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Introduccin a la Electrnica de

Dispositivos
Universidad de Ibagu
Facultad de ingeniera
Departamento de Electrnica
Ing, SI Nstor A. Delgado H.

300K
0K

Sb+

Sb+

Donador ionizado

Sb+

Sb+

AlAl
+
AlAl
+

Germanio

Sb+

Sb+

Sb+

Ambos
Ambos son
son
neutros
neutros
Compensacin
Compensacin de
de
cargas
cargas ee iones
iones

AlAl
+
AlAl

Aceptador ionizado
no ionizado

Germanio tipo N
Generacin
trmica

Al
Al-+

electrn

Al+ Al

Al
Al+
Al
Al-

+ hueco

Generacin
trmica

Al- +
Al

AlAl

Sb+

Germanio tipo P

Sb+
Sb+

Germanio
MATERIALES II

Materiales semiconductores
La unin PN y los diodos semiconductores
Transistores
Unipolares
Bipolares
Puerta aislada.

300K
0K

Sb+

Sb+

Donador ionizado

Sb+

Sb+

AlAl
+
AlAl
+

Germanio

Sb+

Sb+

Sb+

Ambos
Ambos son
son
neutros
neutros
Compensacin
Compensacin de
de
cargas
cargas ee iones
iones

AlAl
+
AlAl

Aceptador ionizado
no ionizado

Germanio tipo N
Generacin
trmica

Al
Al-+

electrn

Al+ Al

Al
Al+
Al
Al-

+ hueco

Generacin
trmica

Al- +
Al

AlAl

Sb+

Germanio tipo P

Sb+
Sb+

Germanio

Unin PN (I)
Germanio tipo P

Sb+

Sb+
Sb+

Sb+

Sb+

Al-

Sb+

Al-

Al

Sb+

Al-+

Al
+

Al+

Al-

Al-

Germanio tipo N

Sb+

Barrera que impide la difusin

Qu
Qu pasara
pasara si
si no
no existiera
existiera la
la
barrera
barrera que
que impide
impide la
la
difusin?
difusin?

MAT_ PN 02

Germanio tipo P

Sb+

Sb+
Sb+

Sb+

Sb+

- -

Al-

Sb+

Al-

++

Sb+

Al-+

Al

Al+

- -

Al
+

Al

++

Al-

Germanio tipo N

Sb+

Se produce difusin de huecos de la zona P hacia la


zona N y de electrones de la zona N hacia la zona P.

Se
Se va
va aa producir
producir una
una difusin
difusin
completa
completa de
de huecos
huecos yy electrones?
electrones?

Germanio antestipo N

Al

Al-

+ Sb+
Sb+

Sb+
Sb+

Al- + Al-

Al

Al

Al

Al
+

Germanio antes tipo P

Sb+
Sb+

Sb+

Sb+

Zona N no neutra, sino


cargada positivamente

Zona P no neutra, sino


cargada negativamente

Es
Es esta
esta situacin
situacin la
la situacin
situacin final?
final?
NO
NO

Germanio tipo P

Sb+

Sb+
Sb+

Sb+

Sb+

- -

Al-

Sb+

Al-

++

Sb+

Al-+

Al

Al+

- -

Al
+

Al

++

Al-

Germanio tipo N

Sb+

Aparece
Aparece un
un campo
campo elctrico
elctrico en
en la
la
zona
zona de
de contacto
contacto (unin
(unin metalrgica)
metalrgica)
de
de las
las zonas
zonas

Germanio tipo P

Al

Sb+

Sb+

Al-

Al-

Sb+

Sb+

Sb+
Sb+

Por campo elctrico


Por difusin

El
El campo
campo elctrico
elctrico limita
limita el
el proceso
proceso de
de Difusin
Difusin

Al-

Al-

Al+

Al

Sb+
Sb+

+ +
Al-

Germanio tipo N

Sb+

Sb+

Al-

Sb+

Sb+

Zona P NEUTRA
(huecos
compensados con
iones -)

Al+

Sb+
Sb+

Sb+

+Al

Al-

Al

Al
+

Al-

Al-

Sb+

Zona N NEUTRA
(electrones
compensados con
iones +)

Zona
Zona de
de Transicin
Transicin

Existe
Existe carga
carga espacial
espacial yy no
no existen
existen casi
casi
portadores
portadores de
de carga
carga

Unin
Uninmetalrgica
metalrgica

Muchos
Muchoshuecos,
huecos,
pero
peroneutra
neutra

+ -

Zona P
(neutra)

importante

Zona N
(neutra)

Muchos
Muchoselectrones,
electrones,
pero
peroneutra
neutra

VO

Zona
Zona de
de Transicin
Transicin (no
(no neutra)
neutra)

Existe
carga
espacial
(que
genera
campo
Existe carga espacial (que genera campo
elctrico,
elctrico, ,
, yy diferencia
diferencia de
de potencial
potencial elctrico,
elctrico, VVOO))

yy no
no existen
existen casi
casi portadores
portadores de
de carga.
carga.

Equilibrio de corrientes de la
unin PN sin polarizar (I)
La corriente neta en cualquier seccin del dispositivo debe
ser cero

-+
-+
-+
por difusin +- +
ZONA N
+ por campo
-+
- + - por difusin
por campo - +
ZONA P
-+
-

jp difusin
jn campo

jp campo
Se compensan
jn difusin Se compensan
unnibague

Equilibrio de corrientes de la un. PN sin


polarizar
(II)
p (concentracin
de huecos en la zona P)
+

+
+

+
+

+
+

+ +P+
Zona
+ + +

+
+

VO
+

+
+
+
+

Zona N
+

(concentracin de huecos en la zona N)


jjppcampo
= - j difusin
campo = - jppdifusin

VVOO== VVTTln(p
ln(pPP/p
/pNN))
43)
43)

pN

(ver
(verATE-UO
ATE-UOSem
Sem

ATE-UO PN 10

Equilibrio de corrientes de la un. PN sin polarizar (III)


(concentracin de electrones en la zona P)

- - - - - - - - - - - - -

+
+
+
+

Zona P

VO

nP

Zona P

(concentracin de electrones en la zona N)


jjnncampo
= -j difusin
campo= -jnndifusin

nN

VVOO=V
=VTTln(n
ln(nNN/n
/nPP))
Mat ii

Clculo de la tensin de contacto VO

Si NA >> ni
pP =NA
nP = ni2/ NA

VO

+
-

Zona P
NA, pP, nP

importante

Zona N
ND, nN, pN
Si ND >> ni
nN =ND
pN = ni2/ ND

Ecuacin del equilibrio de las corrientes de huecos:


VO = VTln(pP/pN) = VTln(NAND/ni2)
Ecuacin del equilibrio de las corrientes de electrones:

VO=VTln(nN/nP) = VTln(NDNA/ni2)
El
El valor
valor de
de VVOO calculado
calculado por
por ambos
ambos caminos
caminos coincide
coincide
PN 12

Relaciones entre

(x)
+ -

VO

Zona N

(x)
x

Campo
elctrico

(x)
- maxO

VU(x)
Tensin

Teorema de Gauss:
(x) = (x)/ )

Diferencia de

VO

Densidad
de carga

Zona P

, y VO

(x) = -

potencial:

mater2 13

Unin abrupta e hiptesis de vaciamiento


Zona P

- +

Situacin real

-qNA

Zona N

(x)

qND

(x)
- maxO

Hiptesis de
vaciamiento

x
Se
Se admite
admite que:
que:
Hay
Hay cambio
cambio brusco
brusco de
de
zona
zona PP aa zona
zona NN

No
No hay
hay portadores
portadores en
en la
la
zona
zona de
de transicin
transicin
14

Unin metalrgica

Zona P
Al

Al+-

Al-

NA

Al

Al

Al-

Al-

LZTPO
LZTO

Sb+

Sb+

Sb+

Sb+

Sb+

Sb+

Sb+

Sb+

Sb+

Al
+

LZTNO N
D

La
La neutralidad
neutralidad de
de la
la carga
carga total
total en
en la
la
zona
zona de
de transicin
transicin exige:
exige:

N
= N L ZTNO
NAA LLZTPO
ZTPO = NDD LZTNO

La zona de
transicin
cuando NA<ND

Zona N

En
En la
la zona
zona ms
ms
dopada
dopada hay
hay menos
menos
zona
zona de
de transicin
transicin

15

Zona P

Densidad
de carga

(x)

(x)

Zona N

entre , y
VO cuando

qND

NA<ND
x

-qNA

Campo
elctrico

(x)

Tensin

VO

Relaciones

VU(x)

- maxO

VO

16

Ecuaciones en equilibrio (sin polarizar) (I)


Equilibrio difusin-campo en la zona de transicin:

VO=VTln(NAND/ni2)
300K

(1)

VT=kT/q, 26mV a

Neutralidad neta entre ambas partes de la zona de transicin:

NA LZTPO = ND LZTNO

(2)

Longitud total de la zona de transicin:

LZTO =LZTPO+ LZTNO

(3)

Relaciones entre las partes de la zona de transicin (partiendo


de (2) y (3) ):

LZTPO= LZTOND/(NA+ND)

(4)

LZTNO= LZTONA/(NA+ND)
17

(5)

Ecuaciones en equilibrio (sin polarizar) (II)


Teorema de Gauss en la zona de transicin:
(x)=-(LZTPO+x)qNA/ (zona P)
(x)
LZTNO
L
(x)=-(LZTNO-x)qND/
(zona N)
ZTPO
0

(0)=- maxO=-LZTNOqND/=-LZTPOqNA/ (6) - maxO


Definicin de diferencia de potencial ( (x) =

VU(x) ):
VU(x) = -

(x)dx

-LZTPO

VU(x)

VO
x

VO = -rea limitada por (x)= (LZTPO+ LZTNO) maxO/2

(7)

18

Ecuaciones en equilibrio (sin polarizar) (III)


partiendo de (3-7) se obtiene:
VO=qL2ZTONAND/(2(NA+ND)

(8)

Teniendo en cuenta (1) y eliminando VO se obtiene:


LZTO=

2(NA+ND)VTln(NAND/ni2)
qNAND

(9)

Partiendo de (4-6) se obtiene:


maxO = qLZTONDNA/((NA+ND) (10)
y eliminando LZTO entre (8) y (10) se obtiene:
maxO=

2qNANDVO
(NA+ND)

(11)
19

Ecuaciones en equilibrio (sin polarizar)


(IV)
Resumen
VO=VTln(NAND/ni2)

LZTO=

LZTO=

maxO=

(1)

2(NA+ND)VTln(NAND/ni2)
qNAND
2(NA+ND)VO

(9)

qNAND
2qNANDVO
(NA+ND)

(9)

importante

(11)
20

Ecuaciones en equilibrio (sin polarizar) (IV)


Conclusiones importantes
VO=VTln(NAND/ni2)

VO crece con el productos


de los dopados, pero crece
poco

LZTO=

maxO=

2(NA+ND)VTln(NAND/ni2)
qNAND

2qNANDVO
(NA+ND)

importante

LZTO decrece
con los
dopados

Basta con que un


dopado sea pequeo
para que maxO sea
pequeo
21

La unin PN polarizada (I)

VmP

+-

+ -

i=0

+
V
O

V=0

Luego:
V = 0, i = 0
Por tanto:
VmP - VO + VNm = 0
y
VmP + VNm = VO

+ -

VNm

No
No se
se puede
puede estar
estar disipando
disipando
energa
energa si
si no
no llega
llega energa
energa
al
al dispositivo
dispositivo

Conclusin:
Conclusin:
Los
Los potenciales
potenciales de
de contacto
contacto de
de las
las uniones
uniones
metal
semiconductor
tienen
que
metal
semiconductor
tienen
que
compensar
compensar el
el potencial
potencial de
de contacto
contacto de
de la
la
unin
uninsemiconductora
semiconductora..

22

La unin PN polarizada (II)


Baja resistividad:
VP=0

VmP

+-

+ -

P
i

Baja resistividad:
VN=0

- +
V
U

Polarizacin directa

+ -

VNm

Hiptesis
Hiptesis(bastante
(bastantereal):
real):los
lospotenciales
potencialesde
de
los
loscontactos
contactosmetal-semiconductor
metal-semiconductorno
novaran
varan
con
conrelacin
relacinal
alcaso
casoanterior
anterior(V
(VmP+V
+VNm==VVO) )
mP

V = VmP - VU + VNm = VO - VU
Luego:

VU = VO - V

El
El potencial
potencial de
de contacto
contacto de
de la
la
unin
unin semiconductora
semiconductora disminuye.
disminuye.
23

Nm

La unin PN polarizada (III)


Baja resistividad:
VP=0

VmP

+-

+ -

Baja resistividad:
VN=0

- +
V
U

N
i

Polarizacin inversa

+ 0

VNm

- +
V

V = -VmP + VU - VNm = -VO +


VU
Luego:
VU = VO + V

El
El potencial
potencial de
de contacto
contacto de
de la
la
unin
unin semiconductora
semiconductora aumenta.
aumenta.
24

La unin PN polarizada (IV)


Notacin a usar en general

i
VU = VO - V,

+-

- +
V
U

=
+
V

siendo: V < VO
Conclusin:
Conclusin:
Polarizacin
Polarizacin directa:
directa: 00 << VV <V
<VOO
Polarizacin
Polarizacin inversa:
inversa: VV << 00

(aparece la posibilidad
real de que V >VO )
importante
25

La unin PN polarizada (V)


Cmo se modifica la longitud de la zona de
transicin, y la intensidad mxima del campo
elctrico?

Regla
Regla general
general (vlida
(vlida para
para V<V
V<VOO):):
Sustituir
Sustituir V
VOO por
por (V
(VOO-V)
-V) en
en las
las ecuaciones:
ecuaciones:

LZTO =

maxO=

V
2(N
A+ND)VO
UV
p e T
PN

qNAND

2qNANDVO
(NA+ND)

26

La unin PN polarizada (VI)


Sin polarizar tenamos:
LZTO =

maxO=

V
2(N
A+ND)VO
UV
p e T
PN

qNAND

2qNANDVO
(NA+ND)

Con polarizacin tenemos:


LZT =
max=

V
2(N
A+ND)(VO-V)
UV
p e T
PN

qNAND

2qNAND(VO-V)
(NA+ND)

Polarizacin
Polarizacin directa
directa (0
(0 << VV << VVOO):):

LLZT
y max disminuyen
disminuyen
ZT y max
Polarizacin
Polarizacin inversa
inversa (V
(V << 0):
0):

importante

LLZT
y max aumentan
aumentan
ZT y max
27

LLZTO
ZT

Zona P

Relaciones entre

-- +

ZonaNN
Zona

O
VV
O-Vext

Vext

, y VO con
polarizacin
directa

(x)

Menos
Menos carga
carga
espacial
espacial

(x)

Menor
Menor intensidad
intensidad
de
de campo
campo

Menor
Menor potencial
potencial de
de
contaco
contaco

- max

- maxO

VU(x)

VO-Vext

VO

28

LLZTO
ZT

Zona P

Relaciones entre ,

-- + +

Zona N
N
Zona

y VO con polarizacin
inversa

O
VV
O+Vext

Vext

(x)

Ms
Ms carga
carga espacial
espacial
Mayor
Mayor intensidad
intensidad de
de
campo
campo

Mayor
Mayor potencial
potencial de
de
contaco
contaco

(x)
- maxO

- max
VU(x)

VO

VO+Vext
x

29

Conclusiones parciales
Polarizacin directa:
Disminuye la tensin interna que frena la difusin
Disminuye el campo elctrico en la zona de transicin
Disminuye el ancho de la zona de transicin

Polarizacin inversa:
Aumenta la tensin interna que frena la difusin
Aumenta el campo elctrico en la zona de transicin
Aumenta el ancho de la zona de transicin

importante

30

Qu pasa con la concentracin de


portadores cuando se polariza? Ejemplo:
n electrones en polarizacin directa
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

+
+
+
+

V
VOO-V

VO = VTln(nN/nP)
VO-V =VTln(nNV/nPV)

Zona P

PV
P

Zona P

nNV
N

nnNV
/n PV cambia
cambia
NV/nPV
mucho
mucho
31

Concentracin de portadores con polarizacin (I)


Huecos:
VO - V = VTln(pPV/pNV)

Electrones:
VO - V = VTln(nNV/nPV)

Analizamos la situacin en los bordes externos de la zona


de transicin:
En zona P: pP = pPV - pP

nP = nPV - nP

En zona N: nN = nNV - nN

pN = pNV - pN

Por neutralidad de carga (aproximada):


pP nP

nN pN

Como pP>>nP y nN>>pN y admitimos que pPV>>nPV y nNV>>pNV


(hiptesis de baja inyeccin), se cumple:
pPV/pNV = (pP + pP) /pNV (pP + nP) /pNV pP/pNV
nNV/nPV = (nN + nN) /nPV (nN + pN) /nPV nN/nPV
Es
Es como
como si
si los
los mayoritarios
mayoritarios no
no
cambiaran
cambiaran de
de concentracin
concentracin
32

Concentracin de portadores con polarizacin (II)


Cambio de la concentracin
de electrones a los dos lados
de la zona de transicin :

Cambio de la concentracin
de huecos a los dos lados de
la zona de transicin :

VO - V = VTln(nN/nPV)

VO - V = VTln(pP/pNV)
(VO-V)/ VT
O

nN/nPV = e

- (VO-V)/ VT

-V)/ VT

Zona P
pP = NA

pNV = NA e

+-

pP/pNV =
e
- (V
nPV = ND e

(VO-V)/ VT

Zona N

- +
V

nN = ND

=
+
V

33

Ojo!!!

Hay una pequeo *

Hemos llegado a:

VO - V = VTln(pP/pNV)
Partamos de:
VO = VTln(pP/pN)

Hemos llegado a:

VO - V = VTln(nN/nPV)
Partamos de:
VO = VTln(nN/nP)

Y esta frmula vena de:

Y esta frmula vena de:

jp campo + jp difusin = jp total = 0

jn campo + jn difusin = jn total = 0

Pero con polarizacin jp total 0 y jn total 0. Por tanto, las


expresiones mostradas no son vlidas con polarizacin. Sin
embargo, se pueden seguir usando como una aproximacin
razonable ya que en la unin:

jp total << jp campo


jn total << jn campo

jp total << jp difusin


jn total << jn difusin

34

Ejemplo 1: unin de Germanio sin polarizar


Dn=100 cm2/sni=2,51013 port/cm3
n=3900 cm2/Vs
r=16
Ln=0,32 mm
p= n= 10 s

VO=0,31 V ND=1016 atm/cm3

NA=1016 atm/cm3
P

+-

Dp=50 cm2/s
p=1900 cm2/Vs
Lp=0,22 mm

Datos del Ge a 300K

0,313m

Portad./cm3

varios mm
1016

pP

nN

nP

pN

1014
1012
1010

-1m

1m

35

Ejemplo 1 con polarizacin directa


V=180mV
V
=0,13 VV
VUu=0.31

+-

PP

-+

NN

0.313m
0,215m

Portad./cm3

varios mm
1016
1014
1012
1010

-1m

nN

pP
nPV
nP

En
En esta
esta parte
parte del
del
cristal
cristal se
se produce
produce un
un
aumento
aumento muy
muy fuerte
fuerte
de
de los
los minoritarios
minoritarios

pNV
pN
0

1m
36

Ejemplo 1 con polarizacin inversa


V=180mV
V
=0,49 VV
VUu=0.31

-+
+-

PP

NN

0,416m
0.313m

Portad./cm3

varios mm
1016
1014
1012
1010
10

-1m

nN

pP

En
En esta
esta parte
parte del
del
cristal
cristal se
se produce
produce
una
disminucin
una
disminucin
muy
muy fuerte
fuerte de
de los
los
minoritarios
minoritarios

pN

nP

pNV

nPV
0

1m

37

Cmo evoluciona la concentracin de minoritarios

en las zonas alejadas de la unin? Ejemplo: huecos en


zona N con pol. directa
+
+
+
Zona de
transicin

pNV0

+
+

Zona N
+

pNV(x)

Inyeccin
Inyeccin continua
continua de
de minoritarios
minoritarios
por
por una
una seccin
seccin

pNV
x
38

Concentraciones en zonas alejadas de la


unin
V=180mV

1016
10

14

Por./cm3

1012

pP
nPV

1010
1016

510

pP

nN
Esc. log.

nP pN

pNV

nN

1016
1014
1012
1010
108

pP
nP

Zona N

nN
nPV

Esc. log.

pN
pNV

Escala
lineal

15

Zona P

Zona N
Portad./cm3

Portad./cm3

Zona P

V=180mV

nPV
P

pNV
N

39

Concentracin de minoritarios en zonas alejadas de la


unin (zonas neutras) en escala lineal
V=180mV
Zona P
81013
41013
0

V=180mV
Zona P

Zona N

Portad./cm3

nPV

Portad./cm3
81010
nP pN

pNV

nP pN

-3 -2 -1

Zona N

Longitud [mm]

41010
3

El
Elaumento
aumentode
deconcentracin
concentracin
diminuye
diminuyeexponencialmente
exponencialmenteal
al
alejarse
alejarsede
dela
launin
unin

nPV
-3 -2 -1

pNV
0

Longitud [mm]

La
Ladisminucin
disminucinde
deconcentracin
concentracin
diminuye
exponencialmente
diminuye exponencialmenteal
al
alejarse
alejarsede
dela
launin
unin
40

Exceso de concentracin en las zonas


neutras y gradiente de minoritarios en los
bordes de la zona de transicin (I)
Polarizacin directa
81013

Portad./cm3

Alto
gradiente

41013
0

pNV

nPV
-3 -2 -1

Longitud [mm]

Alto exceso de minoritarios

Polarizacin inversa
Portad./cm3

81010
41010
0

pNV

nPV

Pequeo
gradiente
-3 -2 -1

Longitud [mm]

Escaso exceso de minoritarios

Debido
Debido aa los
los diferentes
diferentes valores
valores
concentraciones,
concentraciones, los
los valores
valores del
del
del
del gradiente
gradiente son
son muy
muy distintos
distintos

de
de las
las
exceso
exceso

escalas
escalas de
de
de
de carga
carga yy
41

Exceso de concentracin en las zonas neutras y


gradiente de minoritarios en los bordes de la zona
de transicin (II)

810

13

Portad./cm3

Zona P

Zona N
V=180mV
(pol. directa)

410

13

nPV
0

Aqu
Aquse
seve
vemejor
mejor

pNV
nP pN

nPV

pNV
V=-180mV
(pol. inversa)
42

Por qu tanto inters en la evolucin de la

concentracin de los minoritarios en los


bordes externos de la zona de transicin?
Porque dicha evolucin es la clave para deducir la relacin entre la
tensin V y la corriente I en una unin PN polarizada, que es lo que
realmente nos interesa.

+-

=
+
V

43

Cmo calcular la corriente (I)?


Analizando la zona de transicin?

VU
Zona P

-+

Zona N

0,215m

varios mm
Portad./cm3
1016 p
N

1014

nPV

pNV

nP

Esc. log.

1m
En la zona de transicin hay gradientes de concentracin e intensidades de
campo elctrico muy grandes, que causan que:

jp total << jp campo

jp total << jp difusin

jn total << jn campo

jn total << jn

difusin

No
Noes
esposible
posibleobtener
obtenerinformacin
informacinsobre
sobrela
la
corriente
corrientetotal
totalpor
poreste
estecamino
camino
44

Cmo calcular la corriente (II)?


Analizando los mayoritarios de las
zonasneutras?
V
Zona P

3 mm

Portad./cm3

1016 + 81013
1016 + 41013
1016

0
Escala lineal

pPV
pP

-+

Sabemos que los mayoritarios


aumentan aproximadamente as,
por lo que podramos calcular la
corriente
de
difusin
de
mayoritarios.
Pero no podemos calcular la
corriente
debida
a
campo
elctrico (de arrastre) ya que no
sabemos lo que vale el campo
(aunque s sabemos que es muy
Tampoco
pequeo).
Tampoco vale
vale este
este mtodo
mtodo
45

Cmo calcular la corriente (III)?


Analizando los minoritarios de las zonasneutras?

0,215m

Zona P

Portad./cm3
81013
Esc. lin.
41013
0

6,251010

-+

Zona N

6 mm

Portad./cm3

81013

nPV

41013
0

Esc. lin.

pNV
6,251010

La corriente de minoritarios debida a campo elctrico es


despreciable (pequeos valores del
campo y pequea
concentracin).
Toda
Toda la
la corriente
corriente de
de minoritarios
minoritarios
es
es debida
debida aa difusin
difusin

46

Cmo calcular la corriente (IV)?

Clculo de la corriente de minoritarios en las


zonasneutras
V

jnP

Zona P

81013 Portad./cm3
41013

nPV

jpN

Zona N

pNV

6,251010

Portad./cm3

6,251010

jnP=qDndnPV/dx
Densidad de
corriente
[mA/cm2]

-+

jpN=-qDpdpNV/dx

40
20
0

jnP

jpN
47

Cmo calcular la corriente (V)?


Podemos conocer la corriente total a partir de la
corriente de minoritarios en las zonasneutras?
V=180mV

jpN

jnP
Densidad de
corriente [mA/cm2]

Zona P

Zona N

40

jnP

20

Qu pasa en la
zona de
transicin?

jpN

0
-1.5

-1

-0.5

Longitud 0
[mm]
+

0.5

1.5

0-

Al
Al no
no haber
haber recombinaciones
recombinaciones en
en la
la zona
zona de
de
transicin,
transicin, no
no se
se modifican
modifican las
las corrientes
corrientes
48

Cmo calcular la corriente (VI)?


V=180mV
jnP

jpN

Zona P

Zona N

jtotal

En
En la
la zona
zona de
de
transicin:
transicin:

Densidad de
corriente [mA/cm2]

80
60

jtotal

jnP(0)

40

jnP

20

-1

En
elresto
restodel
delcristal:
cristal:
Enel
La
Lacorriente
corrientetiene
tieneque
queser
ser
la
lamisma
misma

jpN(0)

jpN

0
-1.5

jjtotal == jjnP(0)
+ j (0)
total
nP(0) + jpN
pN(0)

= jnP(0) + jpN(0)

-0.5

0.5

+
Longitud0[mm]

0-

1.5

Muy, muy
importante
49

1
1 conclusin
conclusin importantsima:
importantsima:

Basta
Basta conocer
conocer la
la concentracin
concentracin de
de
minoritarios
minoritarios en
en los
los bordes
bordes de
de la
la zona
zona
transicin
transicin para
para conocer
conocer la
la corriente
corriente total.
total.

los
los
de
de

2
2 conclusin
conclusin importantsima:
importantsima:

Polarizacin
Polarizacin directa:
directa:
El
El gradiente
gradiente de
de dicha
dicha concentracin
concentracin es
es bastante
bastante
grande
grande
Corriente
Corriente total
total bastante
bastante grande
grande
Polarizacin
Polarizacin inversa:
inversa:
El
El gradiente
gradiente de
de dicha
dicha concentracin
concentracin es
es muy
muy
pequeo
pequeo
Corriente
Corriente total
total muy
muy pequea
pequea
ATE-UO PN 50

Clculo de la corriente debida a los mayoritarios (I)


V=180mV
jnP

En cada zona
neutra , todo lo que
no es corriente de
minoritarios es
corriente de
mayoritarios

jpN

Zona P

Zona N

jtotal

Densidad de
corriente [mA/cm2]

80
60

jtotal

jjpP
=
j
j
=
j
jnP
total
pP
total
nP
jjnN
= j total -- jjpN
nN = jtotal
pN

jpP

40

jnP

20

jpN

0
-1.5

-1

-0.5

0.5

+
Longitud0[mm]

0-

1.5
51

Clculo de la corriente debida a los mayoritarios


V=180mV
jnP

jpN

Zona P

Zona N

jtotal

Densidad de
corriente [mA/cm2]

80
60

40
20

jtotal
jpP

jpP

jpN

jnP

0
-1.5

-1

jnN

-0.5

0.5

+
Longitud0[mm]

0-

1.5
52

Corrientes con polarizacin directa e inversa


jtotal

jtotal

180mV

60
40
20
0

jpP
jnP

jnN

jtotal

jpN

V=180mV (pol. directa)


Corriente positiva con la
referencia tomada

Zona P Zona N
Densidad de corriente
[mA/cm2]

Densidad de corriente
[mA/cm2]

Zona P Zona N

180mV

0
-0,02
-0,04
-0,06

jnP
jpP

jpN
jnN

jtotal

V=-180mV (pol. inversa)


Corriente negativa con la
referencia tomada

Cambio
Cambiode
de1000
1000aa11al
alpasar
pasarde
de+180mV
+180mVaa-180mV
-180mV
53

Clculo de la corriente en funcin de la tensin (I)


11- Se
Se calcula
calcula el
el salto
salto de
de concentracin
concentracin de
de cada
cada
tipo
tipo de
de portador
portador de
de un
un extremo
extremo al
al otro
otro de
de la
la zona
zona
de
de transicin.
transicin.
22- Se
Se calcula
calcula el
el exceso
exceso de
de minoritarios
minoritarios en
en los
los
bordes
bordes externos
externos de
de la
la zona
zona de
de transicin.
transicin.
33- Se
Se calcula
calcula la
la distribucin
distribucin exponencial
exponencial de
de los
los
minoritarios
minoritarios al
al lo
lo largo
largo de
de las
las zonas
zonas neutras.
neutras.
44- Se
Se calcula
calcula el
el gradiente
gradiente de
de dicha
dicha concentracin
concentracin
justo
justo en
en los
los bordes
bordes de
de la
la zona
zona de
de transicin.
transicin.
55- Se
Se calculan
calculan las
las corrientes
corrientes de
de minoritarios
minoritarios en
en los
los
bordes
bordes de
de la
la zona
zona de
de transicin
transicin (corriente
(corriente de
de
huecos
huecos en
en el
el borde
borde de
de la
la zona
zona N
N yy de
de electrones
electrones
en
en el
el borde
borde de
de la
la zona
zona P).
P).
66- La
La suma
suma de
de las
las dos
dos corrientes
corrientes anteriores
anteriores es
es la
la
corriente
corriente total.
total.
54

Clculo de la corriente en funcin de la tensin (II)


11- Se
Se calcula
calcula el
el salto
salto de
de concentracin
concentracin de
de cada
cada tipo
tipo de
de
portador
portador de
de un
un extremo
extremo al
al otro
otro de
de la
la zona
zona de
de transicin.
transicin.
Este
Este salto
salto depende
depende de
de VVOO-V
-V
22- Se
Se calcula
calcula el
el exceso
exceso de
de minoritarios
minoritarios en
en los
los
bordes
bordes externos
externos de
de la
la zona
zona de
de transicin.
transicin. Este
Este
exceso
exceso depende
depende de
de VV

Portad./cm3

1016

pP

pNV(x)

1014

1012

pNV(0)

pN()

1010
3

0
1
1
Longitud
[mm]

3
55

Clculo de la corriente en funcin de la tensin (III)

Portad./cm3

1016

33- Se
Se calcula
calcula la
la distribucin
distribucin exponencial
exponencial
de
de los
los minoritarios
minoritarios al
al lo
lo largo
largo de
de las
las
zonas
zonas neutras.
neutras.
44- Se
Se calcula
calcula el
el gradiente
gradiente de
de dicha
dicha
concentracin
concentracin justo
justo en
en los
los bordes
bordes de
de la
la
zona
zona de
de transicin
transicin ((tga
tga).).

pP

1014

1012

pNV(x)

pNV(0)

pN()

1010
3

0
1
1
Longitud
[mm]

3
56

Clculo de la corriente en funcin de la


tensin
(IV)
5de
5- Se
Se calculan
calculan las
las corrientes
corrientes
de minoritarios
minoritarios en
en los
los
bordes
bordes de
de la
la zona
zona de
de transicin
transicin (corriente
(corriente de
de
huecos
huecos en
en el
el borde
borde de
de la
la zona
zona N
N yy de
de electrones
electrones en
en
el
el borde
borde de
de la
la zona
zona P).
P).

Densidad de
corriente [mA/cm2]

80
60

jtotal = jnP(0) +
jpN(0)

jnP(0)

40
20

jpN(0)

jnP

0
-1.5

-1

66- La
La suma
suma de
de las
las
dos
dos corrientes
corrientes
anteriores
anteriores es
es la
la
corriente
corriente total.
total.

jpN

-0.5

0.5

+
Longitud0[mm]

0-

1.5
57

Clculo de la corriente en funcin de la tensin (V)


1- Salto de concentraciones
VO = VTln(pP/pN()) (1)

VO-V = VTln(pP/pNV()) (2)

2- Exceso de minoritarios en el borde


V = VTln(pNV() /pN()) (3)

pP

3- Distribucin de los minoritarios


pNV(x) = pN()+(pNV() -pN())e-x/LP (4)
4- Gradiente en el borde de la Z. T.

-(pNV() pN())e-x/L
Lp

pNV(x)=

pNV(x) =
0

-(pNV() - pN())
Lp

pNV(0)
pNV(x)
pN()

(5)

(6)
58

Clculo de la corriente en funcin de la tensin (VI)


5- Corrientes de minoritarios

(pNV() -pN())
(7)
jpN(0)=qDp
Lp
(nPV() -nP())
(8)
jnP(0)=qDn
Ln

6-Corriente total

(A es la seccin)

i=AjTotal=A(jpN(0)+ jnP(0))

(9)

pNV() -pN() = pN()(eV/VT -1)

(10)

nPV() -nP() = nP()(eV/VT -1)

(11)

Usando la ecuacin (3) para huecos y para


electrones, queda:

59

Clculo de la corriente en funcin de la tensin (VII)


Sustituyendo (10) y (11) en (7) y (8) y stas en
(9), queda:
i = Aq(DppN()/Lp+DnnP()/Ln)(eV/VT -1) (12)
y como pN()=ni2/ND y nP()=ni2/NA , queda:
V/V
i = Esta
Aqni2ecuacin
(Dp/(NDLp) se
+ Dnpuede
/(NALn))(e
T -1)
escribir

(13)

como:
i=IS(eV/VT -1)
donde:

Muy, muy
importante

IS = Aqni2(Dp/(NDLp)+Dn/(NALn))
60

Ecuacin caracterstica de una unin PN larga


Resumen:

i = IS(e

V
VT

-1)

donde:

VT = kT/q

IS = Aqni2(Dp/(NDLp)+Dn/(NALn))

Polarizacin directa con VO > V >> VT

V
VT

ISe

(dependencia exponencial)

Muy
importante

Polarizacin inversa con V << -VT

-IS

Corriente inversa de saturacin


(constante)

61

Curva caracterstica de una unin PN


larga a diferentes escalas
Unin de Ge (Ejemplo
1), sin efectos
adicionales
1

i
P
N

i [mA]

(exponencial)

i [A]
-0,25

0,25 V

[Volt.]

-0,5

V [Volt.]

-0,8
(constante)
62

Curva caracterstica de una unin PN


con otros efectos reales (I)
Baja resistividad:
PVP 0

V 0

ii pequea
grande

VV N0 0
N

+-

Zona P

Baja resistividad:

Zona N

Efecto de la
resistencia de
las zonas
neutras

La tensin de contacto ya no
es VO - V

30

i [mA]

La tensin de contacto
siempre tiene el signo indicado
La tensin V puede ser mayor
que VO
-4

V [Volt.]
63

Curva caracterstica de una unin PN


con otros efectos reales (II)
+

Zona P

++- +-

Generacin en la
zona de transicin

Zona N

+ V -

Habamos supuesto que


no haba generacin de
pares electrn-hueco
La
corriente
inversa
aumenta por efecto de

i [A]
V [Volt.]

-40

-2

esta generacin
ATE-UO PN 64

Curva caracterstica de una unin PN


con otros efectos reales (III)

- -

+
+

+ +
+

Avalancha
primaria

+ V -

La
corriente
aumenta
fuertemente si se producen
pares
electrn-hueco
adicionales, o bien por choque
o bien por otra causa.
Esto ser estudiado despus

i [A]
V [Volt.]

-40

-2

ATE-UO PN 65

Curva caracterstica de una unin PN


en escala de mximos valores de uso
30

i [mA]
En
polarizacin
directa, la cada de
tensin
es
prcticamente nula

-20

En
polarizacin
inversa, la corriente
conducida
es
prcticamente nula

V [Volt.]
Muy
importante

ATE-UO PN 66

Concepto de diodo ideal (I)


Nos olvidamos de lo que se ha visto sobre electrnica
fsica
Definimos un nuevo componente ideal de teora de
circuitos
i
En polarizacin directa, la
i
cada de tensin es nula, sea
nodo
cual sea el valor de la
corriente directa conducida

V
Ctodo

Muy, muy
importante

curva caracterstica
V

En polarizacin inversa, la corriente


conducida es nula, sea cual sea el
valor de la tensin inversa aplicada
ATE-UO PN 67

Concepto de diodo ideal (II)


Circuito abierto: la
corriente conducida
es nula, sea cual sea
el valor de la tensin
aplicada

Diodo
ideal

V
Corto circuito: la
tensin soportada es
nula, sea cual sea el
valor de la corriente
conducida

Corto
circuit
o
V

Circuito
abierto
ATE-UO PN 68

Comparacin entre el diodo ideal


y el comportamiento de una
unin PN

Diodo
ideal

Diodo real

30

i [mA]

V [Volt.]
V

-20

El
El comportamiento
comportamiento de
de una
una unin
unin PN
PN es
es muy
muy
semejante
semejante al
al de
de un
un diodo
diodo ideal
ideal
ATE-UO PN 69

El diodo semiconductor. Diodo de seal

nodo

nodo

Terminal

Encapsulado
(cristal o
resina
sinttica)

Contacto metalsemiconductor

P
N
Ctodo

Marca
sealando
el ctodo

Oblea de
semiconducto
r

Contacto metalsemiconductor

Ctodo

Terminal
ATE-UO PN 70

Diodos semiconductores
OA95
(Ge)
BY251
(Si)
1N4148
(Si)

1N4007
(Si)

BYS27-45
(Schottky Si)

BY229
(Si)
ATE-UO PN 71

Agrupacin de diodos semiconductores


2 diodos en
ctodo comn

Puente de diodos

Anillo de diodos

+
+ -

B380 C3700
(Si)

BYT16P-300A
(Si)
B380 C1500
(Si)

HSMS2827
(Schottky Si)
72

Curvas caractersticas y circuitos equivalentes


i
Curva
caracterstica
real
Curva
caracterstica
asinttica
pendiente = 1/rd

Curva
caracterstica
ideal

0 V

Circuito equivalente
asinttico

real (asinttico)

Muy
importante
ideal

rd

73

Recordatorio del Teorema de Thvenin


A

A
+
Circuito lineal
B

ZO
V

vABO

Circuito lineal

iABS
B

V = vABO

+
-

vABO

B
Equivalente Thvenin

ZO = vABO/iABS

74

Resolucin de circuitos con diodos. Caso


1:
Un diodo ideal en un circuito en el que el
resto de los componentes son lineales
A
Circuito
de partida
Solucin

Circuito lineal

ideal

iAB

+
vAB
-

Circuito no lineal

A
Si vABO > 0 diodo
+ ideal
+
directamente polarizado
Z
O
Circuito lineal
vABO vAB=0, iAB>0 (0)
- v
Si vABO < 0 diodo
B
Equivalente Thvenin
inversamente polarizado
75
iAB=0, vAB=vABO (0)

Resolucin de circuitos con diodos. Caso 2:


Un diodo real (modelo asinttico) en un
circuito en el que el resto de los componentes
son lineales
+
Circuito lineal

iAB

vAB
+

Circuito lineal

B
A

vABO
-

real

+
Circuito lineal

iAB

vAB
-

ideal
real
rd
V

Si vABO > V diodo


directamente polarizado
vAB=V+ rdiAB
Si vABO < V diodo
inversamente polarizado
76
iAB=0, vAB=vABO

Resolucin de circuitos con diodos. Caso


3:
Un diodo real (modelo exponencial) en un
circuito en el que el resto de los
A
componentes son
lineales
+
iAB

Circuito lineal

vAB
-

real

En circuito impone la condicin vAB = F(iAB)


En diodo impone la condicin iAB =
V
IS(eHay
AB/VT -1)
que

Hay que resolver


resolver este
este
sistema,
sistema, que
que no
no tiene
tiene
solucin
solucin explcita
explcita

77

Resolucin de circuitos con diodos.


Caso 4:
Varios diodos ideales
A
Circuito lineal
Circuito no lineal

D1
B

Al ser no lineal el
circuito que queda al
ideal eliminar el diodo D ,
1
no pueden aplicarse
los
mtodos
anteriores

Mtodo
Mtodo aa seguir:
seguir: Establecer
Establecer una
una primera
primera
hiptesis
hiptesis sobre
sobre el
el estado
estado de
de conduccin
conduccin de
de cada
cada
diodo.
diodo. A
A continuacin
continuacin resolver
resolver el
el circuito
circuito yy
verificar
verificar si
si se
se llega
llega aa alguna
alguna situacin
situacin
incompatible
incompatible con
con la
la idealidad
idealidad de
de los
los diodos.
diodos. En
En
caso
caso afirmativo,
afirmativo, repetir
repetir el
el proceso
proceso hasta
hasta que
que se
se
llegue
llegue aa una
una hiptesis
hiptesis compatible
compatible con
con la
la idealidad
idealidad
78

Resolucin de circuitos con diodos.


Caso 5:
Varios diodos reales (modelo
ideal rd V
asinttico)
E
V

real

rd

A
ideal
real

Circuito lineal

real

ideal

rd
B

Circuito lineal

Circuito no lineal
79

Igual
Igual que
que el
el caso
caso

Resolucin grfica de circuitos con


un diodo, fuentes y resistencias

Circuito V, I, R

=
-

RO

vABO

Eq. Thvenin

A
iAB

vABO/RO

iAB

vAB
-

En circuito impone la condicin:

vABO

vAB

vAB = vABO -

R
Oidiodo
AB
En
impone la condicin definida por su
(recta
de carga)
curva caracterstica

El
El punto
punto de
de trabajo
trabajo est
est definido
definido por
por la
la
interseccin
interseccin de
de la
la recta
recta de
de carga
carga yy la
la curva
curva
caracterstica
80
caracterstica