UNIVERSIDAD DE COLIMA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTROMECANICA

rea:
Ingeniero Mecnico Electricista.
Materia:
Electrnica II

FOTO

Semestre:
5 A
Catedrtico:
Ing. Roberto Flores Bentez.

Alumno:
Andrs Santilln Flores

Investigacin:
SCR (Rectificador Controlado de Silicio)

Fecha de Exposicin:
16 septiembre del 2014

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

Introduccin

Un tiristor(SCR) es un dispositivo semiconductor de tres terminales:

Anodo, Ctodo y Compuerta.
Estructuralmente est formado por cuatro capas en orden pnpn, es
decir est formada de tres uniones pn (J1, J2, J3).

Fig. 1 Smbolo y estructura bsica de un SCR.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las
uniones J1 y J3 tienen polarizacin directa o positiva, mientras que la
unin J2 tiene polarizacin inversa, y slo fluir una pequea corriente de
fuga del nodo al ctodo. Se dice que el tiristor est en condicin de
bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente de
fuga corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK se
incrementa a un valor lo suficientemente grande, la unin J2 polarizada
inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por
avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa
VBO.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un

movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones, que provocar
una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo
est en estado de conduccin o activado. La cada de voltaje se deber a
la cada hmica de las cuatro capas y ser pequea. La corriente del
nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche
IL, a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a
travs de la unin, de lo contrario, al reducirse el voltaje nodo a ctodo, el
dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche,
IL, es la corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en
estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y
se ha retirado la seal de la compuerta.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

Fig. 2 Curva caracterstica v-i de un SCR

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en

conduccin y ya no hay control sobre el dispositivo. El tiristor seguir
conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de agotamiento
debida a movimientos libres de los portadores. Sin embargo si se
reduce la corriente directa del nodo por debajo de un nivel conocido
como corriente de mantenimiento IH, se genera una regin de
agotamiento alrededor de la unin J2 debida al nmero reducido de
portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La
corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al nodo, la unin
J2 tiene polarizacin directa, pero las uniones J1 y J3 tienen
polarizacin inversa.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a

travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una
corriente de fuga inversa, conocida como corriente inversa, IR, fluir a
travs del dispositivo. Un tiristor se puede activar aumentando el voltaje
directo de VAK ms all de VBO, pero esta forma de activarlo puede ser
destructiva. En la prctica, el voltaje directo se mantiene por debajo de
VBO y el tiristor se activa mediante la aplicacin de un voltaje positivo
entre la compuerta y el ctodo. Una vez activado el tiristor mediante una
seal de compuerta y una vez que la corriente del nodo es mayor que la
corriente de mantenimiento, el dispositivo continua conduciendo, debido a
una retroalimentacin positiva, an si se elimina la seal de compuerta.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

Funcionamiento bsico del SCR

Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector
de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente
base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector
de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2),
este a su vez causa ms corriente en IC2, que es el mismo que IB1
en la base de Q1. Este proceso regenerativo se repite hasta
saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

Fig. 4. Circuito equivalente de un SCR

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

IT(RMS): Es la corriente RMS mxima, que puede pasar a travs del SCR
sin daarlo.
ITSM: Es la corriente de nodo pico que un SCR puede manejar para un
pequeo tiempo y una Tj determinada.
IL: Si esta corriente no es alcanzada mientras la seal de compuerta esta
siendo aplicada, el SCR puede prender, pero se apagar cuando la seal
de compuerta se elimine.
IH: Si la corriente de nodo se reduce debajo de este valor crtico, el SCR
se apagar.
VDRM: Este es el voltaje positivo instantneo mximo que puede bloquear
el SCR, con el cul el SCR conducir an sin un voltaje en la compuerta.
VRRM: Es el voltaje negativo instantneo mximo que un SCR puede
soportar sin
daarse. (VDRM < VRRM)

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

IDRM y IRRM: son las corrientes nodo directa e inversa del SCR en
estado apagado,
respectivamente.
o VGRM: es el mximo valor de voltaje DC negativo en la compuerta,
que puede ser
aplicado sin daar la unin compuerta - ctodo.
o IGT: es la corriente de compuerta mnima necesaria para activar al
SCR
o IGM (IGTM): es la corriente de compuerta DC mxima permitida
para activar al SCR.
o VGT: es el mnimo valor de voltaje DC de compuerta a ctodo
requerido para disparar al
SCR. El voltaje aplicado entre la compuerta y el ctodo debe exceder
este valor mientras
provee una corriente de compuerta adecuada para activar el SCR.
o PGM: es el producto instantneo mximo de la corriente y el
voltaje de la compuerta que
debe existir durante la polarizacin directa. Si VGM e IGM son usados
como sus lmites
extremos simultneamente, PGM es seguro que se sobrepase.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

10

En resumen un SCR (rectificador controlado de silicio):

Es un dispositivo de 3 terminales usado para controlar corrientes altas en
una carga. Acta semejante a un interruptor; cuando est encendido (ON)
hay flujo de corriente a travs del dispositivo y actua como un interruptor
cerrado, cundo est apagado (OFF) no hay flujo de corriente del nodo al
ctodo por lo que acta como interruptor abierto. Debido a que el SCR es un
dispositivo de estado slido la accin de conmutacin es muy rapida. Si la
alimentacin que controla al SCR es de C.A. pasara cierto tiempo en ON y
otro tiempo en OFF. Para este caso el tiempo del ciclo es de 16.667ms, por
lo que 8.333ms podr permanecer como mximo en ON y 8.333ms en
OFF. Si el tiempo de ON es pequeo, la corriente promedio de la carga es
pequea. Si el tiempo de ON es grande la corriente promedio de la carga es
grande.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

11

Los trminos para describir la operacin del SCR sern:

ngulo de conduccin:
Es el nmero de grados de un ciclo de C.C. durante el cual el SCR esta
encendido.
ngulo de retardo de disparo:
Es el nmero de grados de un ciclo de C.A que transcurren antes que el
SCR sea encendido.
El tiempo total del ciclo de 16.667ms corresponde a 360.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

12

Caracteristicas de la compuerta del SCR

La Corriente de compuerta (iG) fluye entre la compuerta y el ctodo,
saliendo por este ltimo. La cantidad de corriente de compuerta
necesaria para disparar un SCR se simboliza por IGT. Para la mayora
de los SCR requieren de 0.1 a 50 mA para dispararse. El voltaje
VGK debe de ser ligeramente mayor a 0.6 V.

Fig 7. Corriente de compuerta en el SCR

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

13

Una vez que el SCR ha sido disparado no es necesario continuar el

flujo de corriente de compuerta. Cuando la corriente nodo ctodo
(IAK) caiga por debajo de la corriente de mantenimiento (IH) el SCR
se apaga. Esto normalmente ocurre cuando la fuente de voltaje
de ca pasa por cero hacia su regin negativa. Para la mayora de los
SCR de tipo mediano la IH es de alrededor de 10 mA.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

14

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

15

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

16

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

17

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

18

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

19

Conclusin
El rectificador controlado de silicio (SCR) funciona en un circuito
como una vlvula de agua funciona en un riego de tal manera que
el scr te controla la salida de corriente manipulando su compuerta
tiene tres terminales nodo ctodo y gatillo tu le das mayor o
menor corriente a su gatillo (etapa de control) y el te entregara
mayor o menor corriente a su salida (etapa de potencia)
En tu fuente seguro es para dar una salida regulada segn la
carga que se le demande

20

Bibliografia

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

21

UNIVERSIDAD DE COLIMA
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTROMECANICA

rea:
Ingeniero Mecnico Electricista.
Materia:
Electrnica II

FOTO

Semestre:
5 A
Catedrtico:
Ing. Roberto Flores Bentez.
Alumno:
Andrs Santilln Flores
Investigacin:
Diodos de potencia
Fecha de Exposicin:
16 septiembre del 2014

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

22

Introduccin
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque
tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no pudiendo
circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control
es invertir el voltaje entre nodo y ctodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de
soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser
capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

23

La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde :

VRRM: tensin inversa mxima
VD: tensin de codo.

Fig. 2 Curva caracterstica v-i de un Diodo de Potencia

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

24

Grupos y Caractersticas
Caractersticas estticas:
Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).
Parmetros en conduccin.
Modelo esttico.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

25

Parmetros en bloqueo
Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser
soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de
entrar en ruptura por avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser
soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma
continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede
ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez,
durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las
caractersticas del mismo.
Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el
diodo en estado de bloqueo.
Volver

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

26

Parmetros en conduccin
Intensidad media nominal (IF(AV)):
Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos sin usualidales de
180 que el diodo puede soportar.
Intensidad de pico repetitivo (IFRM):
Es aquella que puede ser soportada cada 20 ms , con una duracin de
pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente
25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM):
Es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con
una duracin de 10 ms.
Intensidad directa (IF):
Es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado
de conduccin.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

27

Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger el
modelo adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos.
U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

28

Caractersticas dinmicas
Tiempo de recuperacin inverso (trr).

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

29

El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta

instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona
central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor
densidad de stos cuanto mayor sea IF.
Si mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente
con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del paso por cero de la corriente existe
cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el
diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo
y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento,
en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga
espacial.
La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor
de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciedo el exceso de
portadores.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

30

ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la

intensidad hasta llegar al pico negativo.
tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que
sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En
la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de
ste.
trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la

caracterstica de recuperacin inversa del diodo.
di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
Irr: es el pico negativo de la intensidad.
La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

31

Influencia del trr en la conmutacin

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable :
Se limita la frecuencia de funcionamiento.
Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa.
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida.
Factores de los que depende trr :
A mayor IRRM menor trr.
Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor ser la capacidad
almacenada, y por tanto mayor ser trr.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

32

tfr (tiempo de recuperacin directo): es el tiempo que

transcurre entre el instante en que la tensin nodoctodo se hace positiva y el instante en que dicha
tensin se estabiliza en el valor VF.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin
inversa y no suele producir prdidas de potencia
apreciables.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

33

Disipacin de potencia
Potencia mxima disipable (Pmx)
Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos
confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada
sta potencia de trabajo.
Potencia media disipada (PAV)
Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado
de conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.Se
define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo,

Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)

Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.
Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM)
Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

34

Caractersticas trmicas
Temperatura de la unin (Tjmx)
Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del
dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin.
En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature
range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha
fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores,
uno mnimo y otro mximo.

Temperatura de almacenamiento (Tstg)

Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna
potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

35

Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc)

Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso
de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula:
Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx
Siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable.

Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd)

Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta
refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro
medio (como mica aislante, etc).

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

36

Proteccin contra sobre intensidades

Principales causas de sobre intensidades
La causa principal de sobre intensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito
en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de
corriente en el caso de alimentacin de motores, carga de condensadores, utilizacin en
rgimen de soldadura, etc. Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura
enorme en la unin, que es incapaz de evacuar las caloras generadas, pasando de forma
casi instantnea al estado de cortocircuito (avalancha trmica).

rganos de proteccin
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco
numerosos y por eso los ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo
"ultrarrpidos" en la mayora de los casos. Los fusibles, como su nombre indica, actan
por la fusin del metal de que estn compuestos y tienen sus caractersticas indicadas en
funcin de la potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se da slo
con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I2t y su tensin.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

37

Parmetro I2t
La I2t de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el intervalo de tiempo t
se indica en segundos y la corriente I en amperios. Debemos escoger un fusible de
valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser el fusible el que se destruya y no el
diodo.

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

38

Conclusin
El diodo de potencia es uno de los dispositivos mas importantes de
los circuitos de potencia.
Su fin de control es invertir el voltaje entre el nodo y el ctodo.

En la actualidad la conversin de potencia de corriente alterna en

corriente continua principalmente se realiza por medio de diodos
construidos con semiconductores de silicio.
Los diodos de potencia presentan dos estados contrapuestos. En
estados contrapuestos. En estado de conduccin deben ser
capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de
tensin, mientras que en sentido inverso, deben ser capaces de
soportar una fuerte tensin inversa con una pequea.

39

Bibliografia

U de C

ELECTRNICA II

FIE-IME

40