INTEGRANTES:

CONTRERAS ARRIOLA MIGUEL ANGEL.

GUADARRAMA MARTINEZ RAYMUNDO.
CORTES AGUILAR JOSUE.
RUIZ VALENCIA LUIS ANGEL.

PROFESORA: Blanca de la Pea.

ASIGNATURA: Fisica de Semiconductores

MATERIALES TIPO P - N
Cuando aportamos energa calorfica a un material semiconductor,
algunos electrones se desprenden de la capa de valencia y pasan a
ser electrones libres, dejando as un hueco. Un hueco es entonces el
sitio que deja un electrn al abandonar la capa de valencia y
convertirse en un electrn libre.
Un electrn libre tiene un nivel energtico mayor que un electrn
orbitando en la capa de valencia. Cuando un electrn libre cae en un
hueco, este libera energa y dicho proceso se llama recombinacin.

MATERIAL TIPO P
Un material tipo P se consigue sustituyendo algunos tomos de
semiconductor intrnseco, como el Silicio, por tomos de un elemento
con menor nmero de electrones en su capa de valencia, normalmente
3 (trivalente), como el Boro.
Este proceso se llama dopado y se consigue as aumentar el nmero
de huecos.
Al sustituir algunos tomos de material intrnseco por otros de material
extrnseco con menos electrones en la capa de valencia, algn tomo
vecino cede un electrn para completar el enlace, y se produce as una
circulacin de electrones libres dentro de la red.

MATERIAL TIPO N.

Un semiconductor tipo N se consigue mediante un proceso de dopado

aadiendo cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente (5
electrones en la capa de valencia), al semiconductor para aumentar el
nmero de electrones libres.
Si un tomo con cinco electrones de valencia como por ejemplo el
Fsforo (P), el Arsnico (As), o el Antimonio (Sb), se incorpora a la red
cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo
tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado.
Este electrn extra da como resultado la formacin de electrones
libres, y el nmero de electrones libres supera ampliamente el nmero
de huecos, en este caso los huecos son los portadores minoritarios y
los electrones son los portadores mayoritarios.

BARRERA DE POTENCIAL

Al unir material tipo N y tipo P, algunos electrones libres del lado N

se recambian con huecos del lado P en un fenmeno llamado
difusin. Al producirse la difusin, aparecen cargas en la zona de la
unin, dicha zona se llama barrera interna de potencial.
A medida que la difusin aumenta la barrera de potencial se
ensancha, y se genera un campo elctrico que contrarresta el
fenmeno de difusin hasta estabilizarlo.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una
diferencia de potencial entre las zonas P y N, esta diferencia de
potencial (V0) es de 0,7V en el caso del silicio y 0,3V si los cristales
son de germanio (Ge).

POLARIZACION DIRECTA
Para que una uni PN est polarizada directamente, hay que conectar
el polo positivo de una batera al nodo y el polo negativo al ctodo.
En estas condiciones el polo negativo repele los electrones libres del
cristal N, con lo que los electrones se dirigen hacia la unin PN. El
polo positivo atrae a los electrones de valencia del cristal P, lo cual
equivale a decir que empuja a los huecos hacia la unin PN.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera
supera el campo elctrico de la barrera de potencial, los electrones
libres del cristal N adquieren suficiente energa como para saltar a los
huecos del cristal P, los cuales previamente, como ya se ha dicho, se
han desplazado hacia la unin PN.(figura 8)

POLARIZACION INVERZA
Si se polariza inversamente la unin PN, es decir, si se aplica un voltaje
externo, tal como s indica en lafigura 7, el efecto de la barrera se
intensifica, debido a que el terminal positivo de la fuente atrae a los
electrones del material tipo N, y el polo negativo atrae a los huecos del
material tipo P, haciendo ms ancha la zona de agotamiento y la unin
presenta una lata resistencia al paso de la corriente, comportndose
como un aislante; solo unos pocos portadores minoritarios lograr
atravesar la barrera formando la denominada corriente de figa que es
muy pequea y que en muchos casos prcticos no se tiene en cuenta.

HISTORIA DEL

L E D.

La historia del LED y su desarrollo posterior ha transcurrido en paralelo al siglo XX. Ya

en 1907, Henry Joseph Round, especialista en las comunicaciones por radio, descubre
el efecto fsico de la electroluminiscencia.
El primer diodo LED fue diseado por Oleg Vladimirovich Losev (quien fabric un LED
de xido de cinc y carburo de silicio).
Considerado como el padre del LED moderno, Nick Holonyak invent el primer LED
que emita en el espectro visible en 1962.
Quince aos ms tarde, descubrira el lser de punto cuntico, que abri las puertas a
las comunicaciones a travs de la fibra ptica, los reproductores de CD y numerosas
aplicaciones en el mundo de la medicina.
En 1962, en paralelo al hallazgo de Holonyak, sale al mercado el primer diodo
luminiscente rojo. Serva como indicador, ya que su luz todava no era suficiente para
iluminar una gran superficie.
1971 que estn disponibles LED en otros colores: verde, naranja y amarillo.
En la dcada de los 90, se desarrollaron los ultravioleta y azules, lo que permiti crear
LED de luz blanca, a travs de conversin luminiscente en 1995. Este hecho y la gran
luminosidad conseguida lo convierte en un elemento muy til en la iluminacin.

EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED).

El LED (Light Emitting Diode) es un dispositivo optoelctrico fabricado
con material semiconductor, formando una unin p-n, que emite luz
cuando se polariza de forma directa, circulando por l corriente
elctrica.
Los electrones son capaces de recambiarse con los huecos dentro del
dispositivo, pasando as a un nivel energtico menor y liberando
energa en forma de fotones (quanto o partcula de luz mas pequea).
Este efecto se llama electroluminiscencia.
Se agregan varias impurezas durante el proceso de dopado para
establecer la longitud de onda de la luz emitida.

LONGITUD DE ONDA.
La longitud de onda determina el color la luz visible.

La longitud de onda de la luz

emitida, y por tanto el color, est
determinado por la energa de la
banda prohibida de los
materiales que forman la unin
p-n. El color de la luz que emite
un LED depende del material
semiconductor con que est
fabricado.

EMISION DE LUZ.

Puesto que un LED es un diodo, ste se compone de dos terminales:

nodo (material tipo P) y ctodo (material tipo N). La corriente puede
circular en sentido directo (de nodo a ctodo) pero no en sentido
inverso. Al hacer circular corriente en sentido directo por un LED, los
electrones cruzan la barrera de potencial, y se produce la recombinacin
con los huecos, este fenmeno emite fotones.
Si aumentamos la corriente que atraviesa un LED, este emitir ms
fotones, es decir: lucir ms, pero tambin aumentar la temperatura y
disminuir la eficiencia la vida til.
Un LED emite luz dentro de un intervalo especificado de longitudes de
onda, como lo indican las curvas de salida espectral.