INSTITUTO TECNOLGICO SUPERIOR

DE SAN NDRES TUXTLA

DOCENTE: DR. MAURICIO CAIXBA SANCHEZ
DISEO ELEMENTO MECNICO
TEMA: 1. 2 TRANSISTORES DE POTENCIA
INTEGRANTES:
WILLIAM CHONTAL ALEGRIA
CARMELO C. PALAFOX LAGUNES
ALFONSO ALEJANDRO LPEZ DAMIAN
SERGIO MERLIN TOTO
CINTHIA YARET SEBA MORAN

UNIDAD 1
SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA.
1.2 TRANSISTORES DE POTENCIA

INTRODUCCIN
Eltransistores un nuevo componente utilizado en las prcticas deelectrnica. Este
es un dispositivo semiconductor de tres terminales y que se utiliza para una
variedad defunciones decontrolen loscircuitoselectrnicos.
Entre alguna de las funciones podemos incluir la amplificacin, oscilacin,
conmutacin y la conversin de frecuencias. En el reporte siguiente podremos ver
los elementos de un transistor, las ventajas de la utilizacin de
lostransistoreselectrnicos, los tipos de transistores, como realizar untesten un
transistor, aplicaciones de los transistores y sus encapsulados omaterialesque
estn compuestos.

1.2 TRANSISTORES DE POTENCIA

El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los
transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones
e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT.

PRINCIPIOS BSICOS DE
FUNCIONAMIENTO
La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo
de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar
una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET
el control se hace mediante la aplicacin de una tensin entre puerta y fuente. Esta
diferencia vienen determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que
son substancialmente distintas.

Parmetros

MOS

Bipolar

Impedancia de entrada

Alta (1010 ohmios)

Media (104 ohmios)

Ganancia en corriente

Alta (107)

Media (10-100)

Resistencia ON (saturacin)

Media / alta

Baja

Resistencia OFF (corte)

Alta

Alta

Voltaje aplicable

Alto (1000 V)

Alto (1200 V)

Mxima temperatura de operacin

Alta (200C)

Media (150C)

Frecuencia de trabajo

Alta (100-500 Khz)

Baja (10-80 Khz)

Coste

Alto

Medio

 El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de carga en
corriente de los transistores bipolares:
Trabaja con tensin.
Tiempos de conmutacin bajos.
Disipacin mucho mayor (como los bipolares).
Nos interesa que el transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento ideal:
Pequeas fugas.
Alta potencia.
Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia de
funcionamiento.
Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del semiconductor.
Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE mxima elevada).
Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).
Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los
transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa no se hace
instantneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff). Las causas fundamentales
de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y base emisor y los tiempos de difusin y recombinacin de los portadores.

PRINCIPIOS BSICOS DE
FUNCIONAMIENTO
La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo
de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar
una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET
el control se hace mediante la aplicacin de una tensin entre puerta y fuente. Esta
diferencia vienen determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que
son substancialmente distintas.
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o
signo de los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor
pueden ser :

 Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor - base y
a una polarizacin inversa de la unin colector - base. Esta es la regin de operacin
normal del transistor para amplificacin.
Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor - base y
a una polarizacin directa de la unin colector - base. Esta regin es usada raramente.
Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin
en sta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues el
transistor acta como un interruptor abierto (IC 0).
Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La
operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo
encendido, pues el transistor acta como un interruptor cerrado (VCE 0).
Clculo de potencias disipadas en conmutacin con carga resistiva

 La grfica superior muestra las seales idealizadas de los tiempos de conmutacin

(ton y toff) para el caso de una carga resistiva.

1.2.1 TIPOS DE TRANSISTORES

BIPOLAR (BJT)
Qu es un transistor bipolar?
Eltransistor bipolares el ms comn de lostransistores, y como losdiodos, puede
ser de germanio o silicio. En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el
emisor, la base y el colector.

 Existen dos tipostransistores: elNPNy elPNP, y la direccin del flujo de

lacorrienteen cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de
transistor. Eltransistores un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres:
base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla
que tiene la flecha en el grfico de transistor.
Este factor de amplificacin se llama (beta) y es un dato propio de cada
transistor. Entonces:
Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin)
por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
Ic = x Ib
Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (+1) x Ib, pero se redondea
al mismo valor que Ic, slo que la corriente en un caso entra al transistor y en el
otro caso de sale l, o viceversa.

 En la figura de la derecha las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder
entender que a ms corriente la curva es ms alta.

TIPOS DE TRANSISTORES
Transistores Bipolares de unin, BJT. ( PNP o NPN )
- BJT,de transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar Junction Transistor).
El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el
procesode inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta.
Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET, MOSFET )
- MESFET,transistores de efecto de campo metal semiconductor.
- MOSFET,transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos
componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser
positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un electrodo
de metal.

TRANSISTORES HBT Y HEMT.

Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabrasHeterojuction Bipolar Transistor
(Bipolar de Hetereoestructura)yHight Electrn Mobility Transistor (De Alta
Movilidad).Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinacin de
diferentes componentes, con distinto salto de banda prohibida.

1.2.2 METAL OXIDO DE SILICIO (MOS).

ESTRUCTURA FSICA

PRINCIPIO DE OPERACIN

PASO DE CORRIENTE

1.2.3 TRANSISTOR BIPOLAR DE

PUERTA AISLADA (IGBT).

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los

atributos del BJT y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por
consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el
MOSFET. Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de
ruptura secundario como el BJT. Generalmente se aplica a circuitos de potencia.
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin
de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas
de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

CARACTERSTICAS DE FUNCIONAMIENTO:
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)
Facilidad de manejo (MOSFET)
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:
Bajo ciclo de trabajo

Baja frecuencia (< 20 kHz)

Aplicaciones de alta tensin (>1000 V)

Alta potencia (>5 kW)

CARACTERSTICAS ELCTRICAS

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT

CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
El encendido es anlogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de cola:

Formas de Onda Caractersticas de la Tensin y Corriente en el Apagado de un

Transistor IGBT conmutando una carga inductiva (no comienza a bajar Id hasta que no sube
completamente Vd)
La corriente de cola se debe a la conmutacin ms lenta del BJT, debido a la carga almacenada en su
base (huecos en la regin n-).

 Provoca prdidas importantes (corriente relativamente alta y tensin muy

elevada) y limita la frecuencia de funcionamiento.
La corriente de cola, al estar compuesta por huecos que circulan por la
resistencia de dispersin, es la causa del latch up dinmico.
Se puede acelerar la conmutacin del BJT disminuyendo la vida media de los
huecos en dicha capa (creando centros de recombinacin). Tiene el inconveniente
de producir ms prdidas en conduccin.
En los PT-IGBT la capa n+ se puede construir con una vida media corta y la n- con
una vida media larga, as el exceso de huecos en n- se difunde hacia la capa n+
dnde se recombinan (efecto sumidero), disminuyendo ms rpido la corriente.

EJEMPLO 1
Un transistor BJT de tipo npn y = 100 se conecta de la siguiente manera: la base
se conecta al terminal positivo de una pila de 5 V a travs de una resistencia de
100 kohmios; el colector se conecta al terminal positivo de otra pila de 10 V a
travs de una resistencia de 100 ohmios el emisor se conecta a los terminales
negativos de ambas pilas. En estas condiciones calcule la corriente de colector.

EJEMPLO 2
El transistor de la figura, de parmetro =100, alimenta una carga de 1kohmio a
partir de una batera de 15V. Calcular la potencia disipada por el transistor en los
dos casos siguientes: a) UE=0 V b)UE=30 V.

CONCLUSIN