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TELECOMUNICACIONES
INSTRUCTOR:
PROCEDIMEINTOS DE FABRICACIN
DE LA FIBRA PTICA
PROCEDIMIENTO
TIPO DE VIDRIO
ATENUACIN (dB/Km)
Cilindro en tubo
Fundido en crisol
500-1000
Phasil
Borosilicato lixivado
10-50
Fundicin compuesta
Revestida de plstico
5-20
5-50
DDS
- MCVD
- OVD
- VAD
3
3
3
DEPOSICIN
AXIAL DE VAPOR
(VAD)
ESQUEMA DEL
PROCESO DE
ESTIRADO DE LA
FIBRA OPTICA
OVD, VAD
MCVD
PCVD
DIRECCIN DE DEPOSICIN
Deposicin de capas exteriores
Deposicin de capas interiores
Deposicin de capas axiales
OVD
MCVD, PCVD
VAD
TIPO DE PROCESO
Por preformas
Continuo
FABRICACIN DE CABLES
PTICOS
NCLEO
CUBIERTA
RECUBRIMIENTO
PEGADO
RECUBRIMIENTO
SUELTO
RECUBRIMIENTO
SUELTO Y RELLENO
IX-EMISORES PTICOS
PARTE 1
PARTE 2
- Diodos lser
PARTE 3
PARAMETROS CARACTERISTICOS
DEL EMISOR
-Anchura Espectral
- Potencia de Emisin
- Potencia acoplada a fibra
- Tiempo de subida
- Estabilidad Trmica
- Diagrama de Radiacin
- Tensin de dolarizacin
3dB
-Coherencia Temporal
1_
f
-Longitud de Coherencia
L=c
_
/
POTENCIA
Requerimientos para la transmisin de informacin:
1w a 1w (-30 a + 30 dBm)
EFICIENCIA
Disipacin de calor
-No eficiente:
funcionamiento en modo
pulsado
MODULACIN Y
SINTONIZABILIDAD
-Modulacin de intensidad
- Modulacin de fase
- Modulacin de frecuencia de emisin o longitud de onda de emisin
-Eficiencia
CARACTERISTICAS
- Lineabilidad
- Ancho de banda
SEMICONDUCTOR
EN DESEQUILIBRIO
nop
+
DIFUSIN
Si hv> Eg
- Absorcin
- Generacin de par electrn-hueco
- En ambos casos, n.p >ni2
RECOMBINACION ESPONTANEA
EC
***********
EV
*
Inter-band
Shallow impurity
Mainly radiative
Deep level
Auger
Mainly non-radiative
RECOMBINACIN ESPONTANEA
Velocidad de recombinacin
Aproximacin: R = n_(p)
1=
1_+ 1_
rr
nr
p_(n)
1/ rr
ni = _____
1/
rr nr
__________
1+
TRANSICIONES DIRECTAS
E INDIRECTAS
ESPECTRO DE EMISIN
Y ABSORCION
DIODOS ELECTROLUMINISCENTES
(LED S)
EFICIENCIA DE EMISIN
AIRE
SEMICONDUCTOR
HETEROUNIONES
HETEROUNION = Unin entre semiconductores con diferentes
bandas de energa
Ec
Ec
Ev
Ev
HETEROUNIN
HETEROUNION DOBLE
LEDS DE HETEROUNIN
LASERES DE DOBLE
HETEROUNION
DIODOS LSER
h2
E2
E2
hv12
hv12
E1
a) Absorcin
E1
b) Emisin espontnea
E1
c) Emisin estimulada
B
Emisin estimulada =______________________
VC = FC.(1-FC). Densidad de fotones
B
VC = BCV = B
____________________
(Einstein)
FC>FV
( Inversin de poblacin)
_______________________________________
DEPENDENCIA ESPECTRAL DE LA
ABSORCIN Y LA GANANCIA
CAVIDADES RESONANTES
r
FABRY-PEROT
CAVITY
pas
g(n), act
R1
R2
RESONANTE: rL (n,).Rr(n.) = 1
Roundtrip gain
1 ln _____
1 (amplitude)
FABRY-PEROT: g(n)=+____
2L
R1R2
= ____,
2L m integer (phase)
___
N
r
m
CAVIDAD RESONANTE II
rL(n.).rR(n,)
POWER
/nr
___ = ______
2L
THRESHOLD
Jth
CURRENT
REFLECTIVIDAD EN
LOS ESPEJOS
SEMICONDUCTOR
AIRE
TE
30%
TM
d/
DIAGRAMA DE RADIACIN
(CAMPO LEJANO)
Confinamiento no adecuado de
portadores
g
Mal confinamiento de fotones
nr
nr~-n
LASERES DE ESTRUCTURA
////////
/ / / / / / / / / / / / / /
Eg
J,n
nr
/ / /
SENCIBILIDAD A LA
TEMPERATURA
LASERES DE REALIMENTACION
DIATRIBUIDA (DFB)
MODULACION DE FUENTES
DE RADIACION PTICA
POTENCIA
EMISIN
(mW)
12
10
8
6
4
2
0
100
200
CORRIENTE (mA)
300
MODULACIN DE LEDS
PO +P cos (2ft+)
LA
S
ER
P.
P1
P1
t
LED
ls
lb
FUNCIONAMIENTO DINAMICO DE UN
DIODO LASER
MODULACION EXTERNA
DIODOS LASER
COMERCIALES
DIODOS LASER
COMERCIALES
DIODOS LASER
COMERCIALES
DIODOS LASER
COMERCIALES
DIODOS LASER
COMERCIALES
DIODOS LASER
COMERCIALES
X- RECEPTORES
PTICOS
+
RB
P
N
CAMPO
ELCTRICO
X
ZONA CARGA
ESPACIAL
ZONA DE DIFUSIN
ZONA ABSORCIN
FOTODIODO PIN
-
+
RB
P
l
CAMPO
ELCTRICO
X
ZONA CARGA ESPACIAL
ZONA ABSORCIN
ABSORCIN EN UN
SEMICONDUCTOR
PHOTOGENERATED
ELECTRON
Band GAP Eg
CONDUCTION BAND
PHOTON
hv> Eg
+
PHOTOGENERATED
HOLE
DEPLETION REGION
VALENCE BAND
10-1
105
5
104
5
2
103
101
5
2 2
10
102
5
2
101
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
WAVELENGTH (m)
COEFICIENTE DE ABSORCIN
RESPONSIVIDAD
1.0
90%
Responsivity (A/W)
0.8
InGaAs
QUANTUM
EFFICIENCIES
0.6
70%
50%
0.4
30%
0.2
10%
0
0.7
0.9
1.1
1.3
Wavelength (m)
1.5
1.7
______
=
potencia de seal extrada de la fotocorriente
________________________________________________________________________
CLASES DE RUIDO
RUIDO TRMICO
-Es la fluctuacin espontnea debida a la interaccin de los
electrones libres y los iones en vibracin en un medio conductor.
Es especialmente notable en resistores a temperatura ambiente.
- La corriente de ruido trmico it en un resistor R puede expresarse
Por su valor cuadrtico medio y viene dada por:
__
it2 =_________
4KTB
RL
Siendo K la constante de Boltzmann, T la temperatura absoluta y
B es el ancho de la banda elctrico (de post-deteccin) del sistema
(asumiendo que el resistor est en el receptor ptico)
CORRIENTE DE OSCURIDAD
-Cuando no hay potencia incidente sobre el fotodetector, existe
an la generacin de una pequea corriente inversa entre los
extremos de dicho detector. Esta corriente de oscuridad contribuye
al ruido total de sistema y aade fluctuaciones aleatorias a la
fotocorriente generado. Se manifiesta como ruido de granalla de
Fotocorriente.
-La corriente de oscuridad viene dada por:
_
i2d= 2 q B Id
RUIDO CUANTICO
-El comportamiento cuantico de la luz debe tenerse en cuenta cuando hv
(energa del fotn) es superior a KT y a las fluctuaciones cunticas dominan
sobre las fluctuaciones trmicas.
-La deteccin de la luz por un fotodiodo es un proceso discreto dado que la
generacin de pares electrn-hueco surge de la absorcin de un fotn, y la
seal que produce el detector viene dictada por la estadstica de llegada de
fotones.
-La probabilidad P (Z) de detector Z fotones en un periodo t cuando se
espera detectar zm fotones obedece a la ley de Poisson:
P (z)= (Zm)z exp (-Zm)/Z!
-La probabilidad de que no se genere un par electrn-hueco cuando
un pulso de luz viene dada por:
P (e)= exp(-Zm )
Po =Zm
nc BT
_________
n
-El nmero de electrones generado en un tiempo t, es igual a la media de
fotones detectados en dicho tiempo:
Zm = _________
((Po)t
Zm_________
= n (Po)t
(hv )
(hv )
RL
Ip2
_______________________________________
2 q B (Ip + Id) + 4KTB + i2 amp
___________
RL
FACTOR DE MULTIPLICACION
DEL APD
SEAL DETECTOR
OPTICO
PTICA
REAMPLIFICADOR
AMPLIFICADOR
ECUALIZADOR
FILTRO
AL
DECODIFICADOR
Q = (S/N)1/2
2
7
6
5
Q 4
3
2
1
10-2 10-3
XI CONEXIONADO PTICO
CONEXIONADO OPTICO
DIAGRAMA DE RADICACION DE
UNA FUENTE PTICA
50
40
30
20
10
cos180
Optical
source
LAZER
0
10
LED
20
cos
50
40
30
CLADDING
CORE
ROUNDED-END FIBER
IMAGING SPHERE
SPHERICAL-SURFACED LED
SPHERICAL-ENDED FIBER
NONIMAGING MICROSPHERE
CILINDRICALL
TAPE-ENDED FIBER
MICROLENTES
MICROSPHERE LENS
LED chip
CIRCULAR ACTIVE
AREA (RADIUS rs)
RL
B
n = 2.0
n =1.0
Etched well
- SOLDADURAS
Bicnico
De ferrule
De tres bolas
Capilar cermico
DESALINEAMIENTO MECANICO
a) Lateral (axial)
c) Angular
ACOPLADORES OPTICOS
CLASIFICACION
ACOPLADORES INTEGRADOS
ACOPLADORES
ACOPLADORES
MULTIPLEXORES Y FILTROS EN
LONGITUDES DE ONDA
-Multiplexores interferenciales
- Multiplexores basados en redes de difraccin
- Multiplexores por interferencia de modos
- Multiplexores y filtros integrados
MULTIPLEXORES INTERFERENCIALES
INTERFERENCE FILTER
DISPOSITIVOS MUX-DEMUX
SINTONIZABLESEN LONGITUDES DE ONDA
CARACTERISTICA
S
CONVERSIONES
TE/TM
ACOPLADORES
DIRECCIONALES
MULTIPLEXORES
DE
INTERFERENCIA
DE DOS MODOS
ANCHURA DE
BANDA
BAJA
ANCHA
MEDIA
0.7nm
75nm
40nm
DIFICULTAD DE
DISEO
MEDIA
ALTA
BAJA
REQUERIMIENTO
DE MASCARAS
ESTRICTOS
MEDIOS
SIMPLES
TOLERANCIA DE
FABRICACIN
MEDIA
ALTA
BAJA
SINTONIZABILIDA
D
MEDIA
ALTA
MEDIA
(0.1)
(10)
(2.5)
SENSIBILIDAD
ALTA
BAJA
BAJA
OTRAS
APLICACIONES
CONTROL DE
POLARIZACION
CONMUTACION
CONMUTACION
(1= 10mm, =
1.3)
CONMUTADORES OPTICOS
CONMUTADORES
ELECTROOPTICOS
AISLADORES OPTICOS
PARAMETROS CARACTERISTICOS DE
UN ACOPLADOR OPTICO
P
P1
P2
P4
4
___________
2) DIRECTIVIDAD
Que es el cociente de la seal reflejada en el otro puerto por el que no
Se introduce la seal
10 log _____
P2
P1
3)EXCESO DE PRDIDAS
Que es la relacin que existe entre la potencia total de salida y la
potencia de entrada
-10 log
P +P
P1
3
4
___________
4) DIAFONIA
Que es la insercin de seal no deseada en el canal de salida, en
nuestro caso:
10 log P1/P3
ACOPLADORES MICROOPTICOS
Lentes Selfoc
Luz de entrada
Luz reflejada
Capa Reflectante
ATENUADORES OPTICOS
LENTES ROD
MOVIMIENTO
TRANSVERSAL
PRISMA
TRANSPARENTE
PRISMA DE
ABSORCION
SISTEMAS COHERENTES DE
TRANSMISIN POR FIBRA OPTICA
SISTEMAS DE TRANSMISIN
COHERENTES
TRANSMISOR
RECEPTOR
DETECTORES
(ASK.PSK)
ACOPLADOR
SEAL
LASER
MODULADOR
SALIDA
(W1)
FILTRO Y
OSCILADOR
(FSK)
LOCAL
ENTRADA
LASER
DE DATOS
(W2)
SEAL
DEMULADOR
FRECUENCIA
INTERFERENCIA
(W1-W2)
DE
DATOS
SISTEMAS DE TRANSMISIN
COHERENTES (CONT.)
-Cuando la seal del oscilador local y la seal transmitida por la fibra
tienen la misma frecuencia, el proceso de combinacin recibe el nombre
de Homodino, y la seal se demodula al combinarse en el fotodetector
Directamente en banda base.
- La amplitud de la seal de frecuencia intermedia (FI) es proporcionalmente al producto de las amplitudes del oscilador y de la seal recibida.
Por tanto, la amplitud de la seal FI puede hacerse arbitrariamente ms
Grande que la suma de los ruidos trmico y granalla, que como es sabido,
limitan la relacin seal/ruido del receptor.
-Por ello, los sistemas coherentes ofrecen una mejora en la sensibilidad
del receptor respecto de los sistemas de deteccin directa, en tanto en
cuanto se disponga de potencia suficiente en el oscilador local.
.
TIPO DE MODULACION
ASK
Y
FSK DE GRAN
DESVIACION
TIPO DE RECEPTOR
HETERODINO CON
DETECCION DE
ENVOLVENTE Y FILTRADO
DE POSTDETECCIN
ANCHURA DE LINEA
REGIMEN BINARIO
10% A 20%
PSK
Y
FSK DE PEQUEA
DESVIACIN
HETERODINO CON
DETECCIN
DIFERENCIAL
0.7% A 1%
PSK
HETERODINO CON
DETECCIN SINCRONA
0.2%
=0.5
ID
TH
=
0.
2
BI
T
PENALTY (db)
RA
TE
=0.3
N
D
2.0
LO
O
P
BA
=.01
1.0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
DETECTOR 1
SIGNAL
REFLECTIVITY =1/2
DETECTOR 2
PREAMP
LOCAL
OSCILATOR
FREQUENCY CONTROL
PROCESSING
ELECTRONICS
OUTPUT
AMPLIFICADORES OPTICOS
AMPLIFICADORES OPTICOS
CLASIFICACION:
A) Amplificadores de fibra ptica
B) Amplificadores de semiconductor:
- Amplificador ptico Fabry-Perot
- Amplificador ptico de onda progresiva
- Oscilador con bloqueo de frecuencia por inyeccin
SEAL
AMPLIFICADA
1550nm
SEAL
LASER
AISLADOR
1480nm
WDM
TRANSICIONES
NO RADIANTES
ABSORCION
BOMBEO
ABSORCIN
BOMBEO
EMISION LASER
APLICACIONES DE LOS
SENSORES DE FIBRA OPTICA
-MEDIDA DE TEMPERATURA
-GIROSCOPOS
-MEDIDA DE PRESION
-INDICE DE REFRACCION
-DETECCION DE DESPLAZAMIENTOS
GRADO DE INTEGRACIN
MATERIAL EMPLEADO
Compuestos
Activo (ASGA, InP)
Electrooptico(LiNbO3)
Pasivo
No Electrooptico (SILICE)
FUNCIONES A REALIZAR:
- EMISION
- MULTIPLEXACION Y
FILTRADO
-DETECCION
-DISTRIBUCION - CONVERSION MODAL
-MODULACION - FUNCIONES COMPUESTAS
-CONMUTACION
ESTRUCTURAS HABITUALES EN
OPTICA INTEGRADA
MODULADORES DE ONDA
PROGRESIVA
ACOPLADORES DIRECCIONALES
INTEGRADOS
ECUACIONES DE
ACOPLO
DIRECCIONAL
ACOPLADORES
DIRECCIONALES COMO
CONMUTADORES
CONMUTADORES
DIRECCIONALES
DE ELECTRODOS
DIVIDIDOS
CONMUTADORES
POR CRUCE
DE CANALES
CONMUTADORES
INTERFEROMETRICOS
DE PUENTE
BALANCEADO
CONMUTADORES DE
ACOPLO
DIRECCIONAL
INSENSIBLES A LA
POLARIZACIN
MATRICES DE
CONMUTACION
MODULADORES DE
AMPLITUD
MODULADORES
INTERFEROMETRICOS
MODULADORES
INTERFEROMETRICOS
MODULADORES DE CORTE
CONVERSORES TE-TM
MULTIPLEXORES Y FILTROS EN
LONGITUDES DE ONDA SINTONIZABLES
CLASIFICACION:
-ACOPLADORES DIRECCIONALES
- MULTIPLXORES POR INTERFERENCIA DE DOS
MODOS
-CONVERSORES TE-TM SELECTIVOS EN
-INTERFEROMETROS MACH-ZEHNDER
100
RED DE INFORMACION
CONVERSORES TE-TM
ACOPLADORES DIRECCIONALES
1000
MULTIPLEXORES
DE ACOPLO
DIRECCIONAL
MULTIPLEXORES
POR
INTERFERENCIA
DE DOS MODOS
CONVERSORES
TE-TM SELECTIVOS
EN LONGITUDES
DE ONDA
DISPOSITIVOS INTEGRADOS
COMPUESTOS
DISPOSITIVOS COMPUESTOS DE
VARIOS MATERIALES
DISPOSITIVOS INTEGRADOS
COMPUESTOS
PARA RECEPCIN COHERENTE