MEMORIAS

Eltrmino memoriaidentifica
el almacenaje de datos que
viene en forma chips, y el
almacenaje de lapalabrase
utiliza para la memoria que
existe en las cintas o los discos

TIPOS DE
MEMORIAS

RAM (memoria de acceso aleatorio)

ROM (memoria inalterable)
PROM (memoria inalterable
programable
EPROM (memoria inalterable
programable borrable
EEPROM (elctricamente memoria
inalterable programable borrable)

Memoria ROM
Esta
memoria
se
conoce
simplemente
comoROMy
se
caracterizaporque la informacin
contenida
en
su
interior
se
almacena durante su construccin
yno sepuede alterar. Generalmente
estas
memorias
utilizan
transistoresMOSpara representar
los dos estados lgicos (10)..

Memoria PROM
Esta
memoria
es
conocida
comoROMprogramable de la sigla
en inglsProgrammable Read Only
Memory. Este tipo de memoria a
diferencia de laROMno se programa
durante elproceso de fabricacin,
en vez de ello la programacin la
efecta el usuario y se puede
realizar una sola vez, despus de la
cual no se puede borrar o volver a
almacenar otra informacin.

Memoria EPROM
Este tipo de memoria es similar a laPROMcon la
diferencia que la informacin se puedeborrary
volver a grabarvarias veces. Su nombre proviene de
la sigla en inglsErasable Read Only Memory.
La
programacin
se
efecta
aplicando
en
unpinespecial de la memoria una tensin entre 10
y 25 Voltios durante aproximadamente50 ms,segn
el dispositivo, al mismo tiempo se direcciona la
posicin de memoria y se pone la informacin a las
entradas de datos. Este proceso puede tardar varios
minutos dependiendo de la capacidad de memoria.

Esta Memoria puede

reprogramarse. Tiene una
ventana de cuarzo a traves de la
cual se exponen los circuitos
interiores del chip. Cuando se
aplica luz ultravioleta a travez de
la ventana se produce una
reaccion quimica que borra el
contenido

Memoria EEPROM

La
memoriaEEPROMes
programable
y
borrable
elctricamente
Actualmente
estas memorias se construyen
con
transistores
de
tecnologaMOS(Metal
OxideSilice)
yMNOS(Metal
Nitride-Oxide Silicon).

 Esta memoria tiene algunas ventajas con

respecto a la MemoriaEPROM, de las cuales se
pueden enumerar las siguientes:
Las palabras almacenadas en memoria se
pueden borrar de forma individual.
Para borra la informacin no se requiere luz
ultravioleta.
Las
memoriasEEPROMno
requieren
programador.
Para reescribir no se necesita se necesita hacer
un borrado previo.
Se pueden reescribir aproximadamente unas
1000 veces sin que se observen problemas para
almacenar la informacin.
El tiempo de almacenamiento de la informacin
es
similar
al
de
lasEPROM,
es
decir

Memoria FLASH
La memoriaFLASHes similar a laEEPROM,
es decir que se puede programar y borrar
elctricamente. Sin embargo esta rene
algunas de las propiedades de las
memorias anteriormente vistas, y se
caracteriza por tener alta capacidad para
almacenar informacin y es de fabricacin
sencilla, lo que permite fabricar modelos
de capacidad equivalente a lasEPROMa
menor costo que lasEEPROM.

GRAC
IAS