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Electrnica
Universidad de
Oviedo
Introduccin a la Electrnica de
Dispositivos
Materiales semiconductores (Sem01.ppt)
La unin PN y los diodos semiconductores
(Pn01.ppt)
Transistores (Trans01.ppt)
Departamento de Ingeniera Elctrica, Electrnica, de
Computadores y de Sistemas
ATE-UO Trans 00
Tipos de transistores
BJT
PNP
NPN
JFET
Canal P
Canal N
Acumulacin
MOSFET
Deplexin
BJT:Transistores bipolares de unin.
Canal P
Canal N
Canal P
Canal N
is
ie
Ve
Entrada
Cuadripolo
Vs
Salida
ATE-UO Trans 02
ie
La potencia consumida en
la entrada es menor que la
controlada en la salida.
Ve
Entrada
Vs
Salida
Cuadripolo
Vs
is
Zona de
Corte
Vs
Vs
is
Vs=0
is=0
is
+
Vs
is
Zona de
Saturacin
Vs
ATE-UO Trans 04
Colector (N)
Colector (P)
Base
(N)
PNP
Base
(P)
Emisor (P)
NPN
Emisor (N)
Muy, muy
importante
ATE-UO Trans 05
Lp=0,01 mm
Base
NDB=1013 atm/cm3
n=100 ns Ln=0,02 mm
E
P+
N-
C
P
Portad./cm3
1016
1012
pE
=1015
nB =1013
pB =107
108
nE =105
104
1m
pC =1014
escala
logartmica
nC=106
ATE-UO Trans 06
Colector (P)
Emisor-Base, directamente
B (N)
Base-Colector, inversamente
VEB
iE
VEB
P+
B
N-
VBC
iB
P
VBC
iC
C
Calculamos el exceso
de huecos en el
comienzo de la base
pB(0):
Portad./cm3
Polarizamos
directamente
Esc.
log.
Emisor
Unin emisor-base
1016
1012
108
pB(0)
pE
pB(0)
nE
104
-0,3 -0,2
pB(0)s.p.
-0,1
Longitud [mm]
pB(0)=(eVEB/VT-1)ni2/NDB
ATE-UO Trans 08
Unin emisor-base
Esc.
log.
Portad./cm3
1016
1012
108
pE
nE(0)
nE(0)
nE
104
-0,3 -0,2
-0,1
nE(0)s.p.
Longitud [mm]
Procediendo de igual forma con el exceso de concentracin de
los electrones del final del emisor, nE(0), obtenemos:
nE(0)=(eVEB/VT-1)ni2/NAE
ATE-UO Trans 09
Polarizamos
inversamente
Unin basecolector
pC
1016
1012
pB(WB )s.p.
-pB(WB)
108
nC
104
pB(WB)
WB
pB(WB) =
ATE-UO Trans 10
(eVCB/VT-1)ni2/NDB
Portad./cm3
Colector
Esc.
log.
100
0,3 mm
C (P)
E (P)
B (N)
VEB
VCB
VBC
pC
1016
1012
nC(WB )s.p.
nC
-nC(WB)
nC(WB)
WB
nC(WB) =
ATE-UO Trans 11
108
(eVCB/VT-1)ni2/NAC
104
Portad./cm3
Colector
Esc.
log.
100
0,3 mm
C (P)
E (P)
B (N)
VEB
VCB
VBC
VBC
VEB
P+
-+
pB(0+)
-pB(WB-)
-nC(WB+)
nCs.p.= ni2/NAC
nEs.p.=
ni2/NAE
ATE-UO Trans 12
N- + -
WB
Polarizamos
en zona activa
Escala lineal
(no exacta)
nE(0-)
0- 0+ WB- WB+
pBs.p.= ni2/NDB
pB(WB-)
(pB(0+)
VBC
VEB
B
-+
N- + -
senh((WB-x)/LP)
senh(WB/LP)
WB
pB(0+)
pB(WB-))
El gradiente de la concentracin de
huecos en la base es:
pB(0+)
pBs.p.
pB(WB-)
-pB(WB-)
0+
WB-
d(pB(x))/dx = -(pB(0+)-pB(WB-))/WB
x
ATE-UO Trans 13
VBC
VEB
P+
-+
N- + -
WB
pB(0+)
ATE-UO Trans 14
-pB(WB-)
-nC(WB+)
nCs.p.= ni2/NAC
nEs.p.=
ni2/NAE
Escala lineal
(no exacta)
nE(0-)
0- 0+ WB- WB+
pB(0+)-pB(WB-)
nEs.p.=
ni2/NAE
nCs.p.= ni2/NAC
nE(0-)
0Emisor largo:
(dnE/dx)0- = nE(0-)/LNE
-nC(WB+)
0+
WB-
WB+
Colector largo:
(dnC/dx)WB+ = -nC(WB+)/LNC
Base corta:
(dpB/dx)0+ = -(pB(0+)-pB(WB-))/WB
ATE-UO Trans 15
pB(WB-) = (eVCB/VT-1)ni2/NDB
nC(WB+) = (eVCB/VT-1)ni2/NAC
VBC
VEB
E
P+
-+
juEB
N- + WB
juBC
VEB
VEB
P+
IB
-+
Seccin A
IE = AjuEB
VBC
juEB
IC = -AjuBC
B N- + WB
VCB
IC
+
juBC
IE =qni2A((eVEB/VT-1)(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))-(eVCB/VT1)DPB/(N
))/V
DBWVBEB
2
VCB/VTT-1)D
IC=-qni A((e
PB/(NDBWB)-(e
1)(DPB/(N2DBWB)+D
/(NACLNC)))
VCB/VT-1)D /(N L ))
T-1)D
IB = -qni A((eVEB/VNC
NE/(NAELNE)+(e
NC
AC NC
ATE-UO Trans 18
VEB
IC
VBC
IB - eVEB/VTqni2ADNE/(NAELNE)
ATE-UO Trans 19
E (P)
-DPB/(NDBWB)
DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB)
IE
IB
+
VEB
C (P)
B (N)
- -
VCB
IC
Ejemplo:
DPB = 10 cm2/s
DNE = 40 cm2/s
NDB = 1013 atom./cm3 NAE = 1015 atom./cm3
WB = 1 m
LNE = 20 m
DPB/(NDBWB)= 10-8
IC/IE = -0,998
VEB
VBC
DNE/(NAELNE)= 210-11
IE
+
E
VEB
P+
0,002IE
-+
B N- + -
0,998IE
VCB
+
P
La corriente de emisor IE se relaciona con la tensin emisorbase VEB como en cualquier unin PN polarizada directamente:
IE ISEeVEB/VT.
VEB=0,3
E
P+
Portad./cm3
1012
N-
C
P
1m
VEBO=0,48V
pB
Escala
lineal
51011
nE
nC
La posicin vertical de
este punto vara mucho
con VEB.
Para cualquier VBC>0 (es
decir, VCB <0), la posicin
vertical de este punto no
vara casi.
Gradiente constante
ATE-UO Trans 22
pB
Escala
lineal
51011
nC
nE
Contacto de base
Corriente mA
3
IE
IpE
-IC
IpB
1,5
InE
0
InB
-IpC
-InC
Calculamos la corriente de
huecos en el emisor.
Calculamos la corriente de
electrones en la base.
Gradiente casi nulo en el
colector no hay casi
corriente de electrones.
ATE-UO Trans 23
pB3
Escala
lineal
IE
-IC
pB2
0
nE
Corriente
pB1
nC
Contacto de base
IE3
-IC3
IE2
-IC2
IE1
-IC1
VBC
0
ATE-UO Trans 24
IE = qni2A(eVEB/VT-1)(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))
IC = -qni2A(eVEB/VT-1)DPB/(NDBWB)
Definimos a:
a = -IC/IE
IE
-IC
VCB=0
C
E
DPB/(NDBWB)
a=
DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB)
B
VEB
Muy importante
ATE-UO Trans 25
IC/IE
-DPB/(NDBWB)
= -a
DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB)
Luego:
-IC aIE
IE
VEB
-IC
VBC
Tpicamente:
a = 0,99-0,999
Muy, muy importante
ATE-UO Trans 26
Valor de b en funcin de la
fsica del transistor:
b = DPBNAELNE /(DNENDBWB)
Tpicamente:
b = 50-200
Ejemplo:
a = 0,99
b = 0,99/(1-0,99) = 99
bmax
bmin btpica
IC
VEB -I
B B
-IC
IE
VBC
P
E
P
N
VEB -IB B
-IC
VEC-VEB>0
IE
VBC
IB B
N-
P+
IC
WB>>LP
Portad./cm3
1012
pB
51011
nE
0
Gradiente grande fuerte
corriente de huecos.
nC
Gradiente
muy
pequeo no hay
casi corriente de
electrones.
pB
51011
nE
nC
1.5
IE
IpE
InE
InB
IpB
-IC
-InC
-IpC
ATE-UO Trans 31
IE -IB
VEB=0,3
-IC 0
VBC
-IB B
N-
P+
C
P
WB>>LP
Circuito equivalente
con Base ancha.
1.5
-IB
IE
IpE
InE
InB
IpB
-IC
-InC
-IpC
ATE-UO Trans 32
E (P)
IE
IB
+
VEB
C (P)
B (N)
- -
VCB
eVEB/VT-1 -1 y eVCB/VT-1 -1
VBE
Se obtiene:
IE -qni2ADNE/(NAELNE)
IC
-qni2ADNC/(NACLNC)
IC
VBC
Muy importante
IB qni2A(DNE/(NAELNE) + DNC/(NACLNC))
ATE-UO Trans 33
IE -qni2ADNE/(NAELNE)
IC -qni2ADNC/(NACLNC)
IB qni2A(DNE/(NAELNE) + DNC/(NACLNC))
eVEB/VT = 4,8106
Zona Activa
IE eVEB/VTqni2A(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))
IC - eVEB/VTqni2ADPB/(NDBWB)
IB - eVEB/VTqni2ADNE/(NAELNE)
ATE-UO Trans 34
Concentracin
pB (activa)
nE (activa)
nE (corte) pB (corte)
Escala
lineal
IE
nC
-IC
VBC
VEB
BE
Corriente
IE (activa)
-IC (activa)
IE (corte)
-IC (corte)
ATE-UO Trans 35
Resumen
Zona Activa
Zona de Corte
y IE -(1+b)IB
IE
-IC
VEB -IB
IC 0, IE 0 y IB 0
VBE -IB
VBC
VEB -IB
-IC
Emisor
comn
VBC
VEC
IE
VEC(> VEB)
E
-IC
Base
comn
Base
comn
IE
VBE -IB
-IC
Emisor
comn
ATE-UO Trans 36
eVEB/VT-1 = 0 y eVCB/VT-1 -1
IE (VEB=0) =qni2ADPB/(NDBWB))
IE
E
-IB
-IC
VBC
Base comn y
emisor comn
-IC0
VBC
IEC0
VEC
ATE-UO Trans 38
eVEB/VT-1
eVEB/VT
Se obtiene:
eVCB/VT-1
eVCB/VT
E (P)
IB
IE +
VEB
VEB
C (P)
B (N)
- -
VCB
IC
VCB
VCB +
VEB
-IB
Si llamamos DB y DC:
P
V1
V1 >VEB
DB = qni2ADPB/(NDBWB)
DC = qni2ADNC/(NACLNC)
La corriente de colector ser:
VCB +
VEB
-IB
Entonces:
(-IC)R = V1 + VTln(DB/(DB+DC))
y, como DB>>DC:
(-IC)R V1
P
V1
V1 >VEB
El transistor se
comporta como
un cortocircuito
ATE-UO Trans 41
Concentracin
pB (lim.)
nE
0
pB (sat.)
pB (activa)
Escala
lineal
nC
Corriente
(satur.)
IIEE (lmite)
-IC (satur.)
(lmite)
IE (activa)
-IC (activa)
Misma pendiente, ya
que la corriente de
colector es ms o
menos constante.
V1/R
ATE-UO Trans 41
Resumen
Zona Activa
Zona de Corte
VEB
VCB
-IB
VCB < 0
-IC aIE y -IB (1-a)IE
-IC -bIB y IE -(1+b)IB
P
V1
VCB
-IB
IE
-IC
-IC
-IC
VCB
-IB
Zona de Saturacin
VBE
IE
VEB
V1
P
IE
IC 0, IE 0
y IB 0
-IC V1/R
Muy, muy importante
ATE-UO Trans 43
V1
IE
+
VBE
VEB
P+
IC
VCB
IB
-+
B N- + -
VCB
+
P
E
Particularizamos las ecuaciones del transistor para
la zona de transistor inverso ( ver ATE-UO Trans 18):
VEB<<-VT y VCB>>VT. Por tanto:
-IE
VEB=0
aR =
DPB/(NDBWB)
E
-IB
IC
VCB
DNC/(NACLNC)+DPB/(NDBWB)
IE
Comparacin de aF y aR
E
-IC
-IE
VEB
-IB
aF = -IC/IE
IC
VCB
aR = -IE/IC
VEB=0
VCB=0
aF =
DPB/(NDBWB)
DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB)
aR =
DPB/(NDBWB)
DNC/(NACLNC)+DPB/(NDBWB)
Ejemplo:
DPB = 10 cm2/s
NDB = 1013 atom./cm3
WB = 1 m
DNE = 40 cm2/s
NAE = 1015 atom./cm3
LNE = 20 m
DPB/(NDBWB)= 10-8
DNE/(NAELNE)= 210-11
aF = 0,998
DNC = 40 cm2/s
NAC = 1014 atom./cm3
LNC = 20 m
DNC/(NACLNC)= 210-10
aR = 0,98
ATE-UO Trans 47
Definicin de bF y bR
Definimos bF:
bF = aF/(1-aF)
Definimos bR:
bR = aR/(1-aR)
Valor de bF en funcin de la
fsica del transistor:
bF=DPBNAELNE /(DNENDBWB)
Valor de bR en funcin de la
fsica del transistor:
bR=DPBNACLNC /(DNCNDBWB)
Ejemplo anterior:
DPB = 10 cm2/s
NDB = 1013 atom./cm3
WB = 1 m
DNE = 40 cm2/s
NAE = 1015 atom./cm3
LNE = 20 m
bF = 500
DNC = 40 cm2/s
NAC = 1014 atom./cm3
LNC = 20 m
bR = 50
IE = qni2A(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))(eVEB/VT-1) ISE(eVEB/VT-1) = IF
- qni2ADPB/(NDBWB)(eVCB/VT-1)
IC = -qni2ADPB/(NDBWB)(eVEB/VT-1) +
+ qni2A(DPB/(NDBWB)+DNC/(NACLNC))(eVCB/VT-1)
ISC(eVCB/VT-1) = IR
ATE-UO Trans 49
IE = IF - qni2ADPB/(NDBWB)(eVCB/VT-1)
siendo:
IRaR
IF = qni2A(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))(eVEB/VT-1)
y tambin:
IC = IR -qni2ADPB/(NDBWB)(eVEB/VT-1)
siendo:
IFaF
IR = qni2A(DPB/(NDBWB)+DNC/(NACLNC))(eVCB/VT-1)
IE = IF - IRaR
IC = IR - IFaF
IF = ISE(eVEB/VT-1)
IR = ISC(eVCB/VT-1)
ATE-UO Trans 50
IE = IF - IRaR
IC = IR - IFaF
IF = ISE(eVEB/VT-1)
IR = ISC(eVCB/VT-1)
IE
E (P)
IB
IE +
VEB
C (P)
B (N)
- -
VCB
IC
VEB
IF
VCB
IR
IC
C
aRIR IB B aFIF
IE
IC = IR - IFaF
IF = ISE(eVEB/VT-1)
IR = ISC(eVCB/VT-1)
VEB
IF
VCB
IC
IR
aRIR IB B aFIF
qni2ADPB/(NDBWB)(eVCB/VT-1) = ISCaR(eVCB/VT-1)
Clculo de IC0
IE=0 + VEB -
VCB
E I
F
IC=IC0
IR C
aRIR IB B aFIF
VBC
-IC0
VBC
Partiendo de:
0 = IF - IRaR
IC0 = IR - IFaF
IF = ISE(eVEB/VT-1)
IR = ISC(eVCB/VT-1)
ATE-UO Trans 53
-IC0
Partiendo de:
E (P)
IE = IF - IRaR
IC = IR - IFaF
IF = ISE(eVEB/VT-1)
IR = ISC(eVCB/VT-1)
C (P)
IB
IE
VEB
VEB
B (N)
- -
VCB
-IC
VBC
Muy importante
IC = IC0(1+bF) + IBbF
stas son mejores aproximaciones que -IC aFIE y IC bFIB
ATE-UO Trans 54
-IC0
VBC
VBE
-IC (corte)
C
B VBC
-IC (VEB=0)
C
B VBC
IEC0
B VEC
IC (VEB=0) IC0(1+bR)
IEC0 = -IC0(1+bF)
Efecto Early
Portad./cm3
1012
pB (VBC1)
Escala
lineal
51011
nE
pB (VBC2)
WB
VEB
B VBC
nC
WB
Al aumentar la tensin Base-Colector VBC, el ancho de la zona de
transicin tambin aumenta, por lo que el ancho efectivo de la
Base WB disminuye. Al disminuir el ancho efectivo de la base
aumenta la corriente de emisor (ya que aumenta el gradiente de
minoritarios de la base), y tambin disminuye la corriente de base
(ya que disminuyen las recombinaciones, ahora despreciadas, de
minoritarios en ella).
ATE-UO Trans 56
IE
IB
+
VEB
- -
VCB
IE [mA]
20
Curvas de
entrada
VCB=-5V
VCB=
-10V
IC
0
VCB=0
VEB [V]
0,6
IE
IB
+
Curvas de salida
IC [mA]
IE=50mA
VEB
- -
VCB
IC
IE=40mA
-40
IE=30mA
IE=20mA
-20
IE=10mA
IE=0mA VCB [V]
0
En polarizacin en zona
activa, se comporta como
una fuente de corriente.
-2
-4
IC0
-6
Muy importante
ATE-UO Trans 58
IE
IB
+
Curvas de salida
IC [mA]
IE=50mA
VEB
- -
VCB
Saturacin
IC
-40
IE=30mA
IE=20mA
-20
Zona Activa
Muy importante
IE=40mA
IE=10mA
IE=0mA VCB [V]
-2
-4
IC0
-6
Corte
ATE-UO Trans 59
IC
+
-
IB
VCE
VBE
VCE=-5V
IB[A]
-100
Curvas de
entrada
VCE=0
VCE=-10V
VBE[V]
-0,6
0
Para una determinada tensin VBE, la corriente de base
decrece con la tensin inversa aplicada entre colector y
emisor (efecto Early). Este efecto no es muy
significativo.
Cuando VBE=0 y VCB<<-VT, la corriente de base es
ligeramente positiva (ver ATE-UO Trans 37). Es un detalle
no muy importante.
ATE-UO Trans 60
Referencias normalizadas
IC
+
-
IB
VCE
VBE
-40
IB=-300A
IB=-200A
-20
IB=-100A
0
-2
IB=0
A
-4
VCE [V]
-6
-IEC0 =IC0(1+bF)
Muy importante
ATE-UO Trans 61
Referencias normalizadas
IC
+
-
B
VBE
IB
VCE
E
-40
IB=-300A
IB=-200A
-20
IB=-100A
Saturacin
Zona Activa
-2
IB=0
A
-4
VCE [V]
-6
Corte
Muy, muy importante
ATE-UO Trans 62
-IC
-IB=400A
40
R=200W
-IB=300A
-IB
20
-VCE
V1
-IB=200A
-IB=100A
+
V2=6V
-VCE [V]
IB=0A
Recta de carga
ATE-UO Trans 63
Saturacin
Corte
IB
Determinacin del estado en zona
activa o en saturacin en circuitos
Curvas de entrada
Unin PN ideal
IE
E
Circuito
equivalente
IC
b= Cte.
IC4
IC3
IB4
IB3
IC2
IC1
IB2
IB1
IB0
VCE
-IC
C
-IB
Muy importante
B aIE
-bIB
ATE-UO Trans 65
R=200W
200A
20
-VCE
V1
300A
30
-
-IB
400A
40
-IB= 100A
10
-IB=0
V2=6V
-VCE [V]
R2
+
C
(P)
-bIB
VCB
-IB
R1
V1
Por tanto:
(N)
V2
(P)
IC = bIB
Muy importante
ATE-UO Trans 67
Como IB = 0, la fuente de
corriente no conduce
corriente.
-IC
R2
+
-bIB
VCB
IB=0
R1
V1
C
(P)
V2
(P)
Por tanto:
(N)
IC = 0
E
Muy importante
ATE-UO Trans 68
-IC
R2
+
C
(P)
(N)
VCB
-IB
R1
V1
b(-IB)
V2
(P)
Por tanto:
Muy importante
ATE-UO Trans 69
Transistores NPN
Todo lo dicho para transistores PNP se aplica a los NPN sin ms que:
Mantener todos los tipos de polarizacin (directa o inversa).
Cambiar los sentidos de todas las fuentes de tensin que hemos
dibujado. Por convenio mantendremos los sentidos en los que
medimos las tensiones.
Cambiar los sentidos de todas las circulaciones reales de corriente.
Por convenio mantendremos los sentidos en los que medimos las
corrientes.
-IC
IC
NPN, z.
PNP, z.
activa
activa
VCB
-IB
VCB < 0
-IC aIE
IC bIB
N
VEB
VCB
IB
P
IE
V1
VCB > 0
IC a(-IE)
IC bIB
VBE
N
N
-IE
V1
ATE-UO Trans 70
NPN, z.
activa
VCB
IB
R
+
VCB
IB
P
VBE
IC
NPN,
corte
-IE
VCB > 0
IC a(-IE)
IC bIB
V1
VCB
IB
VEB
-IE
IC
NPN,
saturacin
V1
VBE
N
N
-IE
IC 0, IE 0
y IB 0
IC V1/R
V1
B
VBE
100
VCE
E
VCE=5V
IB[A]
IB
+
-
IC
VCE=0
Curvas de
entrada
VCE=10V
VBE[V]
IC [mA]
40
IB= 400A
0,6
IB= 300A
Curvas de
salida
IB= 200A
20
IB= 100A
6
ATE-UO Trans 72
IE
IC = -IR + IFaF
IF = ISE(eVBE/VT-1)
IR = ISC(eVBC/VT-1)
-IE
E
Circuito
equivalente ideal
VBE
VBC
IR
IF
IC
aRIR IB B aFIF
IC
Modelo de
Ebers-Moll
IB
B a(-IE)
bIB
ATE-UO Trans 73
Encapsulado de transistores
Encapsulado
TO-92
Encapsulado
TO-126 (SOT-32)
Encapsulado
TO-220
BC548 (NPN)
BC558 (PNP)
Encapsulado
TO-3
BD135 (NPN)
BD136 (PNP)
MJE13008 (NPN)
IRF840 (MOSFET, N)
BDX53C (Darlington)
2N3055 (NPN)
BU326 (NPN)
ATE-UO Trans 74
N-
SiO2
P+
E
N+
P-
N+
B
C
ATE-UO Trans 75
Resistencia de base
E
P+
N-
P+
VEB
IR
IF
aRIR IB B aFIF
B
ATE-UO Trans 76
VCB
RB
IC
C
Transistor saturado
Concentracin
P+
nE
0
N-
pB (sat.)
pB corte
nC
Para
cortar
el
transistor hay que
eliminar
todo
este
exceso de portadores.
Transistor cortado
ATE-UO Trans 77
Situacin menos
deseable (muy saturado)
pB (lim.)
Situacin ms deseable
(en el lmite)
(desde en punto de vista de la rapidez).
ATE-UO Trans 78
R2
R1
V2
VCB +
N
P
El transistor se queda en el
lmite entre saturacin y zona
activa.
R2
V1
Con diodo Schottky
Estos diodos impiden la
polarizacin directa de la
unin CB.
R1
VCB +
N
P
V2
V1
Con 3 diodos
ATE-UO Trans 79
R2
Saturacin
V1
V2
R1
N
P
Corte +
VBE C1
+ Saturacin
Esta corriente es la
V1
de eliminacin de
los minoritarios de
la base
Corte
R1/2
R2
V2
R1/2
+
VBE
ATE-UO Trans 80
Fototransistores y fotoacopladores
Un fototransistor es un transistor en el que la
incidencia de luz sobre la zona de la base
influye mucho en la corriente de colector. La
luz juega un papel semejante al de la
corriente de base.
Smbolo
R2
R2
IC
Optoacoplador
F.T.
+ ILED
N
P
Fotodetector
IC
V2
V2
LED
IC/ILED 1-0,2
Muy importante
ATE-UO Trans 81
P+
NFuente
(S)
Canal
Drenador
(D)
P+
Puerta (G)
G
JFET (canal N)
Smbolo
G
Otros smbolos
G
canal N
S canal P
JFET (canal P)
Smbolo
S
ATE-UO Trans 82
P+
NFuente
(S)
P+
Drenador
(D)
Puerta (G)
Zona de transicin en zona muy dopada estrecha
Zona de transicin en zona poco dopada ancha
ATE-UO Trans 83
P+
(S)
(D)
N-
P+
VV12
(G)
V1 < V2
D
+
VDS
S
Evolucin si la resistencia
no cambiara con la tensin.
ID
VDS
Evolucin real en un JFET
(la resistencia cambia con
la tensin aplicada).
V1
V2
ATE-UO Trans 85
P+
(S)
N-
VPO
(D)
VDS
P+
(G)
VDS=VPO > V2
ATE-UO Trans 86
P+
(S)
N-
LZTC
LC
(D)
VDS
P+
(G)
P+
-
VPO
LZTC
+ L
ZTC
(D)
(S)
N-
VDS
P+
(G)
VDS=V4 > V3
Comportamiento
resistivo
Comportamiento como
fuente de corriente
VDS=V1
VDS=V2
VDS
VDS=VPO
VDS=V3
V1 V2 VPO
V3
V4
VDS=V4
ATE-UO Trans 89
Qu pasa si VGS 0?
P+
VPO
(S)
N-
Con VGS=0, la
contraccin ocurre
cuando VDS = VDSPO =VPO.
(D)
+
-
VDS=VPO
P+
(G)
N-
P+
VPO
(S)
P+
+
-
(D)
+
VD
(G)
UB
+
VGS
-
El canal es siempre
ms estrecho, al estar
polarizado ms
inversamente
mayor resistencia
UA La contraccin se
produce cuando:
VDS=VDSPO=VPO + VGS
Es decir:
VDSPO = UA = VPO - UB
D
G
+
VGS
-
Curvas de salida
ID [mA]
ID
+
VDS
-
Curvas de entrada:
No tienen inters
(unin polarizada
inversamente)
VGS = 0V
VGS = -0,5V
VGS = -1V
VGS = -1,5V
VGS = -2V
VDS [V]
La tensin VPO
P+
N-
(D)
(S)
P+
(G)
UB1
+
VGS
-
P+
N(S)
P+
(G)
UB1< UB2
+
VGS = -VPO
-
(D)
Cortocircuitamos el
drenador y la fuente y
aplicamos tensin
entre puerta y fuente.
D
G
+
VGS
-
ID [mA]
VGS = 0V
VGS = -0,5V
+
VDS
-
VGS = -1V
10V
VGS = -1,5V
VGS = -2V
12 VDS [V]
VGS = -2,5V
VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V
Comportamiento resistivo
Muy
importante
ID [mA]
4
Tambin se conoce la
tensin de contraccin
del canal, VPO
Ecuacin ya conocida:
ID0PO
IDPO
VGS = 0V
VGS = -0,5V
VGS = -1V
VGS = -1,5V
VGS = -2V
12 VDS [V]
VGS = -VPO
Muy importante
ATE-UO Trans 94
R
IB
V1
B (P)
+
VBE
-
C (N)
V
2
E (N)
Muy importante
IG 0 G (P)
V1
+
VGS
-
D
N
V
2
N-
P+
(transistor unipolar)
(D)
(S)
+
UA
P+
(G)
UB
+
VGS
-
VD
S
Muy
importante
S
N+
N-
D
N+
P+
P+
Contactos metlicos
Canal N
G
Uso de un JFET de canal P
R
Hay que invertir los sentidos reales
de tensiones y corrientes para operar I 0
G
G (N)
en los mismas zonas de trabajo.
V1
ATE-UO Trans 97
+
VGS
-
D
P
S
V
2
-ID
G
N-
N+
D
N+
GaAs aislante
ID
VGS > 0
GaAs
Contactos
hmicos
VGS = 0
VGS<0
VDS
Pequea
polarizacin
directa GS
Tensin GS
nula
Polarizacin
inversa GS,
zona resistiva
Polarizacin
inversa GS, zona
f. de corriente
ATE-UO Trans 98
Metal
metlicos
N+
P-
N+
Metal
G D
xido
Semiconductor
Substrato
Smbolo
G
Smbolo
Substrato
S MOSFET de enriquecimiento
(acumulacin) de canal N
MOSFET de S
enriquecimiento
de canal P
ATE-UO Trans 99
S ++ ++
- +
- N+
N+
P-
Zona de transicin
(con carga espacial)
V1
Substrato
S +++
++ +++
++
-- N+
V2 > V1
-- --
N+ -P-
Substrato
S ++++
++++
N+ -- -- - - -- N+
P+
Substrato
V3 = V TH > V2
Esta capa es una zona de
transicin (no tiene casi
portadores de carga)
S +++++ +++++
N+ -- - -- -- - -- N+
PVDS
ID
V4 > V TH
P
Substrato
S +++++ +++++
N+ -- - -- -- - -- N+
PSubstrato
Conectamos la fuente al
substrato.
VGS
Cmo es la corriente de
drenador?
ATE-UO Trans 102
ID 0
VDS 0
S +++++ +++++
Principios de operacin de
los MOSFET (IV)
N+ -- - -- -- - -- N+
P-
VGS
Substrato
La situacin es semejante a la
que se da en un JFET.
S +++++ +++++
N+
P-
ID
- - - - - - - - - N+
Substrato
VGS
VDS2=VDSPO >VDS1
ID
S +++++ +++++
N+
P-
- - -------
D
N+
VGS
Principios de operacin
de los MOSFET (V)
El canal formado se contrae
totalmente cuando VDS = VDSPO.
VDS3 >VDSPO
Substrato
ID
S +++++ +++++
N+
P-
- - -------
Substrato
ATE-UO Trans 104
D
N+
VGS
VDS1
ID 0
I D 0
S
N+
PSubstrato
D
N+
S
N+
P-
D
N+
Substrato
G
+
VGS
-
+
VDS
S -
Curvas de entrada:
No tienen inters
(puerta aislada del canal)
Curvas de salida
ID [mA]
ID
VGS = 4,5V
VGS = 4V
VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V
VDS [V]
6
VGS < VTH =
2V
Muy importante
ATE-UO Trans 106
G
S
+
-
VGS
+
VDS
-
ID [mA]
VGS = 4,5V
VGS = 4V
VGS = 3,5V
10V
VGS = 3V
VGS = 2,5V
12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
Comportamiento resistivo
Muy
importante
S
N+ N
N+
PSubstrato
P-
S
N+
+++ +++
N-
- - - - - -
VGS=V1
N+
V1
Substrato
Modo ACUMULACIN:
Al colocar tensin positiva
en la puerta con relacin al
canal, se refuerza el canal
con
ms
electrones
procedentes del substrato.
El canal podr conducir
ms.
ATE-UO Trans 109
--- ---
+
VGS=-V1
P-
N+
+ + + + + +
N-
Substrato
N+
+
V1
S
P-
N+
- - - N-
Substrato
+++ +++
N+
- +
Modo acumulacin
V1
P-
N+
N-
--- --+ + + + + +
+ +
Substrato
N+
V1
Modo deplexin
ATE-UO Trans 111
Muy importante
ID [mA] Enriquecimiento
VGS = 4,5V
VGS = 4V
ID [mA]
VGS = 3V
VGS = 2,5V
Deplexin
VGS = 1V
6 VDS [V]
Modo acumulacin
VGS = 0V
VGS = -0,5V
VGS = -1V
VGS = 0,5V
VGS = 3,5V
4
VGS < -1,5V
Modo deplexin
6 VDS [V]
ATE-UO Trans 112
S
Tipo
enriquecimiento
Tipo S
deplexin
S
Tipo
enriquecimiento
S
Tipo
deplexin
Canal N
Canal P
R
D
G
S
+
V1
+
VDS
-
VGS
Canal N
-ID
D
G
V2
+
V1
+
VDS
-
V2
VGS
Canal P
ID
R
IG 0
V1
D
G
+
2
VGS
S
JFET, canal N
IG = 0
G
S
+
V1
V2
VGS
MOSFET, canal N
D
N+
D
G
S
Substrato
El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos.
El xido se puede llegar a perforar por la electricidad
esttica de los dedos. A veces se integran diodos zener
de proteccin.
Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los
MOSFET de enriquecimiento.
ATE-UO Trans 116