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Cours CEM

INTRODUCTION A LA CEM

Le problme gnral de la CEM


Les modes de transmission des perturbations
lectromagntiques
Principales victimes des perturbations
lectromagntiques et comportement
Units en
CEM
Conversion
temps/frquences
Spcifications de la
CEM
CESI_part1_ 1
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Cours CEM

OBJECTIF DE LA CEM

RENDRE COMPATIBLE LE FONCTIONNEMENT


DUN SYSTEME SENSIBLE AVEC
SON ENVIRONNEMENT ELECTROMAGNETIQUE

CESI_part1_ 2
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Cours CEM
INTERFERENCES
ELECTROMAGNETIQUES
Une interfrence lectromagntique est le rsultat
de la perturbation dun systme lectrique,
lectronique, etc. par un autre circuit, ou un
phnomne lectrique extrieur au systme.
Linterfrence nest pas le signal perturbateur luimme mais le fait quil se couple avec un systme
suffisamment vulnrable pour tre affect.

CONCEPT DE SOURCE/VICTIME
CESI_part1_ 3
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Cours CEM

SITUATION TYPIQUE DINTERFERENCE

Source EMI
(perturbateur)

Chemin de
transmission

Rcepteur
(victime)

Control de lmission
Control de la susceptibilit
(rduire le niveau de la source de bruit)(augmenter limmunit de la victime)
(limiter la propagation)
(limiter la propagation)

conduite

rayonne

conduite

CESI_part1_ 4
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rayonne

Cours CEM
SITUATION TYPIQUE DINTERFERENCE

Il y a situation dinterfrences ds que la somme des


perturbateurs dpasse le seuil de susceptibilit du circuit
sous
test (zone hachure)
CESI_part1_ 5
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Cours CEM

LES MODES DE TRANSMISSION DES


PERTURBATIONS
ELECTROMAGNETIQUES

CESI_part1_ 6
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Cours CEM
MODE COMMUN / MODE DIFFERENTIEL

Le mode commun est LE problme rcurrent de la CEM

Tous les mcanismes de couplage en mode commun sont efficaces en


Impdance commune
Diaphonie inductive et capacitive
Champ cble ou piste
Champ boucle de masse
CESI_part1_ 7

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Cours CEM

LES MODES DE TRANSMISSION DES PERTURBATIONS


ELECTROMAGNETIQUES

COUPLAGE PAR IMPEDANCE


COMMUNE
COUPLAGE PAR DIAPHONIE
COUPLAGE PAR RAYONNEMENT
ELECTROMAGNETIQUE

CESI_part1_ 8
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Cours CEM

COUPLAGE PAR IMPEDANCE COMMUNE

CESI_part1_ 9
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Cours CEM
COUPLAGE PAR IMPEDANCE COMMUNE

Survient chaque fois que diffrents circuits se partagent


des conducteurs en commun, principalement la masse.
Saggrave quand la frquence augmente car
limpdance des conducteurs est surtout inductive.
CESI_part1_ 10
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Cours CEM
CALCUL DE LIMPEDANCE DUN PLAN DE
CUIVRE

,2
e17
mm

En basse frquence :
Z
En haute frquence : Z

370 F MHz

APPLICATION :
IMPEDANCE DUN PLAN DE CUIVRE DE
10cm*10cm
A LA FREQUENCE DE 30 MHz

Z 2m

CESI_part1_ 11
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Cours CEM
CALCUL DE LIMPEDANCE DUNE PISTE
LIMPEDANCE DUNE PISTE DE CIRCUIT IMPRIME DE LONGUEUR L, DE LARGEUR
d ET DEPAISSEUR e SE CALCULE PAR :
EN BASSE FREQUENCE :
R m

EN HAUTE FREQUENCE :

17L
ed

2* L
d e
Z R 0 * L * Ln
0,5 0.2235
* F(Hz)

L
d e

(L en m, d et e sont exprims en mm)

(L, d et e sont exprims en mtres)

APPLICATION :
IMPEDANCE DUNE PISTE DE LONGUEUR L=10cm, DE LARGEUR d=1mm ET
DEPAISSEUR e=35m A LA FREQUENCE DE 30 MHz :

Z 20
CESI_part1_ 12
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Cours CEM

COUPLAGE PAR DIAPHONIE

CESI_part1_ 13
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Cours CEM
COUPLAGE PAR DIAPHONIE INDUCTIVE
Couplage entre un champ magntique et une
La diaphonie inductive boucle.
apparat lorsque deux circuits
sont parallles sur une certaine longueur.

Ip

Iv

Un courant Ip variable dans le temps cre un champ H.


Par phnomne dinduction, un courant Iv apparat dans
la ligne victime.
Ce type de diaphonie est prdominant en HF car les
impdances en bout de ligne diminuent.
CESI_part1_ 14
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Cours CEM
COUPLAGE PAR DIAPHONIE INDUCTIVE
Modlisation du couplage par
diaphonie
Ligne 1 source
I2

L1
M

I1

Ligne 2
victime

L2
V

Les deux lignes se couplent comme le primaire et le


secondaire dun transformateur par lintermdiaire de la
mutuelle
M. la boucle victime
Tension inductance
induite dans
U=2..F.M.Ip

CESI_part1_ 15

F=Frquence du courant perturbateur


M=Mutuelle inductance entre les deux lignes
Ip=Courant dans la ligne perturbatrice
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Cours CEM
COUPLAGE
PAR DIAPHONIE
COUPLAGE
PAR DIAPHONIE
CAPACITIVE CAPACITIVE
Couplage entre un champ lectrique et un
Lafil
diaphonie capacitive apparat lorsque des circuits sont
parallles sur une certaine longueur.

Vp

Vv

La tension Vp cre un champ E qui lui mme induit une tension Vv aux
bornes de la ligne victime. Un courant Iv est ainsi tablit dans la ligne
Ce
type de diaphonie est prdominant en BF car les impdances des
victime.
circuits sont (habituellement) plus leves que celles des lignes.
CESI_part1_ 16
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Cours CEM
COUPLAGE PAR DIAPHONIE CAPACITIVE
Modlisation du couplage par diaphonie
capacitive
Ligne 1 source

i
Cm

Ligne 2
victime

Les deux lignes se couplent par lintermdiaire de la


capacit ligne ligne Cm qui matrialise le couplage
capacitif.
Courant induit dans le circuit victime
I=2..F.Cm.Up

CESI_part1_ 17

F=Frquence de la tension
perturbatrice
Cm=Capacit mutuelle entre les deux
lignes
Up=Tension perturbatrice
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Cours CEM
REDUCTION DES COUPLAGES PAR
DIAPHONIE
Diaphonie inductive

sourc
erduire la
surface de
boucle
limiter les
dI/dt

chemin de
couplage
loigner les
lignes ou ne
pas les
mettre
parallle

Diaphonie
capacitive

victime

sourc
e
rduire la limiter
les
surface de dV/dt
boucle
blinder le fil

chemin de
couplage

victime
choisir un
loigner les dilectrique
lignes ou ne denrobage
pas les
des fils
mettre
avec r
parallle
faible
utiliser des
paires
torsades

CESI_part1_ 18
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Cours CEM

COUPLAGE PAR RAYONNEMENT


ELECTROMAGNETIQUE

CESI_part1_ 19
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Cours CEM
COUPLAGE PAR RAYONNEMENT ELECTROMAGNETIQUE

Le champ lectrique est gnr par


une DDP entre deux points de lespace
Il a pour effet dinduire un courant sur
les fils parallles aux lignes de champ

Le champ magntique est gnr par


une circulation de courant
Il a pour effet dinduire une DDP dans
les boucles perpendiculaires aux
lignes de champ

UN CHAMP ELECTROMAGNETIQUE EST COMPOSE DUN


CHAMP ELECTRIQUE ET DUN CHAMP MAGNETIQUE

CESI_part1_ 20

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Cours CEM

PROTECTION CONTRE UN RAYONNEMENT


ELECTROMAGNETIQUE

BLINDER ET
ASSURER UNE
BONNE
CONTINUITE
ELECTRIQUE

MATERIAU (conductivit,
absorption)
EPAISSEUR DE METALLISATION
TRAITEMENT DE SURFACE
ETAT DE SURFACE
OUVERTURE, FENTES

CESI_part1_ 21
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Cours CEM
MECANISME DE LEFFET DE BLINDAGE

EN PRATIQUE, UN BLINDAGE EST UN ATTENUATEUR FONCTIONNANT


SELON DEUX MECANISMES COMBINES :

REFLEXION ET ABSORPTION

Champ reu en un point donn, sans blindag


EFFICACITE DE BLINDAGE (Eb) =
Champ reu en un point donn, avec blindag
CESI_part1_ 22
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Cours CEM

EFFICACITE DE BLINDAGE DES MATERIAUX CONDUCTEURS

Eb = R + A + B

(en dB)

R = des pertes par rflexion (en dB)


A = des pertes par absorption (en dB)
B =des pertes par re-rflexion (en dB)

CESI_part1_ 23
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Cours CEM

PERTES PAR ABSORPTION


Labsorption (A) est proportionnelle au rapport paisseur de
la barrire mtallique (e) sur paisseur de peau () la
frquence considre.
Labsorption (A) est indpendante de limpdance de londe
(champ proche, champ lointain).

e
A (dB) = 8.69

o = paisseur de peau
e= paisseur du blindage

CESI_part1_ 24
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Cours CEM
EFFET DE PEAU
Leffet de peau (pelliculaire) est un phnomne de conduction : le courant
alternatif circule prfrentiellement en surface des conducteurs.
Laffaiblissement de la densit surfacique du courant (enA/m) suit une loi
exponentielle avec une constante despace note, appele paisseur de peau.

66 106
m
r r FMHz

CESI_part1_ 25
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Cours CEM
PERTES PAR REFLEXION

La rflexion (R) est lie la dsadaptation entre


limpdance de londe Zch et limpdance de la barrire
mtallique (Zb)
Il faut distinguer 3 cas en fonctions de limpdance de londe :
En champ lointain (distance entre la source de rayonnement et
la barrire d>)

RdB
( ) 108 10log

F(MHz)r
r

( si paisseur barrire
e > paisseur de peau

En champ proche magntique (d< impdance de londe trs


petite

R(dB ) 74.6 20 log d (m) 10 log F ( MHz ) 10 log r


r
En champ proche lectrique (d< impdance de londe trs
grande
F3(MHz)

RdB
( ) 1417
. 20logd(m) 10log

CESI_part1_ 26
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Cours CEM
CHAMP PROCHE, CHAMP LOINTAIN
IMPEDANCE DONDE

CESI_part1_ 27
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Cours CEM

PRINCIPES FONDAMENTAUX POUR REALISER UN BLINDAGE


Le blindage des champs lectriques:
aux basses frquences est d la rflexion,
aux hautes frquences est d labsorption.
Le blindage des champs magntiques aux basses frquences
est d labsorption.
Un matriau de conductivit leve une influence positive sur
labsorption et la rflexion.
Un matriau de permabilit magntique leve donne une plus
grande
absorption, mais une plus faible rflexion:
utiliser des crans de blindage en matriau de permabilit
magntique leve seulement pour blinder des sources de
champ magntique trs basse frquence.
CESI_part1_ 28
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Cours CEM
PRINCIPES FONDAMENTAUX POUR REALISER UN BLINDAGE
Labsorption augmente quand lcran de blindage devient pais:
le blindage des champs magntiques ncessite des crans
pais,
le blindage des champs lectriques peut tre ralis avec des
feuilles mtalliques minces.
La distance de la source lcran de blindage modifie les
proprits
de la rflexion:
Placer les sources de champ lectrique proches de lcran de
blindage
et les sources de champ magntique loins de lcran de
blindage.

CESI_part1_ 29
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Cours CEM

PRINCIPES FONDAMENTAUX POUR REALISER UN BLINDAGE

Avant de concevoir le blindage dun botier lectronique, il faut


dcider sil
sagit de faire un blindage magntique ou lectrique, ou les deux:
Dans la plupart des cas pour les applications spatiales, seul
le
Les performances CEM dun cran de blindage sont dtermines pa
blindage lectrique a de limportance pour tenir les
les proprits des matriaux utiliss,
spcifications CEM.
la bande de frquences EMI,
le type de source considre (magntique, lectrique
ou lectromagntique).
En pratique dautres facteurs sont prdominants:
la localisation de la source par rapport lcran de blindage,
les connexions entre diffrentes parties du blindage,
les trous et fentes sur lcran de blindage.
CESI_part1_ 30
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Cours CEM

PRINCIPES FONDAMENTAUX POUR REALISER UN BLINDAGE


Blindage contre les champs magntiques :
En pratique: important seulement en basse frquence (<30
MHz),
Lattnuation augmente avec la frquence,
Les trous et les fentes dans le blindage ont peu dimportance.

Blindage contre les champs lectriques :


En pratique: important seulement en haute frquence (>30 MH
Les trous et les fentes dans le blindage ont de plus en plus
dimportance lorsque la frquence augmente,
La qualit de la rsistance de contact (impdance) entre diffr
parties du blindage est trs importante (des parties isoles ag
comme des antennes !).

CESI_part1_ 31
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
ATTENUATION DUNE PAROI MUNIE DUNE
OUVERTURE

dist. D
Une ouverture de longueur L dans un cran se comporte comme un diple
de mme longueur et re-rayonne de lautre ct de lcran une partie de
la puissance reue.
Pour L>/2 : Eb

0dB

Lattnuation est quasi nulle quel que soit le rapport L/h (en ralit Eb passe
par des rsonances et anti-rsonances de la fente).
CESI_part1_ 32
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
ATTENUATION DUNE PAROI MUNIE DUNE
OUVERTURE
Pour L<2 : louverture prsente une certaine
e
attnuation.
E =100-20 Log L -20Log F + 20 Log (1+2.3 Log L/h) +
b

30
perte par rflexion

facteur de minceur

L= grande dimension de louverture en mm


h= hauteur de louverture en mm
e= paisseur de la paroi en mm
F= frquence en MHz
Eb= efficacit de blindage en dB

perte par
traverse

La correction suivante doit tre apporte la formule lorsque lon est en


situation de champ proche (E ou H).
prdominance lectrique
48
C ( E ) 20 log

D F
CESI_part1_ 33

prdominance magntique
48
C ( H ) 20 log

D F

avec D= distance de la source rayonnante (m)


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Cours CEM

EFFICACITE DUNE OUVERTURE


GUIDE
Eff ( dB ) 27,2

1 ( F / Fc ) 2

Avec P>L et F<Fc


L = plus grande dimension de louverture (en mm
P = profondeur de louverture guide (en mm)
F = frquence en MHz
Fc = frquence de coupure en MHz
Fc = 150000/L

Application spatiale
Trou dvent des quipements embarqus sur satellite.
Afin de maintenir un blindage suprieur 80 dB en hyperfrquences, on impose
Dans ce cas le trou est cylindrique et L correspond au diamtre de louverture.

CESI_part1_ 34
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM

CALCUL DE BLINDAGES

Plaque d'alu de 0,8mm d'paisseur

100MHz
924

Bande C
5281

Bande X
7425

Bande Ku
9788

Bande Ka
13302

Plaque d'alu de 0,1mm d'paisseur

208

751

1019

1314

1753

Feuille d'or de 1m d'paisseur

107

113

116

119

125

Trou d'vent (diamtre 1mm, profondeur 3mm)

150

118

112

107

102

Trou pour liaison filaire a travers une plaque d'alu


(diamtre 2mm, profondeur 1mm)

69

37

31

26

21

Fente entre vis de fixation d'un capot (longueur


18mm, hauteur 0,01mm, profondeur 5mm)

62

30

Fente pour connecteur SUB-D 25pts (longueur


40mm, hauteur 8mm, profondeur 10mm)

44

DES EPAISSEURS DE PAROIES TRES FAIBLES SUFFISENT EN HYPER


POUR AVOIR UN BLINDAGE TRES IMPORTANT
ATTENTION AUX OUVERTURES MEME DE DIMENSIONS REDUITES
CESI_part1_ 35
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Cours CEM

PRINCIPALES VICTIMES DES PERTURBATIONS


ELECTROMAGNETIQUES, ET COMPORTEMENT

CESI_part1_ 36
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
COMPORTEMENT DES CIRCUITS VICTIMES A UN SIGNAL PERTURBATEUR

ACIRCUITS PASSE-BANDE OU ACCORDES (rcepteur, radio, TV, radar, etc....) :


- Trs sensible la frquence de travail et lintrieur de leur bande
passante.
- Trs peu sensibles hors bande (la rjection atteint 60 80 dB, en
thorie).
des rsonances dues aux selfs parasites des connexions et
- En
fait, la rjection hors bande est rduite cause :
capacits parasites internes aux circuits.
du phnomne de dtection parasite denveloppe en HF,
produit par toute jonction non linaire (jonction PN ou NP,
diodes crteuses, broche oxyde, etc...).
B- CIRCUITS PASSE-BAS OU BANDE DE BASE (amplis oprationnels ou
vido et circuits numriques) :
- Moins sensibles, dans leur bande passante que la catgorie A.
- Plus vulnrables des signaux indsirables du fait de leur absence
de slectivit.
CESI_part1_ 37
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
SUSCEPTIBILITE DES CIRCUITS
ANALOGIQUES
Lamplificateur analogique est suppos avoir :
un seuil de sensibilit assez bas,
une sortie proportionnelle la tension dentre, dans la bande passante,
une rjection en frquence, au dessus de la frquence de coupure Fco avec:
Fco =

BP gain unitaire
Gain

En thorie, toute frquence indsirable FEMI > FCO est attnue dans le rappor
F
ATTENUATION = EMI
FCO

avec n = ordre ou nombre


dtages du filtre

Un signal brouilleur hors-bande sort donc de lamplificateur avec


amplitude thorique gale
:
V (sortie) = V (entre) * ATTENUATION
EMI

EMI

Lattnuation est limite par des phnomnes parasites :


offset
dtection denveloppe
influence du botier
CESI_part1_ 38
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
SUSCEPTIBILITE DES COMPOSANTS
ANALOGIQUES

PHENOMENE
DOFFSET
V sortie

V entre
R

tension parasite
continue

base
temps

Emetteur

temps

Le signal HF est redress par une diode de protection, par


la jonction base metteur dun transistor,
apparition dune tension parasite continue en sortie

Exempl
CESI_part1_
39
e

sur Ampli OP biFET : perturbateur de 1V/ 100 MHz en


entre
offset de 100mv en sortie
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
SUSCEPTIBILITE DES COMPOSANTS
ANALOGIQUES

DETECTION DENVELOPPE

V entre

V sortie

HF module

BF dmodule et amplifie

tps

tps

un signal HF modul par un signal BF est dtect par


des diodes parasites dun composant analogique
dmodulation du signal BF et amplification
CESI_part1_ 40
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
SUSCEPTIBILITE DES COMPOSANTS
ANALOGIQUES

INFLUENCE DU
BOITIER
Impdances
parasites du
botier

Composant

Entre
perturbations HF

Puce
Sortie
transmission directe du signal perturbateur de lentre vers
la sortie via les impdances parasites du botier
CESI_part1_ 41
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
SUSCEPTIBILITE DES CIRCUITS

B-SUSCEPTIBILITE DES CIRCUITS NUMERIQUES


- Leur seuil de dtection relativement lev semble les rendre moins
vulnrables que les circuits analogiques. Par contre, leur grande
vitesse, correspondant une trs large bande passante, les expose
aux domaines de frquences de
pratiquement toutes les agressions
ambiantes.
- Le comportement dune porte logique vis--vis dun signal indsirable
sera une fonction chelon.
-Le paramtre dcrivant le seuil de susceptibilit est la marge de
bruit.

CESI_part1_ 42
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
SUSCEPTIBILITE DES CIRCUITS
CHANGEMENT DETAT LOGIQUE
DEPASSEMENT DES MARGES DE BRUIT ET COMMUTATION
MARGE STATIQUE DE BRUIT DES CIRCUITS NUMERIQUES

Marge tat haut = VS1min -Ve1min


(impulsion ngative en limite de dclenchement sur une entre lta
Marge tat bas = VS0max -Ve0max
(impulsion positive en limite de dclenchement sur une entre ltat
CESI_part1_ 43
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
SUSCEPTIBILITE DES CIRCUITS
CHANGEMENT DETAT LOGIQUE
DEPASSEMENT DES MARGES DE BRUIT ET COMMUTATION
MARGE DYNAMIQUE DE BRUIT DES CIRCUITS NUMERIQUES
Dure de l'impulsion parasite
vDynamique VStatique *
Temps de propagation dans la porte

Seuil de dclenchement
des logiques courantes
pour des impulsions
parasites brves

CESI_part1_ 44
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
CARACTERISTIQUES ESSENTIELLES DES FAMILLES
NUMERIQUES

CESI_part1_ 45
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM

UNITES EN CEM

CESI_part1_ 46
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
UNITES PRATIQUES
(Drives des units normales)
1 - On utilise les sous-multiples
TENSION :
COURANT:
CHAMP ELECTRIQUE:
(facteur 10-6)
CHAMP MAGNETIQUE:
12
)

V
A
pT

au lieu de V
(facteur 10-6)
au lieu de A
(facteur 10-6)
V/m
au lieu de V/m
au lieu de T

(facteur 10-

A/MHz
au lieu de A/Hz
(facteur 10-6)
2 - On utilise les : dB auV/m/MHz
dessus deau
.....
lieu de V/m/Hz (facteur 10-6)
dBV
au
dBA
au
dBV/m
au
dBpT
au
dBA/MHz
au
dBV/m/MHz au
V/M/Hz

lieu
lieu
lieu
lieu
lieu
lieu

de
de
de
de
de
de

V
A
V/m
pT
A/Hz

20 * log10

V
= 20 * log10 V (en V)
1V

CESI_part1_ 47
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM

CONVERSION
TEMPS/FREQUENCE

CESI_part1_ 48
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
CONVERSION
TEMPS/FREQUENCE
Il y a deux faons de dfinir un signal physique:
Par son volution en fonction du temps, cest dire tel
quon lobserve loscilloscope.
Par son spectre de frquences tel quon lobserve
lanalyseur de spectre.
La reprsentation spectrale des perturbations est
indispensable en CEM car elle est utilise par:
Les normes de CEM tant civiles que militaires.
Les documentations fournisseurs de tous les blindages,
filtres, crans de cble et composants antiparasites.
La majorit des mthodes de prdictions CEM simples.
CESI_part1_ 49
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
CONVERSION
TEMPS/FREQUENCE
Train dimpulsions trapzodales

Pour un rapport cyclique de 50%, lamplitude du fondamental = A - 4dB


CESI_part1_ 50
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
CONVERSION
TEMPS/FREQUENCE

CESI_part1_ 51
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM

SPECIFICATIONS DE CEM
(application dans le domaine spatial)

CESI_part1_ 52
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
SPECIFICATIONS
LENSEMBLE DES REGLES ET LIMITES CEM APPARAIT EN GENERAL DANS 2
DOCUMENTS QUI SONT LA BASE EN CE QUI CONCERNE LA CONCEPTION
CEM DUN SATELLITE
SPECIFICATIONS DE COMPATIBILITE ELECTROMAGNETIQUE
NORMES DE REALISATION ELECTRIQUE (G.D.I.R)
CES 2 SPECIFICATIONS ADAPTEES AU PROGRAMME A DEVELOPPER
SONT DES
DOCUMENTS AU NIVEAU SYSTEME.

CES SPECIFICATIONS DE CEM SONT EN GENERAL DERIVES DES NORME


MILITAIRES AMERICAINES :
MIL-STD-461C
MIL-STD-462
MIL-STD-1541A
MIL-B-5087B
CESI_part1_ 53
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
SPECIFICATIONS
EXIGENCES CEM AU NIVEAU DES SOUS-SYSTEMES / EQUIPEMENTS

CONTRAINTES SUR LE BRUIT EMIS MAXIMUM (CE,RE) :

Domaine temporel ou spectral,


Conduit ou rayonn
CONTRAINTES DIMMUNITE AU BRUIT (CS,RS) :

Domaine temporel ou spectral,


Conduit ou rayonn
CONTRAINTES DE REALISATION :

Exigences dinterface alimentation (filtrage, protection


rfrence des potentiels lectriques (circuit zro volt),
masse mcanique (continuit lectrique),
rgles de cblage,
mcanique des botiers (blindage)
CESI_part1_ 54
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
EXIGENCES AU NIVEAU EQUIPEMENT/SOUS-SYSTEME
RESPECT DES LIMITES DEFINIES DANS LA SPECIFICATION CEM AUSSI BIEN EN
EMISSION QUEN SUSCEPTIBILITE

EXIGENCES EN EMISSION CONDUITE (CE) :

Lignes dalimentation,
Lignes de signaux

EXIGENCES EN SUSCEPTIBILITE CONDUITE (CS) :

Lignes dalimentation,
Lignes de signaux

EXIGENCES SUR LES EMISSIONS RAYONNEES (RE) :

Champ magntique,
Champ lectrique

EXIGENCES EN SUSCEPTIBILITE RAYONNEE (RS) :

Champ magntique,
Champ lectrique

EXIGENCES SUR LA TENUE AUX DECHARGES ELECTROSTATIQ


CESI_part1_ 55
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

Cours CEM
EXEMPLES DE SPECIFICATIONS CEM

A) LIMITE D EMISSIONS CONDUITES B) LIMITE D EMISSIONS RAYONNEES


dBA rms
100

100.00

90

90.00
80.00

80

70.00

70
dBuV/m

60.00

60

50.00
40.00

50
30.00

40

20.00

1 MHz to 42 GHz
10,7 GHz to 12,75 GHz
13,75 GHz to 14,5 GHz
19,7 GHz to 21 GHz
29,5 GHz to 30 GHz

:
:
:
:
:

70 dBV/ m
90 dBV/m
30 dBV/m
90 dBV/m
30 dBV/ m

10.00

30

0.00

20
1E-2

0.01

1E-1

1E+0

1E+1

1E+2

1E+3

0.10

1E+4

FREQUENCE (KHz)

CESI_part1_ 56
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

1.00

10.00

100.00

Frequency (MHz)

1000.00

10000.00

100000.00

Cours CEM
EXEMPLES DE SPECIFICATIONS CEM

A) SUSCEPTIBILITE AUX PERTURBATIONS


B) SUSCEPTIBILITE AUX PERTURBATION
CONDUITES
RAYONNEES
V (e F F )
100.000

M O D E D IF F E R E N T IE L

10.000

(V/m)

1.000

1 MHz
to
42 GHz
10,7 GHz to 12,75 GHz
13,75 GHz to 14,5 GHz
19,7 GHz to 21 GHz
29,5 GHz to 30 GHz

0.100

:
:
:
:
:

+ 1 V/ m
+ 10 V/m
+ 0.006 V/m
+ 10 V/m
+ 0,006 V/m

0.010

M O D E C O M M U N

0 ,2

0.001
0.01

0.10

1.00

10.00

100.00

Frequency (MHz)

10 H z

60 100

1 kH z

10

100

1 M Hz

10

30 100 M H z

CESI_part1_ 57
Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden

1000.00

10000.00

100000.00

Cours CEM
CRITERES DE SUCCES EN EMC CS ET RS
EXEMPLE POUR UN EQUIPEMENT RF :
Critre en CS SPURIOUS MODULATION

Critre en RS IN-BAND EMC


SPURIOUS
EXEMPLE POUR UN EQUIPEMENT
NUMERIQUECritre
:
en CS et RS Choisir un critre de bon
fonctionnement :
Mesure dun Taux dErreur de Bit
Effectuer une squence de test - Ex.:
CESI_part1_ 58

Reproduction interdite ALCATEL ESPACE Reproduction forbidden