Materiales extrnsecos: Tipo n y tipo p.

Las
caractersticas
de
los
semiconductores
pueden
alterarse
mediante la adicin de ciertos tomos de
impurezas al material semiconductor
prcticamente puro.
A pesar de que la proporcin es de 1 por
cada 10 millones, pueden alterar la
estructura de bandas lo suficiente como
para modificar las propiedades elctricas
del material por completo.
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Un material extrnseco es un
material que se ha sometido a un
proceso de dopaje.
Existen dos tipos: el tipo n y el tipo p.

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Un material tipo n se forma cuando

se aade una impureza a una base
de germanio o de silicio de
elementos impuros que cuentan con
cinco electrones de valencia como el
caso del antimonio, el arsnico o el
fsforo.

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El material tipo p se forma mediante

el dopado de un cristal puro de
germanio o silicio con tomos de
impureza que cuenten con tres
electrones
de
valencia.
Los
elementos para este propsito son el
boro, el galio y el indio.

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Diodo semiconductor.
El diodo se forma al unir los
materiales tipo n y tipo p (construidos
a partir de la misma base: Ge o Si).

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En el momento que los materiales se

unen, los electrones y los huecos
en la regin de unin se combinarn,
y como consecuencia se originar
una carencia de portadores en la
regin cercana a la unin.
Esta regin de iones positivos y
negativos descubiertos se denomina
regin de agotamiento debido a la
disminucin de portadores en ella.
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El diodo siendo un dispositivo de dos

terminales, al aplicarle un voltaje
entre ellos, existen tres posibilidades:
sin polarizacin, (VD=0 V), polarizacin
directa (VD>0 V), y polarizacin inversa
(VD<0 V). Cada condicin implica una
respuesta, y debe entenderse
claramente si se desea utilizar el
dispositivo adecuadamente.

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El diodo sin polarizacin, (VD=0 V):

En ausencia de un voltaje de
polarizacin aplicado, el flujo neto de
carga en cualquier direccin para un
diodo semiconductor es cero.

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El diodo en polarizacin inversa (VD<0

V).
La corriente que se forma bajo una
situacin de polarizacin inversa se
denomina corriente de saturacin
inversa y se representa por IS. sta
generalmente es del orden de los
microamperios, o en de los naoamperios
para el silicio.
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El trmino saturacin proviene del

hecho de que alcanza rpidamente
su mximo nivel y de que no cambia
de forma importante con incrementos
del potencial de polarizacin inversa

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El diodo polarizacin directa (VD>0 V),

Significa que se ha establecido un
potencial positivo en el material tipo p
y un material negativo en el material
tipo n. Entonces, como regla futura:
Un diodo semiconductor se encuentra en
polarizacin directa cuando se establece
una asociacin tipo p con positivo y tipo
n con negativo

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Es posible demostrar mediante el

empleo de la fsica de estado slido
que las caractersticas generales de
un diodo semiconductor se pueden
definir con la siguiente ecuacin
tanto para la regin de polarizacin
inversa como para la directa.

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Donde:
IS = Corriente de saturacin inversa.
k = 11600/, donde =1 para el Ge y
=2 para el Si, para valores bajos de
corriente del diodo (abajo del punto
de inflexin de la curva) y =1 para
el Ge y para el Si (para la seccin de
rpido crecimiento de la curva)
TK= TC + 273.

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Grfica 1.19

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Al expandir la ecuacin, los

componentes de la frmula pueden
describirse ms fcil.
Para valores de VD positivos, el
primer trmino de la ecuacin
crecer de forma muy rpida y
sobrepasar el efecto contrario del
segundo trmino.

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Para valores positivos de VD, ID ser

positiva y crecer a un ritmo
equivalente de y=ex, para el caso
cuando VD = 0, ID la ecuacin se
convierte en formula , para el caso
de valores negativos de VD, el primer
trmino de la ecuacin caer
rpidamente hacia niveles inferiores
de IS.

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Regin Zener.
Existe un punto en la regin negativa
donde al aplicar un exceso de voltaje
se ocasiona un cambio drstico en
las caractersticas figuar 1.22

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En este punto la corriente se

incrementa a un nivel muy rpido con
una direccin opuesta a la que tiene
en la regin de voltaje positivo. El
potencial de polarizacin inversa que
provoca este cambio se denomina
potencial Zener y se le asigna el
smbolo VZ

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El potencial mximo de polarizacin

inversa que puede aplicarse antes de
ingresar a la regin zener se denomina
voltaje de pico inverso (PIV) .
Si una aplicacin requiere un nivel
PIV mayor que el que puede ofrecer
una sola unidad, es posible conectar
en serie un conjunto de diodos con
las mismas caractersticas, o se
conectan en paralelo para aumentar
su capacidad de conducir corriente.
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Comparacin entre el germanio y

el silicio.
Los diodos de Si cuentan con un PIV
y un ndice de corrientes mayores,
as como su rango de temperatura
ms amplio que los diodos de
germanio. En el Si los PIV son
cercanos a 1000 V, en el Ge son
cercanos a 400 V.

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El Si puede utilizarse en aplicaciones

donde la temperatura puede elevarse
hasta 200 C (400F), mientras que
el Ge posee un nivel mucho menor
(100 C). La desventaja del Si con
respecto al Ge, es la del mayor
voltaje de polarizacin directa que
requiere para alcanzar la regin de
conduccin.

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Este voltaje se encuentra alrededor

de 0.7 V para los diodos de Si
comercialmente disponibles y de 0.3
V para los diodos de Ge.
Este voltaje se llama potencial de
conduccin, de umbral o de disparo,
denotado por VT

VT 0.7 V(Si).

VT 0.3 V(Ge).
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La temperatura puede ejercer un

efecto
marcado
sobre
las
caractersticas
de
un
diodo
semiconductor de Si, se ha
encontrado que:
La magnitud de la corriente de
saturacin inversa se incrementa en una
proporcin doble por cada incremento de
10C en la temperatura

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