SEMICONDUCTORES

Prof: HERNAN Cortez

Galindo
 ¿QUÉ ES UN SEMICONDUCTOR?

• Elemento que se comporta como conductor o

como aislante dependiendo de las condiciones
en las que se encuentre.
• El numero de electrones libres de un
semiconductor depende de los siguientes
factores: Calor, luz, campos eléctricos y
magnéticos.
 Materiales semiconductores
Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio (Si)
Compuestos IV: SiC y SiGe
Compuestos III-V:
Binarios: GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP y InSb
Ternarios: GaAsP, AlGaAs
Cuaternarios: InGaAsP
Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe y CdTe

Son
Son materiales
materiales dede conductividad
conductividad intermedia
intermedia entre
entre la
la de
de
los
los metales
metales yy la
la de
de loslos aislantes,
aislantes, que
que se
se modifica
modifica enen
gran
gran medida
medida por
por lala temperatura,
temperatura, la la excitación
excitación óptica
óptica yy
las
lasimpurezas.
impurezas.
 SEMICONDUCTORES
Fundamentos de los semiconductores
Átomos de Silicio y Germanio: Más comúnmente empleados en
electrónica
 BANDAS DE ENERGIA

• Son los niveles de un átomo los cuales pueden

estar influenciados por energía externa o
energía interna, en el átomo con estructura
cristalina ordenada están: la banda de
conducción, la banda de valencia
 Diagramas de bandas
Diagrama de bandas del Ge

4 estados/átomo
Energía

Banda de conducción

Eg=0,67eV Banda prohibida

- - 4 electrones/átomo Banda de valencia

- -

Si
Siun
unelectrón
electrónde delalabanda
bandade
devalencia
valenciaalcanza
alcanzalalaenergía
energíanecesaria
necesariapara
para
saltar
saltar aa lala banda
banda de de conducción,
conducción, puede
puede moverse
moverse alal estado
estado vacío
vacío de
de lala
banda
banda de de conducción
conducción de de otro
otro átomo
átomo vecino,
vecino, generando
generando corriente
corriente
eléctrica.
eléctrica. AA temperatura
temperatura ambiente
ambiente algunos
algunos electrones
electrones tienen
tienen esta
esta
energía.
energía. Es Esununsemiconductor.
semiconductor.
 Diagramas de bandas
Banda de Banda de Banda de
conducción conducción conducción
Eg Eg

Banda de Banda de Banda de

valencia valencia valencia
Aislante Semiconductor Conductor
Eg=5-10eV Eg=0,5-2eV No hay Eg

AA 0ºK,
0ºK, tanto
tanto los
los aislantes
aislantes como
como los
los semiconductores
semiconductores nono conducen,
conducen, yaya
que
queningún
ningúnelectrón
electróntiene
tieneenergía
energíasuficiente
suficientepara
parapasar
pasardedelalabanda
bandadede
valencia
valencia aa lala dede conducción.
conducción. AA 300ºK,
300ºK, algunos
algunos electrones
electrones dede los
los
semiconductores
semiconductores alcanzan
alcanzan este
este nivel.
nivel. Al
Al aumentar
aumentar lala temperatura
temperatura
aumenta
aumentalalaconducción
conducciónen enlos
lossemiconductores
semiconductores(al(alcontrario
contrarioque
queen
enlos
los
metales).
metales).
Representación plana del Germanio a 0º K
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
- - - -
- - - - -
G G G G
- - -
e
- e
- e
- e
-

No
No hay
hay enlaces
enlaces covalentes
covalentes rotos.
rotos. Esto
Esto equivale
equivale aa que
que
los
los electrones
electrones dede la
la banda
banda dede valencia
valencia no
no pueden
pueden
saltar
saltar aala
labanda
banda de
deconducción.
conducción.
 Situación del Ge a 0ºK
300º K
- - - -
- - - - -
G - G - G - G
e
- e
- e e
- - -
- -
+
- -
- - - - -
G G G G
- - -
e- e
- e
- e
-
••Hay
Hay 1 enlace roto por cada 1,7·10 átomos.
1 enlace roto por cada 1,7·10 99
átomos.
••Un
Un electrón
electrón “libre”
“libre” yy una
una carga
carga “+”
“+” por
por cada
cada
enlace
enlace roto.
roto.
 Situación del Ge a 300º K -
Generación
- - -
+
-
- Muy - - - -
importante
G - G - G - Recombinación
G
e e e e
- - - - Generación - -
Generación
- -
+
- -
-
G
-
-
G -
Recombinación
-
G -
-
G
+ -
e- e
- e
- e
-
Siempre
Siempre se
se están
están rompiendo
rompiendo (generación)
(generación) yy reconstruyendo
reconstruyendo
(recombinación)
(recombinación) enlaces.
enlaces. LaLa vida
vida media
media de de un
un electrón
electrón
puede
puede ser
serdel
delorden
ordendede milisegundos
milisegundosoomicrosegundos.
microsegundos.
- Aplicación de un campo externo

+++++++
- - - -

- -
G -
-
G -
-
G -
-
G
-

- e
- - e
- - e
-- -
e
- -
-
- -
+
- -
-
-
- - - -
G G G G
- - -
e e e e

-
- - - -

- ••El
- +
Elelectrón
electrónlibre
librese
semueve
mueve por
por acción
accióndel
delcampo.
campo.
••¿Y
¿Ylalacarga
carga”+”
”+”?.
?.
- Aplicación de un campo externo

+++++++
- - - -

- -
G
Muy
importante
-
-
G -
-
G -
-
G
-

- e
- e
- - e
-- e
-
-
- -
+ +
- -
-
-
- - - -
G G G G
- - -
e e e e

-
- - - -

- -
••La
+
Lacarga
carga “+”
“+”se
semueve
mueve también.
también. Es
Esun
un nuevo
nuevo
portador
portador de
decarga, llamado “hueco”
carga, llamado “hueco”..
Movimiento de cargas por un campo
eléctrico exterior
→
Ε
-

+++++
-
- - - - -
+ + + +
-
+
- - - - -
- + + + + +

- →
jp
→
jn
Existe
Existecorriente
corrienteeléctrica
eléctricadebida
debidaaalos
losdos
dosportadores
portadoresde
decarga:
carga:
→ →
jjpp=q·µ
=q·µ pp·p·Ε
·p·Ε es
eslaladensidad
densidadde
decorriente
corrientede
dehuecos.
huecos.
→ →
jjnn=q·µ
=q·µ nn·n·Ε
·n·Ε es
eslaladensidad
densidadde
decorriente
corrientede
deelectrones.
electrones.
Movimiento de cargas por un campo eléctrico
exterior
→ → → →
jp=q·µ p·p·Ε jn=q·µ n·n·Ε
q = carga del electrón
µ p = movilidad de los huecos
µ n = movilidad de los electrones
p = concentración de huecos
n = concentración de electrones
Ε = intensidad del campo eléctrico
Ge Si As Ga
(cm2/V·s) (cm2/V·s) (cm2/V·s)
Muy
µn 3900 1350 8500
importante
µp 1900 480 400
 Semiconductores Intrínsecos
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados
“Semiconductores Intrínsecos”, en los que:
•No hay ninguna impureza en la red cristalina.
•Hay igual número de electrones que de huecos n = p = ni
Ge: ni = 2·1013 portadores/cm3
Si: ni = 1010 portadores/cm3
AsGa: ni = 2·106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)

¿Pueden
¿Puedenmodificarse
modificarseestos
estosvalores?
valores?
¿Puede
¿Puededesequilibrarse
desequilibrarseel
elnúmero
númerodedeelectrones
electronesyyde
dehuecos?
huecos?
La
La respuesta
respuesta son los Semiconductores
sonlos Semiconductores Extrínsecos
Extrínsecos
 Semiconductores Extrínsecos
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo V
- Sb, P, AS (Pentavalente)
- - -
- - - - -
G - G - G - G
e
- e
- e e
-
0ºK
-
- 1
- - 5 - -
2
- -
- - -
G G G
-
Sb
- -
e- - 4 e
- e
3 -
Tiene 5 electrones en la AA 0ºK,
0ºK, habría
habría un
un electrón
electrón
última capa adicional
adicional ligado
ligado al
al átomo
átomo de
de
Sb
Sb
 Semiconductores Extrínsecos Tipo N
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - 5 -
300ºK
-
0ºK
-
- 1 5
- - - -
2
- -
- - -
G G G
-
Sb
- -
e- Sb+ - 4 e
- e
3 -
AA 300ºK,
300ºK, todos
todos electrones
electrones adicionales
adicionales de
de los
los átomos
átomos de
de Sb
Sb están
están
desligados
desligados dede su
su átomo
átomo (pueden
(pueden desplazarse
desplazarse yy originar
originar corriente
corriente
eléctrica).
eléctrica). El
El Sb
Sb es un donador
es un donador yy en
en elel Ge
Ge hay
hay más
más electrones
electrones que
que
huecos.
huecos.EsEsun semiconductor tipo
unsemiconductor tipoN.
N.
 Semiconductores Extrínsecos
Interpretación en diagrama de bandas de un semiconductor
extrínseco Tipo N

34est./atm.
est./atm. 300ºK
0ºK
Energía

- 10electr./atom.
electr./atm.
-
+
ESb =0,039eV Eg=0,67eV
- -
- - 4 electr./atom.

El
El Sb
Sb genera
genera un un estado
estado permitido
permitido en
en la
la banda
banda prohibida,
prohibida,
muy
muy cerca
cerca dede lala banda
banda dede conducción.
conducción. LaLa energía
energía
necesaria
necesaria para
para alcanzar
alcanzar lala banda
banda dede conducción
conducción sese
consigue
consigue aala
latemperatura
temperaturaambiente.
ambiente.
 Semiconductores Extrínsecos Tipo P
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo III
B, Ga, In, Al, Ta ( Trivalente)
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - -
0ºK
-
- - 1 - -
2
- -
- - -
G G G
-
Al
-
e- - e- e
3 -
AA 0ºK,
0ºK, habría
habría una
una “falta
“falta de
de
Tiene 3 electrones en la
última capa
electrón”
electrón” adicional
adicional ligado
ligado al
al
átomo
átomo dede Al
Al
 - Semiconductores Extrínsecos Tipo P
- - -
- - - - -
Ge - Ge -
+ Ge - Ge
-
300ºK
-
0ºK
- -
- - 1 - -
2
- -
- - -
G G G
-
Al
-
-
-
e
- Al - 4 (extra) e e
3
- -
AA 300ºK,
300ºK, todas
todas las
las “faltas”
“faltas” de
de electrón
electrón de
de los
los átomos
átomos de
de Al
Al
están
están cubiertas
cubiertas con
con unun electrón
electrón procedente
procedente de de un
un átomo
átomo dede
Ge,
Ge, en
en el
el que
que se
se genera
genera un un hueco.
hueco. El
El Al
Al es
es unun aceptador
aceptador yy
en
en elel Ge
Ge hayhay másmás huecos
huecos queque electrones.
electrones. Es Es unun
semiconductor
semiconductor tipo
tipo P.
P.
 Semiconductores Extrínsecos
Interpretación en diagrama de bandas de un semiconductor
extrínseco Tipo P

4 est./atom. 300ºK
0ºK
Energía

EAl =0,067eV Eg=0,67eV

-
+- - 34 electr./atom.
electr./atom.
- - 10 hueco/atom.
huecos/atom.

El
El Al
Al genera
genera un un estado
estado permitido
permitido en
en la
la banda
banda prohibida,
prohibida, muy
muy
cerca
cerca de
de la
la banda
banda de
de valencia.
valencia. La
La energía
energía necesaria
necesaria para
para que
que
un
un electrón
electrón alcance
alcance este
este estado
estado permitido
permitido se
se consigue
consigue aa la
la
temperatura
temperatura ambiente,
ambiente, generando
generando unun hueco
hueco en
en la
la banda
banda de
de
valencia.
valencia.
 Resumen
Muy
Semiconductores intrínsecos: importante
•Igual número de huecos y de electrones
Semiconductores extrínsecos:
Tipo P:
•Más huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios)
•Impurezas del grupo III (aceptador)
•Todos los átomos de aceptador ionizados “-”.
Tipo N:
•Más electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios)
•Impurezas del grupo V (donador)
•Todos los átomos de donador ionizados “+”.
 Ecuaciones en los semiconductores extrínsecos
ND= concentr. donador NA= concentr. aceptador

Neutralidad eléctrica (el semiconductor intrínseco era

neutro y la sustancia dopante también, por lo que también
lo será el semiconductor extrínseco):
Dopado
Dopadotipo
tipoN:
N: nn== pp++ NND
D
Dopado
Dopadotipo
tipoP:
P: nn++NNAA==pp
Ambos
Ambosdopados:
dopados: nn ++NNAA ==pp ++NNDD Muy
importante
Producto n·p p·n
p·n =n
=ni2i2
Simplificaciones si ND >> ni Simplificaciones si NA >> ni
n=ND ND·p = ni2 p=NA NA·n = ni2
 DIODOS SEMICONDUCTORES
Semiconductor extrínseco : TIPO N

+
Sb
+
Sb +
Sb +
Sb
Impurezas
+
Sb
+
Sb

+ grupo V
+
Sb
+
Sb
Sb
+
Sb
+
Sb

+
Sb 300ºK
+
Sb +
Sb Sb + +
Sb

Electrones libres Átomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son

electrones libres
 DIODOS SEMICONDUCTORES
Semiconductor extrínseco : TIPO P

-
Al
-
Al -
Al -
Al

-
Al Al -
-
Al -
Al Impurezas grupo III
-
Al
-
Al
-
Al
-
Al 300ºK
-
Al -
Al -
Al -
Al

Huecos libres Átomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son

Huecos. Actúan como portadores de carga positiva.
 La unión P-N
La unión P-N en equilibrio

- - - + + + +
- - - + +
- + +
- - + +
- - - +
- + + + +
- - - +
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
 La unión P-N
La unión P-N en equilibrio Zona de transición

- - - + + + +
- - - + +
- + +
- - + +
- - - +
- + + + +
- - - +
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
- +

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga
espacial denominada ‘zona de transición’. Que actúa como una barrera para el
paso de los portadores mayoritarios de cada zona.