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SE1 Composants lectroniques

Composants semi-conducteurs:
de la diode lADI
Universit du Havre, IUT du Havre
Dpartement GEII
Octobre 2013.
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PPN 2013: SE1

UE
UE11

SE1 (M1104) Systmes lectroniques


Matire
lectronique

Rfrence
SE1 (M1104)

Module
Systmes lectroniques

Volume horaire
15C, 24TD, 21TP
Positionnement
S1

Objectifs :
Connatre les outils danalyse dun systme lectrique,
Savoir identifier les fonctions lmentaires de llectronique,
Dvelopper une approche systme ouverte sur la transversalit, sur une culture projet.

Comptences minimales :
tre capable dutiliser les lois de base de llectricit.
Savoir utiliser les appareils de mesure usuels.
tre capable dinterprter des documents techniques: caractristiques relles et limitations.
tre capable de mettre en uvre des fonctions lectroniques de base et de les valider.

Pr-requis :
Modules GE11, MA11

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PPN 2013: SE1


SE1 (M1104) Systmes lectroniques
Contenu :
A. Les bases de llectricit
Rgime continu et sinusodal
Lois gnrales de llectricit
Analyse des signaux analogiques
Composants lectroniques et leur mise en uvre :
Amplification
Systme du premier ordre
C. Les fonctions lectroniques non linaires
Comparateurs
Modalits de mise en uvre :
Utilisation des appareils de mesure
Ralisation de montages simples
Utilisation doutils de simulation
Mots-cls :
Circuits lectriques, mesure
Fonctions lmentaires
Composants lectroniques de base
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PPN 2013: SE1


I) La diode
I.1) Proprits
I.2) Applications: Ecrtage, Redressement
I.3) Types de diodes
I.4) Circuits logiques
II) Le transistor
II.1) Proprits
II.2) Caractristiques
II.3) Assemblage
II.4) Applications: Amplificateurs
III) L'ADI
III.1) Proprits
III.2) Caractristiques
III.3) Montages lmentaires
III.4) Applications: Amplification, filtrage
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PPN 2013: SE1


I) La diode
I.1) Proprits
I.2) Applications: Ecrtage, Redressement
I.3) Types de diodes
I.4) Circuits logiques
II) Le transistor
II.1) Proprits
II.2) Caractristiques
II.3) Assemblage
II.4) Applications: Amplificateurs
III) L'ADI
III.1) Proprits
III.2) Caractristiques
III.3) Montages lmentaires
III.4) Applications: Amplification, filtrage
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SE1 Composants
Chapitre 1: La diode

Universit du Havre, IUT du Havre


Dpartement GEII
Octobre 2013.
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La diode

Chapitre 1 La diode

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La diode
Introduction

Ce composant est ralis avec un semi-conducteur.

Sans indication particulire,


le semi-conducteur
utilis est le silicium (Si).

A la base du composant,
il y a une jonction entre
deux semi-conducteurs
de type P et N.

Chapitre 1 La diode

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La diode
Polarisation

La diode comprend deux bornes appeles lectrodes :


l'anode (A) et la cathode (K).
Le courant qui traverse la diode va de l'anode vers la cathode.
C'est le sens positif du courant.
La diode parfaite possde deux tats:
La diode est passante (ou conductrice): quivaut un fil.
Dans ce cas, V = 0 et I est fix par le circuit extrieur.
La diode est bloque: quivaut un circuit ouvert.
Dans ce cas, V < 0 et I = 0.
Chapitre 1 La diode

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La diode relle
Polarisation

Un courant circule principalement dans le sens AK,


mais un petit courant peut circuler dans le sens KA.

I IS e

IS
T
e
k
m

eV
mkT

est le courant de saturation de la diode


est sa temprature absolue de fonctionnement,
mesure en K (T=273+) si est en C (usuelle)
est la charge de l'lectron (sans le signe): e = 1,6.1019 C
est la constante de Boltzman: k=1,38.10-23 J/K
est un coefficient dpendant du semi-conducteur utilis
(m=2 pour le silicium)
Chapitre 1 La diode

Page 10

La diode relle
Polarisation directe: V > 0

Lorsque V > 0, la fonction exponentielle l'emporte rapidement sur le


nombre 1. Si V >> mkT/e (c'est dire si V >> 50mV, la temprature
ambiante), alors l'intensit est considre exponentielle.
10

9
8

I IS e

I (A)

6
5

eV
mkT

4
3

I ISe

2
1

eV
mkT

0
0

0.2

0.4

0.6

0.8

V (V)
Chapitre 1 La diode

Page 11

La diode relle
Polarisation inverse: V < 0

La fonction I(V) tend rapidement vers une valeur constante puisque


l'exponentielle devient trs petite.
0

-0.2

I IS e

I (A)

-0.4
-0.6
-0.8

I IS

-1
-1.2

eV
mkT

-1

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

V (V)
Chapitre 1 La diode

Page 12

La diode
Rsistance d'une diode

E R.I D VD

et

Si E varie seule
10

E/R

Si R varie seule

-0.4

I (A)

I (A)

-0.2

8
6

-0.6
-0.8

ID

ID IS e

eVD
mkT

-1D

0
0

0.2

0.4

0.6
V (V)

VD

0.8

-1.2

-1

Chapitre 1 La diode

-0.8

-0.6

-0.4

V (V)

-0.2

VD

Page 13

La diode
Rsistance d'une diode

Une diode, insre dans un circuit travers par un courant continu,


se comporte comme une rsistance. C'est dire que la diode peut
tre remplace par une rsistance traverse par le mme courant ID
et ayant la mme d.d.p. VD ses bornes.
Cette rsistance est appele rsistance statique (ou rsistance
quivalente) de la diode RS.
Sa valeur est forcment RS = VD/ID.

Ainsi, cette rsistance dpend du


point de fonctionnement de la diode.
Plus prcisment, RS diminue
lorsque ID augmente.

Chapitre 1 La diode

RS

VD

IS e

eVD
mkT

Page 14

La diode
Rsistance d'une diode

Rsistance Statique
RS = VD/ID
10

10

RS=1/tan()

ID 6

I (A)

I (A)

Rd=1/tan()

ID

Rsistance Dynamique
Dplacement du point de
fonctionnement
Rd = VD/ ID

5
4

0
0

0.2

0
0.4
V (V)

0.6

VD

0.8

0.2

0.4
V (V)

Chapitre 1 La diode

0.6

0.8

VD

Page 15

Donnes constructeur
Modlisation d'une diode
Caractristique d'une diode: Point de fonctionnement

Le constructeur fournit une caractristique pour chaque type de diode.


Ce n'est pas celle de la diode utilise. On pourrait la tracer, mais
habituellement, on ne le fait pas.
On se contente des donnes suivantes:
Point de fonctionnement nominal (prconis par le constructeur)
de la diode (ID, VD) et sa rsistance dynamique RD en ce point.
Les mmes informations lorsque la diode est refroidie
(avec les caractristiques du refroidisseur).
Les limites ne pas dpasser pour le courant et la tension.

Chapitre 1 La diode

Page 16

La diode
Modlisation d'une diode
Diode avec seuil et
avec rsistance dynamique

Linarisation :

Le modle utilis pour la diode est


constitu de deux droites qui constituent le
squelette de la caractristique de la diode.
Pour les dterminer, on utilise deux
donnes du constructeur : la tension de
seuil VS (souvent 0,6 ou 0,7V) et la
rsistance dynamique RD.
Si V < VS, le courant est nul.
Si V > VS, la diode vrifie V = VS+RDI
La droite associe cette expression est
incline. Son coefficient directeur est 1/RD.
La diode est alimente par un gnrateur
de tension (E, R). On doit dterminer le
point de fonctionnement de la diode.

Chapitre 1 La diode

E/R

Diode
Pente 1/RD

ID
V

VSVD

Si E<0

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La diode
Modlisation d'une diode
Diode idale

Diode avec seuil


E/R

ID
V

VS =VD E
Si E < 0

Application: TD1, Ex.1


Chapitre 1 La diode

Page 18

La diode
Applications

Le redressement une alternance.


Redressement deux alternances.
Dtection crte.
Montage crteur.

Chapitre 1 La diode

Page 19

La diode: Applications
Redressement : Simple alternance

I(t)

I
t=T/4

D
R

E(t)

U(t)

t=T/2

t=3T/4

t=T

V
t=0

E(t)

U(t)

Application: TD1, Ex.1


Chapitre 1 La diode

Page 20

La diode: Applications
Redressement : Double alternance

D1

D4

E>0

D2

e(t)

D3

E(t)

I
U(t)

E<0

U(t)

Chapitre 1 La diode

Page 21

La diode: Applications
Dtection de valeur crte
Pendant la premire alternance (e > 0), la diode
conduit un certain temps et la d.d.p. VAK reste
nulle lorsque v(t) = e(t). Le courant i(t) apporte
des charges sur les lectrodes du
condensateur et la tension v(t) augmente
comme e(t).
e(t)

v(t)

t
t

Chapitre 1 La diode

Page 22

La diode: Applications
Dtection de valeur crte
Mais en t = T/4, la tension applique e
commence dcrotre. Puisque v(t) n'a pas de
raison de dcrotre aussi rapidement, la d.d.p.
VAK devient immdiatement ngative et la
diode se bloque. Le condensateur conserve les
charges acquises et la tension v reste la
valeur E, atteinte t = T/4.
e(t)

v(t)

t
t

Chapitre 1 La diode

Page 23

La diode: Applications
Dtection de valeur crte
En pratique, le condensateur (en fonction de
sa valeur) se dcharge. La tension ses
bornes dcrot.

e(t)

v(t)

t
t

Chapitre 1 La diode

Page 24

La diode: Applications
Montage simple crteur

Ce montage met profit l'existence


du seuil de conduction d'une diode.
Si e(t) est assez faible alors la
diode est bloque:

R2
v(t ) e(t ).
R1 R2

Donc si e(t) est une fonction


sinusodale, v(t) l'est aussi.

Cette situation dure tant que la


tension e(t) est infrieure une
valeur V1 conduisant v = Vs.

La valeur limite pour e(t) est:

R2
V1 Vs .
R1 R2

Pour e(t) > V1, la tension v(t)


v(t) reste gale Vs.
e(t)
V1

Chapitre 1 La diode

Page 25

La diode: Applications
Montage double crteur
R1
e(t)

D1

D2

R2

v(t)

e(t)
v(t)

+V1

V1

Application: TD1, Ex.3, 4


Chapitre 1 La diode

Page 26

La diode
Types de diodes

La diode de redressement
La diode Schottky.
La diode Zener.
La photodiode.
La diode lectroluminescente (LED).

Chapitre 1 La diode

Page 27

La diode: Types
Diode de redressement

Elle est utilise dans les redresseurs industriels:


Elle est traverse par un fort courant (de lampre quelques
milliers dampres..).
De ce fait, elle est le sige dune forte dissipation thermique et
ncessite un radiateur pour assurer son refroidissement. Par
ailleurs elle est soumise une forte tension inverse (cest dire
une tension trs ngative). Or toute diode soumise une tension
inverse risque le phnomne davalanche. Ce dernier consiste
en une augmentation incontrle de lintensit lorsque V atteint
une tension ngative appele tension davalanche.
En plus, les diodes de redressement ne sont pas rapides : cest
dire que le passage de l tat conducteur ltat bloqu nest pas
instantan. En effet, lorsque la diode conduit, de nombreuses
charges sont prsentes au niveau de la jonction P-N. Leur
vacuation se fait ensuite lentement : le temps ncessaire est le
temps de recouvrement TR. Le courant de la diode revient 0 en
passant par une forte valeur ngative.
Chapitre 1 La diode

Page 28

La diode: Types
Diode de redressement

Extrait de documentation constructeur:


Fairchild Semiconductor "1N5400 - 1N5408"

Features
3.0 ampere operation
at TA = 75C
with no thermal runaway.
High current capability.
Low leakage.

Voltage 1 A part 3 A part


50 V

1N4001

1N5400

100 V

1N4002

1N5401

200 V

1N4003

1N5402

300 V

1N5403

400 V

1N4004

1N5404

500 V

1N5405

600 V

1N4005

1N5406

800 V

1N4006

1N5407

1000 V

1N4007

1N5408

Chapitre 1 La diode

Page 29

La diode: Types
Diode Schottky

Pour des applications frquence leve, on remplace une diode


de signal par une diode Schottky.
Cette diode comporte une jonction de type mtal/semiconducteur N.
De ce fait, son temps de commutation est plus faible que pour une
diode normale. De plus, sa tension de seuil nest que de 0,3V
environ.

Chapitre 1 La diode

Page 30

La diode: Types
Diode Schottky

Extrait de document constructeur:


Avago "HSMS-282x": Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes
Features
Low Turn-On Voltage (0.34V@1mA)
Low FIT (Failure in Time) Rate
Single, Dual and Quad versions

Chapitre 1 La diode

Applications
mixing,
detecting,
switching,
sampling,
clamping,
wave shaping.

Page 31

La diode: Types
Diode Schottky

Extrait de document constructeur:


Avago "HSMS-282x": Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes

Chapitre 1 La diode

Page 32

La diode: Types
Diode Zener

Il sagit dune diode dont les deux zones (P et N) sont trs dopes. Il
en rsulte, en inverse, un comportement particulier.

Pour une tension V = VZ appele tension de Zener, le courant


inverse devient trs important, comme dans le phnomne
davalanche dune diode.

Leffet Zener est rversible et contrlable. La diode Zener est


utilise comme rfrence lmentaire de tension. Les valeurs
prises par la tension de Zener vont de quelques Volts une
centaine de Volts.

Chapitre 1 La diode

Page 33

La diode: Types
Diode Zener

Extrait de documentation constructeur:

Chapitre 1 La diode

Page 34

La diode: Types
Diode Zener

Extrait de documentation constructeur:

Vz

Pente: 1/RD

Izt

Chapitre 1 La diode

Page 35

La diode: Types
Diode Zener

Application: Montage potentiel fix:

Vz

Pente: 1/RD

Malgr la variation du
courant circulant dans la
diode Zener IZt , la tension VZ
reste quasiment constante.
Chapitre 1 La diode

Izt

Page 36

La diode: Types
Diode lectroluminescente (LED)

Une jonction passante met de la lumire (non visible). Elle peut


tre associe une photodiode (dans les tlcommandes par infrarouges).
Les diodes lectroluminescentes (DEL ou LED) sont des diodes
ralises avec des semiconducteurs autres que le silicium
(composs de phosphore, arsenic et gallium).
Selon les pourcentages de ces composants, la lumire mise peut
tre verte, jaune ou rouge. Ils semploient comme une diode
normale mais leur tension de seuil VS est 2 3 fois plus importante.

Chapitre 1 La diode

Page 37

La diode: Types
Diode lectroluminescente (LED)

Ces LED connaissent un dveloppement important dans le domaine


de l'clairage:

Les diodes lectroluminescentes (DEL ou LED) sont des diodes


ralises avec des semiconducteurs autres que le silicium
(composs de phosphore, arsenic et gallium).

Actuellement, les semiconducteurs les plus brillants sont:


- Alu. Indium Gallium Phosphide (AlInGaP): rouge, orange, jaune.
- Indium Gallium Nitride (InGaN): bleu, vert.

Une LED de lumire blanche est typiquement


une LED bleue avec une surcouche de
phosphore jaune (apparat jaune teinte).

Chapitre 1 La diode

Page 38

La diode: Types
Diode lectroluminescente (LED)

Extrait de document constructeur:

Chapitre 1 La diode

Page 39

La diode: Types
Diode lectroluminescente (LED)

Extrait de document constructeur:

Chapitre 1 La diode

Page 40

La diode: Types
Diode lectroluminescente (LED)

Extrait de document constructeur:

Applications:
Affichages LED
Eclairages LED
Ecrans LED

Afficheur LCD
7 segments
Chapitre 1 La diode

Projecteur extrieur:
45 LEDs basse tension
Page 41

La diode: Types
Symboles: Rsum

Complter les types de diodes:

Chapitre 1 La diode

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PPN 2013: SE1


I) La diode
I.1) Proprits
I.2) Applications: Ecrtage, Redressement
I.3) Types de diodes
I.4) Circuits logiques
II) Le transistor
II.1) Proprits
II.2) Caractristiques
II.3) Assemblage
II.4) Applications: Amplificateurs
III) L'ADI
III.1) Proprits
III.2) Caractristiques
III.3) Montages lmentaires
III.4) Applications: Amplification, filtrage
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SE1 Composants
Chapitre 2: Le transistor BJT

Universit du Havre, IUT du Havre


Dpartement GEII
Octobre 2013.
Page 44

Le transistor BJT
Introduction

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 45

Le transistor BJT
Introduction

Invent en 1948 par les Amricains J.


Bardeen, W. Brattain et W. Shockley, le
transistor est un composant semiconducteur qui remplit deux fonctions
vitales en lectronique:
Lamplification : c'est un gnrateur
de fort courant en sortie command
par un faible courant en entre.
La commutation : la manire d'un
interrupteur marche/arrt.

Amplificateur de puissance.

Commutateur.
Chapitre 2 Le transistor BJT

16 Dec 1947, Bell Lab.


Page 46

Le transistor BJT
Introduction

"Loi de Moore": Gordon Moore, Fairchild R&D, 1962:


Lintgration des transistor se poursuivra au
rythme dun doublement tous les ans.
Entre 1959 et 1965, la pente de la courbe est:
log2(N2/N1)=6 en 6 ans, soit x2/an.

Cramming more components onto integrated circuits


Electronics, Volume 38, Number 8, April 19, 1965

http://lmi17.cnam.fr/~anceau/...
Histoire des transistors/Histoire transistors.htm
Chapitre 2 Le transistor BJT
Page 47

Le transistor BJT
Constitution et principe de fonctionnement

Un transistor jonction bipolaire (BJT) est un composant semiconducteur constitu de 2 jonctions PN, trs proches l'une de l'autre.
Une diode ordinaire tant elle-mme constitue d'une unique jonction
P-N, on pourrait dire qu'un transistor contient 2 diodes.
Un transistor est form de 3 zones (NPN ou PNP selon son type), tel
qu'illustr sur le dessin ci-dessous. Chaque "zone" est relie une
lectrode: base (B), metteur (E), collecteur (C).
IC

n
VCE

IB
VBE

IE

VEB

C
VCE

IB

IE

E
C

IC

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 48

Le transistor BJT
Effet transistor et gain en courant

Le courant de collecteur Ic est proportionnel au courant de base Ib,


le facteur (bta) tant le gain en courant. Cette relation est:

Ic Ib

Pour donner un ordre de grandeur, le gain en courant peut varier


de 10 500, voire 1000, selon le modle de transistor.

Dans les documents


constructeur, cette
amplification en courant (DC
current transfer ratio) est
note hFE:

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

Document constructeur du NPN General Purpose Transistor 2N3904, Rohm.


Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 49

Le transistor BJT
Analogie hydraulique

Un courant Ib assez faible


permet l'ouverture du
"robinet" (B), ce qui provoque
via l'metteur (E)
l'coulement d'un fort
courant Ic en provenance du
rservoir collecteur (C).
Notez que lorsque le
"robinet" est compltement
ouvert, le courant Ic est
maximal: il existe donc (on
s'en doutait!) une limite
physique au gain en courant.
Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 50

Le transistor BJT
Effet transistor et gain en courant

Quand la tension collecteur-metteur VCE diminue pour devenir trs faible, la


jonction B-C cesse d'tre polarise en inverse, et l'effet transistor dcrot alors
trs rapidement.

A la limite, la jonction B-C devient aussi polarise en direct:


on n'a plus un transistor, mais l'quivalent de deux diodes en parallle.

On dit que le transistor


est satur.

Ic

Ic = .Ib
Amplification
Chapitre 2 Le transistor BJT

Ib
Saturation
Page 51

Le transistor BJT
Transistors NPN et PNP

Il existe deux manires de disposer les jonctions P-N pour


fabriquer un transistor:
Une zone N, une zone P et une zone N:
on a alors un transistor NPN (le plus rpandu)
Une zone P, une zone N et une zone P:
on a dans ce cas un transistor PNP.

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 52

Le transistor BJT
Transistors NPN et PNP

Dans un transistor NPN, les courants de base Ib et de collecteur


Ic sont rentrants, et le courant d'metteur Ie est sortant. Dans un
transistor PNP, les courants de base Ib et de collecteur Ic sont
sortants, et le courant d'metteur Ie est rentrant.
Attention! De l'extrieur, rien ne permet de distinguer un NPN
d'un PNP, sinon la rfrence du modle. Ne confondez pas un
BC327B (PNP) et un BC337B (NPN)...

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 53

Le transistor BJT
Caractristiques

Considrons le montage ci-dessous, appel en "metteur commun".


L'entre du montage est la base et la sortie le collecteur.
Dans ce montage, la base est polarise par la
rsistance dsigne Rb. Le potentiel de la base est
d'environ 0,7 V, car l'metteur est la masse et la
jonction base-metteur quivaut une diode
passante.
Le collecteur est polaris par la rsistance dsigne
Rc, de telle manire que la tension du collecteur soit
suprieure la tension de la base (VCE > VBE): la
jonction base-collecteur est alors polarise en inverse.
L'entre est caractrise par les deux grandeurs IB et
VBE, et la sortie par les grandeurs IC et VCE, soit 4
variables.

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 54

Le transistor BJT
Caractristiques
La caractristique d'entre du transistor correspond la
relation IB = f (VBE), VCE tant constante.
Cette caractristique, ressemble beaucoup (et pour cause)
celle d'une diode
La caractristique de transfert est dfinie par la relation IC =
f (IB), VCE tant constante. La caractristique de transfert est
une droite; on se souvient, nous l'avons vu plus haut, que le
courant de collecteur Ic est proportionnel au courant de base
Ib, le facteur (bta) tant appel gain en courant. On peut
donc dire que le transistor se comporte comme un
gnrateur de courant command (ou "pilot") par un
courant.

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 55

Le transistor BJT
Caractristiques

La caractristique de sortie du transistor correspond la relation


IC = f (VCE), IB tant constant. Dans la pratique, on trace plusieurs
caractristiques pour diffrentes valeurs de IB.
La zone "grise" correspond la zone de saturation: quand la tension
VCE diminue pour devenir trs faible, la jonction collecteur-base cesse
d'tre polarise en inverse, et l'effet transistor dcrot alors trs
rapidement.
L'autre partie du graphe montre
que le courant de collecteur IC
dpend trs peu de la tension VCE.

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 56

Le transistor BJT
Caractristiques

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 57

Le transistor BJT
Caractristiques
Fonctionnement:
Le transistor est bloqu lorsque ses deux
jonctions sont en polarisation inverse.
Le transistor est en fonctionnement normal
direct lorsque la jonction de commande BE
est en polarisation directe et que la jonction
BC est en polarisation inverse.
Le transistor est en fonctionnement normal
inverse lorsque la jonction de commande
BE est en polarisation inverse et que la
jonction BC est en polarisation directe.

VBC
Normal
Inverse

Saturation

VBE
Blocage

Normal
Direct

Le transistor est satur lorsque ses deux


jonctions sont en polarisation directe.
http://etronics.free.fr/dossiers/analog/analog20.htm
Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 58

Le transistor BJT
Dsignation

La norme JEDEC affecte le prfixe :


- 1N aux diodes,
- 2N aux transistors, thyristors et triacs.
Vient ensuite un numro de srie quatre chiffres,
puis ventuellement un suffixe, facultatif.

Le suffixe:
- A signifie "faible gain",
- B signifie "gain moyen",
- C signifie "gain lev".

Exemples:
- la 1N4148 est une diode,
- le 2N2222A est un transistor faible gain.
http://etronics.free.fr/dossiers/analog/analog20.htm
Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 59

Le transistor BJT
Dsignation

La norme Pro Electron impose un codage avec trois informations:


- une 1re lettre dsigne le matriau semi-conducteur utilis,
- une 2me lettre renseigne sur la nature du composant,
- un groupe de trois chiffres (pour les produits "grand public")
ou deux chiffres et une lettre (produits industriels).

Voici un rcapitulatif simplifi:


A: diode, signal

A: Ge
(0,6 1 V)
B: Si
(1 1,3 V)
C: AsGa
(>1,3 V)

C: transistor, low power, audio frequency


D: transistor, power, audio frequency
F: transistor, low power, high frequency
R: switching device, low power (thyristor ...)

100 999
ou
10 99 + lettre

U: transistor, power switching


Y: diode, rectifier

Exemples: la BA159 est un diode signal, le BC547 est un transistor faible


puissance, le BD135 est un transistor de puissance.
Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 60

Le transistor BJT
Dsignation

Tout ceci serait relativement clair s'il n'existait toutes sortes de


drogations... Ainsi, certains fabricants n'ont rien trouv de mieux que
d'inventer un codage "maison".
Voici quelques prfixes courants:
- MJ: Motorola, puissance, botier mtallique.
- MJE: Motorola, puissance, botier plastique.
- MPS: Motorola, faible puissance, botier plastique.
- TIP: Texas Instruments, puissance, botier plastique.
Cette petite liste, bien entendu, n'est pas exhaustive...
Signalons d'autre part que sur les schmas amricains ou japonais, les
transistors sont souvent dsigns par la lettre gnrique Q, alors qu'en
France on prfre la lettre T.
Exemples: MJE3055, TIP35C.
Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 61

Le transistor BJT
Paramtres

Le nophyte sera sans doute effray par le nombre de paramtres


d'apparence plus ou moins sotrique figurant sur la fiche
technique complte (data sheet) d'un transistor quelconque...
En ralit, tous les paramtres ne prsentent pas le mme intrt.
Bien souvent, dans la pratique, le choix d'un modle de transistor
ne dpendra que de quelques paramtres.

VCEMax

Tension collecteur-metteur maxi, ou tension de claquage. Au del de cette


tension, le courant de collecteur IC crot trs rapidement s'il n'est pas limit
l'extrieur du transistor.

ICMax

Courant de collecteur maxi. A partir de cette valeur, le gain en courant va


fortement chuter et le transistor risque d'tre dtruit.

hFE ( )

Gain en courant (paramtre essentiel en amplification).

PTotMax

Puissance maxi que le transistor pourra dissiper, donne par la formule: V CE x


Ic. Attention, un transistor, a chauffe!

VCESat

Tension de saturation (utile en commutation).


Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 62

Le transistor BJT
Paramtres constructeur: Datasheet
Type
number

Package

VCE max
(V)

IC max
(mA)

PTOT
(mW)

hFE min

hFE max

fT
(MHz)

2N3904

TO-92

40

200

500

100

300

300

2N3906

TO-92

40

200

500

100

300

250

BC337

TO-92

45

500

625

100

600

100

BC547

TO-92

45

100

500

110

800

100

BD135

TO-126

45

1500

8000

40

> 40

60

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 63

Le transistor BJT
Paramtres constructeur: Datasheet

S'agissant du brochage de tel modle particulier, il est impratif de


se reporter sa data sheet ou un catalogue.
On notera que parmi les modles reprsents ci-dessus, les BD135,
TIP140 et 2N3055 sont des transistors dits "de puissance".
Le 2N3055 peut dissiper 115 watts! En revanche, leur gain en
courant est limit.
Le BC547 est sans doute l'un des transistors les plus rpandus et il
remplace bien souvent, sans autre forme de procs, des modles
moins courants. Si vous envisagez de constituer un stock, le BC547
et le 2N2222 sont des rfrences choisir en priorit.

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 64

Le transistor BJT
Le montage metteur commun
Un transistor possde, on l'a vu, trois connexions, ou
"pattes". On procde toujours (ou presque) de manire
ce qu'il y ait une patte commune l'entre et la
sortie du montage, d'o trois montages possibles:

metteur commun: la patte commune


est l'metteur, l'entre est la base et la
sortie le collecteur;
base commune: la patte commune est
la base, l'entre est l'metteur et la sortie
le collecteur;
collecteur commun: la patte commune
est le collecteur, l'entre est la base et la
sortie l'metteur.
Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 65

Le transistor BJT
Le montage metteur commun

Le montage en metteur commun est sans aucun doute le


montage fondamental; il ralise la fonction, essentielle en
lectronique. C'est lui que nous allons brivement tudier.

Application: TD2, Ex.1, 2


Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 66

Le transistor BJT
Le montage metteur commun

Une alimentation continue Vcc.


Elle fournit les tensions de polarisation et l'nergie que le montage
sera susceptible de fournir en sortie;
Des rsistances de polarisation.
En effet, le transistor ne laisse passer le courant que dans un seul
sens, comme une diode: il va donc falloir le polariser, l'aide de
rsistances, pour pouvoir y faire passer du courant alternatif (la
composante alternative du courant tant petite devant la
composante continue);
Un ou des condensateurs de liaison.
Le plus souvent, le branchement de la source alternative d'entre
sur le montage se fera par l'intermdiaire d'un condensateur de
liaison plac entre la source et le point d'entre du montage
transistor (la base s'il s'agit d'un montage en metteur commun).
Bien que ce ne soit pas une rgle absolue, le dispositif situ en aval
du montage est lui aussi isol par un condensateur de liaison.
Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 67

Le transistor BJT
Le montage metteur commun

La rsistance Rb fixe le courant de base Ib, ce qui dtermine un


courant de collecteur Ic =Ib,

Le courant collecteur tant fix, la tension URc = RcIc.

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 68

Le transistor BJT
Le montage metteur commun

Pour calculer Rb et Rc, il faut alors partir de Ic et de VCE0.

On fixe un courant collecteur de repos Ic (courant de polarisation).


Ce courant variera entre une dizaine de A (applications trs faible
bruit) et une dizaine de mA (meilleures performances en haute
frquence).

On fixe ensuite une tension de collecteur VCE gnralement gale


Vcc/2, de sorte que la tension du collecteur puisse varier autant vers
le haut que vers le bas lorsqu'on appliquera le signal alternatif.

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 69

Le transistor BJT
Le montage metteur commun

La valeur de la rsistance de collecteur Rc, qui assure la


polarisation de la jonction base-collecteur, est dtermine, par:
Rc = (Vcc - VCE)/Ic.

La valeur de la rsistance de base Rb, qui a pour rle de fixer le


courant de base, est:
Rb = (Vcc -VBE)/Ib,
avec VBE = 0,7 V et Ib = Ic/.

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 70

Le transistor BJT
Le montage metteur commun polaris par pont de base

Le montage tudi ci-dessus se rvle, dans la pratique,


difficilement exploitable, en tout cas peu fiable. On a plutt
recours un montage qui ressemble davantage celui-ci, dont
la base n'est pas polarise par une unique rsistance, mais par
un pont de rsistances:

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 71

Le transistor BJT
Le montage metteur commun polaris par pont de base

Ce schma est rigoureusement identique au schma prcdent.


Le transistor est un petit NPN standard rfrenc 2N2222.

On retrouve les rsistances de collecteur (R1), d'metteur (R2)


et du pont de base (R4 et R3).

Le signal amplifier
est issu d'une source
de tension alternative,
de forme sinusodale.

L'amplitude de ce signal
est trs faible,
puisqu'elle vaut 10 mV.

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 72

Le transistor BJT
Le montage metteur commun polaris par pont de base

Simulation du montage: Courants Ib et Ic.

On observe ici une amplification de Ic par rapport Ib


(le gain en courant, ou ) de l'ordre de 150.
Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 73

Le transistor BJT
Le montage metteur commun polaris par pont de base

Simulation du montage: Courants Ib = Ib0 + ib et Ic = Ic0 + ic.


Ic (mA)
Ic = .Ib
Ic,sat
ic

Point de
polarisation

Ic0

Ib (A)
ib

Ib,sat

Ib (A)
Ib0

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 74

Le transistor BJT
Le montage metteur commun polaris par pont de base

Simulation du montage: Courants Ib = Ib0 + ib et Ic = Ic0 + ic.


Ic (mA)
Ic = .Ib
Ic,sat
Point de
polarisation

ic

Ic0

Ib (A)
Blocage

ib

Ib,sat

Ib (A)
Ib0

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 75

Le transistor BJT
Le montage metteur commun polaris par pont de base

Simulation du montage: Courants Ib = Ib0 + ib et Ic = Ic0 + ic.


Ic (mA)
Ic = .Ib
ic

Ic,sat
Ic0

Point de
polarisation

Ib (A)
ib

Ib,sat Saturation

Ib (A)
Ib0

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 76

Le transistor BJT
Le montage metteur commun polaris par pont de base

Ce qu'il faut en dfinitive retenir du montage en metteur


commun, c'est qu'il procure une trs bonne amplification du
courant.

Une des pistes damlioration des proprits damplification


consiste combiner des transistors entre eux:
- Montage Darlington
- Montage Push-Pull

De nos jours, toutefois, on n'utilise plus gure le transistor en tant


que tel: on a plutt recours des circuits intgrs spcialiss (qui
intgrent, comme leur nom l'indique, des transistors).

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 77

Le transistor BJT
Le montage Darlington

Le montage Darlington associe deux transistors, l'metteur de l'un


tant reli la base de l'autre, les collecteurs tant directement
raccords la tension d'alimentation.
Ces deux transistors ainsi monts se comportent comme un seul
transistor, dont le gain est gal au produit des gains des deux
transistors. On se doute qu'il s'agit, grce ce montage, d'obtenir
une forte amplification. L'impdance d'entre d'un tel montage est
trs grande et son impdance de sortie trs faible.

Application: TD2, Ex.3


Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 78

Le transistor BJT
Le montage Darlington

A noter qu'il existe dans le commerce des transistors appels


"Darlington", qui remplacent le montage du mme nom.
A titre d'exemple, voici les principaux paramtres de l'un d'eux:

Type number

Package

VCES max
(V)

BC875

TO-92

45

IC max
(mA)

PTOT
(mW)

hFE min

hFE max

1000

830

1000

>1000

PNP

compl.

BC878

VCES signifie tension collecteur-metteur, avec VBE = 0.


Le modle rfrenc BC875 est un NPN moyenne puissance
(presque 1 watt); son PNP "complmentaire" est le BC878.

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 79

Le transistor BJT
Le montage "push-pull"

Le montage push-pull (push, en anglais, signifie pousser, pull


signifie tirer), encore appel montage symtrique, est un grand
classique en amplification de puissance des signaux alternatifs.
Voici, brivement, son principe:

Ce montage est construit autour de deux


transistors complmentaires:
- un NPN, not T1,
- un PNP, not T2.
Les deux transistors conduisent le courant
de collecteur tour tour, pendant une
alternance du cycle alternatif. Ce qui revient
dire que chaque transistor est bloqu
pendant une demi-priode du signal alternatif
et passant durant l'autre.

Pour obtenir une amplification correcte, il est ici ncessaire d'employer deux
transistors complmentaires (mmes paramtres, seule la polarit, NPN ou PNP,
diffre) et une alimentation symtrique.
Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 80

Le transistor BJT
Le transistor utilis en commutateur

Dans ce petit montage, le transistor NPN ou PNP pilote une


DEL de visualisation selon le niveau logique, haut ou bas ("1"
ou "0"), du signal d'entre.

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 81

Le transistor BJT
Le transistor utilis en commutateur

Voici une version plus sophistique de ce montage: il permet de


visualiser, l'aide de trois DEL, l'tat de trois entres notes A, B
et C. La table de vrit indique laquelle des DEL est allume selon
les diffrentes possibilits. Le rle des transistors (par exemple
des 2N2222, trs rpandus) consiste, comme ci-dessus, piloter
les LEDs.

Notons que ces schmas se prtent


tout particulirement des montages
sur plaquette connexions rapides,
sans soudure.
Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 82

Le transistor BJT
Caractristiques du 2N2222

Le 2N2222 est un transistor NPN destin la commutation rapide


(high-speed switch, en anglais).

Voici ses principales caractristiques:


Type number

Package

VCE max
(V)

IC max
(mA)

PTOT
(mW)

hFE min

hFE max

fT
(MHz)

2N2222

TO-18

30

800

500

30

300

250

Pdissipe = VCE .IC


PTOT VCE,max .IC,max

Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 83

Le transistor BJT
Fonctions complexes

Utilis en commutateur, le transistor permet de raliser des fonctions


trs complexes. Le montage ci-contre, associant un transistor PNP et
un transistor NPN, quivaut une porte logique NON.

Si Ve = 0, le transistor NPN est bloqu, la


tension de sortie Vs = Vcc.
Si Ve = Vcc, c'est le transistor PNP qui est
bloqu et alors la tension de sortie Vs = 0.
Ce montage est ralis l'aide de transistors
complmentaires.
Chapitre 2 Le transistor BJT

Page 84

Le transistor BJT
Symboles: Rsum

Complter les types et bornes de transistors:

E
C

Chapitre 2 Le transistor BJT

.
Page 85

PPN 2013: SE1


I) La diode
I.1) Proprits
I.2) Applications: Ecrtage, Redressement
I.3) Types de diodes
I.4) Circuits logiques
II) Le transistor
II.1) Proprits
II.2) Caractristiques
II.3) Assemblage
II.4) Applications: Amplificateurs
III) L'ADI
III.1) Proprits
III.2) Caractristiques
III.3) Montages lmentaires
III.4) Applications: Amplification, filtrage
Page 86

SE1 Composants
Chapitre 3: Le transistor FET

Universit du Havre, IUT du Havre


Dpartement GEII
Octobre 2013.
Page 87

Le transistor FET
Introduction

Transistor FET
Intel 4004
Transistor FET
P45N02LD

Transistor JFET
2N4392

Transistor MOSFET
IRF 510 canal N
Chapitre 3 Le transistor FET

Intel Intanium quadri-coeurs


45 nm, 2 milliards de transistors

Page 88

Le transistor FET
Introduction

Chapitre 3 Le transistor FET

Page 89

Le transistor FET
Introduction

Les MOSFET sont:


- pilots en tension.
- adapts aux applications haute frquence.
- chauffent peu.

Vmax (V)

1500
BJT

1000

500

MOSFET

0
1

10

100

1000

Imax (A)
Current-Voltage Limitations
of MOSFET vs BJT.
Chapitre 3 Le transistor FET

Page 90

Le transistor FET
Constitution et principe de fonctionnement

Un transistor FET est tout simplement une rsistance intgre sur


une puce de silicium, dote de deux extrmit (Drain et Source) et
commande par une 3me lectrode appele (Grille ou Gate).
Pour aller de la source au drain, les porteurs traversent un canal trs
mince (~1mm) au niveau de la grille.

Chapitre 3 Le transistor FET

Page 91

Le transistor FET
Introduction

Il existe une autre grande famille technologique de transistors:


les transistors effet de champ (Field Effect Transistor, FET).
Les FET sont des sources de courant commandes en tension.
Ils se dclinent en deux types : le canal N et le canal P.

http://fr.wikipedia.org/wiki/Transistor__effet_de_champ
Chapitre 3 Le transistor FET

Page 92

Le transistor FET
Introduction

Le JFET canal N est constitu d'une mince plaquette de silicium N


qui va former le canal conducteur principal. Cette plaquette est
recouverte partiellement d'une couche de silicium P, de manire
former une jonction PN latrale par rapport au canal.
S
G

S
P

G
D

JFET canal N

JFET canal P

Le courant entre par une premire lectrode, le drain (D), circule dans le
canal, et sort par une deuxime lectrode, la source (S).
L'lectrode connecte la couche de silicium P, la grille (G), sert
commander la conduction du courant dans le canal.
Le transistor FET fonctionne toujours avec la jonction grille-canal polarise
en inverse.
Chapitre 3 Le transistor FET

Page 93

Le transistor FET
Introduction

Le JFET n'est pas adapt aux forts courants.


Son domaine d'application se limite :
- l'amplification des petits signaux.
- des montages haute impdance d'entre et faible bruit,
tels que les pramplificateurs pour signaux de faible niveau.
Ajoutons que la mise en oeuvre des FET s'avre trs dlicate.
En revanche, les FET sont souvent intgrs dans des circuits comme
les amplificateurs oprationnels (AOP), que nous verrons plus loin.

S
G

G
D

JFET canal N

S
D
D

JFET canal P
Chapitre 3 Le transistor FET

Page 94

Le transistor FET
Le transistor FET: un transistor unipolaire

Les transistors FET sont appels unipolaires parce que la conduction


lectrique y est assure par un seul type de porteurs (P ou N).
Un transistor effet de champ est un composant semi-conducteur
constitu de 3 zones, chacune relie une lectrode :
la grille (G), le drain (D), la source (S).
Les TEC (Transistors Effet de Champ) ou FET (Field Effect Transistor)
sont de deux sortes :
Les transistors JFET (Junction FET).
Les transistors MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor)
ou MOS.
Dans chaque cas, on rencontre les deux types de canaux:
- canal N,
- canal P.
Chapitre 3 Le transistor FET

Page 95

Le transistor FET
Introduction

Un JFET est constitu de 3 lectrodes :


la grille (G), le drain (D), la source (S).

JFET canal N

JFET canal P

http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_5.html
Chapitre 3 Le transistor FET

Page 96

Le transistor FET
Introduction

Un MOSFET est constitu de 3 lectrodes :


la grille (G), le drain (D), la source (S).

MOSFET canal N

MOSFET canal P

Canal
enrichi

Canal
appauvri
http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_6.html
Chapitre 3 Le transistor FET

Canal
enrichi

Canal
appauvri

Page 97

Le transistor FET
Application: Interrupteur

Le montage prsent est un interrupteur parallle.


La tension de commande VGS doit tre Ve ("ON") ou 0 ("OFF").

M
VGS

Commande
dune LED,
dun moteur

Commande dun moteur DC


Chapitre 3 Le transistor FET

Chronogramme
Page 98

Le transistor FET
Application: Interrupteur

Le montage prsent est un interrupteur de commande.


La tension de commande VGS doit tre Ve ("ON") ou 0 ("OFF").

Commande dune lampe

Commande dun moteur DC

Chapitre 3 Le transistor FET

Page 99

Le transistor FET
Application: Interrupteur

Le montage prsent est un interrupteur parallle.


La tension de sortie Vs doit tre Ve ou 0.
Ceci se ralise facilement en donnant au FET deux points de
fonctionnement trs diffrents:
- bloqu (si VGS < - VP)
- trs conducteur (VGS = 0).

Chapitre 3 Le transistor FET

Page 100

Le transistor FET
Application: MOSFET de puissance

Lorsque l'on veut faire tourner un moteur courant continu dans les
deux sens de rotation, il faut inverser la polarit de l'alimentation sur
ses bornes.

Montage 4 interrupteurs
Chapitre 3 Le transistor FET

Montage 2 inverseurs
Page 101

Le transistor FET
Application: Montage push-pull

Le montage push-pull permet de fournir une forte puissance. Pour


cela, il faut utiliser deux transistors complmentaires.

Montage 2 MOSFET complmentaires


Page 102

Le transistor FET
Application: MOSFET de puissance

Lorsque l'on veut faire tourner un moteur courant continu dans les
deux sens de rotation, il faut inverser la polarit de l'alimentation sur
ses bornes.

Montage 4 MOSFET de puissance (2xRFD14N05 et 2xRFD15P05)


Chapitre 3 Le transistor FET

Page 103

Le transistor FET
Application: MOSFET de puissance

Moteur courant continu avec deux sens de rotation.


Pont en "H":
Commande

Commande

Montage 2 MOSFET canal P


et 2 MOSFET canal N

Montage 4 MOSFET canal N

http://fribotte.free.fr/bdtech/Drivers/DrivesPontH.html
Chapitre 3 Le transistor FET

Page 104

Le transistor FET
Transistors MOSFET

Avantages et inconvnients d'un MOSFET:


Avantages

Inconvnients

RDSon trs grande

Trs sensible la contamination

Zin > 100 M


Facile fabriquer
Petite surface de silicium

Trs sensible aux Dcharges


ElectroStatiques

Symtrique
Tension de seuil importante
(2,5 4V ou 0,8 2V)
DMOS et VMOS,
frquence de commutation ~GHz

Mettre une diode Zener


entre G et S
RDSon relativement leve
MOS, pas trs rapide

http://didier.magnon.free.fr/cours/commutation%20chapitreIV.pdf
Page 105

Le transistor FET
Application: MOSFET de puissance

http://www.talkingelectronics.com/projects/MOSFET/MOSFET.html
Page 106

Les transistors
BJT vs MOSFET

Comparaison d'un BJT vs un MOSFET:


BJT

FET

Zin ()

103 105

109 1011

Pout/Pin

100 200

105 106

ton (ns)

50 500

toff (ns)

500 2000

0,3

Rs ()

http://didier.magnon.free.fr/cours/commutation%20chapitreIV.pdf
Page 107

Les transistors
BJT vs MOSFET

Comparaison d'un BJT vs un MOSFET:


BJT

FET

- Contrle en courant.
- En commutation, rsistance srie
faible si Ic important.

- Contrle en tension.
- Rsistances Ron faible (mais plus
forte que le BJT).

- Impdance dentre faible (base).

- Impdance dentre forte (grille).

- Temps de commutation.

- Rapidit de commutation.

- Consommation de courant en
commutation.

- Pas de consommation de courant en


hors les transitions en commutation.

- Tension de seuil trs reproductible en - Peu de reproductibilit


composants discret Vbe = f (Ic,Ib)
http://homepages.laas.fr/fmathieu/Les%20transistors.pptx
Page 108

Les transistors
Commutation

Points importants:

Temps de commutation, Rsistance srie rapporte,


Type de commande, Tensions et courants mis en jeux.

Page 109

SE1 Composants
Chapitre 4: L'ADI

Universit du Havre, IUT du Havre


Dpartement GEII
Octobre 2013.
Page 110

PPN 2013: SE1


I) La diode
I.1) Proprits
I.2) Applications: Ecrtage, Redressement
I.3) Types de diodes
I.4) Circuits logiques
II) Le transistor
II.1) Proprits
II.2) Caractristiques
II.3) Assemblage
II.4) Applications: Amplificateurs
III) L'ADI
III.1) Proprits
III.2) Caractristiques
III.3) Montages lmentaires
III.4) Applications: Amplification, filtrage
Page 111

L'ADI
Introduction

Botier TO99
Le LM741 de NS
Premier AO: le K2-W

Le OPA335 de TI
Botier DO8
Le LM324 de TI

Botier DIL8
Chapitre 4 L'ADI

Page 112

L'ADI
Introduction

Dfinition:
Un ADI (ADI ou AOP, ou OpAmp en anglais), pour
Amplificateur Diffrentiel Intgr est un circuit intgr dont la
fonction de base est, comme son nom le suggre,
l'amplification [diffrentielle].
Il est en outre "oprationnel" en ce sens qu'il permet de raliser
des fonctions de type "arithmtique" (inversion, addition,
soustraction...).
VCC
V A.(e e )
out

Vout

VEE
http://genelaix.free.fr/IMG/pdf/AOP_diaporama.pdf
http://genelaix.free.fr/IMG/pdf/AOP-applications-2009.pdf
Chapitre 4 L'ADI

Page 113

L'ADI
Constitution et principe de fonctionnement

La structure interne de l'ADI est la suivante:

Chapitre 4 L'ADI

Page 114

L'ADI
Introduction

La structure interne d'un LM124 est la suivante:

Chapitre 4 L'ADI

Page 115

L'ADI
Introduction

L'architecture simplifie dun ADI est la suivante :


+

Amplificateur
Diffrentiel (Ad)

Amplificateur
de tension (Av)

(e+ e)
Attnuation de (e+ + e)/2
Amplification de

Amplificateur
diffrentiel

Vout
tage
amplificateur
Suiveur

Suiveur
Amplificateur
de courant
(Ad >> 1: "Mode Diffrentiel")
(Amc<<1: "Mode Commun")

Ad .(e e ) Amc .

Augmente le gain total (Av>>1)


ex: montage drain commun et Rd leve (charge active)
Impdance de sortie faible
Configuration Push-Pull : domaine de linarit
Chapitre 4 L'ADI

Page 116

L'ADI
Constitution et principe de fonctionnement

Un ADI est un systme amplificateur diffrentiel:


Amplificateur et diffrentiel car il amplifie la diffrence des
tensions appliques sur ses deux entres, notes usuellement
e+ (entre dite "non inverseuse"),
e (entre dite "inverseuse").
Le facteur d'amplification est appel le gain.
On aura donc un composant comportant deux entres et une
sortie. En rgle gnrale, les ADI requirent une alimentation
symtrique (positive et ngative), mais certains modles
acceptent une alimentation postive simple.

Chapitre 4 L'ADI

Page 117

L'ADI
Introduction

Certains ADI sont spcialiss dans l'une ou l'autre de ces fonctions,


d'autres sont aptes les remplir toutes deux (dsigns "general
purpose" en anglais).
Il existe en outre plusieurs familles technologiques d'ADI.
Prcision importante: en dpit de son apparente "simplicit", l'ADI
transistor demeure un composant assez complexe, aussi bien sur le
plan thorique que pour sa mise en uvre.
Nous nous bornerons ici dcrire son fonctionnement et ses
principaux paramtres de manire trs succincte.

Chapitre 4 L'ADI

Page 118

L'ADI
Constitution et principe de fonctionnement

Cas de tensions continues V1 et V2 aux deux entres d'un ADI.


La figure ci-contre reprend les deux cas possibles d'alimentation
de l'ADI, symtrique ou simplement positive:

Alimentation non symtrique

Alimentation symtrique

Alimentation non symtrique

Alimentation symtrique

e- < e+

Vout = presque +Vcc

Vout = presque +Vcc

e- > e+

Vout = presque 0

Vout = presque -Vcc

Chapitre 4 L'ADI

Page 119

L'ADI
Constitution et principe de fonctionnement

Il existe toujours une petite diffrence entre la tension disponible


en sortie (output voltage swing, en anglais) et celle d'alimentation:
+Vcc

Vsat ,max Vcc

Vsat ,min Vcc

Vsat,max

Vsat,min

Vcc

Chapitre 4 L'ADI

Page 120

L'ADI
ADI parfait et ADI rel

On pourrait dfinir l'ADI "parfait" ou "idal" (celui de la thorie)


comme un amplificateur de diffrence pur gain diffrentiel
infini, dont l'impdance d'entre est infinie (pour ne consommer
aucun courant de la source) et l'impdance de sortie est nulle
(pour fournir un courant infini la charge).
De plus, cet ADI parfait prsenterait une largeur de bande infinie
et un dcalage en tension nul, rejetterait parfaitement le mode
commun, et serait en outre insensible aux variations de
temprature et de tension d'alimentation.
Dans la ralit, on constate, par rapport ce modle thorique
idal, quelques "dfauts" (souvent minimes, il est vrai)... Ces
divergences entre l'ADI "rel" et l'ADI "parfait" donnent lieu
divers paramtres, qui sont rpertoris et quantifis dans les
datasheets des fabricants. Nous allons en tudier quelques
uns...
Chapitre 4 L'ADI

Page 121

L'ADI
Quelques caractristiques

Technologie bipolaire (A741...), BI-FET (LF353...), MOSFET...


Gain en boucle ouverte de A 105 (souvent exprim en dB).
Impdance d'entre trs grande (Ze 2 M pour un A741,
de 10 M pour un LF353...).
Impdance de sortie trs faible (Ze 75 pour un A741).
Courant disponible de l'ordre de Is 25 mA.
Bande passante du continu GBP 1 MHz (LM324), 2 MHz
(A741), 4 MHz (LF353)...
Ajoutons cela que la plupart des AOP, notamment le LM324,
acceptent volontiers une alimentation non-symtrique.

Chapitre 4 L'ADI

Page 122

L'ADI
Document constructeur

Prenons pour exemple un AOP trs courant (et trs bon


march), le A741. Voici son brochage

Brochage DIL8

ADI 741

Le A741, en botier DIL 8. Ce botier comporte un seul AOP;


d'autres modles peuvent en comporter 2 (dual) ou mme 4 (quad).
La broche 8 n'est pas utilise (NC pour not connected).

Chapitre 4 L'ADI

Page 123

L'ADI
Document constructeur: A741
Test
Conditions

Parameter

Min

Typ

Max

Unit

VS

Supply voltage

18

VIN

Differential input voltage

30

VOS

Offset voltage

2,0

6,0

mV

IOS

Offset current

20

200

nA

IBIAS

Input bias current

80

500

nA

Vout

Output voltage swing

12

14

CMRR

Common Mode Rejection Ratio

70

90

dB

VIN

Input voltage range

+/12

+/13

RIN

Input resistance

0,3

ROUT

Output resistance

75

RS = 10 k

RL = 10 k

Chapitre 4 L'ADI

Page 124

L'ADI
Document constructeur: A741
Test
Conditions

Parameter

Min

Typ

Max

Unit

VS

Supply voltage

18

VIN

Differential input voltage

30

VOS

Offset voltage

2,0

6,0

mV

20

200

nA

80

500

nA

RS = 10 k

IOS
Offseten
current
Tension
de dcalage
entre: VOS (input offset voltage)
IBIAS

Input bias current

SiVles deux entres e+ et e- sont relies laRmasse,


la tension diffrentielle
devrait
=
10
k
12
14
Output
voltage
swing
V
out
L
bien evidemment tre gale 0. Or, dans la pratique, on peut vrifier l'existence
d'une
continue
sortie Vout...
CMRRtension
Common
ModedeRejection
Ratio
70
90
dB
Le phnomne s'explique par une infime dissymtrie dans la gomtrie des entres
+/+/VIN
Input voltage range
V
diffrentielles.
12
13
Ce dcalage (input offset voltage, not VOS) peut tre compens en montant une
RIN
M
Input resistance
0,3
2
rsistance
ou un potentiomtre mont sur les entres offset null, ce qui a pour effet
ROUT

Output
resistance
de
forcer la sortie
0 quand
les entres sont elles-mmes 0. 75
Chapitre 4 L'ADI

Page 125

L'ADI
Document constructeur: A741
Test
Conditions

Parameter

Min

Typ

Max

Unit

VS

Supply voltage

18

VIN

Differential input voltage

30

VOS

Offset voltage

2,0

6,0

mV

IOS

Offset current

20

200

nA

IBIAS

Input bias current

80

500

nA

Vout
RL = 10
k current) 12
Output voltage
swing IBIAS (input
Courant
de polarisation
en entre:
bias

14

CMRR

RS = 10 k

Common Mode Rejection Ratio

70

90

dB

Les deux entres d'un ADI sont, on l'a vu, des transistors (bipolaires dans le cas du
+/+/-qui n'est jamais
A741).
Leur polarisation
devrait
tre rigoureusement identique,
ce
VIN
Input voltage
range
V
12
13
le cas et provoque, du fait d'un dcalage de courant (input offset current), un
RIN
M
Input resistance
0,3
2
dcalage
de la tension
de sortie Vout.
Le
monter une rsistance sur l'entre non inverseuse.
R remde consiste

Output resistance
75
OUT

Chapitre 4 L'ADI

Page 126

L'ADI
Document constructeur: A741
Test
Conditions

Parameter

Min

Typ

Max

Unit

VS

Supply voltage

18

VIN

Differential input voltage

30

VOS

Offset voltage

2,0

6,0

mV

IOS

Offset current

20

200

nA

IBIAS

Input bias current

80

500

nA

Vout

Output voltage swing

12

14

RS = 10 k

RL = 10 k

CMRR Common
Mode Rejection
Ratio
Amplitude
de la tension
de sortie:
Vout (output voltage 70
swing)90

dB

+/+/Input
voltage
range
V
Le paramtre Vout fournit la valeur maximale de la tension12en sortie,
13 cette tension
VIN

neRpouvant tre,Input
naturellement,
suprieure la tension d'alimentation.
resistance
0,3
2
IN

ROUT

Output resistance

75
Chapitre 4 L'ADI

Page 127

L'ADI
Document constructeur: A741
Taux de rjection en mode commun: CMRRTest
(common mode rejection ratio)
Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Dans le cas o les deux tensions V1 et V2 sont strictement gales, la tension


VS
Supply
V
diffrentielle
est nulle.
Onvoltage
dit alors que l'ADI amplifie en mode commun. 18
EnVfait, un signal
mode commun
correspond en gnral un parasite, et30
il doit, ou
Differential
input voltage
V
IN
devrait, tre rejet par l'ADI. Celui-ci n'tant parfait, on risque de trouver en sortie
VOSamplification Offset
RS fabricants
= 10 k
voltage
6,0CMRR
mV
une
partielle
de ce parasite. Les
spcifient2,0
donc un
(common
mode rejection
ratio), ou TRMC (taux de rjection en mode
qui
IOS
Offset current
20 commun),
200
nA
correspond au taux entre l'amplification en mode diffrentiel (voulue) et celle en
IBIAS
bias current
80
500
nA
mode
commun Input
(non voulue).
Ce
CRMM estOutput
exprim
en dcibels
plus l'ADI
Vout
RL il=est
10lev,
k
12est "idal".
14
voltage
swing (dB): plus
V
CMRR

Common Mode Rejection Ratio

70

90

dB

VIN

Input voltage range

+/12

+/13

RIN

Input resistance

0,3

ROUT

Output resistance

75

Chapitre 4 L'ADI

Page 128

L'ADI
Document constructeur: LM324

Prenons maintenant pour exemple un autre modle d'ADI, lui aussi


trs courant, le LM324.
Quadruple ADI en botier DIL 14:

Brochage du LM324

Montage avec un LM324


Chapitre 4 L'ADI

Page 129

L'ADI
Document constructeur: LM324

Ce quadruple ADI en botier DIL 14 prsente d'intressantes


particularits, notamment la possibilit de l'alimenter avec une tension
continue positive comprise entre 3 et 30 V ou une tension symtrique
comprise entre 1,5 V et 15 V.
De plus:
son gain en boucle ouverte atteint 100 dB
il consomme trs peu de courant (1 mW sous 5 V)
la tension diffrentielle Vin peut tre gale la tension d'alimentation
Vcc
la tension de sortie peut atteindre 0 V (pas de dcalage) ou la valeur
de (Vsat,max = Vcc 1,5 V)

Chapitre 4 L'ADI

Page 130

L'ADI
Document constructeur: LM324

Nous avons dj parl du courant de sortie IOUT (output current),


sa valeur typique est ici de 20 mA.
Les deux autres paramtres, contrairement ceux que nous
avons vu jusqu' prsent, se rapportent non pas au mode
continu, mais au mode alternatif.
Symbol

Parameter

Typ

Unit

IOUT

Output current

20

mA

GBW

Unity gain bandwidth

MHz

SR

Slew rate

0,3

V/s

Extrait d'un document constructeur de LM324

Chapitre 4 L'ADI

Page 131

L'ADI
Document constructeur: LM324

La frquence gain unitaire GBW (unity gain bandwidth) est la


frquence laquelle l'ADI n'amplifie plus (ou, si l'on prfre,
amplifie par un facteur 1). En effet, le gain de l'ADI chute quand la
frquence augmente: ce phnomne caractrise sa rponse en
frquence (frequency response, en anglais).
Symbol

Parameter

Typ

Unit

IOUT

Output current

20

mA

GBW

Unity gain bandwidth

MHz

SR

Slew rate

0,3

V/s

Ci-contre, le gain reste voisin de 120 dB jusqu'


une frquence un peu infrieure 10 Hz, puis il
commence de chuter d'environ 20 dB chaque
fois que la frquence est multiplie par 10.
Chapitre 4 L'ADI

Page 132

L'ADI
Document constructeur: LM324

Le paramtre SR (slew rate) est la pente de la tension maximale


de sortie (SR = dV/dt), autrement dit la vitesse de variation
maximum du signal. Il s'exprime en V/s. Le SR indique la frquence
maximale d'utilisation de l'ADI sans distorsion du signal.
Symbol

Parameter

Typ

Unit

IOUT

Output current

20

mA

GBW

Unity gain bandwidth

MHz

SR

Slew rate

0,3

V/s

On notera que ces deux paramtres sont lis.


Ainsi, le GBW du LM324 est de 1 MHz et son
SR de 0,3 V/s; pour le LF353, on a des valeurs
de 4 MHz et 13 V/s respectivement.
Chapitre 4 L'ADI

Page 133

L'ADI
La contre-raction

On vient de le voir, le gain de l'ADI diminue quand la frquence


augmente. Si on dsire augmenter la bande passante, il faut donc
(hlas) rduire le gain. C'est donnant-donnant...
On y parvient grce la technique de la contre-raction ngative,
qui consiste rinjecter une fraction de la tension de sortie Vout sur
l'entre inverseuse e-, comme le montre la figure ci-contre.
On a alors un retour du signal en opposition de phase par rapport au
signal d'entre. Le signal de sortie se soustrait au signal d'entre de
manire faire travailler l'amplificateur dans sa partie linaire.
En faisant varier le ratio de la tension rinjecte
par rapport la tension de sortie, on peut
aisment contrler le gain de l'ADI.
Lorsqu'on utilise un ADI avec une contre-raction,
on dit qu'il fonctionne en boucle ferme.
Chapitre 4 L'ADI

Page 134

L'ADI
Montage amplificateur inverseur

Montage avec contre-rction ngative:


I

Z2

Z1

Ve

Vs

Ve

Amplificateur inverseur unitaire

Vs

Amplificateur inverseur

Ve (t ) R.I (t )

Vs (t ) R.I (t )

V e Z 1 .I

V s Z 2 .I

Vs (t ) Ve (t )

T( f )
Chapitre 4 L'ADI

Z2
Z1
Page 135

L'ADI
Montage amplificateur inverseur

La simulation numrique des composants rels permet d'obtenir la


tension de sortie "relle", prenant en compte les caractristiques et
limitations de l'ADI choisi.
A

Chapitre 4 L'ADI

Page 136

L'ADI
Montage amplificateur inverseur

Quel que soit le montage ADI tudi, l'criture de la tension en


diffrents points du circuits selon Millman permet de dterminer la
fonction de transfert du montage.
A

Z1

Z2

ZN
VA

E1

E2

EN

VA

Ek Y k
k 1
N

Y
k 1

Chapitre 4 L'ADI

Ek

k 1 Z k
N
1

k 1 Z k
Page 137

L'ADI
Rcapitulatif

Un ADI amplifie la diffrence des tensions appliques sur ses deux


entres, l'une tant dite "non inverseuse" et l'autre, "inverseuse".
L'alimentation est en principe symtrique, mais une alimentation
positive est souvent possible.
Le gain (facteur d'amplification) en boucle ouverte est faramineux:
souvent suprieur 105.
L'impdance d'entre est trs grande, l'impdance de sortie trs
petite.
Le gain diminue mesure que la frquence augmente; la bande
passante va en gnral du continu 1 ou 2 MHz pour les ADI en
technologie bipolaire.
Le courant maximal disponible atteint environ de 25 mA.
Les ADI modernes sont dsormais trs proches de lADI "parfait".
Chapitre 4 L'ADI

Page 138

L'ADI
Montages avec ou sans contre-raction

Bouclage de Vs sur e
non

oui

Bouclage de Vs sur e
non

Comparateur
1 seuil

Bouclage de Vs sur e
non

oui

Comparateur
2 seuils

oui

Fonctionnement Convertisseurs
linaire
Oscillateurs

http://ressources.univ-lemans.fr/AccesLibre/UM/Pedago/physique/02bis/cours_elec/aop.pdf
Chapitre 4 L'ADI

Page 139

L'ADI
Montages avec ou sans contre-raction

Bouclage de Vs sur e
non

oui

Bouclage de Vs sur e
non

Comparateur
1 seuil

Bouclage de Vs sur e
non

oui

Comparateur
2 seuils

oui

Fonctionnement Convertisseurs
linaire
Oscillateurs

Chapitre 4 L'ADI

Page 140

L'ADI
Montage comparateur simple seuil

vs

vs

Vcc

ve

Vcc
Saturation
Chapitre 4 L'ADI

Linaire

Saturation
Page 141

L'ADI
Montages avec ou sans contre-raction

Bouclage de Vs sur e
non

oui

Bouclage de Vs sur e
non

Comparateur
1 seuil

Bouclage de Vs sur e
non

oui

Comparateur
2 seuils

oui

Fonctionnement Convertisseurs
linaire
Oscillateurs

Chapitre 4 L'ADI

Page 142

L'ADI
Montage comparateur double seuil

+
R1

ve

Etat initial

R2

Tension
de seuil

vs Vcc

vt

vs Vcc

vt

R1
Vcc
R1 R2

R1
Vcc
R1 R2

vs

Condition
de transition

Etat final

ve vt

vs Vcc

ve vt

vs Vcc

Chapitre 4 L'ADI

vs

Vcc
ve

Vcc
vt

vt+
Page 143

L'ADI
Montages avec ou sans contre-raction

Bouclage de Vs sur e
non

oui

Bouclage de Vs sur e
non

Comparateur
1 seuil

Bouclage de Vs sur e
non

oui

Comparateur
2 seuils

oui

Fonctionnement Convertisseurs
linaire
Oscillateurs

Chapitre 4 L'ADI

Page 144

L'ADI
Montage amplificateur inverseur

R2

R1

ve

vs

e e 0
Chapitre 4 L'ADI

vs
R2

ve
R1
Page 145

L'ADI
Montage amplificateur non-inverseur

R2

R1

vs

ve

e e

Chapitre 4 L'ADI

vs R1 R2

ve
R1
Page 146

L'ADI
Montage sommateur

R1

v1

vs

R2

R3

v2

e e

Chapitre 4 L'ADI

R3
R3
vs
v1
v2
R1 R3
R2 R3
Page 147

L'ADI
Montage soustracteur

R2

R1

R3
v1

v2

R4

vs

R2 v1 R1vs
R4
R4 R1 R2
R2

e
v2 et e
v2 v1
vs
R3 R4
R1 R2
R3 R4 R1
R1

Chapitre 4 L'ADI

Page 148

L'ADI
Montage drivateur

ve

vs

T j RC
Chapitre 4 L'ADI

Page 149

L'ADI
Montage intgrateur

C
R

ve

vs

1
T
j RC
Chapitre 4 L'ADI

Page 150

L'ADI
Montages avec ou sans contre-raction

Bouclage de Vs sur e
non

oui

Bouclage de Vs sur e
non

Comparateur
1 seuil

Bouclage de Vs sur e
non

oui

Comparateur
2 seuils

oui

Fonctionnement Convertisseurs
linaire
Oscillateurs

Chapitre 4 L'ADI

Page 151

L'ADI
Applications: Gnrateurs de signaux non-sinusodaux

Squarewave Oscillator

Pulse Generator
Chapitre 4 L'ADI

Page 152

L'ADI
Applications: Montages typiques

DC Summing Amplifier

Power Amplifier

Non-Inverting DC Gain

LED Driver
Chapitre 4 L'ADI

Page 153

L'ADI
Applications: Amplificateur d'instrumentation

High Input Z Adjustable-Gain DC Instrumentation Amplifier


Chapitre 4 L'ADI

Page 154

L'ADI
Applications: Filtre passe-bas

DC Coupled Low-Pass RC Active Filter

Chapitre 4 L'ADI

Page 155

L'ADI
Applications: Montages typiques

Fixed Current Sources

Chapitre 4 L'ADI

R1
I2
I1
R2
Page 156

L'ADI
Applications: Montages linaires typiques

Chapitre 4 L'ADI

Page 157

L'ADI
Applications: Montages non-linaires typiques

Chapitre 4 L'ADI

Page 158

Composants
Notes:

Page 159

Composants
Notes:

Page 160

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