ELECTRNICA Y AUTOMATISMOS

Tema 1: Componentes Electrnicos

El transistor bipolar

Componentes electrnicos: El transistor bipolar

Introduccin: tipos de transistores
Principio de funcionamiento del transistor bipolar
Transistor tipo PNP
Transistor tipo NPN
Caractersticas elctricas de un transistor bipolar
El fototransistor
Conclusiones

Introduccin: tipos de transistores

NPN
BIPOLARES

PNP

CANAL N (JFET-N)

TRANSISTORES

UNIN

CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

+
+
+

+ +

+
+

+ -

+
+

Concentracin
de huecos

+ +

Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el dos diodos en

serie: el funcionamiento de la primera unin no afecta al de la segunda

Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Principio de funcionamiento del transistor bipolar

El terminal central (base) maneja una fraccin de la corriente que circula

entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR

Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Base
Emisor

Colector

Transistor PNP
P

El terminal de base acta como terminal de control manejando una fraccin

de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector.
El emisor tiene una concentracin de impurezas muy superior a la del
colector: emisor y colector no son intercambiables

Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Transistor NPN

Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente

se debe mayoritariamente al movimiento de electrones.
En un transistor NPN en conduccin, la corriente por emisor, colector y
base circula en sentido opuesto a la de un PNP.

Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Transistor NPN

Base
Emisor

Colector

Transistor NPN
N

La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las

caractersticas del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de
forma y tamao equivalente. Los NPN se emplean en mayor nmero de
aplicaciones.

Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Conclusiones:
Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN.

Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos

condiciones.
1) La zona de Base debe ser muy estrecha.
2) El emisor debe de estar muy dopado.

Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.

C
NP
B

Descubiertos por
Shockley, Brattain
y Barden en 1947
(Laboratorios Bell)

N+
E

Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor NPN
IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada

VCB
+
VBE

IB

VCE
IE

IC, IB, IE

IC

En principio necesitamos conocer 3

tensiones y 3 corrientes:

VCE, VBE, VCB

En la prctica basta con conocer solo
2 corrientes y 2 tensiones.
Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE y
VBE.
Por supuesto las otras dos pueden
obtenerse fcilmente:

IC = f(VCE, IB) Caracterstica de salida

IE = IC + IB
VCB = VCE - VBE

Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor NPN
VCE

IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada

IB

IC
+

+
VBE
-

IB

VCE
-

VBE

Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo.

La caracterstica de este diodo depende de VCE pero la variacin es pequea.

Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor NPN
IC = f(IB, VCE) Caracterstica de salida
IC

IC
+

+
VBE
-

IB

VCE
-

IB

VCE

La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de

base IB.

Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Equivalente hidrulico del transistor

h2

Caudal

Apertura

h1 - h 2

h1

Caractersticas elctricas del transistor bipolar: linealizacin

Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de salida
IC
+
+

IB

IC (mA)

VCE

VBE
-

Zona activa: IC=IB

IB (A)

Zona de
saturacin

40

400

30

300

20

200

10

100
0
VCE (V)

Zona de corte

El parmetro fundamental que describe la caracterstica de salida del

transistor es la ganancia de corriente .

Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de entrada
VCE
IC

IB

+
+

IB

VCE

Ideal

VBE
-

VBE

La caracterstica de entrada corresponde a la de un diodo y se emplean

las aproximaciones lineales vistas en el tema anterior.

Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor NPN: zonas de funcionamiento del transistor ideal
IC
IC
+
VBE

IC

IB

Zona
activa

VCE

+
VBE

IB

IC

+
VBE

IB

IB

VCE

+
VBE

IC<IB VCE=0
IC=0

Zona de
corte

VCE

IB

Zona de
saturacin

IB

+
VCE
-

Funcionamiento en conmutacin de un transistor NPN

3A
12 V

12 V
36 W

3A

12 V

12 V
36 W

= 100
40 mA

Sustituimos el interruptor principal por un

transistor.
La corriente de base debe ser suficiente
para asegurar la zona de saturacin.
Ventajas:
No desgaste, sin chispas, rapidez,
permite control desde sistema lgico.
Electrnica de Potencia y Electrnica
digital

IC
IB = 40 mA

4A
ON

PF (ON) 3 A
OFF

VCE
12 V
PF (OFF)

Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor PNP
VEC

IB = f(VBE, VEC) Caracterstica de entrada

IB

IC
-

IB

VEC

VEB

VEB
+

Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a las de un transistor NPN.

Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la base es
saliente.

Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor PNP
IC = f(IB, VCE) Caracterstica de salida
IC

IC
-

IB

VEC

IB

VEB
+

VEC

La corriente que circula por el colector es saliente y se controla mediante la

corriente de base IB.

Funcionamiento en conmutacin de un transistor PNP

3A
12 V

12 V
36 W

40 mA
I

12 V

= 100
3A

12 V
36 W
IC

Al igual que antes, sustituimos el

interruptor principal por un transistor.
La corriente de base (ahora circula al
reves) debe ser suficiente para asegurar la
zona de saturacin.

IB = 40 mA

4A
ON

PF (ON) 3 A
OFF

VEC
12 V
PF (OFF)

Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Caractersticas reales (NPN)

Caracterstica
de Entrada

Caracterstica
de Salida

Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Caractersticas reales: datos proporcionados por los fabricantes
IC
IC-MAX

Corriente mxima de colector

VCE-MAX

Tensin mxima CE

PMAX

Potencia mxima

VCE-SAT

Tensin C.E. de saturacin

HFE

Ganancia

C
ICMAX

B
E
PMAX

SOAR

VCE-MAX
VCE

rea de operacin segura

(Safety Operation Area)

Caractersticas elctricas del transistor bipolar

VCE = 1500
IC = 8
HFE = 20

TOSHIBA

El fototransistor
La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base
desempean el papel de corriente de base
C

El terminal de Base, puede estar presente o no.

No confundir con un fotodiodo.

El fototransistor

El fototransistor

DISTINTOS ENCAPSULADOS

El fototransistor
OPTOACOPLADOR

Conjunto fotodiodo + fototransistor

OBJETIVO:
Proporcionar aislamiento galvnico
y proteccin elctrica.
Deteccin de obstculos.

Conclusiones
Sobre el uso del transistor como interruptor se profundiza en Electrnica de
Potencia y en Electrnica Digital.
Sobre el uso del transistor como amplificador se profundiza en Electrnica
Analgica.
Como se ha visto ambos transistores bipolares son bastante
intercambiables y constructivamente similares.
Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona
bsicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos
(Mayoritarios del emisor en cada caso).
Reacurdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los
huecos, es decir, el transistor NPN es mas rpido que le PNP en igualdad de
condiciones.