UNIDAD 2

2.3 Semiconductores Tipo N P

Un Semiconductor Tipo N tiene ms
electrones libres que huecos

Un Semiconductor Tipo
huecos que electrones.

P tiene ms

Las cargas en exceso se denominan portadores mayoritarios y las

cargas en deficiencia portadores minoritarios.

Union P-N en estado de equilibrio

2.3.1 Potencial de contacto

2.3.2 Campo electrico

El tomo est compuesto de ncleo (protones y

neutrones) y electrones.
Entre los electrones y protones se ejercen fuerzas de
atraccin.
Las fuerzas se deben a una propiedad denominada
carga elctrica.
Las cargas del electrn y del protn tienen el mismo
valor, pero de signo opuesto:
Electrn: carga negativa (-)
Protn: carga positiva (+)

Michael Faraday, visualizo el campo elctrico como

haces
de
energa,
representados
como
innumerables lneas rectas que salen radialmente en
todas las direcciones desde el centro de la carga.
Las llamo Lneas de Fuerza Elctrica.
Esas lneas tienen fuerza natural que actan en un
sentido determinado, pues son salientes en el protn
y entrantes en el electrn.
Del estudio del Campo elctrico se derivan:
Las leyes de atraccin y repulsin de cargas
(Ley de Cargas)

2.3.3 zona de vaciamiento

Llamada tambin:
a)

Zona de Deplexin,

b)

Barrera Interna de Potencial,

c)

Zona de Carga Espacial,

d)

Zona de Agotamiento o Empobrecimiento,

e)

Zona de Vaciado, etc.

2.3.4 Carga almacenada

A la temperatura de 0 K los portadores de carga, electrones libres en la zona n y huecos en

la zona p, estn ligados a sus respectivos tomos.
A temperatura ambiente los dos tipos de portadores estn libres para la conduccin
elctrica.
En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo, y por cada
hueco hay un ion negativo.

2.3.5 Capacitancia de difusin y transicin

La capacidad o capacitancia elctrica es la propiedad que

tienen los cuerpos para mantener una carga elctrica, tambin
es una medida de la cantidad de energa elctrica almacenada
para un potencial elctrico dado. El dispositivo ms comn que
almacena energa de esta forma es el capacitor. La relacin entre
la diferencia de potencial (o tensin) existente entre las placas
del capacitor y la carga elctrica almacenada en ste, se
describe mediante la siguiente ecuacin:

Los dos efectos de

capacitancia son:
Capacitancia de transicin o de

agotamiento.
Capacitancia de difusin o de

almacenamiento.

Capacitancia de transicin o de
agotamiento.
En la regin de polarizacin inversa existe
una regin de agotamiento (libre de
portadores) que se comporta como un
aislante entre las capas de carga opuesta.
Debido a que el ancho de esta regin (d) se
incrementara mediante el aumento del
potencial de polarizacin inversa, la
capacitancia de transicin que resulta
disminuir.

Capacitancia de difusin o de
almacenamiento.
El efecto tambin se encuentra en la regin
de polarizacin directa, pero este es mucho
menor que un efecto de capacitancia
directamente dependiente de la velocidad a
la que la carga es inyectada hacia las
regiones justo fuera de la regin de
agotamiento. El resultado es que niveles
crecientes de corriente resultaran niveles
crecientes de la capacitancia de difusin.

 2.4 Condiciones de polarizacin

Polarizacin directa
Si el terminal
positivo de la fuente
est conectado al
material tipopy el
terminal negativo de
la fuente est
conectado al
material tipo n,
diremos que
estamos en
"Polarizacin
Directa".

En este caso tenemos una corriente que circula con

facilidad, debido a que la fuente obliga a que los
electrones libres y huecos fluyan hacia la unin.
Al moverse los electrones libres hacia la unin, se
crean iones positivos en el extremo derecho de la
unin que atraern a los electrones hacia el cristal
desde el circuito externo.
As los electrones libres pueden abandonar el
terminal negativo de la fuente y fluir hacia el
extremo derecho del cristal. El sentido de la
corriente lo tomaremos siempre contrario al del
electrn.

Lo que le sucede al electrn: Tras

abandonar el terminal negativo de la
fuente, se desplaza a travs de la zona n
como electrn libre.
En la unin se recombina con un hueco y
se convierte en electrn de valencia. Se
desplaza a travs de la zona p como
electrn de valencia.

Si se polariza la unin PN en sentido

directo, la tensin U de la pila
contrarresta la barrera de potencial
creada por la distribucin espacial de
cargas en la unin, desbloquendola, y
apareciendo una circulacin de
electrones de la regin N a la regin P y
una circulacin de huecos en sentido
contraro.

Tenemos as una corriente elctrica de

valor elevado, puesto que la unin PN se
hace conductora, presentando una
resistencia elctrica muy pequea.
El flujo de electrones se mantiene gracias
a la pila que los traslada por el circuito
exterior circulando con el sentido
elctrico real, que es contrario al
convencional establecido para la
corriente elctrica.

2.4.3 Polarizacion Inversa

El polo negativo de
la batera se conecta
a la zona p y el polo
positivo a la zona n,
lo
que
hace
aumentar la zona de
carga espacial, y la
tensin en dicha
zona hasta que se
alcanza el valor de
la tensin de la
batera.

2.4.4 Carateristicas de corriente

voltaje