Diodos 1

rea de Tecnologa Electrnica
Electrnica y Automatismos
ELECTRNICA
Tema 1: Componentes Electrnicos

El diodo
Universidad de Oviedo
Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres
Componentes electrnicos: El diodo

Introduccin: representacin de componentes elctricos en
diagrama V-I
Caractersticas elctricas de un diodo semiconductor
Caracterstica real
Linealizacin de la caracterstica de un diodo
Interpretacin de los datos de un catlogo
Diodos especiales
Asociacin de diodos
Aplicaciones
Introduccin: Representacin del componentes elctricos en diagrama V-I

I
V
+
V
Corto
(R = 0)
Abierto
(R = )
I
V
+
Batera
V
V
Resistencia
(R)
+
Fuente
Corriente
CARACTERSTICA DEL DIODO
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o

no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)
I
+
PRESENTA UN
COMPORTAMIENTO
NO LINEAL !!
V
-
ANCDOTA
Un smil hidrulico podra ser una vlvula anti-retorno, permite pasar el agua
(corriente) en un nico sentido.
Funcionamiento de una vlvula anti-retorno
h1
h2
Caudal
h1 - h 2
Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores

Semiconductor extrnseco: TIPO N
+
+
+
Electrones libres
+
+
+
+
+
+
Impurezas grupo V
300K
tomos de impurezas ionizados
Los portadores de carga en un semiconductor tipo N son

electrones libres
Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores

Semiconductor extrnseco: TIPO P
-
Huecos libres
300K
tomos de impurezas ionizados
Los portadores de carga en un semiconductor tipo P son huecos.

Actan como portadores de carga positiva.
La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
-
+
+
+
+
Semiconductor tipo P
Semiconductor tipo N
La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
Zona de transicin
Semiconductor tipo P
+
+
Semiconductor tipo N
Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de

carga espacial denominada zona de transicin. Que acta como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
La unin P-N
La unin P-N polarizada inversamente
+
+
+
+
La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no hay

circulacin de corriente.
La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa
+
+
+
+
La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a

circular a partir de un cierto umbral de tensin directa.
La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa
Concentracin de huecos
+
+
+
+
Concentracin de electrones
La recombinacin electrn-hueco hace que la concentracin de electrones

en la zona P disminuya al alejarse de la unin.
La unin P-N
Conclusiones:
Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente
Al aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin
de corriente elctrica
DIODO SEMICONDUCTOR
DIODO REAL
nodo
p
ctodo
i [mA]
Ge
V [Volt.]
Smbolo
-0.25
Silicio
Germanio
I D I S e
Si
VD q
K T
0.25
0.5
IS = Corriente Saturacin Inversa

K = Cte. Boltzman
VD = Tensin diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
ID = Corriente diodo
DIODO REAL (Distintas escalas)
Ge: mejor en conduccin

Si: mejor en bloqueo
i [mA]
i [mA]
30
Ge
Si
Si
Ge
V [Volt.]
-0.25
0.25
V [Volt.]
0
-4
0.5
i [A]
i [pA]
V [Volt.]
0
-0.5
Ge
V [Volt.]
0
-0.5
Si
-0.8
-10
DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES
I
I
Solo tensin
de codo
Ge = 0.3
Si = 0.6
Ideal
I
Tensin de codo y
Resistencia directa
V
Curva real
(simuladores,
anlisis grfico)
V
DIODO: LIMITACIONES
Corriente mxima
I
Tensin inversa
mxima
Lmite trmico,
seccin del conductor
Ruptura de la Unin
por avalancha
600 V/6000 A
200 V /60 A
1000 V /1 A
DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes
id
IOmax
VR = 1000V
Tensin inversa mxima
IOMAX (AV)= 1A Corriente directa mxima
VF = 1V Cada de Tensin directa
IR = 50 nA
Corriente inversa
VR = 100V
Tensin inversa mxima
IOMAX (AV)= 150mA
Corriente directa mxima
VF = 1V Cada de Tensin directa
IR = 25 nA
Corriente inversa
VR
iS
Vd
NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener las
hojas de caractersticas de un diodo (p.e.
1N4007). Normalmente aparecern varios
fabricantes para el mismo componente.
DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes
Tiempo de recuperacin inversa

iS
Bajafrecuencia
frecuencia
Alta
iS
trr = tiempo de recuperacin inversa
A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce

corriente inversa.
DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener (Zener diode)
Tensin
Zener
(VZ)
La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).
En la zona Zener se comporta
como una fuente de tensin
(Tensin Zener).
Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.
V
Podemos aadir al modelo lineal

la resistencia Zener.
Lmite mximo
Normalmente, lmite
de potencia mxima
Aplicaciones en pequeas
fuentes de tensin y referencias.
DIODOS ESPECIALES
Diodo LED (LED diode)
Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode
El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unin PN

polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de
onda. (p.e. Luz roja)
DIODOS ESPECIALES
Fotodiodos (Photodiode)
i
V
0
iopt
Los diodos basados en compuestos III-V, presentan

una corriente de fugas proporcional a la luz incidente
(siendo sensibles a una determinada longitud de onda).
Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.
Siendo su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotmetros)
Comunicaciones
COMENTARIO
Los diodos normales presentan variaciones en la corriente
de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser
usados como sensores trmicos
i
El modelo puede ser una fuente de
corriente dependiente de la luz o de
la temperatura segn el caso
I = f(T)
V
T1
T2>T1
DIODOS ESPECIALES
Clulas solares (Solar Cell)

Cuando incide luz en una unin PN, la
caracterstica del diodo se desplaza hacia el 4
cuadrante.
En este caso, el dispositivo puede usarse como
generador.
VCA
V
Zona
uso
iCC
DIODOS ESPECIALES
Diodo Schottky (Schottky diode)
Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado efecto

schottky.
La zona N debe estar poco dopada.
Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy bajas).
Corriente de fugas significativamente mayor.
Menores tensiones de ruptura.
Cadas directas mas bajas (tensin de codo 0.2 V).
Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de Potencia
El efecto Schottky fue predicho tericamente en

1938 por Walter H. Schottky
ASOCIACIN DE DIODOS
Puente rectificador
Monofsico
Diodo de alta tensin

(Diodos en serie)
Trifsico
DISPLAY
-
APLICACIONES DE DIODOS
Detectores reflexin de objeto
Detectores de barrera
APLICACIONES DE DIODOS
Sensores de luz: Fotmetros

Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color
Objetivo
LED azul
LED verde
LED rojo
Fotodiodo
LED
COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS
Los diodos (y el resto de dispositivos electrnicos) son dispositivos

no lineales.
Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposicin!
EJEMPLO TPICO:
RECTIFICADOR
VE
t
VE
VMAX
R
VE
t
VS
VMAX
VS
t
ID
VD
RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO

CIRCUITO
LINEAL
ID
RTH
+
VD
VTH
-
I
Caracterstica
del diodo
VTH
RTH
ID
Caracterstica del
circuito lineal
(RECTA DE CARGA)
PUNTO DE
FUNCIONAMIENTO
VD
VTH

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tomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo N son

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IS = Corriente Saturacin Inversa

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Ge: mejor en conduccin

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Tiempo de recuperacin inversa

trr = tiempo de recuperacin inversa

A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce

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Podemos aadir al modelo lineal

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Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unin PN

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