SE1 - CMs Composants - de La Diode À l'ADI

SE1 Composants lectroniques
Composants semi-conducteurs:
de la diode lADI
Universit du Havre, IUT du Havre
Dpartement GEII
Octobre 2013.
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PPN 2013: SE1
UE
UE11
SE1 (M1104) Systmes lectroniques

Matire
lectronique
Rfrence
SE1 (M1104)
Module
Systmes lectroniques
Volume horaire
15C, 24TD, 21TP
Positionnement
S1
Objectifs :
Connatre les outils danalyse dun systme lectrique,
Savoir identifier les fonctions lmentaires de llectronique,
Dvelopper une approche systme ouverte sur la transversalit, sur une culture projet.
Comptences minimales :
tre capable dutiliser les lois de base de llectricit.
Savoir utiliser les appareils de mesure usuels.
tre capable dinterprter des documents techniques: caractristiques relles et limitations.
tre capable de mettre en uvre des fonctions lectroniques de base et de les valider.
Pr-requis :
Modules GE11, MA11
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PPN 2013: SE1

SE1 (M1104) Systmes lectroniques
Contenu :
A. Les bases de llectricit
Rgime continu et sinusodal
Lois gnrales de llectricit
Analyse des signaux analogiques
Composants lectroniques et leur mise en uvre :
Amplification
Systme du premier ordre
C. Les fonctions lectroniques non linaires
Comparateurs
Modalits de mise en uvre :
Utilisation des appareils de mesure
Ralisation de montages simples
Utilisation doutils de simulation
Mots-cls :
Circuits lectriques, mesure
Fonctions lmentaires
Composants lectroniques de base
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PPN 2013: SE1

I) La diode
I.1) Proprits
I.2) Applications: Ecrtage, Redressement
I.3) Types de diodes
I.4) Circuits logiques
II) Le transistor
II.1) Proprits
II.2) Caractristiques
II.3) Assemblage
II.4) Applications: Amplificateurs
III) L'ADI
III.1) Proprits
III.2) Caractristiques
III.3) Montages lmentaires
III.4) Applications: Amplification, filtrage
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PPN 2013: SE1

I) La diode
I.1) Proprits
II) Le transistor
II.1) Proprits
II.3) Assemblage
III) L'ADI
III.1) Proprits
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SE1 Composants
Chapitre 1: La diode

Dpartement GEII
Octobre 2013.
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La diode
Chapitre 1 La diode
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La diode
Introduction
Ce composant est ralis avec un semi-conducteur.
Sans indication particulire,

le semi-conducteur
utilis est le silicium (Si).
A la base du composant,
il y a une jonction entre
deux semi-conducteurs
de type P et N.
Chapitre 1 La diode
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La diode
Polarisation
La diode comprend deux bornes appeles lectrodes :

l'anode (A) et la cathode (K).
Le courant qui traverse la diode va de l'anode vers la cathode.
C'est le sens positif du courant.
La diode parfaite possde deux tats:
La diode est passante (ou conductrice): quivaut un fil.
Dans ce cas, V = 0 et I est fix par le circuit extrieur.
La diode est bloque: quivaut un circuit ouvert.
Dans ce cas, V < 0 et I = 0.
Chapitre 1 La diode
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La diode relle
Polarisation
Un courant circule principalement dans le sens AK,

mais un petit courant peut circuler dans le sens KA.
I IS e
IS
T
e
k
m
eV
mkT
est le courant de saturation de la diode

est sa temprature absolue de fonctionnement,
mesure en K (T=273+) si est en C (usuelle)
est la charge de l'lectron (sans le signe): e = 1,6.1019 C
est la constante de Boltzman: k=1,38.10-23 J/K
est un coefficient dpendant du semi-conducteur utilis
(m=2 pour le silicium)
Chapitre 1 La diode
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La diode relle
Polarisation directe: V > 0
Lorsque V > 0, la fonction exponentielle l'emporte rapidement sur le

nombre 1. Si V >> mkT/e (c'est dire si V >> 50mV, la temprature
ambiante), alors l'intensit est considre exponentielle.
10
9
8
I IS e
I (A)
6
5
eV
mkT
4
3
I ISe
2
1
eV
mkT
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V (V)
Chapitre 1 La diode
Page 11
La diode relle
Polarisation inverse: V < 0
La fonction I(V) tend rapidement vers une valeur constante puisque

l'exponentielle devient trs petite.
0
-0.2
I IS e
I (A)
-0.4
-0.6
-0.8
I IS
-1
-1.2
eV
mkT
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
V (V)
Chapitre 1 La diode
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La diode
Rsistance d'une diode
E R.I D VD
et
Si E varie seule
10
E/R
Si R varie seule
-0.4
I (A)
I (A)
-0.2
8
6
-0.6
-0.8
ID
ID IS e
eVD
mkT
-1D
0
0
0.2
0.4
0.6
V (V)
VD
0.8
-1.2
-1
Chapitre 1 La diode
-0.8
-0.6
-0.4
V (V)
-0.2
VD
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La diode
Une diode, insre dans un circuit travers par un courant continu,

se comporte comme une rsistance. C'est dire que la diode peut
tre remplace par une rsistance traverse par le mme courant ID
et ayant la mme d.d.p. VD ses bornes.
Cette rsistance est appele rsistance statique (ou rsistance
quivalente) de la diode RS.
Sa valeur est forcment RS = VD/ID.
Ainsi, cette rsistance dpend du

point de fonctionnement de la diode.
Plus prcisment, RS diminue
lorsque ID augmente.
Chapitre 1 La diode
RS
VD
IS e
eVD
mkT
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La diode
Rsistance Statique
RS = VD/ID
10
10
RS=1/tan()
ID 6
I (A)
I (A)
Rd=1/tan()
ID
Rsistance Dynamique
Dplacement du point de
fonctionnement
Rd = VD/ ID
5
4
0
0
0.2
0
0.4
V (V)
0.6
VD
0.8
0.2
0.4
V (V)
Chapitre 1 La diode
0.6
0.8
VD
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Donnes constructeur
Modlisation d'une diode
Caractristique d'une diode: Point de fonctionnement
Le constructeur fournit une caractristique pour chaque type de diode.

Ce n'est pas celle de la diode utilise. On pourrait la tracer, mais
habituellement, on ne le fait pas.
On se contente des donnes suivantes:
Point de fonctionnement nominal (prconis par le constructeur)
de la diode (ID, VD) et sa rsistance dynamique RD en ce point.
Les mmes informations lorsque la diode est refroidie
(avec les caractristiques du refroidisseur).
Les limites ne pas dpasser pour le courant et la tension.
Chapitre 1 La diode
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La diode
Diode avec seuil et
avec rsistance dynamique
Linarisation :
Le modle utilis pour la diode est

constitu de deux droites qui constituent le
squelette de la caractristique de la diode.
Pour les dterminer, on utilise deux
donnes du constructeur : la tension de
seuil VS (souvent 0,6 ou 0,7V) et la
rsistance dynamique RD.
Si V < VS, le courant est nul.
Si V > VS, la diode vrifie V = VS+RDI
La droite associe cette expression est
incline. Son coefficient directeur est 1/RD.
La diode est alimente par un gnrateur
de tension (E, R). On doit dterminer le
point de fonctionnement de la diode.
Chapitre 1 La diode
E/R
Diode
Pente 1/RD
ID
V
VSVD
Si E<0
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La diode
Diode idale
Diode avec seuil

E/R
ID
V
VS =VD E
Si E < 0
Application: TD1, Ex.1

Chapitre 1 La diode
Page 18
La diode
Applications
Le redressement une alternance.

Redressement deux alternances.
Dtection crte.
Montage crteur.
Chapitre 1 La diode
Page 19
La diode: Applications
Redressement : Simple alternance
I(t)
I
t=T/4
D
R
E(t)
U(t)
t=T/2
t=3T/4
t=T
V
t=0
E(t)
U(t)

Chapitre 1 La diode
Page 20
Redressement : Double alternance
D1
D4
E>0
D2
e(t)
D3
E(t)
I
U(t)
E<0
U(t)
Chapitre 1 La diode
Page 21
Dtection de valeur crte
Pendant la premire alternance (e > 0), la diode
conduit un certain temps et la d.d.p. VAK reste
nulle lorsque v(t) = e(t). Le courant i(t) apporte
des charges sur les lectrodes du
condensateur et la tension v(t) augmente
comme e(t).
e(t)
v(t)
t
t
Chapitre 1 La diode
Page 22
Mais en t = T/4, la tension applique e
commence dcrotre. Puisque v(t) n'a pas de
raison de dcrotre aussi rapidement, la d.d.p.
VAK devient immdiatement ngative et la
diode se bloque. Le condensateur conserve les
charges acquises et la tension v reste la
valeur E, atteinte t = T/4.
e(t)
v(t)
t
t
Chapitre 1 La diode
Page 23
En pratique, le condensateur (en fonction de
sa valeur) se dcharge. La tension ses
bornes dcrot.
e(t)
v(t)
t
t
Chapitre 1 La diode
Page 24
Montage simple crteur
Ce montage met profit l'existence

du seuil de conduction d'une diode.
Si e(t) est assez faible alors la
diode est bloque:
R2
v(t ) e(t ).
R1 R2
Donc si e(t) est une fonction

sinusodale, v(t) l'est aussi.
Cette situation dure tant que la

tension e(t) est infrieure une
valeur V1 conduisant v = Vs.
La valeur limite pour e(t) est:
R2
V1 Vs .
R1 R2
Pour e(t) > V1, la tension v(t)

v(t) reste gale Vs.
e(t)
V1
Chapitre 1 La diode
Page 25
Montage double crteur
R1
e(t)
D1
D2
R2
v(t)
e(t)
v(t)
+V1
V1
Application: TD1, Ex.3, 4

Chapitre 1 La diode
Page 26
La diode
Types de diodes
La diode de redressement
La diode Schottky.
La diode Zener.
La photodiode.
La diode lectroluminescente (LED).
Chapitre 1 La diode
Page 27
La diode: Types
Diode de redressement
Elle est utilise dans les redresseurs industriels:

Elle est traverse par un fort courant (de lampre quelques
milliers dampres..).
De ce fait, elle est le sige dune forte dissipation thermique et
ncessite un radiateur pour assurer son refroidissement. Par
ailleurs elle est soumise une forte tension inverse (cest dire
une tension trs ngative). Or toute diode soumise une tension
inverse risque le phnomne davalanche. Ce dernier consiste
en une augmentation incontrle de lintensit lorsque V atteint
une tension ngative appele tension davalanche.
En plus, les diodes de redressement ne sont pas rapides : cest
dire que le passage de l tat conducteur ltat bloqu nest pas
instantan. En effet, lorsque la diode conduit, de nombreuses
charges sont prsentes au niveau de la jonction P-N. Leur
vacuation se fait ensuite lentement : le temps ncessaire est le
temps de recouvrement TR. Le courant de la diode revient 0 en
passant par une forte valeur ngative.
Chapitre 1 La diode
Page 28
La diode: Types
Diode de redressement
Extrait de documentation constructeur:

Fairchild Semiconductor "1N5400 - 1N5408"
Features
3.0 ampere operation
at TA = 75C
with no thermal runaway.
High current capability.
Low leakage.
Voltage 1 A part 3 A part

50 V
1N4001
1N5400
100 V
1N4002
1N5401
200 V
1N4003
1N5402
300 V
1N5403
400 V
1N4004
1N5404
500 V
1N5405
600 V
1N4005
1N5406
800 V
1N4006
1N5407
1000 V
1N4007
1N5408
Chapitre 1 La diode
Page 29
La diode: Types
Diode Schottky
Pour des applications frquence leve, on remplace une diode

de signal par une diode Schottky.
Cette diode comporte une jonction de type mtal/semiconducteur N.
De ce fait, son temps de commutation est plus faible que pour une
diode normale. De plus, sa tension de seuil nest que de 0,3V
environ.
Chapitre 1 La diode
Page 30
La diode: Types
Diode Schottky
Extrait de document constructeur:

Avago "HSMS-282x": Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes
Features
Low Turn-On Voltage (0.34V@1mA)
Low FIT (Failure in Time) Rate
Single, Dual and Quad versions
Chapitre 1 La diode
Applications
mixing,
detecting,
switching,
sampling,
clamping,
wave shaping.
Page 31
La diode: Types
Diode Schottky

Avago "HSMS-282x": Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes
Chapitre 1 La diode
Page 32
La diode: Types
Diode Zener
Il sagit dune diode dont les deux zones (P et N) sont trs dopes. Il
en rsulte, en inverse, un comportement particulier.
Pour une tension V = VZ appele tension de Zener, le courant

inverse devient trs important, comme dans le phnomne
davalanche dune diode.
Leffet Zener est rversible et contrlable. La diode Zener est

utilise comme rfrence lmentaire de tension. Les valeurs
prises par la tension de Zener vont de quelques Volts une
centaine de Volts.
Chapitre 1 La diode
Page 33
La diode: Types
Diode Zener
Chapitre 1 La diode
Page 34
La diode: Types
Diode Zener
Vz
Pente: 1/RD
Izt
Chapitre 1 La diode
Page 35
La diode: Types
Diode Zener
Application: Montage potentiel fix:
Vz
Pente: 1/RD
Malgr la variation du
courant circulant dans la
diode Zener IZt , la tension VZ
reste quasiment constante.
Chapitre 1 La diode
Izt
Page 36
La diode: Types
Diode lectroluminescente (LED)
Une jonction passante met de la lumire (non visible). Elle peut

tre associe une photodiode (dans les tlcommandes par infrarouges).
Les diodes lectroluminescentes (DEL ou LED) sont des diodes
ralises avec des semiconducteurs autres que le silicium
(composs de phosphore, arsenic et gallium).
Selon les pourcentages de ces composants, la lumire mise peut
tre verte, jaune ou rouge. Ils semploient comme une diode
normale mais leur tension de seuil VS est 2 3 fois plus importante.
Chapitre 1 La diode
Page 37
La diode: Types
Ces LED connaissent un dveloppement important dans le domaine

de l'clairage:
Les diodes lectroluminescentes (DEL ou LED) sont des diodes

ralises avec des semiconducteurs autres que le silicium
(composs de phosphore, arsenic et gallium).
Actuellement, les semiconducteurs les plus brillants sont:

- Alu. Indium Gallium Phosphide (AlInGaP): rouge, orange, jaune.
- Indium Gallium Nitride (InGaN): bleu, vert.
Une LED de lumire blanche est typiquement

une LED bleue avec une surcouche de
phosphore jaune (apparat jaune teinte).
Chapitre 1 La diode
Page 38
La diode: Types
Chapitre 1 La diode
Page 39
La diode: Types
Chapitre 1 La diode
Page 40
La diode: Types
Applications:
Affichages LED
Eclairages LED
Ecrans LED
Afficheur LCD
7 segments
Chapitre 1 La diode
Projecteur extrieur:
45 LEDs basse tension
Page 41
La diode: Types
Symboles: Rsum
Complter les types de diodes:
Chapitre 1 La diode
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PPN 2013: SE1

I) La diode
I.1) Proprits
II) Le transistor
II.1) Proprits
II.3) Assemblage
III) L'ADI
III.1) Proprits
Page 43
SE1 Composants
Chapitre 2: Le transistor BJT

Dpartement GEII
Octobre 2013.
Page 44
Le transistor BJT
Introduction
Chapitre 2 Le transistor BJT
Page 45
Le transistor BJT
Introduction
Invent en 1948 par les Amricains J.

Bardeen, W. Brattain et W. Shockley, le
transistor est un composant semiconducteur qui remplit deux fonctions
vitales en lectronique:
Lamplification : c'est un gnrateur
de fort courant en sortie command
par un faible courant en entre.
La commutation : la manire d'un
interrupteur marche/arrt.
Amplificateur de puissance.
Commutateur.
16 Dec 1947, Bell Lab.

Page 46
Le transistor BJT
Introduction
"Loi de Moore": Gordon Moore, Fairchild R&D, 1962:

Lintgration des transistor se poursuivra au
rythme dun doublement tous les ans.
Entre 1959 et 1965, la pente de la courbe est:
log2(N2/N1)=6 en 6 ans, soit x2/an.
Cramming more components onto integrated circuits

Electronics, Volume 38, Number 8, April 19, 1965
http://lmi17.cnam.fr/~anceau/...
Histoire des transistors/Histoire transistors.htm
Page 47
Le transistor BJT
Constitution et principe de fonctionnement
Un transistor jonction bipolaire (BJT) est un composant semiconducteur constitu de 2 jonctions PN, trs proches l'une de l'autre.
Une diode ordinaire tant elle-mme constitue d'une unique jonction
P-N, on pourrait dire qu'un transistor contient 2 diodes.
Un transistor est form de 3 zones (NPN ou PNP selon son type), tel
qu'illustr sur le dessin ci-dessous. Chaque "zone" est relie une
lectrode: base (B), metteur (E), collecteur (C).
IC
n
VCE
IB
VBE
IE
VEB
C
VCE
IB
IE
E
C
IC
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Le transistor BJT
Effet transistor et gain en courant
Le courant de collecteur Ic est proportionnel au courant de base Ib,

le facteur (bta) tant le gain en courant. Cette relation est:
Ic Ib
Pour donner un ordre de grandeur, le gain en courant peut varier

de 10 500, voire 1000, selon le modle de transistor.
Dans les documents

constructeur, cette
amplification en courant (DC
current transfer ratio) est
note hFE:
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Document constructeur du NPN General Purpose Transistor 2N3904, Rohm.

Page 49
Le transistor BJT
Analogie hydraulique
Un courant Ib assez faible

permet l'ouverture du
"robinet" (B), ce qui provoque
via l'metteur (E)
l'coulement d'un fort
courant Ic en provenance du
rservoir collecteur (C).
Notez que lorsque le
"robinet" est compltement
ouvert, le courant Ic est
maximal: il existe donc (on
s'en doutait!) une limite
physique au gain en courant.
Page 50
Le transistor BJT
Effet transistor et gain en courant
Quand la tension collecteur-metteur VCE diminue pour devenir trs faible, la

jonction B-C cesse d'tre polarise en inverse, et l'effet transistor dcrot alors
trs rapidement.
A la limite, la jonction B-C devient aussi polarise en direct:

on n'a plus un transistor, mais l'quivalent de deux diodes en parallle.
On dit que le transistor

est satur.
Ic
Ic = .Ib
Amplification
Ib
Saturation
Page 51
Le transistor BJT
Transistors NPN et PNP
Il existe deux manires de disposer les jonctions P-N pour

fabriquer un transistor:
Une zone N, une zone P et une zone N:
on a alors un transistor NPN (le plus rpandu)
Une zone P, une zone N et une zone P:
on a dans ce cas un transistor PNP.
Page 52
Le transistor BJT
Transistors NPN et PNP
Dans un transistor NPN, les courants de base Ib et de collecteur

Ic sont rentrants, et le courant d'metteur Ie est sortant. Dans un
transistor PNP, les courants de base Ib et de collecteur Ic sont
sortants, et le courant d'metteur Ie est rentrant.
Attention! De l'extrieur, rien ne permet de distinguer un NPN
d'un PNP, sinon la rfrence du modle. Ne confondez pas un
BC327B (PNP) et un BC337B (NPN)...
Page 53
Le transistor BJT
Caractristiques
Considrons le montage ci-dessous, appel en "metteur commun".

L'entre du montage est la base et la sortie le collecteur.
Dans ce montage, la base est polarise par la
rsistance dsigne Rb. Le potentiel de la base est
d'environ 0,7 V, car l'metteur est la masse et la
jonction base-metteur quivaut une diode
passante.
Le collecteur est polaris par la rsistance dsigne
Rc, de telle manire que la tension du collecteur soit
suprieure la tension de la base (VCE > VBE): la
jonction base-collecteur est alors polarise en inverse.
L'entre est caractrise par les deux grandeurs IB et
VBE, et la sortie par les grandeurs IC et VCE, soit 4
variables.
Page 54
Le transistor BJT
Caractristiques
La caractristique d'entre du transistor correspond la
relation IB = f (VBE), VCE tant constante.
Cette caractristique, ressemble beaucoup (et pour cause)
celle d'une diode
La caractristique de transfert est dfinie par la relation IC =
f (IB), VCE tant constante. La caractristique de transfert est
une droite; on se souvient, nous l'avons vu plus haut, que le
courant de collecteur Ic est proportionnel au courant de base
Ib, le facteur (bta) tant appel gain en courant. On peut
donc dire que le transistor se comporte comme un
gnrateur de courant command (ou "pilot") par un
courant.
Page 55
Le transistor BJT
Caractristiques
La caractristique de sortie du transistor correspond la relation

IC = f (VCE), IB tant constant. Dans la pratique, on trace plusieurs
caractristiques pour diffrentes valeurs de IB.
La zone "grise" correspond la zone de saturation: quand la tension
VCE diminue pour devenir trs faible, la jonction collecteur-base cesse
d'tre polarise en inverse, et l'effet transistor dcrot alors trs
rapidement.
L'autre partie du graphe montre
que le courant de collecteur IC
dpend trs peu de la tension VCE.
Page 56
Le transistor BJT
Caractristiques
Page 57
Le transistor BJT
Caractristiques
Fonctionnement:
Le transistor est bloqu lorsque ses deux
jonctions sont en polarisation inverse.
Le transistor est en fonctionnement normal
direct lorsque la jonction de commande BE
est en polarisation directe et que la jonction
BC est en polarisation inverse.
Le transistor est en fonctionnement normal
inverse lorsque la jonction de commande
BE est en polarisation inverse et que la
jonction BC est en polarisation directe.
VBC
Normal
Inverse
Saturation
VBE
Blocage
Normal
Direct
Le transistor est satur lorsque ses deux

jonctions sont en polarisation directe.
http://etronics.free.fr/dossiers/analog/analog20.htm
Page 58
Le transistor BJT
Dsignation
La norme JEDEC affecte le prfixe :

- 1N aux diodes,
- 2N aux transistors, thyristors et triacs.
Vient ensuite un numro de srie quatre chiffres,
puis ventuellement un suffixe, facultatif.
Le suffixe:
- A signifie "faible gain",
- B signifie "gain moyen",
- C signifie "gain lev".
Exemples:
- la 1N4148 est une diode,
- le 2N2222A est un transistor faible gain.
http://etronics.free.fr/dossiers/analog/analog20.htm
Page 59
Le transistor BJT
Dsignation
La norme Pro Electron impose un codage avec trois informations:

- une 1re lettre dsigne le matriau semi-conducteur utilis,
- une 2me lettre renseigne sur la nature du composant,
- un groupe de trois chiffres (pour les produits "grand public")
ou deux chiffres et une lettre (produits industriels).
Voici un rcapitulatif simplifi:

A: diode, signal
A: Ge
(0,6 1 V)
B: Si
(1 1,3 V)
C: AsGa
(>1,3 V)
C: transistor, low power, audio frequency

D: transistor, power, audio frequency
F: transistor, low power, high frequency
R: switching device, low power (thyristor ...)
100 999
ou
10 99 + lettre
U: transistor, power switching

Y: diode, rectifier
Exemples: la BA159 est un diode signal, le BC547 est un transistor faible

puissance, le BD135 est un transistor de puissance.
Page 60
Le transistor BJT
Dsignation
Tout ceci serait relativement clair s'il n'existait toutes sortes de

drogations... Ainsi, certains fabricants n'ont rien trouv de mieux que
d'inventer un codage "maison".
Voici quelques prfixes courants:
- MJ: Motorola, puissance, botier mtallique.
- MJE: Motorola, puissance, botier plastique.
- MPS: Motorola, faible puissance, botier plastique.
- TIP: Texas Instruments, puissance, botier plastique.
Cette petite liste, bien entendu, n'est pas exhaustive...
Signalons d'autre part que sur les schmas amricains ou japonais, les
transistors sont souvent dsigns par la lettre gnrique Q, alors qu'en
France on prfre la lettre T.
Exemples: MJE3055, TIP35C.
Page 61
Le transistor BJT
Paramtres
Le nophyte sera sans doute effray par le nombre de paramtres

d'apparence plus ou moins sotrique figurant sur la fiche
technique complte (data sheet) d'un transistor quelconque...
En ralit, tous les paramtres ne prsentent pas le mme intrt.
Bien souvent, dans la pratique, le choix d'un modle de transistor
ne dpendra que de quelques paramtres.
VCEMax
Tension collecteur-metteur maxi, ou tension de claquage. Au del de cette

tension, le courant de collecteur IC crot trs rapidement s'il n'est pas limit
l'extrieur du transistor.
ICMax
Courant de collecteur maxi. A partir de cette valeur, le gain en courant va

fortement chuter et le transistor risque d'tre dtruit.
hFE ( )
Gain en courant (paramtre essentiel en amplification).
PTotMax
Puissance maxi que le transistor pourra dissiper, donne par la formule: V CE x

Ic. Attention, un transistor, a chauffe!
VCESat
Tension de saturation (utile en commutation).

Page 62
Le transistor BJT
Paramtres constructeur: Datasheet
Type
number
Package
VCE max
(V)
IC max
(mA)
PTOT
(mW)
hFE min
hFE max
fT
(MHz)
2N3904
TO-92
40
200
500
100
300
300
2N3906
TO-92
40
200
500
100
300
250
BC337
TO-92
45
500
625
100
600
100
BC547
TO-92
45
100
500
110
800
100
BD135
TO-126
45
1500
8000
40
> 40
60
Page 63
Le transistor BJT
Paramtres constructeur: Datasheet
S'agissant du brochage de tel modle particulier, il est impratif de

se reporter sa data sheet ou un catalogue.
On notera que parmi les modles reprsents ci-dessus, les BD135,
TIP140 et 2N3055 sont des transistors dits "de puissance".
Le 2N3055 peut dissiper 115 watts! En revanche, leur gain en
courant est limit.
Le BC547 est sans doute l'un des transistors les plus rpandus et il
remplace bien souvent, sans autre forme de procs, des modles
moins courants. Si vous envisagez de constituer un stock, le BC547
et le 2N2222 sont des rfrences choisir en priorit.
Page 64
Le transistor BJT
Le montage metteur commun
Un transistor possde, on l'a vu, trois connexions, ou
"pattes". On procde toujours (ou presque) de manire
ce qu'il y ait une patte commune l'entre et la
sortie du montage, d'o trois montages possibles:
metteur commun: la patte commune

est l'metteur, l'entre est la base et la
sortie le collecteur;
base commune: la patte commune est
la base, l'entre est l'metteur et la sortie
le collecteur;
collecteur commun: la patte commune
est le collecteur, l'entre est la base et la
sortie l'metteur.
Page 65
Le transistor BJT
Le montage en metteur commun est sans aucun doute le

montage fondamental; il ralise la fonction, essentielle en
lectronique. C'est lui que nous allons brivement tudier.
Application: TD2, Ex.1, 2

Page 66
Le transistor BJT
Une alimentation continue Vcc.

Elle fournit les tensions de polarisation et l'nergie que le montage
sera susceptible de fournir en sortie;
Des rsistances de polarisation.
En effet, le transistor ne laisse passer le courant que dans un seul
sens, comme une diode: il va donc falloir le polariser, l'aide de
rsistances, pour pouvoir y faire passer du courant alternatif (la
composante alternative du courant tant petite devant la
composante continue);
Un ou des condensateurs de liaison.
Le plus souvent, le branchement de la source alternative d'entre
sur le montage se fera par l'intermdiaire d'un condensateur de
liaison plac entre la source et le point d'entre du montage
transistor (la base s'il s'agit d'un montage en metteur commun).
Bien que ce ne soit pas une rgle absolue, le dispositif situ en aval
du montage est lui aussi isol par un condensateur de liaison.
Page 67
Le transistor BJT
La rsistance Rb fixe le courant de base Ib, ce qui dtermine un

courant de collecteur Ic =Ib,
Le courant collecteur tant fix, la tension URc = RcIc.
Page 68
Le transistor BJT
Pour calculer Rb et Rc, il faut alors partir de Ic et de VCE0.
On fixe un courant collecteur de repos Ic (courant de polarisation).

Ce courant variera entre une dizaine de A (applications trs faible
bruit) et une dizaine de mA (meilleures performances en haute
frquence).
On fixe ensuite une tension de collecteur VCE gnralement gale

Vcc/2, de sorte que la tension du collecteur puisse varier autant vers
le haut que vers le bas lorsqu'on appliquera le signal alternatif.
Page 69
Le transistor BJT
La valeur de la rsistance de collecteur Rc, qui assure la

polarisation de la jonction base-collecteur, est dtermine, par:
Rc = (Vcc - VCE)/Ic.
La valeur de la rsistance de base Rb, qui a pour rle de fixer le

courant de base, est:
Rb = (Vcc -VBE)/Ib,
avec VBE = 0,7 V et Ib = Ic/.
Page 70
Le transistor BJT
Le montage metteur commun polaris par pont de base
Le montage tudi ci-dessus se rvle, dans la pratique,

difficilement exploitable, en tout cas peu fiable. On a plutt
recours un montage qui ressemble davantage celui-ci, dont
la base n'est pas polarise par une unique rsistance, mais par
un pont de rsistances:
Page 71
Le transistor BJT
Ce schma est rigoureusement identique au schma prcdent.

Le transistor est un petit NPN standard rfrenc 2N2222.
On retrouve les rsistances de collecteur (R1), d'metteur (R2)

et du pont de base (R4 et R3).
Le signal amplifier
est issu d'une source
de tension alternative,
de forme sinusodale.
L'amplitude de ce signal
est trs faible,
puisqu'elle vaut 10 mV.
Page 72
Le transistor BJT
Simulation du montage: Courants Ib et Ic.
On observe ici une amplification de Ic par rapport Ib

(le gain en courant, ou ) de l'ordre de 150.
Page 73
Le transistor BJT
Simulation du montage: Courants Ib = Ib0 + ib et Ic = Ic0 + ic.

Ic (mA)
Ic = .Ib
Ic,sat
ic
Point de
polarisation
Ic0
Ib (A)
ib
Ib,sat
Ib (A)
Ib0
Page 74
Le transistor BJT

Ic (mA)
Ic = .Ib
Ic,sat
Point de
polarisation
ic
Ic0
Ib (A)
Blocage
ib
Ib,sat
Ib (A)
Ib0
Page 75
Le transistor BJT

Ic (mA)
Ic = .Ib
ic
Ic,sat
Ic0
Point de
polarisation
Ib (A)
ib
Ib,sat Saturation
Ib (A)
Ib0
Page 76
Le transistor BJT
Ce qu'il faut en dfinitive retenir du montage en metteur

commun, c'est qu'il procure une trs bonne amplification du
courant.
Une des pistes damlioration des proprits damplification

consiste combiner des transistors entre eux:
- Montage Darlington
- Montage Push-Pull
De nos jours, toutefois, on n'utilise plus gure le transistor en tant

que tel: on a plutt recours des circuits intgrs spcialiss (qui
intgrent, comme leur nom l'indique, des transistors).
Page 77
Le transistor BJT
Le montage Darlington
Le montage Darlington associe deux transistors, l'metteur de l'un

tant reli la base de l'autre, les collecteurs tant directement
raccords la tension d'alimentation.
Ces deux transistors ainsi monts se comportent comme un seul
transistor, dont le gain est gal au produit des gains des deux
transistors. On se doute qu'il s'agit, grce ce montage, d'obtenir
une forte amplification. L'impdance d'entre d'un tel montage est
trs grande et son impdance de sortie trs faible.

Page 78
Le transistor BJT
Le montage Darlington
A noter qu'il existe dans le commerce des transistors appels

"Darlington", qui remplacent le montage du mme nom.
A titre d'exemple, voici les principaux paramtres de l'un d'eux:
Type number
Package
VCES max
(V)
BC875
TO-92
45
IC max
(mA)
PTOT
(mW)
hFE min
hFE max
1000
830
1000
>1000
PNP
compl.
BC878
VCES signifie tension collecteur-metteur, avec VBE = 0.

Le modle rfrenc BC875 est un NPN moyenne puissance
(presque 1 watt); son PNP "complmentaire" est le BC878.
Page 79
Le transistor BJT
Le montage "push-pull"
Le montage push-pull (push, en anglais, signifie pousser, pull

signifie tirer), encore appel montage symtrique, est un grand
classique en amplification de puissance des signaux alternatifs.
Voici, brivement, son principe:
Ce montage est construit autour de deux

transistors complmentaires:
- un NPN, not T1,
- un PNP, not T2.
Les deux transistors conduisent le courant
de collecteur tour tour, pendant une
alternance du cycle alternatif. Ce qui revient
dire que chaque transistor est bloqu
pendant une demi-priode du signal alternatif
et passant durant l'autre.
Pour obtenir une amplification correcte, il est ici ncessaire d'employer deux
transistors complmentaires (mmes paramtres, seule la polarit, NPN ou PNP,
diffre) et une alimentation symtrique.
Page 80
Le transistor BJT
Le transistor utilis en commutateur
Dans ce petit montage, le transistor NPN ou PNP pilote une

DEL de visualisation selon le niveau logique, haut ou bas ("1"
ou "0"), du signal d'entre.
Page 81
Le transistor BJT
Le transistor utilis en commutateur
Voici une version plus sophistique de ce montage: il permet de

visualiser, l'aide de trois DEL, l'tat de trois entres notes A, B
et C. La table de vrit indique laquelle des DEL est allume selon
les diffrentes possibilits. Le rle des transistors (par exemple
des 2N2222, trs rpandus) consiste, comme ci-dessus, piloter
les LEDs.
Notons que ces schmas se prtent

tout particulirement des montages
sur plaquette connexions rapides,
sans soudure.
Page 82
Le transistor BJT
Caractristiques du 2N2222
Le 2N2222 est un transistor NPN destin la commutation rapide

(high-speed switch, en anglais).
Voici ses principales caractristiques:

Type number
Package
VCE max
(V)
IC max
(mA)
PTOT
(mW)
hFE min
hFE max
fT
(MHz)
2N2222
TO-18
30
800
500
30
300
250
Pdissipe = VCE .IC

PTOT VCE,max .IC,max
Page 83
Le transistor BJT
Fonctions complexes
Utilis en commutateur, le transistor permet de raliser des fonctions

trs complexes. Le montage ci-contre, associant un transistor PNP et
un transistor NPN, quivaut une porte logique NON.
Si Ve = 0, le transistor NPN est bloqu, la

tension de sortie Vs = Vcc.
Si Ve = Vcc, c'est le transistor PNP qui est
bloqu et alors la tension de sortie Vs = 0.
Ce montage est ralis l'aide de transistors
complmentaires.
Page 84
Le transistor BJT
Symboles: Rsum
Complter les types et bornes de transistors:
E
C
.
Page 85
PPN 2013: SE1

I) La diode
I.1) Proprits
II) Le transistor
II.1) Proprits
II.3) Assemblage
III) L'ADI
III.1) Proprits
Page 86
SE1 Composants
Chapitre 3: Le transistor FET

Dpartement GEII
Octobre 2013.
Page 87
Le transistor FET
Introduction
Transistor FET
Intel 4004
Transistor FET
P45N02LD
Transistor JFET
2N4392
Transistor MOSFET
IRF 510 canal N
Chapitre 3 Le transistor FET
Intel Intanium quadri-coeurs

45 nm, 2 milliards de transistors
Page 88
Le transistor FET
Introduction
Page 89
Le transistor FET
Introduction
Les MOSFET sont:

- pilots en tension.
- adapts aux applications haute frquence.
- chauffent peu.
Vmax (V)
1500
BJT
1000
500
MOSFET
0
1
10
100
1000
Imax (A)
Current-Voltage Limitations
of MOSFET vs BJT.
Page 90
Le transistor FET
Un transistor FET est tout simplement une rsistance intgre sur

une puce de silicium, dote de deux extrmit (Drain et Source) et
commande par une 3me lectrode appele (Grille ou Gate).
Pour aller de la source au drain, les porteurs traversent un canal trs
mince (~1mm) au niveau de la grille.
Page 91
Le transistor FET
Introduction
Il existe une autre grande famille technologique de transistors:

les transistors effet de champ (Field Effect Transistor, FET).
Les FET sont des sources de courant commandes en tension.
Ils se dclinent en deux types : le canal N et le canal P.
http://fr.wikipedia.org/wiki/Transistor__effet_de_champ
Page 92
Le transistor FET
Introduction
Le JFET canal N est constitu d'une mince plaquette de silicium N

qui va former le canal conducteur principal. Cette plaquette est
recouverte partiellement d'une couche de silicium P, de manire
former une jonction PN latrale par rapport au canal.
S
G
S
P
G
D
JFET canal N
JFET canal P
Le courant entre par une premire lectrode, le drain (D), circule dans le
canal, et sort par une deuxime lectrode, la source (S).
L'lectrode connecte la couche de silicium P, la grille (G), sert
commander la conduction du courant dans le canal.
Le transistor FET fonctionne toujours avec la jonction grille-canal polarise
en inverse.
Page 93
Le transistor FET
Introduction
Le JFET n'est pas adapt aux forts courants.

Son domaine d'application se limite :
- l'amplification des petits signaux.
- des montages haute impdance d'entre et faible bruit,
tels que les pramplificateurs pour signaux de faible niveau.
Ajoutons que la mise en oeuvre des FET s'avre trs dlicate.
En revanche, les FET sont souvent intgrs dans des circuits comme
les amplificateurs oprationnels (AOP), que nous verrons plus loin.
S
G
G
D
JFET canal N
S
D
D
JFET canal P
Page 94
Le transistor FET
Le transistor FET: un transistor unipolaire
Les transistors FET sont appels unipolaires parce que la conduction

lectrique y est assure par un seul type de porteurs (P ou N).
Un transistor effet de champ est un composant semi-conducteur
constitu de 3 zones, chacune relie une lectrode :
la grille (G), le drain (D), la source (S).
Les TEC (Transistors Effet de Champ) ou FET (Field Effect Transistor)
sont de deux sortes :
Les transistors JFET (Junction FET).
Les transistors MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor)
ou MOS.
Dans chaque cas, on rencontre les deux types de canaux:
- canal N,
- canal P.
Page 95
Le transistor FET
Introduction
Un JFET est constitu de 3 lectrodes :

JFET canal N
JFET canal P
http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_5.html
Page 96
Le transistor FET
Introduction
Un MOSFET est constitu de 3 lectrodes :

MOSFET canal N
MOSFET canal P
Canal
enrichi
Canal
appauvri
http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_6.html
Canal
enrichi
Canal
appauvri
Page 97
Le transistor FET
Application: Interrupteur
Le montage prsent est un interrupteur parallle.

La tension de commande VGS doit tre Ve ("ON") ou 0 ("OFF").
M
VGS
Commande
dune LED,
dun moteur
Commande dun moteur DC

Chronogramme
Page 98
Le transistor FET
Le montage prsent est un interrupteur de commande.

La tension de commande VGS doit tre Ve ("ON") ou 0 ("OFF").
Commande dune lampe
Commande dun moteur DC
Page 99
Le transistor FET
Le montage prsent est un interrupteur parallle.

La tension de sortie Vs doit tre Ve ou 0.
Ceci se ralise facilement en donnant au FET deux points de
fonctionnement trs diffrents:
- bloqu (si VGS < - VP)
- trs conducteur (VGS = 0).
Page 100
Le transistor FET
Application: MOSFET de puissance
Lorsque l'on veut faire tourner un moteur courant continu dans les
deux sens de rotation, il faut inverser la polarit de l'alimentation sur
ses bornes.
Montage 4 interrupteurs
Montage 2 inverseurs
Page 101
Le transistor FET
Application: Montage push-pull
Le montage push-pull permet de fournir une forte puissance. Pour

cela, il faut utiliser deux transistors complmentaires.
Montage 2 MOSFET complmentaires

Page 102
Le transistor FET
Lorsque l'on veut faire tourner un moteur courant continu dans les
deux sens de rotation, il faut inverser la polarit de l'alimentation sur
ses bornes.
Montage 4 MOSFET de puissance (2xRFD14N05 et 2xRFD15P05)

Page 103
Le transistor FET
Moteur courant continu avec deux sens de rotation.

Pont en "H":
Commande
Commande
Montage 2 MOSFET canal P

et 2 MOSFET canal N
Montage 4 MOSFET canal N
http://fribotte.free.fr/bdtech/Drivers/DrivesPontH.html
Page 104
Le transistor FET
Transistors MOSFET
Avantages et inconvnients d'un MOSFET:

Avantages
Inconvnients
RDSon trs grande
Trs sensible la contamination
Zin > 100 M

Facile fabriquer
Petite surface de silicium
Trs sensible aux Dcharges

ElectroStatiques
Symtrique
Tension de seuil importante
(2,5 4V ou 0,8 2V)
DMOS et VMOS,
frquence de commutation ~GHz
Mettre une diode Zener

entre G et S
RDSon relativement leve
MOS, pas trs rapide
http://didier.magnon.free.fr/cours/commutation%20chapitreIV.pdf
Page 105
Le transistor FET
http://www.talkingelectronics.com/projects/MOSFET/MOSFET.html
Page 106
Les transistors
BJT vs MOSFET
Comparaison d'un BJT vs un MOSFET:

BJT
FET
Zin ()
103 105
109 1011
Pout/Pin
100 200
105 106
ton (ns)
50 500
toff (ns)
500 2000
0,3
Rs ()
http://didier.magnon.free.fr/cours/commutation%20chapitreIV.pdf
Page 107
Les transistors
BJT vs MOSFET
Comparaison d'un BJT vs un MOSFET:

BJT
FET
- Contrle en courant.
- En commutation, rsistance srie
faible si Ic important.
- Contrle en tension.
- Rsistances Ron faible (mais plus
forte que le BJT).
- Impdance dentre faible (base).
- Impdance dentre forte (grille).
- Temps de commutation.
- Rapidit de commutation.
- Consommation de courant en
commutation.
- Pas de consommation de courant en

hors les transitions en commutation.
- Tension de seuil trs reproductible en - Peu de reproductibilit

composants discret Vbe = f (Ic,Ib)
http://homepages.laas.fr/fmathieu/Les%20transistors.pptx
Page 108
Les transistors
Commutation
Points importants:
Temps de commutation, Rsistance srie rapporte,

Type de commande, Tensions et courants mis en jeux.
Page 109
SE1 Composants
Chapitre 4: L'ADI

Dpartement GEII
Octobre 2013.
Page 110
PPN 2013: SE1

I) La diode
I.1) Proprits
II) Le transistor
II.1) Proprits
II.3) Assemblage
III) L'ADI
III.1) Proprits
Page 111
L'ADI
Introduction
Botier TO99
Le LM741 de NS
Premier AO: le K2-W
Le OPA335 de TI
Botier DO8
Le LM324 de TI
Botier DIL8
Chapitre 4 L'ADI
Page 112
L'ADI
Introduction
Dfinition:
Un ADI (ADI ou AOP, ou OpAmp en anglais), pour
Amplificateur Diffrentiel Intgr est un circuit intgr dont la
fonction de base est, comme son nom le suggre,
l'amplification [diffrentielle].
Il est en outre "oprationnel" en ce sens qu'il permet de raliser
des fonctions de type "arithmtique" (inversion, addition,
soustraction...).
VCC
V A.(e e )
out
Vout
VEE
http://genelaix.free.fr/IMG/pdf/AOP_diaporama.pdf
http://genelaix.free.fr/IMG/pdf/AOP-applications-2009.pdf
Chapitre 4 L'ADI
Page 113
L'ADI
La structure interne de l'ADI est la suivante:
Chapitre 4 L'ADI
Page 114
L'ADI
Introduction
La structure interne d'un LM124 est la suivante:
Chapitre 4 L'ADI
Page 115
L'ADI
Introduction
L'architecture simplifie dun ADI est la suivante :

+
Amplificateur
Diffrentiel (Ad)
Amplificateur
de tension (Av)
(e+ e)
Attnuation de (e+ + e)/2
Amplification de
Amplificateur
diffrentiel
Vout
tage
amplificateur
Suiveur
Suiveur
Amplificateur
de courant
(Ad >> 1: "Mode Diffrentiel")
(Amc<<1: "Mode Commun")
Ad .(e e ) Amc .
Augmente le gain total (Av>>1)

ex: montage drain commun et Rd leve (charge active)
Impdance de sortie faible
Configuration Push-Pull : domaine de linarit
Chapitre 4 L'ADI
Page 116
L'ADI
Un ADI est un systme amplificateur diffrentiel:

Amplificateur et diffrentiel car il amplifie la diffrence des
tensions appliques sur ses deux entres, notes usuellement
e+ (entre dite "non inverseuse"),
e (entre dite "inverseuse").
Le facteur d'amplification est appel le gain.
On aura donc un composant comportant deux entres et une
sortie. En rgle gnrale, les ADI requirent une alimentation
symtrique (positive et ngative), mais certains modles
acceptent une alimentation postive simple.
Chapitre 4 L'ADI
Page 117
L'ADI
Introduction
Certains ADI sont spcialiss dans l'une ou l'autre de ces fonctions,

d'autres sont aptes les remplir toutes deux (dsigns "general
purpose" en anglais).
Il existe en outre plusieurs familles technologiques d'ADI.
Prcision importante: en dpit de son apparente "simplicit", l'ADI
transistor demeure un composant assez complexe, aussi bien sur le
plan thorique que pour sa mise en uvre.
Nous nous bornerons ici dcrire son fonctionnement et ses
principaux paramtres de manire trs succincte.
Chapitre 4 L'ADI
Page 118
L'ADI
Cas de tensions continues V1 et V2 aux deux entres d'un ADI.

La figure ci-contre reprend les deux cas possibles d'alimentation
de l'ADI, symtrique ou simplement positive:
Alimentation non symtrique
Alimentation symtrique
Alimentation non symtrique
Alimentation symtrique
e- < e+
Vout = presque +Vcc
Vout = presque +Vcc
e- > e+
Vout = presque 0
Vout = presque -Vcc
Chapitre 4 L'ADI
Page 119
L'ADI
Il existe toujours une petite diffrence entre la tension disponible

en sortie (output voltage swing, en anglais) et celle d'alimentation:
+Vcc
Vsat ,max Vcc
Vsat ,min Vcc
Vsat,max
Vsat,min
Vcc
Chapitre 4 L'ADI
Page 120
L'ADI
ADI parfait et ADI rel
On pourrait dfinir l'ADI "parfait" ou "idal" (celui de la thorie)

comme un amplificateur de diffrence pur gain diffrentiel
infini, dont l'impdance d'entre est infinie (pour ne consommer
aucun courant de la source) et l'impdance de sortie est nulle
(pour fournir un courant infini la charge).
De plus, cet ADI parfait prsenterait une largeur de bande infinie
et un dcalage en tension nul, rejetterait parfaitement le mode
commun, et serait en outre insensible aux variations de
temprature et de tension d'alimentation.
Dans la ralit, on constate, par rapport ce modle thorique
idal, quelques "dfauts" (souvent minimes, il est vrai)... Ces
divergences entre l'ADI "rel" et l'ADI "parfait" donnent lieu
divers paramtres, qui sont rpertoris et quantifis dans les
datasheets des fabricants. Nous allons en tudier quelques
uns...
Chapitre 4 L'ADI
Page 121
L'ADI
Quelques caractristiques
Technologie bipolaire (A741...), BI-FET (LF353...), MOSFET...

Gain en boucle ouverte de A 105 (souvent exprim en dB).
Impdance d'entre trs grande (Ze 2 M pour un A741,
de 10 M pour un LF353...).
Impdance de sortie trs faible (Ze 75 pour un A741).
Courant disponible de l'ordre de Is 25 mA.
Bande passante du continu GBP 1 MHz (LM324), 2 MHz
(A741), 4 MHz (LF353)...
Ajoutons cela que la plupart des AOP, notamment le LM324,
acceptent volontiers une alimentation non-symtrique.
Chapitre 4 L'ADI
Page 122
L'ADI
Document constructeur
Prenons pour exemple un AOP trs courant (et trs bon

march), le A741. Voici son brochage
Brochage DIL8
ADI 741
Le A741, en botier DIL 8. Ce botier comporte un seul AOP;

d'autres modles peuvent en comporter 2 (dual) ou mme 4 (quad).
La broche 8 n'est pas utilise (NC pour not connected).
Chapitre 4 L'ADI
Page 123
L'ADI
Document constructeur: A741
Test
Conditions
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
VS
Supply voltage
18
VIN
Differential input voltage
30
VOS
Offset voltage
2,0
6,0
mV
IOS
Offset current
20
200
nA
IBIAS
Input bias current
80
500
nA
Vout
Output voltage swing
12
14
CMRR
Common Mode Rejection Ratio
70
90
dB
VIN
Input voltage range
+/12
+/13
RIN
Input resistance
0,3
ROUT
Output resistance
75
RS = 10 k
RL = 10 k
Chapitre 4 L'ADI
Page 124
L'ADI
Test
Conditions
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
VS
Supply voltage
18
VIN
30
VOS
Offset voltage
2,0
6,0
mV
20
200
nA
80
500
nA
RS = 10 k
IOS
Offseten
current
Tension
de dcalage
entre: VOS (input offset voltage)
IBIAS
Input bias current
SiVles deux entres e+ et e- sont relies laRmasse,

la tension diffrentielle
devrait
=
10
k
12
14
Output
voltage
swing
V
out
L
bien evidemment tre gale 0. Or, dans la pratique, on peut vrifier l'existence
d'une
continue
sortie Vout...
CMRRtension
Common
ModedeRejection
Ratio
70
90
dB
Le phnomne s'explique par une infime dissymtrie dans la gomtrie des entres
+/+/VIN
Input voltage range
V
diffrentielles.
12
13
Ce dcalage (input offset voltage, not VOS) peut tre compens en montant une
RIN
M
Input resistance
0,3
2
rsistance
ou un potentiomtre mont sur les entres offset null, ce qui a pour effet
ROUT
Output
resistance
de
forcer la sortie
0 quand
les entres sont elles-mmes 0. 75
Chapitre 4 L'ADI
Page 125
L'ADI
Test
Conditions
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
VS
Supply voltage
18
VIN
30
VOS
Offset voltage
2,0
6,0
mV
IOS
Offset current
20
200
nA
IBIAS
Input bias current
80
500
nA
Vout
RL = 10
k current) 12
Output voltage
swing IBIAS (input
Courant
de polarisation
en entre:
bias
14
CMRR
RS = 10 k
70
90
dB
Les deux entres d'un ADI sont, on l'a vu, des transistors (bipolaires dans le cas du
+/+/-qui n'est jamais
A741).
Leur polarisation
devrait
tre rigoureusement identique,
ce
VIN
Input voltage
range
V
12
13
le cas et provoque, du fait d'un dcalage de courant (input offset current), un
RIN
M
Input resistance
0,3
2
dcalage
de la tension
de sortie Vout.
Le
monter une rsistance sur l'entre non inverseuse.
R remde consiste
Output resistance
75
OUT
Chapitre 4 L'ADI
Page 126
L'ADI
Test
Conditions
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
VS
Supply voltage
18
VIN
30
VOS
Offset voltage
2,0
6,0
mV
IOS
Offset current
20
200
nA
IBIAS
Input bias current
80
500
nA
Vout
Output voltage swing
12
14
RS = 10 k
RL = 10 k
CMRR Common
Mode Rejection
Ratio
Amplitude
de la tension
de sortie:
Vout (output voltage 70
swing)90
dB
+/+/Input
voltage
range
V
Le paramtre Vout fournit la valeur maximale de la tension12en sortie,
13 cette tension
VIN
neRpouvant tre,Input
naturellement,
suprieure la tension d'alimentation.
resistance
0,3
2
IN
ROUT
Output resistance
75
Chapitre 4 L'ADI
Page 127
L'ADI
Taux de rjection en mode commun: CMRRTest
(common mode rejection ratio)
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Dans le cas o les deux tensions V1 et V2 sont strictement gales, la tension

VS
Supply
V
diffrentielle
est nulle.
Onvoltage
dit alors que l'ADI amplifie en mode commun. 18
EnVfait, un signal
mode commun
correspond en gnral un parasite, et30
il doit, ou
Differential
input voltage
V
IN
devrait, tre rejet par l'ADI. Celui-ci n'tant parfait, on risque de trouver en sortie
VOSamplification Offset
RS fabricants
= 10 k
voltage
6,0CMRR
mV
une
partielle
de ce parasite. Les
spcifient2,0
donc un
(common
mode rejection
ratio), ou TRMC (taux de rjection en mode
qui
IOS
Offset current
20 commun),
200
nA
correspond au taux entre l'amplification en mode diffrentiel (voulue) et celle en
IBIAS
bias current
80
500
nA
mode
commun Input
(non voulue).
Ce
CRMM estOutput
exprim
en dcibels
plus l'ADI
Vout
RL il=est
10lev,
k
12est "idal".
14
voltage
swing (dB): plus
V
CMRR
70
90
dB
VIN
Input voltage range
+/12
+/13
RIN
Input resistance
0,3
ROUT
Output resistance
75
Chapitre 4 L'ADI
Page 128
L'ADI
Document constructeur: LM324
Prenons maintenant pour exemple un autre modle d'ADI, lui aussi

trs courant, le LM324.
Quadruple ADI en botier DIL 14:
Brochage du LM324
Montage avec un LM324

Chapitre 4 L'ADI
Page 129
L'ADI
Ce quadruple ADI en botier DIL 14 prsente d'intressantes

particularits, notamment la possibilit de l'alimenter avec une tension
continue positive comprise entre 3 et 30 V ou une tension symtrique
comprise entre 1,5 V et 15 V.
De plus:
son gain en boucle ouverte atteint 100 dB
il consomme trs peu de courant (1 mW sous 5 V)
la tension diffrentielle Vin peut tre gale la tension d'alimentation
Vcc
la tension de sortie peut atteindre 0 V (pas de dcalage) ou la valeur
de (Vsat,max = Vcc 1,5 V)
Chapitre 4 L'ADI
Page 130
L'ADI
Nous avons dj parl du courant de sortie IOUT (output current),

sa valeur typique est ici de 20 mA.
Les deux autres paramtres, contrairement ceux que nous
avons vu jusqu' prsent, se rapportent non pas au mode
continu, mais au mode alternatif.
Symbol
Parameter
Typ
Unit
IOUT
Output current
20
mA
GBW
Unity gain bandwidth
MHz
SR
Slew rate
0,3
V/s
Extrait d'un document constructeur de LM324
Chapitre 4 L'ADI
Page 131
L'ADI
La frquence gain unitaire GBW (unity gain bandwidth) est la

frquence laquelle l'ADI n'amplifie plus (ou, si l'on prfre,
amplifie par un facteur 1). En effet, le gain de l'ADI chute quand la
frquence augmente: ce phnomne caractrise sa rponse en
frquence (frequency response, en anglais).
Symbol
Parameter
Typ
Unit
IOUT
Output current
20
mA
GBW
MHz
SR
Slew rate
0,3
V/s
Ci-contre, le gain reste voisin de 120 dB jusqu'

une frquence un peu infrieure 10 Hz, puis il
commence de chuter d'environ 20 dB chaque
fois que la frquence est multiplie par 10.
Chapitre 4 L'ADI
Page 132
L'ADI
Le paramtre SR (slew rate) est la pente de la tension maximale

de sortie (SR = dV/dt), autrement dit la vitesse de variation
maximum du signal. Il s'exprime en V/s. Le SR indique la frquence
maximale d'utilisation de l'ADI sans distorsion du signal.
Symbol
Parameter
Typ
Unit
IOUT
Output current
20
mA
GBW
MHz
SR
Slew rate
0,3
V/s
On notera que ces deux paramtres sont lis.

Ainsi, le GBW du LM324 est de 1 MHz et son
SR de 0,3 V/s; pour le LF353, on a des valeurs
de 4 MHz et 13 V/s respectivement.
Chapitre 4 L'ADI
Page 133
L'ADI
La contre-raction
On vient de le voir, le gain de l'ADI diminue quand la frquence

augmente. Si on dsire augmenter la bande passante, il faut donc
(hlas) rduire le gain. C'est donnant-donnant...
On y parvient grce la technique de la contre-raction ngative,
qui consiste rinjecter une fraction de la tension de sortie Vout sur
l'entre inverseuse e-, comme le montre la figure ci-contre.
On a alors un retour du signal en opposition de phase par rapport au
signal d'entre. Le signal de sortie se soustrait au signal d'entre de
manire faire travailler l'amplificateur dans sa partie linaire.
En faisant varier le ratio de la tension rinjecte
par rapport la tension de sortie, on peut
aisment contrler le gain de l'ADI.
Lorsqu'on utilise un ADI avec une contre-raction,
on dit qu'il fonctionne en boucle ferme.
Chapitre 4 L'ADI
Page 134
L'ADI
Montage amplificateur inverseur
Montage avec contre-rction ngative:

I
Z2
Z1
Ve
Vs
Ve
Amplificateur inverseur unitaire
Vs
Amplificateur inverseur
Ve (t ) R.I (t )
Vs (t ) R.I (t )
V e Z 1 .I
V s Z 2 .I
Vs (t ) Ve (t )
T( f )
Chapitre 4 L'ADI
Z2
Z1
Page 135
L'ADI
La simulation numrique des composants rels permet d'obtenir la

tension de sortie "relle", prenant en compte les caractristiques et
limitations de l'ADI choisi.
A
Chapitre 4 L'ADI
Page 136
L'ADI
Quel que soit le montage ADI tudi, l'criture de la tension en

diffrents points du circuits selon Millman permet de dterminer la
fonction de transfert du montage.
A
Z1
Z2
ZN
VA
E1
E2
EN
VA
Ek Y k
k 1
N
Y
k 1
Chapitre 4 L'ADI
Ek
k 1 Z k
N
1
k 1 Z k
Page 137
L'ADI
Rcapitulatif
Un ADI amplifie la diffrence des tensions appliques sur ses deux

entres, l'une tant dite "non inverseuse" et l'autre, "inverseuse".
L'alimentation est en principe symtrique, mais une alimentation
positive est souvent possible.
Le gain (facteur d'amplification) en boucle ouverte est faramineux:
souvent suprieur 105.
L'impdance d'entre est trs grande, l'impdance de sortie trs
petite.
Le gain diminue mesure que la frquence augmente; la bande
passante va en gnral du continu 1 ou 2 MHz pour les ADI en
technologie bipolaire.
Le courant maximal disponible atteint environ de 25 mA.
Les ADI modernes sont dsormais trs proches de lADI "parfait".
Chapitre 4 L'ADI
Page 138
L'ADI
Montages avec ou sans contre-raction
Bouclage de Vs sur e
non
oui
non
Comparateur
1 seuil
non
oui
Comparateur
2 seuils
oui
Fonctionnement Convertisseurs
linaire
Oscillateurs
http://ressources.univ-lemans.fr/AccesLibre/UM/Pedago/physique/02bis/cours_elec/aop.pdf
Chapitre 4 L'ADI
Page 139
L'ADI
non
oui
non
Comparateur
1 seuil
non
oui
Comparateur
2 seuils
oui
linaire
Oscillateurs
Chapitre 4 L'ADI
Page 140
L'ADI
Montage comparateur simple seuil
vs
vs
Vcc
ve
Vcc
Saturation
Chapitre 4 L'ADI
Linaire
Saturation
Page 141
L'ADI
non
oui
non
Comparateur
1 seuil
non
oui
Comparateur
2 seuils
oui
linaire
Oscillateurs
Chapitre 4 L'ADI
Page 142
L'ADI
Montage comparateur double seuil
+
R1
ve
Etat initial
R2
Tension
de seuil
vs Vcc
vt
vs Vcc
vt
R1
Vcc
R1 R2
R1
Vcc
R1 R2
vs
Condition
de transition
Etat final
ve vt
vs Vcc
ve vt
vs Vcc
Chapitre 4 L'ADI
vs
Vcc
ve
Vcc
vt
vt+
Page 143
L'ADI
non
oui
non
Comparateur
1 seuil
non
oui
Comparateur
2 seuils
oui
linaire
Oscillateurs
Chapitre 4 L'ADI
Page 144
L'ADI
R2
R1
ve
vs
e e 0
Chapitre 4 L'ADI
vs
R2
ve
R1
Page 145
L'ADI
Montage amplificateur non-inverseur
R2
R1
vs
ve
e e
Chapitre 4 L'ADI
vs R1 R2
ve
R1
Page 146
L'ADI
Montage sommateur
R1
v1
vs
R2
R3
v2
e e
Chapitre 4 L'ADI
R3
R3
vs
v1
v2
R1 R3
R2 R3
Page 147
L'ADI
Montage soustracteur
R2
R1
R3
v1
v2
R4
vs
R2 v1 R1vs
R4
R4 R1 R2
R2
e
v2 et e
v2 v1
vs
R3 R4
R1 R2
R3 R4 R1
R1
Chapitre 4 L'ADI
Page 148
L'ADI
Montage drivateur
ve
vs
T j RC
Chapitre 4 L'ADI
Page 149
L'ADI
Montage intgrateur
C
R
ve
vs
1
T
j RC
Chapitre 4 L'ADI
Page 150
L'ADI
non
oui
non
Comparateur
1 seuil
non
oui
Comparateur
2 seuils
oui
linaire
Oscillateurs
Chapitre 4 L'ADI
Page 151
L'ADI
Applications: Gnrateurs de signaux non-sinusodaux
Squarewave Oscillator
Pulse Generator
Chapitre 4 L'ADI
Page 152
L'ADI
Applications: Montages typiques
DC Summing Amplifier
Power Amplifier
Non-Inverting DC Gain
LED Driver
Chapitre 4 L'ADI
Page 153
L'ADI
Applications: Amplificateur d'instrumentation
High Input Z Adjustable-Gain DC Instrumentation Amplifier

Chapitre 4 L'ADI
Page 154
L'ADI
Applications: Filtre passe-bas
DC Coupled Low-Pass RC Active Filter
Chapitre 4 L'ADI
Page 155
L'ADI
Applications: Montages typiques
Fixed Current Sources
Chapitre 4 L'ADI
R1
I2
I1
R2
Page 156
L'ADI
Applications: Montages linaires typiques
Chapitre 4 L'ADI
Page 157
L'ADI
Applications: Montages non-linaires typiques
Chapitre 4 L'ADI
Page 158
Composants
Notes:
Page 159
Composants
Notes:
Page 160

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SE1 - CMs Composants - de La Diode À l'ADI

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SE1 Composants lectroniques

PPN 2013: SE1

SE1 (M1104) Systmes lectroniques

PPN 2013: SE1

PPN 2013: SE1

PPN 2013: SE1

Universit du Havre, IUT du Havre

Ce composant est ralis avec un semi-conducteur.

Sans indication particulire,

La diode comprend deux bornes appeles lectrodes :

Un courant circule principalement dans le sens AK,

est le courant de saturation de la diode

Lorsque V > 0, la fonction exponentielle l'emporte rapidement sur le

La fonction I(V) tend rapidement vers une valeur constante puisque

Une diode, insre dans un circuit travers par un courant continu,

Ainsi, cette rsistance dpend du

Le constructeur fournit une caractristique pour chaque type de diode.

Le modle utilis pour la diode est

Diode avec seuil

Application: TD1, Ex.1

Le redressement une alternance.

Application: TD1, Ex.1

Ce montage met profit l'existence

Donc si e(t) est une fonction

Cette situation dure tant que la

La valeur limite pour e(t) est:

Pour e(t) > V1, la tension v(t)

Application: TD1, Ex.3, 4

Elle est utilise dans les redresseurs industriels:

Extrait de documentation constructeur:

Voltage 1 A part 3 A part

Pour des applications frquence leve, on remplace une diode

Extrait de document constructeur:

Extrait de document constructeur:

Pour une tension V = VZ appele tension de Zener, le courant

Leffet Zener est rversible et contrlable. La diode Zener est

Extrait de documentation constructeur:

Extrait de documentation constructeur:

Application: Montage potentiel fix:

Une jonction passante met de la lumire (non visible). Elle peut

Ces LED connaissent un dveloppement important dans le domaine

Les diodes lectroluminescentes (DEL ou LED) sont des diodes

Actuellement, les semiconducteurs les plus brillants sont:

Une LED de lumire blanche est typiquement

Extrait de document constructeur:

Extrait de document constructeur:

Extrait de document constructeur:

Complter les types de diodes:

PPN 2013: SE1

Universit du Havre, IUT du Havre

Chapitre 2 Le transistor BJT

Invent en 1948 par les Amricains J.

16 Dec 1947, Bell Lab.

"Loi de Moore": Gordon Moore, Fairchild R&D, 1962:

Cramming more components onto integrated circuits

Chapitre 2 Le transistor BJT

Le courant de collecteur Ic est proportionnel au courant de base Ib,

Pour donner un ordre de grandeur, le gain en courant peut varier