Arquitectura de Computadores-Memorias

Pontificia Universidad Catlica de Chile
Escuela de Ingeniera
Departamento de Ciencia de la Computacin
Arquitectura de Computadores
Clase 17
Tecnologas de Memorias
IIC 2342
Semestre 2008-2
Rubn Mitnik
Objetivos
Captulo 5 : Sistemas de Memoria
Objetivos
Conocer los tipos de empaquetamiento de las memorias RAM
Entender la organizacin interna de los bancos de memoria
Entender el funcionamiento, ventajas y desventajas de las

memorias SRAM y DRAM
R.Mitnik
ndice
Captulo 5 : Sistemas de Memoria
5.1 Sistemas de almacenamiento

5.2 Jerarquas de memoria
5.3 Tecnologas de memorias
5.4 Representacin y formato de datos.
5.5 Memorias cach.
5.6 Memoria virtual.
R.Mitnik
Captulo 5 : Sistemas de Memoria Tecnologas de Memorias
Empaquetamiento
Corresponde al diseo e interfaz fsica de

una memoria, incluyendo tipo de
conectores y tamao de los componentes.
R.Mitnik
Empaquetamiento
R.Mitnik
Tipos de empaquetamiento:
DIP (Dual Inline Package),
Empaquetamiento
R.Mitnik
SIPP (Single Inline Pin Package)
Empaquetamiento
R.Mitnik
SIMM (Single Inline Memory Module)
Empaquetamiento
DIMM (Dual Inline Memory Module)
R.Mitnik
Ocupado en la actualidad en PCs de escritorio
Empaquetamiento
SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module,
SODIMM.jpg)
R.Mitnik
Ocupados en notebooks.
10
Empaquetamiento
Las principales razones para los distintos tipos de

empaquetados son:
Tamao de los transistores
Tamao del bus de datos ha aumentado
R.Mitnik
cada vez ms pequeos configuraciones ptimas de las celdas

cambian
Se necesitan ms conectores
11
Organizacin
Chip de memoria:
Estructurado internamente como grilla de

celdas
Cada celda almacena un bit (no un byte)
Celdas accesibles mediante la fila y
columna en que est
Permite reducir el tamao de las
unidades de memoria
Mdulos ms compactos
R.Mitnik
12
Organizacin
Mdulo de memoria:
Para almacenar bytes completos se agrupan 8 chips, conectados a un

mismo bus de direccin y datos
R.Mitnik
Para almacenar palabras se agrupan N chips segn corresponda
Una byte de memoria est

compuesta por las 8
posiciones (i,j) de las grillas
asociadas a cada chips
13
Organizacin
Acceso a Datos:
En la mayora de los casos, cuando se

accede a un dato, se adquieren tambin
los datos vecinos
R.Mitnik
localidad de referencia,
Ej. en vez de acceder a una palabra de 8
bits, se acceden a 32 bits que incluyen esa
palabra y tres ms.
Para realizar esto, los mdulos de

memoria estn agrupados en bancos de
memoria
14
Tipos de Memorias Voltiles

Memorias voltiles:
SRAM y DRAM
R.Mitnik
15

SRAM (Static Random Access Memory)
Memoria voltil basada en semiconductores.

Cada celda utiliza 6 o ms transistores para almacenar
un bit de informacin.
Mientras los transistores estn alimentados mantienen
la informacin indefinidamente.
R.Mitnik
16

Es muy rpida, pero debido a ocupar varios transistores

por celda, es menos densa y ms cara que DRAM.
Se ocupa habitualmente como cach.
Lectura en SRAM:
R.Mitnik
Colocar direccin del dato a leer en el bus de direcciones.

Activar CS (chip select) para indicar que vamos a ocupar
este chip.
Desactivar OE (output enable negado) para indicarle a la
SRAM que se va a leer el dato (OE no se muestra en el
diagrama anterior).
La memoria coloca el dato en el pin Data Out.
17

Escritura en SRAM:
R.Mitnik
Colocar direccin donde se escribir en el bus de direcciones

Colocar bit a escribir en Data In
Activar CS
Activar WE (write enable) para indicarle a la SRAM que se escribir
18

DRAM: (Dynamic Random Access Memory)
Memoria voltil basada en semiconductores y condensadores
Celda compuesta por un transistor y un condensador
Condensador almacena la informacin como carga

Es necesario un circuito que refresque la carga actual
Un solo transistor celdas de mucho menor tamao que SRAM
R.Mitnik
Las hace ms lentas que las SRAM.
Mayor densidad y menor costo.
Usualmente usada como memoria principal

20

R.Mitnik
21

Para la misma capacidad, requiere de la mitad

de entradas de direccin que una SRAM
Para leer se enva primero una mitad de la
direccin (la fila) en el siguiente ciclo la
segunda (la columna)
Razn:
Aprovechar densidad de celdas sin tener que

aumentar significativamente el nmero de
entradas de direccin
R.Mitnik
mantener la cantidades de pines por chip baja
Se ocupan seales de control especiales que

indican si se est accediendo a la fila o la
columna (CAS y RAS)
22

Lectura en DRAM
La direccin de la fila se coloca en los pines de

direccin a travs del bus de direccin.
Se activa la seal de control RAS (Row Address

Selector) haciendo que la direccin recibida se
almacene en el latch de direccin de fila
El decodificador de fila, selecciona la fila

correspondiente a la direccin recibida
Se desactiva el WE para indicar que no se va a

escribir (o sea, que si se va a leer)
R.Mitnik
23

Lectura en DRAM (cont.)
La direccin de la columna se coloca en los pines de

direccin a travs del bus de direccin.
Se activa la seal de control CAS (Column Address

Selector) haciendo que la direccin recibida se
almacene el latch de direccin de columna
Cuando se estabiliza la seal de CAS, se ocupa esta

misma como Output Enable colocando el dato en el
pin Data Out
R.Mitnik
24
DRAM
Tipos de DRAM
Sncrona (SDRAM)
Asincrona (ADRAM)
R.Mitnik
Espera la seal del clock antes de responder a seales de control.
Responde ante seales de control lo ms rpido posible.
26
DRAM
Tipos de DRAM
Dentro de las SDRAM se encuentran los siguientes tipos:
SDR (Single Data Rate) SDRAM:
DDR (Double Data Rate) SDRAM:
Puede recibir un comando y transferir dos palabras por clock

Frecuencias de clock tpicas: 133 MHz, 166 MHz, 200 MHz
DDR2, DDR3, DDR4:
R.Mitnik
Puede recibir un comando y transferir una palabra por clock.

Frecuencias de clock tpicas: 66 MHz, 100 Mhz, 133 Mhz
Sucesores de DDR, mantienen las mismas caractersticas pero

aumentando la velocidad de acceso
Frecuencias de clock hasta 800 MHz
27

Otros tipos de RAM
ZRAM (Zero Capacitor RAM) y TTRAM (Twin Transistor RAM):
Tecnologa en desarrollo
Ocupa un transistor (ZRAM) o dos (TTRAM),
R.Mitnik
a diferencia de la DRAM no necesita de un condensador para almacenar los datos

usa la capacitancia de las capas semiconductoras del propio transistor para
almacenar el bit .
Prometen lograr mayor densidad que DRAM y velocidades comparables a

SRAM
28
Sistemas de almacenamiento
Tipos de Memorias NO Voltiles
Memoria Flash
Tipo de EEPROM que es borrada y programada en bloques grandes

Basada en semiconductores
NOR flash:
NAND flash:
R.Mitnik
Basada en compuertas NOR

Permite acceso aleatorio (RAM)
Tiempos elevados de escritura y borrado
Basada en compuertas NAND
No permite acceso aleatorio, slo por bloques
Menores tiempos de escritura y borrado
Menor tamao de celdas, menor costo/bit que NOR
29
Resumen
Resumen
Tipos de empaquetamiento
Organizacin de:
Chip de memoria
Mdulo de memoria
Banco de memoria
Memorias SRAM, DRAM, y SDRAM
R.Mitnik
Ventajas
Funcionamiento
Memorias no voltiles
30

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Conocer los tipos de empaquetamiento de las memorias RAM

Entender la organizacin interna de los bancos de memoria

Entender el funcionamiento, ventajas y desventajas de las

5.1 Sistemas de almacenamiento

Corresponde al diseo e interfaz fsica de

Ocupado en la actualidad en PCs de escritorio

Las principales razones para los distintos tipos de

Tamao de los transistores

Tamao del bus de datos ha aumentado

cada vez ms pequeos configuraciones ptimas de las celdas

Estructurado internamente como grilla de

Para almacenar bytes completos se agrupan 8 chips, conectados a un

Para almacenar palabras se agrupan N chips segn corresponda

Una byte de memoria est

En la mayora de los casos, cuando se

Para realizar esto, los mdulos de

Tipos de Memorias Voltiles

Tipos de Memorias Voltiles

SRAM (Static Random Access Memory)

Memoria voltil basada en semiconductores.

Tipos de Memorias Voltiles

SRAM (Static Random Access Memory)

Es muy rpida, pero debido a ocupar varios transistores

Colocar direccin del dato a leer en el bus de direcciones.

Tipos de Memorias Voltiles

SRAM (Static Random Access Memory)

Colocar direccin donde se escribir en el bus de direcciones

Tipos de Memorias Voltiles

DRAM: (Dynamic Random Access Memory)

Memoria voltil basada en semiconductores y condensadores

Celda compuesta por un transistor y un condensador

Condensador almacena la informacin como carga

Un solo transistor celdas de mucho menor tamao que SRAM

Las hace ms lentas que las SRAM.

Mayor densidad y menor costo.

Usualmente usada como memoria principal

Tipos de Memorias Voltiles

DRAM: (Dynamic Random Access Memory)

Tipos de Memorias Voltiles

DRAM: (Dynamic Random Access Memory)

Para la misma capacidad, requiere de la mitad

Aprovechar densidad de celdas sin tener que

mantener la cantidades de pines por chip baja

Se ocupan seales de control especiales que

Tipos de Memorias Voltiles

DRAM: (Dynamic Random Access Memory)

La direccin de la fila se coloca en los pines de

Se activa la seal de control RAS (Row Address

El decodificador de fila, selecciona la fila

Se desactiva el WE para indicar que no se va a

Tipos de Memorias Voltiles

DRAM: (Dynamic Random Access Memory)

Lectura en DRAM (cont.)

La direccin de la columna se coloca en los pines de

Se activa la seal de control CAS (Column Address

Cuando se estabiliza la seal de CAS, se ocupa esta

Espera la seal del clock antes de responder a seales de control.

Responde ante seales de control lo ms rpido posible.

Dentro de las SDRAM se encuentran los siguientes tipos:

SDR (Single Data Rate) SDRAM:

DDR (Double Data Rate) SDRAM:

Puede recibir un comando y transferir dos palabras por clock

DDR2, DDR3, DDR4: