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Systèmes à microprocesseur

Les mémoires
Laurent JEANPIERRE <jeanpl@iutc3.unicaen.fr>

D’après le cours de Pascal FOUGERAY

IUT de CAEN – Campus 3

Département Informatique
Contenu du cours

 Introduction, définitions
 Types de mémoires
 Principales caractéristiques
 Décodage d’adresses
 Cas particulier : la mémoire cache

Département Informatique 2
Introduction
 Mémoire = dispositif de stockage
 Enregistre de l’information
 Restitue à la demande cette information

 Différentes formes de stockage


 Numérique (Circuits intégrés, CDROM,…)
 Analogique (Cassettes, Disques durs, …)

 Cecours s’intéresse aux mémoires à


semi-conducteurs. (Circuits intégrés)

Département Informatique 3
Les mémoires numériques
 Plus petite information stockable : 1 bit
  notion de case mémoire
 2 grandes catégories de mémoires :
 Accès aléatoire :
 Chaque case mémoire est utilisable séparément
 Notion d’adresse mémoire

 Accès sériel : (mémoires séquentielles)


 Accès aux cases mémoires séquentiellement
 Pas d’adresse utilisée

Département Informatique 4
Contenu du cours

 Introduction, définitions
 Types de mémoires
 Principales caractéristiques
 Décodage d’adresses
 Cas particulier : la mémoire cache

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Types de mémoires
Mémoires au silicium

Mémoires vives Mémoires mortes

ROM PROM
RAM RAM
statiques dynamiques
Fusibles
EPROM
bipolaires

EEPROM

Département Informatique 6
Les mémoires mortes
 Lecture seule par le processeur
Maintien de l’information hors tension
 Read Only Memory : programmée en
usine
 Programmable ROM : programmée par
l’utilisateur une seule fois
 Erasable PROM : programmable et
effaçable (rayons UV) par l’utilisateur
 Electrically EPROM : EPROM effaçable
par un courant électrique
Département Informatique 7
Les mémoires vives
 Lecture/Écriture par le processeur
Non permanence des informations
(mémoire volatile)
 Random Access Memory : mémoires à
accès aléatoire (à la demande)
 Statiques : information maintenue
spontanément sous tension
 Dynamiques : information maintenue par
rafraîchissement (balayage régulier de
toutes les cases mémoires)

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Autres mémoires en lecture/écriture
 MagneticBubble Memory : mémoire de
masse non volatile. Utilise des « bulles
magnétiques » (Plus utilisées)
 Mémoires séquentielles
 First In First Out : mémoires gérées en file;
premier bit écrit, premier bit lu.
 First In Last Out : mémoires gérées en pile;
premier bit écrit, dernier bit lu.

Département Informatique 9
Types de DRAM
 De nouvelles versions régulières
 Fast Page Mode : les barrettes des 486
 Extensed Data Out : premiers Pentiums

 Burst EDO : cousine de l’EDO

 Synchronous DRAM : années 2000


synchronisation avec horloge du µ P
 Double-data-rate DRAM : SDRAM à cadence
double (2 fronts)
 Error Correction Code : SDRAM ou DDRAM à
correction d’erreurs (cf. codes correcteurs)
 RamBus : Mémoires à haute vitesse 600-800 MHz

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Contenu du cours

 Introduction, définitions
 Types de mémoires
 Principales caractéristiques
 Décodage d’adresses
 Cas particulier : la mémoire cache

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Principales Caractéristiques
 Capacité : Nb de bits stockés par la mémoire.
Toujours un multiple d’une puissance de 2
 Organisation ou matrice : Longueur de la plus
petite information adressable.
 Octet (Byte) : 8 bits
 Mot (Word) : 16 bits

 Double Mot : 32 bits

 Etc. …

 Capacité = <Nb adresses> * Matrice


 Ex : 1kMot = 16kbits.

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Principales Caractéristiques (2)
 Temps (timings)
 Écriture : délai entre la présentation des données et
leur mémorisation réelle.
 Lecture : délai entre la présentation de l’adresse et
la disponibilité des données
 Accès : en général, la moyenne des temps de
lecture et d’écriture
 Cycle : si lecture destructive, somme des temps de
lecture et de réinscription (même adresse)
 Consommation : puissance nécessaire à une
opération (≠ selon repos ou lecture/écriture)
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 Introduction, définitions
 Types de mémoires
 Principales caractéristiques
 Décodage d’adresses
 Cas particulier : la mémoire cache

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Espace mémoire
1 µ P
 1 bus adresses (taille A1)
 1 bus données (taille D1)
1 circuit mémoire
 1 bus adresses (taille A2)
 1 bus données (taille D2)
 Exemple :
 A1 = 24 bits, D1 = 16 bits
 Espace mémoire = 224 adresses ≠ (16 millions)
 Capacité mémoire = 224 *16 bits (32Mo)
 Problème :
 A2 = 20 bits, D2 = 8 bits (1Mo)

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Décodage d’adresses
 Distribuer
Espace d’adressage
 Plusieurs Circuits
 Ex :
 A1 = 24 bits, D1 = 16 bits (32 Mo)
 A2 = 20 bits, D2 = 8 bits (1 Mo)

  2 circuits pour chaque adresse

  24 paires de circuits

  1 décodeur d’adresses

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Synoptique

Contrôle
Décodeur


µ P Carte 3D
Clavier
Réseau
Mémoire 2
Adresses Mémoire 1

Données

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Décodeur d’adresses
On peut utiliser :
 Portes logiques standard / PAL
 Logique combinatoire
 Décodeurs
 Ex précédent : 4 bits  16 lignes
 Comparateurs
1 motif d’adresse  1+ circuits mémoires
 PROM
1 adresse  1 motif de circuits mémoires

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 Introduction, définitions
 Types de mémoires
 Principales caractéristiques
 Décodage d’adresses
 Cas particulier : la mémoire cache

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Principe général
 Théorie de la localité
 Les instructions se suivent (en général)
 Les données sont rangées ensemble (idem)

 Idée :
 Chargeren mémoire les parties utiles
  Peu de mémoire

  Gros programmes

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Principes financiers
 Mémoire rapide = coût élevé (€)
 Beaucoup de mémoire lente
 Peu de mémoire rapide

 En pratique :
 DRAM :
 Plus de 5 ns (5.10-9 secondes)
 Environ 200 MHz

 SRAM :
 Moins de 1 ns
 Plusieurs GHz

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Hiérarchie des mémoires
 Cache L1
Dans le µ P, ultra rapide, très chère
 Cache L2
SRAM, souvent dans le µ P
 Cache L3
SRAM, hors du processeur
 RAM classique
DRAM
 Disque dur
 Bande magnétique
Très bon marché, vraiment lente
 Objectif= coût bande magnétique + vitesse L1

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Post-Scriptum
 Tendance actuelle :
 Architecture hybride
 Von Neumann pour la mémoire
(Hors processeur)
 Harvard pour le cache
(Dans processeur)
  accès parallèle instruction & donnée
  encore plus de vitesse

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Les mémoires en image

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