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UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO

FISEI

TEMA:
PUT (Transistor Uni-unin Programable)
INTEGRANTES:
Escobar Camilo
Lpez Elvis
Rivera Carlos
Suarez Cristian
CICLO:
Quinto Industrial A

I. CARACTERSITICAS
Las siglas PUT, transistor uni-unin programable.
Semiconductor de 4 capas (pnpn).
de 3 terminales:.
Consta

A pesar de llamarse transistor, su estructura es

la de un tiristor en la que el
disparo es respecto del nodo envs del ctodo y se denomina puerta andica ().

CARACTERISTICAS

Semiconductor cuyo comportamiento es similar al UJT, con la diferencia que la


relacin n puede programarse mediante un divisor de tensin exterior.

Este transistor permite que se puedan controlar los valores de y


son fijos.

El PUT es un transistor que funciona con un voltaje mnimo.

Estructura
interna

que en el UJT

POLARIZACIN

Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (haycorrienteentre A y K y


la cada devoltajees pequea) y otro de corte cuando la corriente de A a K es
muy pequea. Este transistor se polariza de la siguiente manera:

Cuando IG = 0
VG = VBB * [ RB2 / (RB1+RB2) ]
VG = n x VBB
donde: n = RB2 / (RB1+RB2)

La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que lasresistencias: RB1
+ RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que en el PUT estas
resistencias estn en el exterior y pueden modificarse

II. ANLISIS DE FUNCIONAMIENTO

Si el PUT est polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en


conduccin, el PUT permanece encendido hasta que el voltaje andico es
insuficiente, entonces, se apaga.

Es un dispositivo de disparo nodo-puerta (nodo-compuerta) puesto que su


disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensin ms negativa que el
nodo, es decir, la conduccin del PUT se realiza por control de las tensiones
en sus terminales.

Curva caracterstica

Mientras la tensin Vak no alcance el valor Vp,


el PUT estar abierto, por lo cual los niveles de
corriente sern muy bajos. Una vez se alcance
el nivel Vp, el dispositivo entrar en conduccin
presentando una baja impedancia y por lo tanto
un elevado flujo de corriente.

III.EJERCICIO
Se tiene un oscilador de relajacin que trabaja con un PUT, el cual presenta las
siguientes caractersticas:

Ip = 100 A, Iv = 5.5 mA y Vv = 1 v.
Si el voltaje de polarizacin es de 12 v y la red externa es la siguiente: Rb1= 10
kW, Rb2= 5 kW, R = 20 kW, C = 1 F y Rk = 100 kW, calcular Vp, Rmx, Rmn y el
perodo de oscilacin.

Primero procedemos a calcular el Vp


Vp = Vd + n Vbb,n = Rb1/(Rb1+ Rb2) = 10/15 = 0.66
Vp = .7 + .66 12 = 8.7 v

Rmx = (Vbb - Vp)/Ip = 3.3/100 = 33 kW


Rmn = (Vbb - Vv)/Iv = 11/5.5 = 2 kW
Ahora, debe cumplirse con la condicin:
Rmn <=R <= Rmx , 2 kW <= R <= 33 kW
Finalmente calculamos el periodo
T = RC ln(1 + Rb1/Rb2)
T = 20 kW1 F ln(1 + 2) = 24 ms

IV. APLICACIONES DEL TRANSISTOR PUT

Los PUTs de utilizan casi exclusivamente para el control de fase en


circuitos de rectificacin controlada, y en algunos casos como osciladores.

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