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Contact Mtal Semi-conducteur

Diode Schottky

Contact Mtal/SC: diode Schottky

Plusieurs applications:

Interconnexions
Contact Ohmique
Diode barrire Schottky
Survol des jonctions Isolant/SC
tat de lart

Les interconnexions

Actuellement, 6 8
niveaux de mtal sur les
puces (=> 10)
Problmes :

Retards du signal
chauffement
Compatibilit/ diffusion
avec le dispositif

Utilisation croissante de
la technologie cuivre .
3

Les interconnexions

Matriau faible
constante dilectrique
low k

Rsistivit les plus


faibles possibles :
filire Cu

C S
d

R l
S

RC
4

Diode Schottky

Quelques dfinitions (2!)


Travail de sortie e
M : Le travail de sortie est

lnergie quil faut fournir un lectron dans le mtal pour


lextraire du mtal. On lappellera e M et son unit sera
llectronvolt. Il est dfinit comme la diffrence entre le niveau
de vide et le niveau de Fermi dans le mtal.

Affinit lectronique

e SC :laffinit

lectronique qui est la diffrence dnergie entre le niveau de


vide et la bande de conduction BC.

Diode Schottky

Formation du contact:

e M e SC
Ici

Apparition dune barrire


nergtique pour les lectrons du
mtal :

e b e M e SC

Apparition dune barrire


nergtique pour les lectrons du
SC :

eVbi eVd e M e SC e MS

Contact ohmique ou redresseur ?


ohmique

em e s

Semi-conducteur type n

redresseur

em e s
8

Contact ohmique ou redresseur ?


ohmique

em e s

Semi-conducteur type p

redresseur

em e s
9

Contact ohmique ou redresseur ?

10

Contact ohmique ou redresseur ?

Mais prsence dtats dinterface qui


change le problme simpliste ci dessus

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Diode Schottky: tats


dinterfaces

e b e M e SC

e b E g e 0 cte
eVbi eVd e M e SC e MS

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Contacts Ohmiques

arrive des interconnexions sur le


dispositifs.
Un contact ohmique:

Pas de chute de potentiel


rsistance au courant la plus faible possible

Comment ?
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Contacts Ohmiques

ralisation dun
contact ohmique

Il faut sur-doper le
SC linterface
Le courant passe
essentiellement par
effet tunnel .

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Caractristiques Capacit Tension C(V).

Rsultats identiques
une jonction P+N:
d 2V ( x)
( x)

SC
dx 2

eN
E ( x) d ( x W )
SC
W

CA

eN d x 2
V ( x)
( Wx)
SC 2

2 SC (Vbi V )
eN d

e SC N d
dQ
A

dV
2
(
V

V
)
bi

1
2

SC A
W

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Courant dans une diode Schottky :I(V)

Plusieurs mcanismes
responsables du courant:

Courant thermo-ionique
Courant tunnel (SC
fortement dop)

Diffrence fondamentale
par rapport diode PN:

Courant direct courant


de majoritaires !!
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Courant dans une diode Schottky :I(V)


Courant thermoionique: les lectrons qui arrivent
franchir la barrire e(Vbi-V) forment ce courant:
e(Vbi V )
nb n0 exp

kT

avec

E EF
n0 N C exp C
kT

Soit encore :
E E F Vbi V
e( b V )
nb N C exp C

N
exp

kT
kT

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Courant dans une diode Schottky :I(V)

On peut montrer (Singh) que le flux dlectrons


franchissant la barrire de potentiel est v no4
est la vitesse moyenne des lectrons .
v
b

Le courant dlectrons du semi-conducteur vers le


mtal est alors simplement donn par :
I SM (V )

ev A
e( b V )
N C exp

4
kT

Si la tension de polarisation est nulle, il y a


quilibre entre le courant M -> SC et le courant
SC -> M, le courant est nul.
I MS

ev A
e( b )
I SM (0)
N C exp
4
kT

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Courant dans une diode Schottky :I(V)

Si on polarise le systme, IMS = cte = IS et le


courant est donn par:
I I SM I MS

eV
I S exp
1

kT

Ce qui se rcrit ( dans la statistique de MB):


m * ek 2 2
e b
T exp
I A
2 3
kT

constante de Richardson

eV
exp
1

kT

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Courant dans une diode Schottky :I(V)

Lautre composante majeure du courant:

Leffet tunnel (cas de diode fortement dope)


I tunnel

eV
AJ exp( )
E0
t
0

avec

E 0 f ( N d , m * ,...)
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Circuit quivalent en petits signaux

lments du circuit quivalent:

Rsistance dynamique

dV
Rd
dI
Capacit diffrentielle
1
2

Cs

eN d SC

C d A
Rsistance srie
de
la
diode
2
(
V

V
)
bi

RS parasite
Rcontacts
Inductance

R RN

Capacit gomtrique de la diode

LS

C gom

SC A
L

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Comparaison PN vs Schottky
Diode
Diodep-n
p-n
Courant inverse fct des
majoritaires => forte
dpendance en temprature

Diode
Diodeschottky
schottky
Courant inverse fonction de
majoriaires qui saute la
barrire dpence en
temprature plus faible

Courant direct fct des


minoritaires injects depuis
les rgions n et p

Courant direct fct des


majoritaires

Ncessit de polariser le
dispo pour mise en
.conduction

Tension de mise en
conduction faible

Commutation contrle par


la recombinaison (disparition)
des porteurs minoritaires

Commutation contrle par


Thermalisation des lectrons
Injects => qq pico-secondes

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