FABRICACIN DE

DISPOSITIVOS MICROELECTRNICOS
Jorge Ivn Lpez Luna

Crecimiento de cristales y preparacin de

obleas

Deposicin de pelcula

Aislantes y conductoras.
Polisiclicio, nitruro de silicio, dixido de
silicio, tungsteno, titanio y aluminio.
Epitaxia o electrodepsito

Crecimiento de un depsito de vapor.

Menos impurezas y mejor desempeo.
Enmascaramiento y proteccin de la
superficie.

Deposicin de pelcula

Evaporacin (pelculas metlicas)

Chisporroteo (pulverizacin catdica)
Deposicin qumica de vapor (CVD)
Deposicin qumica de vapor a baja presin
(LPCVD)
Deposicin qumica de vapor mejorada con
plasma (PECVD)
Capas de epitaxia:

Epitaxia de fase (VPE)

Epitaxia de fase lquida (LPE)
Epitaxia de haz molecular (MBE)

Oxidacin

Crecimiento de una capa (pelcula) de

xido.
Los xidos formados de manera trmica
son ms puros.
Oxidacin en seco
Oxidacin en hmedo
Oxidacin selectiva

Litografa

Patrones geomtricos que definen los

dispositivos se transfieren a la superficie del
sustrato.
Fotolitografa
Litografa por UV extrema (EUV)
Litografa por rayos X
Litografa por haz de electrones (e-beam) o
haz de iones (i-beam)
Litografa por haz de electrones dispersados
de proyeccin angular (SCALPEL)

Litografa

Ataque (grabado)

Se retiran pelculas completas o partes

de ellas.
Criterio fundamental: selectividad.
Ataque en hmedo:

Inmersin de las obleas en solucin lquida.

En su mayora isotrpicas.
Atacantes isotrpicos.

Ataque (grabado)

Ataque anisotrpico:
Dos

clases bsicas: ataque dependiente de la

orientacin (ODE) y ataque vertical.
Relacin de anisotropa para el ataque:
E:

velocidad de ataque en una direccin

cristalogrfica de inters. Subndices:
direcciones de inters.
Figure 28.15 Etching directionality. (a) Isotropic etching: etch proceeds
Selectividad:
definida the
de same
manera
similar,
pero
vertically
and horizontally at approximately
rate, with
significant
mask undercut.
(b) Orientation-dependant
etching
etch proceeds
se refiere
a los materiales
y no(ODE):
las direcciones.
vertically, terminating on {111} crystal planes with little mask undercut.
(c) Vertical etching: etch proceed vertically with little mask undercut.
Source: Courtesy of K. R. Williams, Agilent Laboratories.

Ataque (grabado)

Ataque en seco:

Pequeas cantidades de reactivos qumicos

(gases reactivos) en sistemas de baja presin.
Comprende un plasma o descarga en reas de
elevados campos magnticos y elctricos.
Es anisotrpico.
Ataque por chisporroteo.
Ataque de plasma reactivo (ataque qumico
en seco).
Figure 28.20 Various holes generated from a square mask in: (a)
isotropic
(wet) etching;
(b) orientation-dependant etching (ODE); (c)
Ataque
fsico-qumico.
ODE with a larger hole; (d) ODE with a rectangular hole; (e) deep
Figure
28.18 Machining profiles associated with different dry-etching
Ataque
criognico
en
seco.
reactive-ion
etching;
and (f) vertical
etching.
Source: After M. Madou.
techniques: (a) sputtering; (b) chemical; (c) ion-enhanced energetic; (d)

ion-enhanced inhibitor. Source: After M Madou.

Referencias

Kalpakjian, S., Schmid, S. & Jaime, E.

(2008).Manufactura, ingenieria y
tecnologia. Mxico, D.F: Pearson
Educacion.

Artculos de inters

Jiang, X. X., & Boettger, E. E. (1994).

Approach of selective nucleation and
epitaxy of diamond films on
Si(100).Applied Physics Letters,65(12),
1519.
Rauch, A., Mendelsberg, R. J., Sanders, J.
M., & Anders, A. (2012). Plasma potential
mapping of high power impulse
magnetron sputtering
discharges.Journal Of Applied
Physics,111(8), 083302.

Videos

Fotolitografa

http://www.youtube.com/watch?v=
9x3Lh1ZfggM

Magnetron chisporroteador de
revestimiento

http://www.youtube.com/watch?v=
NSb4zFzQD_0