Universidad de Oviedo

rea de Tecnologa
Electrnica

Introduccin a la Electrnica de Dispositivos

Objetivo: Introducir los conceptos bsicos sobre el
funcionamiento de los dispositivos semiconductores
Asignaturas:
Dispositivos Electrnicos (1 de Ing. Telecomunicacin)
Electrnica General (4 de Ing. Industrial)
Autor: Javier Sebastin Ziga

Departamento de Ingeniera Elctrica, Electrnica, de

Computadores y de Sistemas

ATE-UO present.

rea de Tecnologa
Electrnica

Universidad de
Oviedo

Introduccin a la Electrnica de
Dispositivos
Materiales semiconductores (Sem01.ppt)
La unin PN y los diodos semiconductores
(Pn01.ppt)
Transistores (Trans01.ppt)
Departamento de Ingeniera Elctrica, Electrnica, de
Computadores y de Sistemas

ATE-UO Sem 00

Materiales semiconductores (I)

Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio (Si)
Compuestos IV: SiC y SiGe
Compuestos III-V:
Binarios: GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP y InSb
Ternarios: GaAsP, AlGaAs
Cuaternarios: InGaAsP
Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe y CdTe

Son
Son materiales
materiales de
de conductividad
conductividad intermedia
intermedia entre
entre la
la
de
de los
los metales
metales yy la
la de
de los
los aislantes,
aislantes, que
que se
se modifica
modifica
en
en gran
gran medida
medida por
por la
la temperatura,
temperatura, la
la excitacin
excitacin
ptica
pticayylas
lasimpurezas.
impurezas.
ATE-UO Sem 01

Materiales semiconductores (II)

Estructura atmica del Carbono (6 electrones)
1s2 2s2 2p2
Estructura atmica del Silicio (14 electrones)
1s2

2s2 2p6

3s2 3p2

Estructura atmica del Germanio (32 electrones)

1s2

2s2 2p6

3s2 3p6 3d10

4s2 4p2

44 electrones
electrones en
en la
la ltima
ltima capa
capa
ATE-UO Sem 02

Materiales semiconductores (III)

Carbono gaseoso (6 electrones) 1s2, 2s2, 2p2
4 estados vacos

- -

2p2

- -

2s2

- -

1s2

Distancia interatmica
Banda de estados

Estados discretos
(tomos aislados)
ATE-UO Sem 03

Materiales semiconductores (IV)

Energa

Reduccin de la distancia interatmica del Carbono

- - - -

- - -

- - Distancia interatmica

Diamante:
Diamante:
Cbico,
Cbico,transparente,
transparente,
duro
duro yyaislante
aislante

Grafito:
Grafito:
Hexagonal,
Hexagonal,negro,
negro,
blando
blando yyconductor
conductor
ATE-UO Sem 04

Diagramas de bandas (I)

Energa

Diagrama de bandas del Carbono: diamante

4 estados/tomo
Eg=6eV
- - 4 electrones/tomo
- -

Banda de conduccin
Banda prohibida
Banda de valencia

Si
Si un
un electrn
electrn de
de la
la banda
banda de
de valencia
valencia alcanzara
alcanzara la
la energa
energa
necesaria
necesariapara
parasaltar
saltaraala
labanda
banda de
deconduccin,
conduccin,podra
podramoverse
moverseal
al
estado
estado vaco
vaco de
de la
la banda
banda de
de conduccin
conduccin de
de otro
otro tomo
tomo vecino,
vecino,
generando
generandocorriente
corrienteelctrica.
elctrica.AAtemperatura
temperaturaambiente
ambientecasi
casiningn
ningn
electrn
electrntiene
tieneesta
estaenerga.
energa.
Es
Esun
unaislante.
aislante.
ATE-UO Sem 05

Diagramas de bandas (II)

Energa

Diagrama de bandas del Carbono: grafito

4 estados/tomo

- - 4 electrones/tomo

Banda de
conduccin

Banda de
valencia

No
No hay
haybanda
banda prohibida.
prohibida. Los
Los electrones
electrones de
de la
la banda
banda de
de
valencia
valenciatienen
tienenla
lamisma
mismaenerga
energaque
quelos
losestados
estadosvacos
vacos
de
dela
labanda
bandade
deconduccin,
conduccin,por
porlo
loque
quepueden
puedenmoverse
moverse
generando
generando corriente
corriente elctrica.
elctrica. AA temperatura
temperatura ambiente
ambiente
es
esun
unbuen
buenconductor.
conductor.
ATE-UO Sem 06

Diagramas de bandas (III)

Energa

Diagrama de bandas del Ge

4 estados/tomo
Eg=0,67eV
- - 4 electrones/tomo
- -

Banda de conduccin
Banda prohibida
Banda de valencia

Si
Si un
un electrn
electrn de
de la
la banda
banda de
de valencia
valencia alcanza
alcanza la
la energa
energa necesaria
necesaria
para
para saltar
saltar aa la
la banda
banda de
de conduccin,
conduccin, puede
puede moverse
moverse al
al estado
estado
vaco
vaco de
de la
la banda
banda de
de conduccin
conduccin de
de otro
otro tomo
tomo vecino,
vecino, generando
generando
corriente
corriente elctrica.
elctrica. AA temperatura
temperatura ambiente
ambiente algunos
algunos electrones
electrones
tienen
tienenesta
estaenerga.
energa. Es
Esun
unsemiconductor.
semiconductor.
ATE-UO Sem 07

Diagramas de bandas (IV)

Banda de
conduccin
Eg
Banda de
valencia
Aislante
Eg=5-10eV

Banda de
conduccin

Banda de
conduccin

Eg

Banda de
valencia
Semiconductor
Eg=0,5-2eV

Banda de
valencia
Conductor
No hay Eg

AA0K,
0K,tanto
tantolos
losaislantes
aislantescomo
comolos
lossemiconductores
semiconductoresno
noconducen,
conducen,
ya
ya que
que ningn
ningn electrn
electrn tiene
tiene energa
energa suficiente
suficiente para
para pasar
pasar de
de la
la
banda
bandade
devalencia
valenciaaala
lade
deconduccin.
conduccin.AA300K,
300K,algunos
algunoselectrones
electrones
de
de los
los semiconductores
semiconductores alcanzan
alcanzan este
este nivel.
nivel. Al
Al aumentar
aumentar la
la
temperatura
temperatura aumenta
aumenta la
la conduccin
conduccin en
en los
los semiconductores
semiconductores (al
(al
contrario
contrarioque
queen
enlos
losmetales).
metales).
ATE-UO Sem 08

Representacin plana del Germanio a 0 K

-

Ge

G
e

G
e

G
e

Ge

G
e

Ge

Ge

No
No hay
hay enlaces
enlaces covalentes
covalentes rotos.
rotos. Esto
Esto equivale
equivale aa
que
que los
los electrones
electrones de
de la
la banda
banda de
de valencia
valencia no
no
pueden
pueden saltar
saltar aala
labanda
bandade
deconduccin.
conduccin.
ATE-UO Sem 09

G
e

G
e

G
e

G
e

G
e

G
e

G
e

G
e

Situacin del Ge a 0K
300 K
(I)

99
Hay
1
enlace
roto
por
cada
1,710
Hay 1 enlace roto por cada 1,710 tomos.
tomos.
Un
Un electrn
electrn libre
libre yy una
una carga
carga +
+ por
por cada
cada
enlace
enlace roto.
roto.
ATE-UO Sem 10

Situacin del Ge a 300 K (II)

-

Recombinacin
G
e

Generacin
G
e

G
e

Recombinacin

G
e

G
e

G
e

Generacin

G
e

G
e

Muy
importante

Generacin

Siempre
Siempre se
se estn
estn rompiendo
rompiendo (generacin)
(generacin) yy
reconstruyendo
reconstruyendo (recombinacin)
(recombinacin) enlaces.
enlaces. La
La vida
vida media
media
de
de un
un electrn
electrn puede
puede ser
ser del
del orden
orden de
de milisegundos
milisegundos oo
microsegundos.
microsegundos.
ATE-UO Sem 11

G
e

- -

G
e

-G
e

G
e

G
e

- -

G
e

G
e

G
e

+++++++

Aplicacin de un campo externo (I)

El
Elelectrn
electrnlibre
librese
semueve
muevepor
poraccin
accindel
delcampo.
campo.
Y
Yla
lacarga
carga+
+?.
?.
ATE-UO Sem 12

G
e

G
e

--

G
e

G
e

G
e

G
e

G
e

G
e

Muy
importante

+++++++

Aplicacin de un campo externo (II)

La
Lacarga
carga+
+se
semueve
muevetambin.
tambin.Es
Esun
unnuevo
nuevo
portador
portadorde
decarga,
carga,llamado
llamado hueco
hueco..
ATE-UO Sem 13

Mecanismo de conduccin. Interpretacin

en diagrama de bandas
tomo 1

tomo 2

- +- -

+
-

- -

Campo elctrico

tomo 3

- - -

+
ATE-UO Sem 14

Movimiento de cargas por un campo

elctrico exterior (I)

jp

jn

+++++

Existe
Existecorriente
corrienteelctrica
elctricadebida
debidaaalos
losdos
dosportadores
portadoresde
decarga:
carga:

jjpp=q
=qppp
p es
esla
ladensidad
densidadde
decorriente
corrientede
dehuecos.
huecos.

jjnn=q
=qnnn
n es
esla
ladensidad
densidadde
decorriente
corrientede
deelectrones.
electrones.

ATE-UO Sem 15

Movimiento de cargas por un campo elctrico

exterior (II)

jp=q pp

jn=q nn

q = carga del electrn

p = movilidad de los huecos
n = movilidad de los electrones
p = concentracin de huecos
n = concentracin de electrones
= intensidad del campo elctrico
Ge
Si
As Ga
n
p

(cm2/Vs)

(cm2/Vs)

(cm2/Vs)

3900

1350

8500

1900

480

400

Muy
importante
ATE-UO Sem 16

Semiconductores Intrnsecos
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados
Semiconductores Intrnsecos, en los que:
No hay ninguna impureza en la red cristalina.
Hay igual nmero de electrones que de huecos n = p = n i
Ge: ni = 21013 portadores/cm3
Si: ni = 1010 portadores/cm3
AsGa: ni = 2106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)

Pueden
Puedenmodificarse
modificarse estos
estosvalores?
valores?
Puede
Puededesequilibrarse
desequilibrarseel
elnmero
nmero de
de electrones
electrones yyde
de
huecos?
huecos?
La
Larespuesta
respuestason
sonlos
los Semiconductores
Semiconductores Extrnsecos
Extrnsecos
ATE-UO Sem 17

Semiconductores Extrnsecos (I)

Introducimos pequeas cantidades de impurezas del

G
e

0K
-

G
e

G
e

- -

Tiene 5 electrones en la
ltima capa

Sb
3

G
e

G
e

G
e

G
e

grupo V

A
A0K,
0K, habra
habra un
un electrn
electrn
adicional
adicional ligado
ligado al
al tomo
tomo
de
de Sb
Sb
ATE-UO Sem 18

Semiconductores Extrnsecos (II)

G
e

- -

300K
0K

G
e

Ge

Sb
Sb+

Ge

G
e

Ge

Ge

AA300K,
300K, todos
todos electrones
electrones adicionales
adicionales de
de los
los tomos
tomos de
de Sb
Sb estn
estn
desligados
desligados de
de su
su tomo
tomo (pueden
(pueden desplazarse
desplazarse yy originar
originar corriente
corriente

elctrica).
elctrica). El
El Sb
Sb es
es un
un donador
donador yy en
en el
el Ge
Ge hay
hay ms
ms electrones
electrones
que
quehuecos.
huecos.Es
Esun
unsemiconductor
semiconductor tipo
tipo N.
N.
ATE-UO Sem 19

Semiconductores Extrnsecos (III)

Energa

Interpretacin en diagrama de bandas de un

semiconductor extrnseco Tipo N

3
4 est./atm.
1
0 electr./atm.
ESb=0,039eV

300K
0K
Eg=0,67eV

- - - 4 electr./atm.
El
El Sb
Sb genera
genera un
un estado
estado permitido
permitido en
en la
la banda
banda
prohibida,
prohibida, muy
muy cerca
cerca de
de la
la banda
banda de
de conduccin.
conduccin. La
La
energa
energa necesaria
necesaria para
para alcanzar
alcanzar la
la banda
banda de
de
conduccin
conduccinse
seconsigue
consigueaala
latemperatura
temperaturaambiente.
ambiente.
ATE-UO Sem 20

Semiconductores Extrnsecos (IV)

Introducimos pequeas cantidades de impurezas del

G
e

0K
-

G
e

Ge

Tiene 3 electrones en la
ltima capa

Al

Ge

G
e

Ge

Ge

grupo III

A
A0K,
0K, habra
habra una
una falta
falta de
de
electrn
electrn adicional
adicional ligado
ligado
al
al tomo
tomo de
de Al
Al
ATE-UO Sem 21

Semiconductores Extrnsecos (V)

G
e

300K
0K

G
4 (extra) e

Ge

Al
Al

Ge

G
e

Ge

Ge

AA 300K,
300K, todas
todas las
las faltas
faltas de
de electrn
electrn de
de los
los tomos
tomos de
de
Al
Al estn
estn cubiertas
cubiertas con
con un
un electrn
electrn procedente
procedente de
de un
un
tomo
tomo de
de Ge,
Ge, en
en el
el que
que se
se genera
genera un
un hueco.
hueco. El
El Al
Al es
es un
un
aceptador
aceptador yy en
en el
el Ge
Ge hay
hay ms
ms huecos
huecos que
que electrones.
electrones. Es
Es
un
unsemiconductor
semiconductor tipo
tipoP.
P.
ATE-UO Sem 22

Semiconductores Extrnsecos (VI)

Energa

Interpretacin en diagrama de bandas de un

semiconductor extrnseco Tipo P

4 est./atom.
EAl=0,067eV

+- - 43 electr./atom.
- - 01 huecos/atom.
hueco/atom.

300K
0K
Eg=0,67eV

El
El Al
Al genera
genera un
un estado
estado permitido
permitido en
en la
la banda
banda prohibida,
prohibida,
muy
muy cerca
cerca de
de la
la banda
banda de
de valencia.
valencia. La
La energa
energa necesaria
necesaria
para
para que
que un
un electrn
electrn alcance
alcance este
este estado
estado permitido
permitido se
se
consigue
consigue aa la
la temperatura
temperatura ambiente,
ambiente, generando
generando un
un hueco
hueco
en
enla
labanda
bandade
devalencia.
valencia.
ATE-UO Sem 23

Resumen
Semiconductores intrnsecos:

Muy
importante

Igual nmero de huecos y de electrones

Semiconductores extrnsecos:
Tipo P:
Ms huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios)
Impurezas del grupo III (aceptador)
Todos los tomos de aceptador ionizados -.

Tipo N:
Ms electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios)
Impurezas del grupo V (donador)
Todos los tomos de donador ionizados +.
ATE-UO Sem 24

Diagramas de bandas del cristal

Cristal de Ge con m tomos

Energa

4m estados
-

0K
300K
Banda de
conduccin

de
+- - - - - - - +- - - Banda
- - - - - - - - - - valencia
- - - - - - - - - - - - - - - - - - 4m electrones Cmo es la distribucin de
Cmo es la distribucin de

electrones
electrones ,, huecos
huecos yy estados
estados
en
enla
larealidad?
realidad?
ATE-UO Sem 25

Densidad de estados en las bandas

de conduccin y valencia
gc(E)= densidad de estados en
E

gc(E)

Ec
Ev

Banda prohibida

E1

dE

gv(E)

los que puede haber electrones

en la banda de conduccin
Eg=0,67eV (Ge)

gv(E)= densidad de estados en

los que puede haber electrones
en la banda de valencia

Significado:gv(E1)dE = n de estados, por unidad de

volumen, con energa entre E1 y E1+dE, en los que puede
haber electrones en la banda de valencia. Lo mismo se
ATE-UO Sem 26
define para la banda de conduccin.

Funcin de Fermi f(E)

f(E) es la probabilidad de que un estado de
energa E est ocupado por un electrn, en
equilibrio

f(E) =

f(E)

(E-EF)/kT

1+e

T=0K
EF=nivel de Fermi
k=constante de Boltzmann
T=temperatura absoluta

0,5

T=500K

T=300K

0
0

EF

E
ATE-UO Sem 27

Calculamos la concentracin de electrones en

la banda de conduccin, n.
Estados vacos
Estados posibles
completamente

En general:

n = gc(E)f(E)dE

gc(E)

Ec
EF
Ev
gv(E)

A 0K:
f(E)b. cond.=0,
luego n = 0

f(E)
Estados
completamente
Estados
posibles
llenos de electrones

0,5

1
ATE-UO Sem 28

Semiconductor intrnseco a alta temperatura

(para que se puedan ver los electrones)
n electrones/vol.
Estados
posibles

E
Ec

n=

gc(E)

gc(E)f(E)dE

EF
Ev
huecos
gv(E)
Estados
posibles 0
Electrones

f(E)
0,5

1
ATE-UO Sem 29

Calculamos la concentracin de huecos en la

banda de valencia, p.
Electrones
Estados
posibles

p=

E
Ec

gv(E)(1-f(E))dE = n
-

1-f(E)

gc(E)

EF
Ev
gv(E)
Huecos posibles 0
Estados

Ev

f(E)
0,5

El
Elnivel
nivelde
deFermi
Fermitiene
tiene
que
que ser
ser tal
tal que
que las
las
reas
reasque
querepresentan
representan
huecos
huecos yy electrones
electrones
sean
sean idnticas
idnticas (sem.
(sem.
intrnseco)
intrnseco)

ATE-UO Sem 30

Concentracin de electrones y huecos en sem.

intrnsecos, extrnsecos tipo N y extrnsecos tipo P

nn
n

1-f(E)
1-f(E)
1-f(E)

Sube
el nivel
nivel
Baja el
de Fermi
Fermi
de
pp p

f(E)
f(E)
f(E)

Semiconductor
extrnseco
Semiconductor
intrnseco
Semiconductor
extrnseco
tipotipo
P N
ATE-UO Sem 31

Relaciones entre n, p y ni

n=

p=

(EF-Ec)/kT
gc(E)f(E)dE Nc e

Nc es una constante
que depende de T3/2

Ev

gv(E)(1-f(E))dE Nv
-

Particularizamos para
el caso intrnseco:

(Ev-EF)/kT

ni = pi = Nve

Eliminamos Nc y Nv:
Finalmente obtenemos:

n = nie

Nv es otra constante
que depende de T3/2

(Ev-EFi)/kT

(EF-EFi)/kT

22
pn
=n
pn =nii

= Nce

p = nie

(EFi-Ec)/kT

(EFi-EF)/kT

Muy
importante
ATE-UO Sem 32

Ecuaciones en los semiconductores extrnsecos

ND= concentr. donador

NA= concentr. aceptador

Neutralidad elctrica (el semiconductor intrnseco era

neutro y la sustancia dopante tambin, por lo que
tambin lo ser el semiconductor extrnseco):
Dopado
Dopadotipo
tipoN:
N:
Dopado
Dopadotipo
tipoP:
P:

nn== pp ++NNDD
nn ++NNAA==pp

Ambos
Ambosdopados:
dopados: nn ++NNAA==pp ++NNDD
Producto np

Muy
importante

pn
pn =n
=ni2i2

Simplificaciones si ND >> ni
n=ND
NDp = ni2

Simplificaciones si NA >> ni
p=NA
NAn = ni2
ATE-UO Sem 33

Diagrama de bandas con campo elctrico interno y en equilibrio

1
2

V1

+
+ +
+
+ +

V2 2

- - -

++++

E21 = EFi2-EFi1 = (V2 - V1)(-q)

Ec

Ec

EFi
Ev

EFi1

n > ni

EFi2

p > ni

EF

Ev
2
1

1
ATE-UO Sem 34

Difusin de electrones (I)

n1

jn

jn

n2< n1

Los
Los electrones
electrones se
se han
han movido
movido por
por difusin
difusin
mismo
mismo fenmeno
fenmeno que
que la
la difusin
difusin de
de gases
gases oo
lquidos).
lquidos).

(el
(el
de
de

ATE-UO Sem 35

Difusin de electrones (II)

jn

n2< n1
n

n1

Mantenemos la
concentracin distinta

La
La densidad
densidad de
de corriente
corriente aa la
la que
que dan
dan origen
origen es
es proporcional
proporcional al
al
gradiente
gradientede
dela
laconcentracin
concentracinde
deelectrones:
electrones:

jjnn=qD
=qDnn nn

ATE-UO Sem 36

Difusin de huecos (I)

p1

++

+
+

+
+

+
+

jp

p2< p1

Los
Los huecos
huecos se
se han
han movido
movido por
por difusin
difusin (el
(el mismo
mismo
fenmeno
fenmenoque
quela
ladifusin
difusin de
de electrones).
electrones).
ATE-UO Sem 37

Difusin de huecos (II)

+

p1

Mantenemos la
concentracin distinta

+
+
+

+
+

jp

p2< p1

La
La densidad
densidad de
de corriente
corriente es
es proporcional
proporcional al
al gradiente
gradiente de
de la
la
concentracin
concentracinde
dehuecos,
huecos,aunque
aunquesu
susentido
sentidoes
esopuesto:
opuesto:

jjpp=-qD
=-qDpp pp

ATE-UO Sem 38

Resumen de la difusin de portadores

jn=qDn n

jp=-qDp p

Dn = Constante de difusin de electrones

Dp = Constante de difusin de huecos
Ge
Si
As Ga
(cm2/s)

(cm2/s)

(cm2/s)

Dn

100

35

220

Dp

50

12,5

10

Muy
importante

Ntese
Ntese que
que las
las corrientes
corrientes de
de difusin
difusin no
no dependen
dependen
de
de las
las concentraciones,
concentraciones, sino
sino de
de la
la variacin
variacin
espacial
espacial (gradiente)
(gradiente)de
delas
lasconcentraciones.
concentraciones.
ATE-UO Sem 39

Equilibrio difusin-campo para electrones (I)

2

n1

+++++

jn difusin=qDndn/dx
jn campo=q nn

Equilibrio:
+
j
=0
Equilibrio: jjnndifusin
+
j
n
campo
difusin
n campo=0

n2< n1

jn difusin

jn campo
ATE-UO Sem 40

Equilibrio difusin-campo para electrones (II)

V1

+++++

n1

V2

n2< n1

Sustituimos e integramos:

jn difusin=qDndn/dx

jn campo=q nn

=-dV/dx

VV2121=V
=V22-V
-V11=-(D
=-(Dnn/
/nn)ln(n
)ln(n11/n
/n22))
ATE-UO Sem 41

Equilibrio difusin-campo para huecos (I)

p1

+
+

+
+

jp difusin=-qDpdp/dx
jp campo=q pp

+
+

jp difusin

jp campo

+++++

p2< p1

Equilibrio:
+
j
=0
Equilibrio: jjppdifusin
+
j
p
campo
difusin
p campo=0
ATE-UO Sem 42

Equilibrio difusin-campo para huecos (II)

1 +

+
+

+
+

+
+

p1

+++++

V1

V2

p2< p1

Sustituimos e integramos:

jp difusin=-qDpdp/dx

jp campo=q pp

=-dV/dx

VV2121=V
=V22-V
-V11=(D
=(Dpp/
/pp)ln(p
)ln(p11/p
/p22))
ATE-UO Sem 43

V1

+
+
+

p1, n1
Partimos de:

+++++

Equilibrio difusin-campo para electrones y

huecos (I)
1
2

V2

p2, n2

V21 = V2-V1 = (Dp/ p)ln(p1/p2)

V21 = V2-V1 = -(Dn/ n)ln(n1/n2)
p1.n1 = ni2

p2.n2 = ni2

ATE-UO Sem 44

Equilibrio difusin-campo para electrones y

huecos (II)
se obtiene:

p1/p2 = n2/n1

Partimos de: n1 = nie

(EF-EFi1)/kT

Dp/ p = Dn/ n
n2 = nie

(EF-EFi2)/kT

EFi2-EFi1 =q(V1-V2)
se obtiene:

q(V2-V1)/kT

n2/n1 = e

y, por tanto:

V2-V1 = (Dn/ n)ln(n2/n1) = (Dn/ n) q(V2-V1)/kT

D
Dnn/
/nn== kT/q
kT/q == VVTT (Relacin
(Relacinde
deEinstein)
Einstein)
tambin:
tambin: D
Dnn/
/nn== D
Dpp/
/pp == kT/q
kT/q == VVTT
((V
VTT ==26mV
26mVaa300K)
300K)
ATE-UO Sem 45

Resumen:

V2

p2<p1
n2>n1

(V2-V1)/ VT

V2-V1 = VTln(p1/p2)
V2-V1 = VTln(n2/n1)

p1,-n1

V1

+++

Equilibrio difusin-campo para electrones y

huecos (III)
2
1

(VT = 26mV a 300K)

p1/p2 = e

(V2-V1)/ VT

n2/n1 = e

Muy
importante
ATE-UO Sem 46

Evolucin temporal de un exceso en la

concentracin de minoritarios (I)
Partimos de un semiconductor tipo N. Dibujamos los pocos huecos

En t<0,

p(t) = p
+

N
+

+
+

+
+

+
+

p0

En t=0, incide luz (por ejemplo), por lo que:

p=n p(0)=p0>>pn(0)=n0 n
(Hiptesis de baja inyeccin: p0<<n)

ATE-UO Sem 47

Evolucin temporal de un exceso en la

concentracin de minoritarios (II)
Definimos el exceso de minoritarios:
p(t)=p(t)- p

+
+

+
+

p0= p0-p

+
+

+
+

p0

Cesa
Cesa la
la luz.
luz. Hay
Hay un
un exceso
exceso de
de concentracin
concentracin de
de
huecos
huecos con
con relacin
relacin aa la
la de
de equilibrio
equilibrio trmico.
trmico. Se
Se
incrementan
incrementanlas
lasrecombinaciones.
recombinaciones.
ATE-UO Sem 48

Evolucin temporal de un exceso en

concentracin de minoritarios (III)
t=0 , p0

N
t=t1 , p1<p0

N
t= , p<p1

+
+

+
+

+
+

p0

la

p01

p1

+
ATE-UO Sem 49

Evolucin temporal de un exceso en la

concentracin de minoritarios (IV)
Cmo es esta
p(t)
curva?
p0
p1
p2
p

t1

t2

Representamos el exceso de concentracin

p0

p(t)
p1 p
2

t1

t2

t
ATE-UO Sem 50

Evolucin temporal de un exceso en la

concentracin de minoritarios (V)
La tasa de recombinacin de huecos debe ser
proporcional al exceso en su concentracin:

-dp/dt = K1p

(ntese que dp/dt = dp/dt)

Integrando:

p(t) = p+p-p)e-tp
donde

p0
p

p= 1/K1 (vida media de los huecos)

p(t)

Muy
importante

t
ATE-UO Sem 51

Evolucin temporal de un exceso en la

concentracin de minoritarios (VI)
Interpretaciones de la vida media de los huecos p

p0

Tangente en el origen

Mismo rea

p(t)

p
p0

p
p(t)

p
p

Idea aproximada

Lo mismo con los electrones

ATE-UO Sem 52

Ecuacin de continuidad (I)

Objetivo: relacionar la variacin temporal y
espacial de la concentracin de los portadores.
El clculo se realizar con los huecos
Por
Por qu
qu razones
razones puede
puede cambiar
cambiar en
en el
el tiempo
tiempo la
la
concentracin
concentracin de
dehuecos
huecosen
eneste
esterecinto?
recinto?
1 Acumulacin de huecos al entrar y
salir distinta densidad de corriente

jp2

jp1
1

2
ATE-UO Sem 53

Ecuacin de continuidad (II)

Por
Por qu
qu razones
razones puede
puede cambiar
cambiar en
en el
el
tiempo
tiempo la
la concentracin
concentracin de
de huecos
huecos en
en este
este
recinto?
recinto?

2 Recombinacin de los huecos

electrones que pueda haber en exceso

ATE-UO Sem 54

Ecuacin de continuidad (III)

Por
Por qu
qu razones
razones puede
puede cambiar
cambiar en
en el
el tiempo
tiempo
la
laconcentracin
concentracinde
dehuecos
huecosen
en este
esterecinto?
recinto?

Luz
-

+
2

3 Generacin de un exceso de concentracin

de huecos y electrones por luz
ATE-UO Sem 55

Ecuacin de continuidad (IV)

1 Acumulacin de huecos al entrar y salir distinta densidad de corriente

jp(x)

jp(x+dx)

dx

Carga elctrica que entra por unidad de tiempo: jp(x)A

Carga elctrica que sale por unidad de tiempo: jp(x+dx)A
Variacin de la concentracin de huecos en el volumen
Adx por unidad de tiempo:

jp(x)A-jp(x+dx)A
qAdx

ATE-UO Sem 56

Ecuacin de continuidad (V)

1 Acumulacin de huecos al entrar y salir distinta densidad de
corriente (continuacin)

Si la corriente vara en 3 dimensiones, la variacin

de la concentracin de huecos por unidad de

tiempo en el volumen Adx, ser :

jp/q

2 Recombinacin de los huecos que pueda haber en exceso

La variacin de la concentracin de huecos por unidad

de tiempo en el volumen Adx, ser :

-[p(t)- p]/ p

3 Generacin de un exceso de concentracin de huecos por luz

La variacin de la concentracin de huecos por unidad

de tiempo en el volumen Adx debida a luz:

GL
ATE-UO Sem 57

Ecuacin de continuidad (VI)

Ecuacin de continuidad para los
huecos:

p/t = GL- [p(t)-p]/ p

jp/q

Igualmente para los electrones:

n/t = GL- [n(t)-n]/ n

Muy
importante

jn/q

ATE-UO Sem 58

Caso de especial inters en la aplicacin

de la ecuacin de continuidad
Admitiendo:
1 dimensin (solo x)
estudio de minoritarios (huecos en zona N y
electrones en zona P)
campo elctrico despreciable (=0)
bajo nivel de inyeccin (siempre menos
minoritarios que mayoritarios)
Queda: d(jp zonaN )/dx = -qDp 2p/x2
d(jn zonaP )/dx = qDn 2n/x2
22
22
p
/t
=
G
-p
/
+D

p
/x
pNN/t = GLL-pNN/pp+Dpp pNN/x
22
22
n
/t
=
G
-n
/
+D

n
/x
nPP/t = GLL-nPP/nn+Dnn nPP/x

ATE-UO Sem 59

Inyeccin continua de minoritarios por una

seccin (rgimen permanente) (I)
+
+
+

+
+
+

+
+

+
+
+

+
+

N
+

xN

Hay que resolver la ecuacin de continuidad en este caso:

0 = -pN/ p+Dp 2pN/x2

La solucin es:

pN(x) = C1e-x/Lp + C2ex/Lp

donde

Lp=(Dp p)1/2

(Longitud de Difusin de huecos)

ATE-UO Sem 60

Inyeccin continua de minoritarios por una

seccin (rgimen permanente) (II)
Si XN>>Lp ,entonces:
C2=0

C1=pN(0)-pN()=pN0-pNpN0

Por tanto:

-xL
-xLpp
ppNN(x)
=
p
+p
-p
)e
(x) = pN
+p
-p
)e
N0
N
N
N0
N

A esta conclusin tambin se llega integrando:

-dpN(X)/dx = K2pN(x)
y teniendo en cuenta que:
Lp= 1/K2 , pN()= pN sin inyeccin
(proceso paralelo al seguido para calcular
evolucin en el tiempo en vez de en el espacio)

la

ATE-UO Sem 61

Interpretacin de la longitud de difusin

de los huecos Lp
Muy

pN0

pN0
pN

Mismo rea

pN(x)

pN

importante

Tangente en el origen

pN

Lp
pN(x)

Idea aproximada

pN

Lp
Con
Conlos
loselectrones
electronesminoritarios
minoritariosde
deuna
unazona
zonaPPsucede
sucedelo
lomismo
mismo
ATE-UO Sem 62