunos huecos adyacentes al oxido de silicio. Cuando

el voltaje en el graduador es lo suficientemente

positivo, todos los huecos cercanos al oxido de silicio
se llenan por lo que ahora pueden fluir los electrones
del surtidor al drenador.

CURVAS DE DRENADOR:

La curva mas baja es la curva de VGS (th). Cuando VGS es

menor que VGS (th) , la corriente de drenador es
extremadamente pequea. Cuando VGS es mayor que VGS
(th), fluye una corriente considerable, cuyo valor depende de
VGS.

POLARIZACION DE MOSFET DEL

TIPO DE ENRIQUECIMIENTO

Con un MOSFET del tipo de enriquecimiento, VGS tiene que

ser mayor que VGS (th) para obtener corriente. Esto elimina
la autopolarizacion, la polarizacion por corriente de surtidor
y, la polarizacion cero, ya que todas ellas operan en el modo
de empobrecimiento.

Los MOSFET del tipo de enriquecimiento trabajan con las

siguientes polarizaciones:
1. Polarizacion con graduador.
2. Polarizacion por divisor de voltaje (tensin).
3. Retroalimentacin de drenador: compensa cambios en

las caractersticas de los FET.

Si ID(enc) trata de incrementarse por alguna razn, VD (enc)
decrece.

En resumen:
La polarizacin cero trabaja solo con los

MOSFET de tipo de empobrecimiento.

La polarizacin por retroalimentacin de
drenador trabajan con MOSFET del tipo de
enriquecimiento.