UNIVERSIDAD NACIONAL

MAYOR DE SAN MARCOS

Facultad de Ingeniera
Electrnica y Elctrica

EL TRANSISTOR
UJT

EL TRANSISTOR UJT
(transistor de unijuntura)
Tambin llamado transistor monounin, uniunion.
Este es un dispositivo de conmutacin del tipo ruptura.
Sus caractersticas lo hacen muy til en muchos
circuitos industriales, incluyendo temporizadores,
osciladores, generadores de onda, y ms importante
an, en circuitos de control de puerta para SCR y
TRIACs.
Este dispositivo puede provocar grandes tiristores con
un pulse en la base 1
Smbolo. Consiste de tres terminales
llamados emisor (E), base 1 (B1) y base 2
(B2)

 Es un dispositivo semiconductor unipolar, con un

funcionamiento diferente al de otros dispositivos. Es
un dispositivo de disparo.
Esta constituido por dos regiones contaminadas con
tres terminales externos: dos bases y un emisor. El
emisor esta fuertemente dopado con impurezas P y
la regin N dbilmente dopado con N. Por ello, la
resistencia entre las dos bases, Rbb o resistencia
interbase, es elevada (de 5 a 10Kestando el emisor
abierto).

Estructura. La unin P-N del dispositivo se

forma en la frontera entre la varilla de
aluminio y la barra de silicio tipo N.

CIRCUITO EQUIVALENTE
El modelo equivalente representado
en la siguiente figura esta constituido
por un diodo que excita la unin de
dos resistencias internas, RB1 y RB2 ,
que verifican RBB = RB1+ RB2.
Cuando el diodo no conduce, la cada
de tensin en R1 (V1) se puede
expresar como:
Donde:
En donde VB2B1 es la diferencia de
tensin entre las bases del UJT y el
es el factor de divisin de tensin
conocido como relacin intrnseca.

FUNCIONAMIENTO DEL UJT

El punto de funcionamiento viene determinado por las
caractersticas del circuito exterior.
El funcionamiento del UJT se basa en el control de la
resistencia RB1B2 mediante la tensin aplicada al emisor.
Si el emisor no est conectado VE < VP Diodo
polarizado inversamente no conduce IE = 0.

Si VE VP Diodo polarizado directamente conduce

aumenta IE.
Cuando IP < IE < IV entramos en una zona de
resistencia negativa donde RBB varia en funcin de IE .
A partir del punto de funcionamiento, si IE disminuye
hasta alcanzar un valor inferior a IV el diodo se polariza
inversamente.

CURVA CARACTERISTICA
En la curva se puede apreciar que a medida que aumenta el
VE, aumenta la corriente IE hasta un punto mximo IP.
Mas all del punto mximo, la corriente aumenta a medida
que disminuye la tensin en la regin de resistencia negativa.
La tensin alcanza un mnimo en el punto valle.
La resistencia RB1, la resistencia de saturacin es mas bajo en
el punto valle.

Donde:
Vp: Voltaje de pico o
tensin de disparo

Ip: Corriente de pico

(de 20 a 30 A)

Vv: Voltaje de valle del

emisor

Iv: Corriente de valle del

emisor

Regin de corte.-

En esta regin, la tensin de

emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene
polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de
emisor es muy baja y se verifica que VE < VP e IE < IP. Esta
tensin de pico en el UJT viene definida por la siguiente
ecuacin:
Donde la VD varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico
de 0.5 V. El UJT en esta regin se comporta como un
elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.

Regin de resistencia negativa.- Si la tensin

de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es
decir, VE=VP entonces el diodo entra en conduccin e
inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la
resistencia R1 debido a procesos de recombinacin.

Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su

resistencia interna con un comportamiento similar a la
de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta
regin, la corriente de emisor esta comprendida entre la
corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).

Regin de saturacin.-Esta zona es similar a la

zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de
mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy
baja resistencia entre la tensin y la corriente de emisor. En
esta regin, la corriente de emisor es mayor que la corriente
de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto
de valle, el UJT entrara de forma natural a la regin de corte.
Hay dos tipos de transistores monounin:
El transistor monounin original, o UJT.
(El 2N2646 es la versin ms utilizada de la
UJT)
El transistor monounin programable o
PUT , es un primo cercano del tiristor (El
2N6027 es un ejemplo de tal dispositivo).

APLICACIONES DEL UJT

Funcionamiento de un oscilador de relajacin con
UJT
Circuito que sirve para generar seales para dispositivos de control
de potencia como Tiristores o TRIACs
El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor
UJT, cuando esto sucede este se descarga a travs de la unin E-B1.

El capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje que se llama

de valle (Vv) de aproximadamente 2.5 Voltios.
Con este voltaje el UJT se apaga (deja de conducir entre E y B1) y el
capacitor inicia su carga otra vez. (Ver la lnea verde en el siguiente
grfico)
El grfico de lnea negra representa el voltaje que aparece en el
resistor R3 (conectado entre B1 y tierra) cuando el capacitor se
descarga.

 Si se desea variar la frecuencia de oscilacin se puede

modificar tanto el capacitor C como el resistor R1. R2 y R3
tambin son importantes para encontrar la frecuencia de
oscilacin.
La frecuencia de oscilacin est aproximadamente dada por: F
= 1/R1C
Es muy importante saber que R1 debe tener valores que deben
estar entre lmites aceptables para que el circuito pueda oscilar.
Estos valores se obtienen con las siguientes frmulas:
R1 mximo = (Vs - Vp) / Ip
R1 mnimo = (Vs - Vv) / Iv

 Donde:
Vs = es el valor del voltaje de alimentacin (en nuestro
circuito es
de 20 Voltios)
Vp = valor obtenido dependiendo de los parmetro del
UJT en particular
Ip = dato del fabricante
Vv =dato del fabricante
Iv = dato del fabricante

Lista de componentes:
Transistores: 1 transistor de uniunin UJT 2N4870 o
2N2646Resistores: 1 de 50 K, (Kilohmios), 1 de 330,
(Ohmios), 1 de 47, (Ohmios)
Capacitores: 1 de 0.1 uF, (uF = microfaradios)
Otros: 1 fuente de 20 voltios (una batera de 12 o 9
voltios puede funcionar)

FIN
GRACIAS