Fuentes de alimentacin

Breve recorrido por distintos tipos de

fuentes de alimentacin y sus
caractersticas generales y usos.

Albert Thomas La Plata

Ao 2007
Ing. Norberto Rosendo

ELECTRONES EN ACCION
V

En las pginas precedentes hemos hablado de la imposibilidad

de transmitir CC a grandes distancias y la necesidad de
introducir la CA y las redes polifsicas para subsanar este
inconveniente.
Sin embargo y como tambin decamos antes , la mayor parte
de los dispositivos electrnicos y aun los elctricos de
potencia como trenes, tranvas o procesos electroqumicos
necesitan la CC para poder trabajar.
Es por ello que es necesario contar con medios para poder
convertir facilmente la Corriente Alterna en Corriente
Continua.
De los desarrollos desde la vlvula de vaco y las vlvulas
gaseosas hasta llegar a los modernos semiconductores y de los
autores de esta gesta tecnolgica nos ocuparemos en las
siguientes diapositivas.

Edisson descubre en una lmpara en la que

accidentalmente un trozo de filamento quedo
incrustado en el vidrio de la ampolla que ese
trozo de metal conduca en cierta forma la
electricidad sin tener ningn contacto metlico
con el filamento.
Cuando la lmpara estaba apagada
no circulaba corriente.
Pero ni bien el filamento se pona
incadescente comenzaba a fluir
corriente por ese electrodo
accidental
Edisson tomo nota del fenmeno
y public sus descubrimientos.

- -- |

Como consecuencia del

calentamiento aparece sobre el
filamento una nube de
electrones.
Como consecuencia del
potencial + del electrodo
accidental que Edison llamo
ANODO los electrodos se
acercan a l.

Y como consecuencia de esta

atraccin se establece una
corriente elctrica que es
registrada por el
ampermetro.

John Ambrose FLEMING trabajando para la

firma MARCONI y en base a las
observaciones que antes haba realizado
Thomas Alva EDISON en el ao 1904
desarrolla un dispositivo similar a una
lmpara incandecente que permita que la
corriente fluyera en un solo sentido.
Habia nacido la vlvula termoinica
.

FLEMING, comprobo las observaciones de Edison que al ponerse

incandecente una superficie emite electrones.
Se di cuenta adems que no todos los materiales emiten la misma
cantidad de electrones y observo que el xido de bario y algunas tierras
raras tenan una emisin mucho mayor que el tunsteno del cual estaba
construdo el filamento incandescente.
Rodeo entonces el filamento con un tubo metlico recubierto con esos
xidos al que llamo ctodo.
Agrego luego un segundo tubo metlico que cubra al anterior que al
igual que Edison llamo nodo.
Todo el conjunto se cubria luego con
una ampolla de vidrio dentro de la cual
se hacia el vaco.
-

El siguiente paso lo dio Lee De Forest, este

inventor Estadounidense buscaba poder
controlar el volumen del sonido.
Para ello agrega un delgado tejido de alambre de
platino entre el ctodo y nodo del dodo de
Fleming.
Este tercer electrodo toma el nombre de
regilla de control
Esto ocurria en 1906

La importancia de este
descubrimiento fue
excepcional, tanto que
el trodo se lo
considera dentro de los
20 inventos mas
importantes de la
humanidad.
.

La importancia del trodo radica en que por primera vez era posible
amplificar una seal.
La posibilidad de la amplificacin de seales da lugar a toda una nueva
rama de la ciencia elctrica que se ha dado en llamar electrnica.
Otros inventores despues de Lee De Forest agregan otro electrodo de
control mas con lo que se crean los tubos tetrodo.
Un tercer electrodo de control da
lugar a la familia de vlvulas
denominada pentodo, grupo este
que junto con los diodos y triodos
llego a constituir toda una poca de
la industria electrnica.
.

La industria construyo miles de tipos de vlvulas de vaco,

diodos triodos, pentodos al vaco y con diversos gases como
relleno de las cpsulas de vidrio.
En general cuando las corrientes eran bajas se utilizaban
elementos al vaco y cuando las corrientes eran altas se
utilizaban elementos con gas.
La misma tecnologa de las vlvulas de vaco dio origen a otro
tipo de vlvulas, en las cuales en vaco lo ocupaba el gas de
mercurio, estas vlvulas de las cuales se construyeron
inumerables tipos se utilizaban escencialmente para
rectificacin.
Los rectificadores de mercurio como se los llamaba en la
poca se construan de vidrio y con cpsulas metlicas y
llegaron a manejar corrientes del orden de los miles de
mperes.

La gran ventaja de las vlvulas era que podan admitir fuertes

sobrecargas sin destruirse, la desventaja mayor de esta tecnologa fue
que requeran de potencia para calentar el filamento, ademas que su
envoltura de vidrio las hacia frgiles y su forma no se prestaba ni para la
miniaturizacin ni para la integracin en grandes grupos.
Otro de los inconvenientes de estos
dispositivos era que tenan una vida
til limitada porque los materiales
que se usaban para recubrir el ctodo
se agotaban por efecto del calor .
Los soviticos avanzaron mucho en el
camino de la miniaturizacin
aplicados a la industria aero espacial,
llegando a poner en rbita satelites que
utilizaban vlvulas en sus
transmisores.
En la imagen se ven dos pentodos que
se usaban a bordo de un MIG 29
.

Mientras se descubra y desarrollaba la electrnica del vaco, otros

investigadores exploraban el estado slido, tomemos algunos
hechos relevantes y algunas fechas:
Michael Faraday (1791-1867) descubri que el
sulfuro de plata tiene un coeficiente negativo de
resistencia.
En 1839 A. E. Becquerel observ
un fotovoltaje al alumbrar un
electrodo de un electrolito.

W. Smith, en 1873, advirti que la resistencia

del selenio disminuye al iluminarlo
En 1874, F. Braun descubri que la resistencia de los
contactos entre metales y pirirtas de galena depende
de la tensin aplicada sobre ellos; A. Schuster
observ algo similar en superficies pulidas y no
pulidas en cables de cobre.

En 1876, W. G. Adams y R. E. Day construyen la primer fotoclula, y

C. E. Fritts presenta el primer rectificador con selenio

Estos primeros rectificadores

de estado slido darian lugar
luego a la aparicin de las
famosas radio a galena
.

En la dcada de 1930, E. H. Hall descubre que la cantidad de

portadores de carga elctrica en los semiconductores es mucho
menor que en los metales, aunque a diferencia de stos, aumentan
rpidamente con la temperatura, y tambin que en los
semiconductores tienen mucha mayor movilidad. Tambin observ
que en algunos casos los portadores eran negativos y en otros
positivos.

Todos estos investigadores

buscaban de una u otra manera la
forma de conseguir materiales en
estado slido que pudieran ser
tiles como rectificadores.
DIODO DE SELENIO

Todas estas investigaciones conducan hacia una serie de materiales que

no eran ni conductores ni aislantes, y que por ello se los llamo
semiconductores.
Estos materiales, en su mayora formaciones cristalinas, presentaban este
particular comportamiento debido a que la banda que efectivamente
conduce es la que est casi vaca o casi llena, la poca densidad de los
portadores de carga en el seno del cristal hace que se comporten como un
gas clsico o maxweliano, desde el punto de vista elctrico.
Si pudieramos ver el interior de un
cristal de silicio veriamos una
estructura semejante a la que se
muestra en la figura adjunta

Antes de continuar debemos explicitar que es un cristal y como se

forma, en contraposicin con una sustancia amorfa.

Silicio amorfo con hidrogeno

Hidrogeno

La sustancia cristalina mantiene sus atomos ordenadados dentro de una

estructura regular, en el caso del silicio cbica.
Un material amorfo mantiene sus tomos unidos en una estructura que
presenta multiples dislocaciones e irregularidades.

En un cristal de silicio cada

atomo dispone de 4 enlaces
con sus vecinos
Cada tomo comparte
entonces sus electrones
exteriores con sus
vecinos de modo de
disponer 8 electrones
en la banda de valencia
El tener 8 electrones en la banda de valencia, convierte al Silicio en un
material estable, pero el hecho de que estos electrones esten
compartidos le da la caracterstica de semiconductor.
Es decir un material que no tiene tan aferrados sus electrones de
valencia como para impedir su movimiento y ser un aislante, ni los
tiene tan libres como para permitir que sea un buen conductor.

En este otro dibujo de la

red cristalina del silicio se
observa claramente la
estructura cbica del
mismo.
A los efectos de simplificar
introduciremos un modelo
esquemtico de la red
tridimensional ahora volcada en un
nico plano
En el dibujo vemos a cada uno de los
tomos de silicio rodeados de los 4
electrones de valencia propios y los
de sus vecinos

En el dibujo vemos una representacion de una estructura

tridimensional de un cristal de silicio reducida a un plano.
Los crculos rojos representan los ncleos atmicos (positivos)
del silicio y los circulos negros los electrones (negativos) de
valencia, suceptibles de movilidad.

Supongamos ahora calentar nuestra oblea de silicio de modo que algunos

electrones abandonen su rbita
Nuestro electrn sali de su rbita y dejo de tras de si un hueco o laguna.
La carga total del cristal sigue estando equilibrada, hay tantas cargas
positivas en los ncleos tomicos como electrones, sin embargo han
aparecido dos portadores libres, un electrn y una laguna.

Si ahora sometemos a
nuestro cristal a un
campo elctrico.
Observamos que el
electrn libre se
dirige hacia el
electrodo positvo,
mientras que la
laguna lo hace hacia
el negativo.
Existen en el cristal dos
corrientes una de
lagunas y una de
electrones
Finalmente el electron aportado por el electrodo negativo cubre la laguna
y el electrn libre es adsorbido por el electrodo positivo.

Si nuestro semiconductor tiene el mismo

nmero de portadores n (electrones)que
de portadores p(lagunas) se dice que es
un semiconductor intrinseco.
Realmente el nmero de portadores que
pueden conseguirse en un semiconductor puro son extremadamente escasos.
Es por ello que la corriente que fluye a traves de ellos es muy baja o
dicho de otra forma su resistencia ohmnica es relativamente alta.
El modelo nos muestra tambin que es necesario vencer la fuerza de
atraccin de cada uno de los tomos para arrancar el electrn que da
lugar a la conduccin.
En el ejemplo usamos calor para generar este portador pero tambin
podramos usar tensin para lograrlo, esa tensin mnima, sin la cual
no hay conduccin se llama barrera de potencial.

Los electrones se agrupan entorno al nucleo atmico y estan adheridos a

el mas o menos fuertemente dependiendo de varios factores entre otros el
tamao del radio atmico
Entre mas pequeo sea el atomo mas firmemente seran atraidos.
Los electrones que se encuentran cerca del
atomo, y determinan las caracteristicas
quimicas de este, se llaman electrones de
valencia
Nivel de
energa

Estos electrones pueden asumir distintos

niveles de energa muy bien
determinados, que segn el modelo de
PAULI definen la orbita donde se
encuentran.
Electrones de
valencia

Pauli en lo que se conoce como principio de exclucin

definio que dos electrones no pueden simultaneamente
tener los mismos nmeros cuanticos.
Esto en otras palabras significa que los electrones se
ordenaran en orbitas bien establecidas en cada una
de las cuales solo podra haber un determinado
nmero de electrones.
La energa de un electron en particular dependera de la distancia al
nucleo atmico, entre mayor sea esta distancia, mayor sera la energa
que tenga el electron.
Si aumenta mucho la energa de un electron este practicamente se
desprende del atomo y se transforma en un electron de conduccin.
La energa que requerira un electrn en particular para transformarse en
un electron de conduccin dependera fundamentalmente del tamao del
atomo y del nmero de capas de electrones que posea.

Electrones de conduccin

Nivel de
energa

Existen sustancias que los electrones

mas externos de valencia se
encuentran lejos, energeticamente
hablando, de los de conduccin.
Aparece entonces una zona que se
llama banda prohibida donde ese
nivel energetico no puede ser
asumido por ningn electrn.
Banda
prohibda

Electrones
de
valencia
.

conduccin

conduccin

conduccin

Banda
prohibda
valencia

Conductor

valencia

SemiConductor

valencia

Aislante

Una sustancia que tiene solapada la banda de valencia con la de

conduccin es un conductor.
Una sustancia que tiene la banda de valencia proxima a la de conduccin
es un semiconductor
Una sustancia que tiene la banda de valencia alejada de la de conduccin
es un aislante.
.

Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o

como aislante dependiendo del campo elctrico en el que se encuentre.
Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican
en la tabla siguiente.
Elemento

Nmero de electrones
Grupo en la ltima capa.

Cd (Cadmio)

II A

Al(aluminio) Ga (galio) B(boro)

In(indio)

III A

Si (silicio) Ge(germanio)

IV A

P (fosforo) As (arsenico)
Sb (antimonio)
Se (selenio) Te (Teluro) S (azufre)

VA

VI A

Los elementos semiconductores ms usados son el silicio y el germanio,

aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de
elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V
respectivamente AsGa (arsenuro de galio), PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y
SCd). De un tiempo a esta parte se ha comenzado a emplear tambin el
azufre.

Si y Ge poseen cuatro electrones en su ultima orbita y cualidades

similares, el germanio presenta una menor barrera de potencial que el
silicio, pero ese ultimo se prefiere muchas veces por tener un mayor
punto de fusin y ser mucho mas abundante en la naturaleza.
En los siguientes cuadros describiremos las caracteristicas generales de
estos elementos.

Es un elemento semimetlico cristalino, duro, brillante, de color blanco

grisceo. Su nmero atmico es 32, y pertenece al grupo 14 (o IVA) de la
tabla peridica.
El qumico ruso Dmitri Mendeliev predijo la existencia y propiedades qumicas
del germanio en 1871; debido a su posicin en la tabla peridica, detrs del
silicio, lo llam ekasilicio.

El elemento fue en realidad descubierto en el ao 1866 en yacimientos de argirodita (mineral de

sulfuro de plata) por el qumico alemn Clemens Alexander Winkler.
El germanio pertenece a la misma familia qumica que el carbono, el silicio y el plomo; se parece a
estos elementos en que todos ellos forman derivados orgnicos como el tetraetilo de germanio y el
tetrafenilo de germanio. El germanio forma hidruros germanometano o germano (GeH4),
germanoetano (Ge2H6) y germanopropano (Ge3H8) anlogos a los formados por el carbono en
la serie alcanos (vase Qumica orgnica). Sus compuestos ms importantes son el xido
germnico (GeO2) y los haluros. El germanio se separa de otros metales por destilacin de su
tetracloruro.
Ocupa el lugar 54 en abundancia entre los elementos de la corteza terrestre. Tiene un punto de
fusin de 937 C, un punto de ebullicin de 2.830 C, y una densidad relativa de 5,3; su masa
atmica es 72,59.
Se encuentra en pequeas cantidades en yacimientos de plata, cobre y cinc, as como en el
mineral germanita, que contiene un 8% de germanio. El elemento y sus compuestos tienen
numerosas aplicaciones. Los cristales de germanio convenientemente tratados tienen la propiedad
de rectificar o permitir el paso de la corriente elctrica en un solo sentido, por lo que fueron
empleados masivamente durante y despus de la II Guerra Mundial como detectores de UHF y
seales de radar. Los cristales de germanio tambin tienen otras aplicaciones electrnicas. Fue el
primer metal utilizado en los transistores, dispositivos electrnicos que requieren mucha menos
corriente que los tubos de vaco. El xido de germanio se emplea en la fabricacin de lentes
pticas y en el tratamiento de la anemia.

Es un elemento semimetlico, el segundo elemento ms

comn en la Tierra despus del oxgeno. Su nmero
atmico es 14 y pertenece al grupo 14 (o IVA) de la tabla
peridica. Fue aislado por primera vez de sus compuestos
en 1823 por el qumico sueco Jns Jakob barn de
Berzelius.
El silicio constituye un 28% de la corteza terrestre. No existe en estado
libre elemental, sino que se encuentra en forma de dixido de silicio y de
silicatos complejos. Los minerales que contienen silicio constituyen
cerca del 40% de todos los minerales comunes, incluyendo ms del 90%
de los minerales que forman rocas volcnicas. El mineral cuarzo, las
variedades del cuarzo (cornalina, crisoprasa, nice, pedernal y jaspe) y
los minerales cristobalita y tridimita son las formas cristalinas del silicio
existentes en la naturaleza. El dixido de silicio es el componente
principal de la arena. Los silicatos (en concreto los de aluminio, calcio y
magnesio) son los componentes principales de las arcillas, el suelo y las
rocas, en forma de feldespatos, anfiboles, piroxenos, micas y ceolitas, y
de piedras semipreciosas como el olivino, granate, zircn, topacio y

Los semiconductores en estado puro son entonces malos

conductores de la electricidad.
A los efectos de aumentar su conductividad se le agregan
impurezas que pueden aportar o sustraer electrones
libres.
Si contaminamos
una oblea de silicio con un atomo que tenga cinco
(5) electrones en su ltima capa estaremos agregando electrones
libres al cristal (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb))
Quinto electrn
Atomo de silicio

Atomo de
fosforo

Quinto
electron(-)

5 protones(+)

La carga elctrica neta de nuestro cristal se mantendra en cero, ya que

agregamos un atomo que tiene 5 electrones pero tambien tiene 5
protones, es decir queda equilibrado el nmero de cargas netas.
El proceso de agregar estas impurezas, en este caso donoras, se
denomina dopar el cristal, y en numeros puede decirce que se agrega un
atomo de fosforo por cada millon de atomos de silicio, por ejemplo.

N
Nuestro semiconductor al
que se lo ha dopado con
una impureza donora se
comporta ahora como un
simple conductor.
Un semiconductor que
presenta este tipo de
dopaje y que conduce en
base al movimiento de
electrones se denomina
semiconductor tipo N

Es posible dopar a los semiconductores con otros elementos que en

lugar de cinco electrones en su capa exterior tengan solo 3, en este caso
en lugar de cargas libres negativas generariamos un carga libre positiva
o laguna.
.
En la siguiente diapositiva vemos un ejemplo de un dopaje con aluminio.

Falta de
electron o
laguna
Atomo de
aluminio

P
Si ahora dopamos con un contaminante aceptor, tal como el Al que tiene
tres electrones en su capa mas externa tendremos un semiconductor que
tendra portadores positivos o lagunas.
Este tipo de semiconductor toma el nombre de P.
.

Observe que la laguna (en color azul) se desplaza como si se tratara de

una carga, cuando en realidad es una falta de ella, es decir un hueco.
En este tipo de semiconductor el desplazamiento de las cargas es
como si las mismas fueran positivas.

El dopage de los semiconductores se realiza por un proceso que se

llama difusin.
El proceso consiste en introducir la oblea semiconductora en un horno
con vapores de la sustancia contaminante.
Es posible entonces
Semiconductor puro
Cubierta aislante
cubrir un rea y
contaminar con una
sustancia donora.
Vapor
de
fosforo

Horno

Material a
difundir

Luego se cubre la
regin expuesta y se
expone a otra
sustancia
contaminante la
regin que se
encontraba cubierta.

Con ello conseguimos en un mismo cristal una zona N y una zona P.

.

Nuestra oblea de silicio quedara asi dividida en dos zonas bien

diferenciadas.
Una N donde predominan los electrones libres (contaminacin donora)

Y una zona P donde faltan electrones por haber sido contaminada con
una sustancia aceptora y donde los portadores son lagunas.
Conectaremos nuestra oblea a una FEM y observaremos el resultado a
nivel atmico.
.

Si conectamos nuestro cristal

tal como se muestra en la
figura
Es decir al lado N el positivo y
al lado P el negativo
observamos que:

Las lagunas se desplazan hacia la derecha, es decir hacia el borne negativo

Los electrones en cambio se desplazan hacia la izquierda, es decir hacia

el borne positivo.
Tanto electrones como lagunas no salen del cristal ni mantiene una
corriente, por lo tanto el cristal despues de haber evacuado a sus
electrones libres deja de conducir.
En conclusin, una juntura polarizada en forma inversa no conduce
corriente.

Conectamos ahora nuestro

cristal haciendo coincidir
el extremo N con el polo
negativo y el extremo P
con el polo positivo
Observamos ahora que
se establece una
corriente por el cristal.
Al llegar a la juntura de ambos tipos de cristal ahora las lagunas se
reconbinan con los electrones permitiendo la circulacin de la corriente.
En conclusin, una juntura polarizada en forma directa
conduce corriente
.

Nuestra humilde juntura semiconductora , fruto del desarrollo de

mas de 2000 aos de civilizacin se ha transformado as en un
diodo de estado slido, pieza basal de la moderna electrnica.

Esta serie de imgenes fue realizada para ser

utilizada en el dictado de clases de la
ESCUELA de EDUCACION TECNICA Nro 6
ALBERT THOMAS de La Plata
Se ha hecho el deposito que marca la ley y los derechos de
autor sobre los contenidos se hallan resguardados
A pesar de ello estas imgenes son de libre utilizacin en todas
las escuelas pblicas y solo se requiere que se mencione a sus
autores.
Para la utilizacin de estas imgenes en escuelas
privadas comunicarse previamente con
cflp@amc.com.ar a los efectos de tramitar las
respectivas autorizaciones.