Dispositivos Esime 2015

Instituto Politcnico Nacional
Escuela Superior de Ingeniera Mecnica y Elctrica

Unidad Culhuacan
Dispositivos
Profesores:
Ing. Guillermo Avalos Arzate
Agosto 2013
1
Instituto Politcnico Nacional

Escuela Superior de Ingeniera Mecnica y Elctrica
Unidad Culhuacan
CARRERA: Ingeniera en Comunicaciones y Electrnica
ASIGNATURA: Dispositivos
SEMESTRE: Quinto
CONTENIDO SINTTICO:
I.- Caractersticas Generales de los Componentes Electrnicos.
II.- Dispositivos de Estado Slido de Dos Terminales (Diodos).
III.-Dispositivos de Estado Slido de Tres Terminales (Transistores).
IV.-Dispositivos de Estado Slido Utilizados como Interruptores Controlados.
2
I.- Caractersticas Generales de

los Componentes Electrnicos.
Materiales
Conductore
s
Conductor
elctrico
Es aquel cuerpo que puesto en contacto
con un cuerpo cargado de electricidad
transmite sta a todos los puntos de su
superficie.
Generalmente elementos, aleaciones o
compuestos con electrones libres que
permiten el movimiento de cargas.
6
Otra definicin es la de materiales cuya resistencia

al paso de la electricidad es muy baja.
Los mejores conductores elctricos son los metales
y sus aleaciones.
Existen otros materiales, no metlicos, que tambin
poseen la propiedad de conducir la electricidad
como son el grafito, las disoluciones y soluciones
salinas y cualquier material en plasma.
Para aplicaciones especiales se utiliza

como conductor el oro y la plata debido
que son caros, el metal empleado
universalmente es el cobre en forma de
cables de uno o varios hilos.
Alternativamente se emplea el
aluminio, metal que si bien tiene
una conductividad elctrica del
orden del 60% de la del cobre es,
sin embargo, un material mucho
ms ligero, lo que favorece su
empleo en lneas de transmisin de
energa elctrica en las redes de
alta tensin.
Materiales
conductores:
metales, hierro, mercurio, oro, plata, cobre, platino,
plomo, alumnio,etc.
9
Definicin:
La
conductividad del cobre

recocido medida a 20C es igual
a 0,58108 S/m.
este valor es a lo que se llama

100% IACS y la conductividad del
resto de los materiales se
expresa
como
un
cierto
porcentaje de IACS.
10
Se considera que la conductividad

elctrica
adoptada
del
por
Electrotcnica
cobre
la
puro
fue
Comisin
Internacional
en
1913 como la referencia estndar

para esta magnitud, estableciendo
el International Annealed Copper
Standard (Estndar Internacional
del Cobre Recocido) o IACS.
11
Aislantes
12
Los materiales aislantes tienen la funcin

de evitar el contacto entre las diferentes
partes conductoras (aislamiento de la
instalacin) y proteger a las personas
frente
las
tensiones
elctricas
(aislamiento protector).
13
El comportamiento de los aislantes se

debe a la barrera de potencial que se
establece entre las bandas de valencia y
conduccin, que dificulta la existencia de
electrones libres capaces de conducir la
electricidad a travs del material (para
ms detalles ver semiconductor).
14
Un material aislante de la electricidad tiene una

resistencia tericamente infinita.
Algunos materiales, como el aire o el agua son
aislantes bajo ciertas condiciones pero no para
otras.
El aire, por ejemplo es un aislante a temperatura
ambiente y bajo condiciones de frecuencia de la
seal y potencia relativamente bajas, puede
convertirse en conductor.
15
Aislantes
La
goma
Fibra de vidrio
La madera (no hmeda)
El plstico (alveolares)
Aislantes ecolgicos (ej.
el lino o el camo)
Hormign celular (mezcla
de cemento, cal, y arena
de slice)
Los minerales
Polietileno extruido
Malos conductores
El
vidrio
El corcho
La madera
La goma
El plstico
EL agua(en estado
puro)
16
Dielctricos
17
Se denominan dielctricos a los materiales que no

conducen la electricidad, por lo que se pueden utilizar
como aislantes elctricos.
Algunos ejemplos de este tipo de materiales son el
vidrio, la cermica, la goma, la mica, la cera, el papel,
la madera seca, la porcelana, algunas grasas para
uso industrial y electrnico y la baquelita.
Los dielctricos se utilizan en la fabricacin de
condensadores, para que las cargas reaccionen.
18
Cada material dielctrico posee una constante dielctrica k. que es

conocida como la constante de proporcionalidad directa e
inversamente proporcional hablando matemticamente.
La introduccin de un dielctrico en un condensador aislado de

una batera, tiene las siguientes consecuencias:
Disminuye el campo elctrico entre las placas del condensador.
Disminuye la diferencia de potencial entre las placas del

condensador, en una relacin Vi/k.
19
Aumenta la diferencia de potencial mxima

que el condensador es capaz de resistir sin
que salte una chispa entre las placas (ruptura
dielctrica).
Aumento por tanto de la capacidad elctrica
del condensador en k veces.
La carga no se ve afectada, ya que
permanece la misma que ha sido cargada
cuando el condensador estuvo sometido a un
voltaje.
20
Normalmente un dielctrico se vuelve conductor

cuando se sobrepasa el campo de ruptura del
dielctrico.
Esta tensin mxima se denomina rigidez
dielctrica, es decir; si aumentamos mucho el
campo elctrico que pasa por el dielctrico
convertiremos dicho material en un conductor.
Tenemos que la capacitancia con un dielctrico
llenando todo el interior del condensador esta
dado: C = kEoA / d (Donde o es la permitividad
elctrica del vaco).
21
Semiconducto
res
22
Un semiconductor es una sustancia que se comporta

como conductor o como aislante dependiendo de la
temperatura del ambiente en el que se encuentre.
Los elementos qumicos semiconductores de la tabla
peridica se indican en la tabla adjunta.
Grupo
Electrones en
la ltima capa
Cd
II B
2 e-
Al, Ga, B, In
III A
3 e-
Si, C, Ge
IV A
4 e-
P, As, Sb
VA
5 e-
Se, Te, (S)
VI A
6 e-
Elemento
23
24
El elemento semiconductor ms usado es el silicio,

aunque idntico comportamiento presentan las
combinaciones de elementos de los grupos II y III con
los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn,
AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd).
Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el
azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que
son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin
electrnica sp.
25
Es un cristal de silicio que forma una estructura

tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces
covalentes entre sus tomos.
Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente,
algunos electrones pueden, absorbiendo la energa
necesaria, saltar a la banda de conduccin, dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia.
Las energas requeridas, a temperatura ambiente son
de 1,12 y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.
26
Resistor
es
27
Qu es la resistencia?
Descubierta por Georg Ohm en 1827, la resistencia
elctrica tiene un parecido conceptual a la friccin en la
fsica mecnica. La unidad de la resistencia en el
Sistema Internacional de Unidades es el ohmio ().
Para su medicin en la prctica existen diversos
mtodos, entre los que se encuentra el uso de un
ohmmetro.
Su cantidad recproca es la conductancia, medida en
Siemens.
28
La resistencia elctrica no depende de la

corriente elctrica que pasa a travs de un
objeto o de la tensin en los terminales de
este.
Esto significa que, dada una temperatura y un
material, la resistencia es un valor que se
mantendr constante.
29
Adems, de acuerdo con la ley de Ohm

la resistencia de un objeto puede
definirse como la razn de la tensin y
la corriente, as :
30
Por qu se da este fenmeno?

Debido a que es la propiedad de oponerse
al paso de la corriente. La poseen todos los
materiales en mayor o menor grado.
El valor de las resistencias elctricas, viene
determinada por tres factores:
El
tipo de material (resistividad )

La seccin transversal S
La longitud l del elemento.
31
Resistencia de un conductor
El conductor es el encargado de unir elctricamente
cada uno de los componentes de un circuito. Dado
que tiene resistencia hmica, puede ser considerado
como otro componente ms con caractersticas
similares a las de la resistencia elctrica.
La resistencia de ste es la medida de la oposicin
que presenta al movimiento de los electrones en su
seno, o sea la oposicin que presenta al paso de la
corriente elctrica.
32
Generalmente su valor es muy pequeo y por

ello se suele despreciar, esto es, se considera
que su resistencia es nula (conductor ideal),
pero habr casos particulares en los que se
deber tener en cuenta su resistencia
(conductor real).
La resistencia depende de la longitud del
mismo (l), de su seccin (S), del tipo de
material y de la temperatura.
33
Resistividad de algunos materiales a 20 C

Material
Resistividad (m)
Plata
1,55 108
Cobre
1,70 108
Oro
2,22 108
Aluminio
2,82 108
Wolframio
5,65 108
Nquel
6,40 108
Hierro
8,90 108
Platino
10,60 108
Estao
11,50 108
Acero inoxidable 301
72,00 108
Grafito
60,00 108
34
La resistencia
Su unidad de medida es el ohm, y se
representa con la letra (omega) del alfabeto
griego.
Resistencias cermicas
Smbolo
35
Comportamiento ideal
Una resistencia ideal es un elemento pasivo que
disipa energa en forma de calor segn la ley de
Joule.
Tambin establece una relacin de proporcionalidad
entre la intensidad de corriente que la atraviesa y la
tensin medible entre sus extremos, relacin
conocida como ley de Ohm
36
Comportamiento en corriente continua:

Una resistencia real en corriente continua (cc) se comporta
prcticamente de la misma forma que si fuera ideal, esto es,
transformando la energa elctrica en calor por efecto Joule. La ley
de Ohm para corriente continua establece que:
donde R es la resistencia en ohmios, V es la diferencia de

potencial en voltios e I es la intensidad de corriente en amperios.
37
Comportamiento en corriente alterna:

Una resistencia real muestra un comportamiento
diferente del que se observara en una resistencia
ideal si la intensidad que la atraviesa no es
continua.
En el caso de que la seal aplicada sea senoidal,

corriente alterna (CA), a bajas frecuencias se
observa que una resistencia real se comportar de
forma muy similar a como lo hara en CC, siendo
despreciables las diferencias.
38
En altas frecuencias el comportamiento es diferente,

aumentando en la medida en la que aumenta la
frecuencia
aplicada,
lo
que
se
explica
fundamentalmente por los efectos inductivos que
producen los materiales que conforman la
resistencia real.
39
Si se considera:
Se obtiene as, para la corriente, una funcin senoidal

que est en fase con la tensin aplicada.
Si se representa el valor eficaz de la corriente obtenida
en forma polar:
40
Caractersticas de las resistencias.

Las
caractersticas ms importantes de las

resistencias, tambin llamadas resistores, son:
Valor nominal: Es el valor en Ohms que posee.
Este valor puede venir impreso o en cdigo de
colores.
Tolerancia: Es el error mximo con el que se fabrica
la resistencia. Esta tolerancia puede ser de +/-5% y
+/-10%, por lo general. Potencia mxima: Es la
mayor potencia que ser capaz de disipar sin
quemarse.
Elementos de una resistencia
41
La
oposicin a la corriente, hace que parte

de la energa elctrica se transforme en calor
alrededor de la resistencia.
Conductores
elctricos, semiconductores,
etc. todos producen calor debido a la
resistencia elctrica.
En
el caso de las resistencias, toda la

energa gastada para producir la circulacin
de la corriente, se convierte en calor.
42
El Watt es la unidad con la que se mide la

potencia. La potencia es la cantidad de
trabajo (o energa) por segundo. Y ya que el
calor es una de las formas de energa,
hablando de resistencia elctrica, se mide en
Watts la cantidad de energa que se convierte
en calor en cada segundo.
43
a)
b)
c)
Smbolos de resistores empleados en diagramas de circuitos

elctricos. a) y b) resistor variable, c) resistor fijo.
a)
b)
c)
Smbolos de resistores empleados en diagramas de ubicacin de

elementos para circuitos elctricos en impresos. a) y b) resistor
variable, c) resistor fijo.
44
Las resistencias de usos generales
Se fabrican utilizando una mezcla de carbn,

mineral en polvo y resina aglomerante; a stas
se las llama resistencias de composicin.
Caractersticas ms importantes son: pequeo
tamao, soportan hasta 3W de potencia
mxima, tolerancias altas (5%, 10% y 20%),
amplio rango de valores y mala estabilidad de
temperatura.
45
Las resistencias de alta estabilidad.
Resistencias
pirolticas:
se
fabrican
depositando una pelcula de carbn sobre un
soporte cermico, y seguidamente se raspa
dicha capa de forma que lo que queda es
una especie de espiral de carbn sobre el
soporte cermico.
46
Resistencias
de
hilo
bobinado:
se
construyen con un hilo metlico de
constantn o manganita enrollado sobre un
tubo de porcelana.
Resistencias de pelcula metlica: consisten
en una pelcula metlica a la que se va
eliminando parte de esta capa dejando una
forma similar a un hilo muy largo.
47
Clasificacin
Resistencias Fijas.
Cualquier
resistencia en la que no sea

posible modificar a voluntad el valor
en ohms que presenta, queda
comprendida dentro de este grupo.
Adems,
podemos
clasificar
las
resistencias fijas de acuerdo con el
material de construccin: Carbn,
pelcula metlica y alambre.
48
Resistencias de carbn
Las aglomeradas, el elemento resistivo es una masa

homognea de carbn, fuertemente prensada en
forma cilndrica. Los terminales se insertan en el
cilindro as formado, y el conjunto es recubierto con
una resina aislante
2. Casquillo de con alta disipacin trmica.
1. Terminales del
dispositivo para
conectarlo. Estn
fabricados en cobre con
una delgada capa de
aleacin plomo estao,
para facilitar el proceso
de soldado.
terminacin. Mantiene el
contacto fsico con el
elemento resistivo,
sujetando a presin el
cilindro base. Los
terminales pueden ser
soldados entonces a los
casquillos.
3. Resina aislante.
Protege al dispositivo del
medio ambiente, evitando
de este modo variaciones
en el valor del elemento.
4. Carbn aglomerado.
Para este tipo de
resistencia, el cilindro
base es a la vez el
material resistivo.
Resistencia de Carbn Aglomerado

49
Resistencias Variables
En
cuanto a esta clase, comprende a los

potencimetros, trim-pots y presets.
La
caracterstica principal de estos elementos,

es que el valor en ohms del dispositivo puede
ser ajustado dentro de un rango limitado por
el valor marcado en el dispositivo (valor
mximo).
Vista interna de un Potencimetro o resistencia variable.

50
La fabricacin de resistencia de pelcula de

carbn, consiste en recubrir un cilindro de
cermica con una pelcula de carbn, o se realiza
una ranura en espiral en el cilindro de cermica
para cubrirla despus con la pelcula de carbn,
lo que le da un aspecto semejante al de una
bobina.
2. Casquillo de terminacin.
Mantiene el contacto fsico
con el elemento resistivo,
sujetando a presin el
cilindro base. Los terminales
pueden ser soldados
entonces a los casquillos.
3. Resina aislante. Protege

al dispositivo del medio
ambiente, evitando de este
modo variaciones en el valor
del elemento.
4. Pelcula de carbn. El
valor en ohms de la
resistencia depende del
ancho y la longitud de la
pelcula. Se obtienen
resistencias de diferentes
valores modificando la
separacin del corte en
espiral.
1. Terminales del dispositivo

para conectarlo. Estn
fabricados en cobre con una
delgada capa de aleacin
plomo estao, para
facilitar el proceso de
soldado.
5. Cilindro base. Estn

construidos por cermica,
proporciona
soporte
y
aislamiento a la pelcula de
carbn.
Resistencia de Pelcula de Carbn.

51
Las resistencias de montaje superficial, son

construidas tambin depositando una pelcula
de carbn, pero en este caso es sobre una base
de cermica rectangular. El valor de la
resistencia en ohms es determinado ahora por
un corte realizado sobre la capa, lo cual
aumenta la resistencia elctrica al reducir la
seccin por la que la corriente puede circular.
2. Soporte. Se utiliza fibra (o
algn material con
caractersticas similares)
como soporte de este tipo
de resistencias.
3. Seccin en la capa. Para

obtener los diferentes
valores de la resistencia, se
realiza un corte en la
pelcula de carbn.
1. Contactos. Son realizados

depositando una capa de
metal en los extremos del
soporte del dispositivo.
4. Pelcula de carbn. Se
deposita una capa de
pelcula sobre una superficie
rectangular de fibra. El
conjunto final es cubierto por
una resina aislante para
proteger al dispositivo del
medio ambiente.
Resistencia de Montaje Superficial

52
Resistencias de pelcula Metlica

El
proceso de fabricacin es similar al descrito para

las resistencias de pelcula de carbn, pero el
material depositado es un metal (por eso el
nombre).
Esta
clase de resistencias son de alta precisin,

tienen una baja disipacin de potencia, bajo nivel de
ruido y buena estabilidad trmica.
Resistencia de potencia.
53
Resistencias de alambre
Estas son construidas con alambre de aleacin
nquel-cromo o alguno con caractersticas similares.
El alambre es enrollado en un soporte de cermica y
despus cubierto con un material aislante para
proteger el alambre y la resistencia de los golpes y la
corrosin.
54
Se fabrican depositando una capa de carbn sobre una

seccin circular o rectangular de fibra (o algn material
aislante).
Luego se monta un mecanismo que permita deslizar un
contacto mvil sobre la pelcula depositada.
Existen potencimetros con una elevada disipacin de
potencia, los cuales se fabrican como una resistencia
de alambre, salvo que en este caso, no se asla.
55
Clasificaremos los potencimetros segn la variacin

del valor en ohms con respecto a la posicin de su eje
en: Lineales, logartmico y antilogartmico.
En un potencimetro lineal la variacin es constante
con respecto al desplazamiento del contacto mvil. En
los logartmicos y antilogartmicos, esto no ocurre: la
variacin del valor no es proporcional al
desplazamiento del contacto mvil.
Potencimetro Lineal
Potencimetro Logartmico
Potencimetro Logartmico
Curvas de representativas del funcionamiento de los potencimetros.

56
Resistencias Especiales
PTC
(Positive Temperature Coefficient = Coeficiente

Positivo de Temperatura); aumenta el valor hmico al
aumentar la temperatura de sta.
NTC
(Negative Temperature Coefficient = Coeficiente

Negativo de Temperatura): disminuye el valor ohmico
al aumentar la temperatura.
Smbolos de resistencias especiales

57
LDR (Light Dependent Resistors = Resistencias

Dependientes de Luz): disminuye el valor hmico
al aumentar la luz que incide sobre ella.
VDR
(Voltage
Dependent
Resistors
=
Resistencias Dependientes Voltaje): disminuye el
valor hmico al aumentar el voltaje elctrico entre
sus extremos.
Diagrama de fsico de las resistencias especiales

58
Prefijos
Otro
asunto que puede resultar

confuso, es el uso de letras tales como
K, M, m, , etc. antes de las unidades
de medida. Aunque con los valores de
los capacitores puede resultar a veces
complicado, con las resistencias es
bastante sencillo. Adems, estamos
bastante
acostumbrados
a
usar
mltiplos
de
diez:
Kilmetros,
kilogramos, centmetros, etc.
Para
designar
los
valores
en
electrnica, slo usaremos prefijos que59
Sigla
Prefijo
Notacin
Exponencial
Tera
1,000,000,000,000
1012
Giga
1,000,000,000
109
Mega
1,000,000
106
Kilo
1,000
103
---
Unidad
100
mili
0.001
10-3
micro
0.000,001
10-6
nano
0.000,000,001
10-9
pico
0.000,000,000,001
10-12
femto
0.000,000,000,000,001
10-15
60
Cdigo de colores
Identificacin
Es necesario poder identificar dos
parmetros en las resistencias, para un
uso adecuado de las mismas.
Estos son el valor nominal en ohms, y
potencia que pueden disipar.
61
Cdigo de colores de resistores

Identificacin
Es necesario poder identificar dos parmetros en las
resistencias, para un uso adecuado de las mismas.
Estos son el valor nominal en ohms, y potencia que
pueden disipar.
Valor Nominal
Podemos conocer el valor nominal en ohms de una
resistencia, mediante:
a) Cdigo de Colores
b) Valor Impreso
c) Factores Multiplicativos
62
Escribir el valor en ohms sobre el cuerpo de una

resistencia, es fcil para resistencias de alambre o de
carbn de ms de 1 W, pero para las resistencias ms
pequeas, esto resulta complicado, ya que su tamao
lo dificulta.
Existe un mtodo de identificacin muy verstil
conocido como el Cdigo de Colores. Este mtodo
utiliza bandas de colores pintadas alrededor del
cuerpo de las resistencias, siendo indicado el valor por
la posicin que ocupan las bandas.
63
Cdigo de colores
COLOR
DGITO
SIGNIFICATIVO
TOLERANCIA
NEGRO
10^0
--
--
CAF
10^1
10
1%
ROJO
10^2
100
00
2%
NARANJA
10^3
1,000
000
--
AMARILLO
10^4
10,000
0000
--
VERDE
10^5
100,000
00000
--
AZUL
10^6
1,000,000
000000
--
VIOLETA
10^7
10,000,000
0000000
--
GRIS
--
--
--
--
BLANCO
--
--
--
--
DORADO
--
10^-1
0.1
--
5%
PLATEADO
--
10^10
0.01
--
10%
MULTIPLICADOR
64
En la tabla, se indican tres probables posiciones de

las bandas:
Dgito significativo
Cuando una banda de color ocupa una de las
posiciones iniciales (bandas 1 y 2 para resistencias de
3 y 4 bandas; bandas 1 a la 3 para resistencias de
precisin), representa un dgito significativo del valor
en ohms de la resistencia. Esto significa, que el valor
representado por la banda, debe interpretarse con el
valor correspondiente al cdigo de colores:
rojo = 1, caf = 2, naranja = 3, etc.
65
Multiplicador
Una banda ocupando esta posicin, indica que el
valor determinado por las bandas con dgitos
significativos debe multiplicarse por un valor dado por
10 elevado a la n (10^n), donde n es el valor
representado por el color de la banda.
Tolerancia
Una banda ocupando est posicin indica la
desviacin del valor permitida en un porcentaje del
valor nominal. Cuando esta banda no est presente,
la tolerancia de la resistencia es del 20%. En los otros
casos, la tolerancia toma el valor indicado en la tabla
bajo el ttulo de tolerancia.
66
Cmo se lee el cdigo de colores de un

resistor?
Debemos
buscar la banda de color ms prxima al

borde. Coloque la resistencia de tal modo que la
banda quede a su izquierda. Esta banda
representa el primer dgito significativo del valor en
ohms de la resistencia.
Ahora
bien, es probable que al tomar una

resistencia uno note que las dos bandas en los
extremos estn a una distancia idntica de los
bordes respectivos.
67
En este caso notar que hay un grupo de bandas

con una distancia entre s relativamente corta, y
una banda separada del grupo por una distancia
evidentemente mayor.
La primera banda del grupo es el primer dgito
significativo; as, para tener las bandas en el orden
de la lectura, coloque el cuerpo de la resistencia
para que esta banda quede a su izquierda, y la
banda "hurfana" a la derecha.
Dependiendo de la tolerancia (o precisin) de la
resistencia, podemos encontrar resistencias con 3,
4 y 5 bandas de colores.
68
Primera
Banda:
Amarillo (4)
Segunda Banda:
Violeta (7)
Tercera Banda:
Naranja (3)
El valor que
representa esta
banda por su
posicin es 4
(Dgito
Significativo)
El valor que representa

esta banda por su
posicin es 7 (Dgito
Significativo).
En este ejemplo, el valor
representado por las dos
primeras bandas es 47
La banda est
ocupando la posicin
de multiplicador, por
lo tanto, el valor en
ohms para este
ejemplo viene dado
por:
47 x 103 = 47 x 1,000
= 47,000
o bien, a "47" le
agregamos "000"
(tres ceros) para
obtener "47000"
El valor en ohms de la
resistencia de este
ejemplo es 47,000
= 47 K, y ya que no
tiene banda de
tolerancia, sta es del
20% ( 9.4 K)
Resistencia de 3 bandas (20% de tolerancia)

En este ejemplo 47,000 (47 K)
69
Segunda Banda: Rojo (2)

El valor que representa esta
banda por su posicin es 2
(Dgito Significativo).
Primera Banda: Rojo

(2)
El valor que
representa esta banda
por su posicin es 2
(Dgito Significativo)
Tercera
(2)
Banda:
Rojo
La banda est ocupando

la posicin de
multiplicador, por lo
tanto, el valor en ohms
para este ejemplo viene
dado por:
22 x 102 = 22 x 100 =
2,200
o bien, a "22" le
agregamos "00" (dos
ceros) para obtener
"2,200"
Cuarta Banda: Dorado
(5%)
La banda est ocupando la
posicin de tolerancia, por
lo tanto, el valor nominal
para este ejemplo es:
2,200 = 2.2 K, con 5%
de tolerancia (110 )

En este ejemplo 2,200 (2.2 K)
70
Primera
Verde (5)
Segunda Banda: Azul (6)
Tercera Banda: Amarillo (4)


posicin de multiplicador, por
lo tanto, el valor en ohms
para este ejemplo viene dado
por:
56 x 104 = 56 x 10,000 =
560,000
o bien, a "56" le agregamos
"0000" (cuatro ceros) para
obtener "560000"
Banda:
El valor que
por su posicin es 5
Cuarta
(10%)
Banda:
Plateado

posicin de tolerancia, por lo
tanto, el valor nominal para
este ejemplo es:
560,000 W = 560 KW, con
10% de tolerancia (56 KW)

En este ejemplo 560,000 (560 K)
71
Segunda
Negro (0)
Banda:
El valor que
por su posicin es 0
Tercera Banda: Amarillo (4)
Cuarta Banda: Rojo (2)

representado por las tres

posicin de multiplicador, por
lo tanto, el valor en ohms
para este ejemplo viene dado
por:
604 x 102 = 604 x 100 =
60,400
o bien, a "604" le agregamos
"00" (dos ceros) para obtener
"60400"
Primera Banda: Azul

(6)
Quinta Banda: Caf

(1%)
El valor que
por su posicin es 6
La banda est
ocupando la posicin
de tolerancia, por lo
tanto, el valor nominal
para este ejemplo es:
60400 W = 60.4 KW,
con 1% de tolerancia
(604 W)

En este ejemplo 60400 (60.4 K)
72
Otra forma de presentar el valor de un resistor,

es el valor impreso.
Identificar
el valor en ohms de una resistencia

con el valor impreso, no supone ninguna
complicacin. Normalmente se marcan de este
modo, resistencias de ms de 1W. Sin embargo,
el orden en que se imprimen los parmetros en el
cuerpo del componente, no sigue un estndar.
En la siguiente tabla se muestran algunos
ejemplos de valores impresos:
73
VALOR IMPRESO
SIGNIFICADO
1K8 10% 10 W
1.8 KW tolerancia 10% a 10 watt
470E-25 W
470 W tolerancia 20% a 25 watt
0R33 10% 5 W
0.33 W tolerancia 10% a 5 watt
5W6K8J
6.8 KW tolerancia 5% a 5 watt
2W8R2K
3W3 10% 3 W
74
Factores Multiplicativos
Los
resistencias de montaje superficial, son

marcadas con este mtodo. Se marcan en
el cuerpo del componente dgitos que
representan el valor del componente en
funcin de la posicin que ocupan (dgito
significativo o multiplicador).
En
este caso el valor en ohms equivale a la

cantidad representada por los primeros
dgitos multiplicada por 10^n, donde n
equivale al valor representado por el ltimo
dgito.
75
O bien, debemos agregar tantos ceros como indique

el ltimo dgito a los dos (5%) o tres (1%) primeros.
Si ha comprendido correctamente el cdigo de
colores, leer el valor de un componente marcado
con este mtodo resultar sencillo.
Los valores comerciales para resistencias de
montaje superficial corresponden a los valores de
las series E24 y E96 (5% y 1% de tolerancia); por lo
tanto, encontraremos componentes marcados con 3
y 4 dgitos.
76
Primer dgito
significativo
Segundo dgito
significativo
El valor que
representa este dgito,
es el valor impreso. En
este ejemplo, es 1
El valor que
este ejemplo, es 0. El
valor representado por
los 2 primeros dgitos
es 10
Cuerpo del
componente
El cuerpo de las
resistencias SMD con
5% de precisin es
normalmente gris,
adems tienen como
mximo 3 caracteres
impresos
Multiplicador
El valor en ohms para
este ejemplo viene
dado por:
10 x 106 = 10 x
10,000,000, = 10 M
o bien, a "10" le
agregamos "000000"
(seis ceros) para
obtener "10000000"
Resistencia de montaje superficial (5% de tolerancia)

En este ejemplo 10,000,000 (10 M)
77
Segundo dgito
significativo
Primer dgito
significativo
El valor que
este ejemplo, es 2
Cuerpo del
componente
El cuerpo de las
resistencias SMD con
1% de precisin es
normalmente azul (al
igual que las
resistencias de
precisin normales),
adems tienen como
mximo 4 caracteres
impresos
El valor que
este ejemplo, es 7
Tercer dgito
significativo
El valor que
este ejemplo, es 4. El
valor representado por
los 3 primeros dgitos
es 274
Multiplicador
El valor en ohms para
este ejemplo viene
dado por:
274 x 102 = 274 x 100,
= 27400 = 27.4 K
o bien, a "274" le
agregamos "00" (dos
ceros) para obtener
"27400"
Resistencia de montaje superficial (1% de tolerancia)

En este ejemplo 27,400 (27.4 K)
78
En
las resistencias de montaje superficial con el 5%

de tolerancia con valores por debajo de los 10 W el
punto decimal es reemplazado por la letra "R", y el
valor se lee directamente.
Por
ejemplo, una resistencia de 47 W ser marcada

como 470, pero una de 4.7 W ser marcada como
4R7.
Lo
mismo sucede con resistencias de montaje

superficial de precisin; valores por debajo de 100
W se leen directamente.
79
EIA-96
Para las resistencias de montaje superficial de
precisin, existe adems una norma de
marcacin conocida como EIA-96, la cual
utiliza una clave de 2 dgitos (desde 01 al 96)
para cada uno de los valores normalizados de
la serie E-96 y un carcter que indica el
multiplicador:
80
Cdigos EIA 96
Cdigos EIA-96
Cd.
Valor
Cd.
Valor
Cd.
Valor
Cd.
Valor
Cd.
Valor
Cd.
Valor
Cd.
Valor
Cd.
Valor
01
100
13
133
25
178
37
237
49
316
61
422
73
562
85
750
02
102
14
137
26
182
38
243
50
324
62
432
74
576
86
768
03
105
15
140
27
187
39
249
51
332
63
442
75
590
87
787
04
107
16
143
28
191
40
255
52
340
64
453
76
604
88
806
05
110
17
147
29
196
41
261
53
348
65
464
77
619
89
825
06
113
18
150
30
200
42
267
54
357
66
475
78
634
90
845
07
115
19
154
31
205
43
274
55
365
67
487
79
649
91
866
08
118
20
158
32
210
44
280
56
374
68
499
80
665
92
887
09
121
21
162
33
215
45
287
57
383
69
511
81
681
93
909
10
124
22
165
34
221
46
294
58
392
70
523
82
698
94
931
11
127
23
169
35
226
47
301
59
402
71
536
83
715
95
953
12
130
24
174
36
232
48
309
60
412
72
549
84
732
96
976
Cdigo de Multiplicador EIA-96

S = 10-2
R = 10-1
A = 100
B = 101
C = 102
D = 103
E = 104
F = 105
81
Cdigo EIA-96
Multiplicador
Para conocer el valor

consultamos la tabla de
valores EIA-96. En este
caso el valor
correspondiente al
cdigo "33" es 215
Consultamos la tabla para

determinar el multiplicador,
en este caso "C" es 102.
Entonces el valor en ohms
para este ejemplo viene
dado por:
215 x 102 = 215 x 100, =
21500 = 21.5 K
Resistencia de montaje superficial (1% de tolerancia) con

marcado EIA-96. En este ejemplo 21,500 (21.5 K)
82
Resistencias equivalentes
Resistencia en serie
83
Resistencia en paralelo
84
Capacitores
Qu es un capacitor?
Comportamiento en corriente directa
Comportamiento en corriente alterna
Tipos de dielctricos utilizados en capacitores
Cdigo de lectura de capacitores
Tipos de capacitores
85
Qu es un capacitor?
En electricidad y electrnica, un capacitor es un
dispositivo que almacena energa elctrica, es un
componente pasivo.
Est formado por un par de superficies conductoras
en situacin de influencia total, generalmente en
forma de tablas, esferas o lminas, separadas por un
material dielctrico o por el vaco, que, sometidos a
una diferencia de potencial (d.d.p.) adquieren una
determinada carga elctrica, positiva en una de las
placas y negativa en la otra.
86
La carga almacenada en una de las placas es

proporcional a la diferencia de potencial entre esta
placa y la otra, siendo la constante de proporcionalidad
la llamada capacidad o capacitancia. En el Sistema
internacional de unidades se mide en Faradios (F),
siendo 1 Faradio la capacidad de un condensador en el
que, sometidas sus armaduras a una d.d.p. de 1 Voltio,
stas adquieren una carga elctrica de 1 Culombio.
87
La capacidad de 1 faradio es mucho ms grande que la

de la mayora de los condensadores, por lo que en la
prctica se suele indicar la capacidad en micros
F = 10-6, nano- F = 10-9 o pico- pF = 10-12 -faradios.
Los condensadores obtenidos a partir de spercondensadores (EDLC) son la excepcin.
Estn hechos de carbn activado para conseguir una
gran rea relativa y tienen una separacin molecular
entre las "placas".
88
As se consiguen capacidades del orden de cientos o

miles de faradios.
Uno de estos condensadores se incorpora en el reloj
Kinetic de Seiko, con una capacidad de 1/3 de Faradio,
haciendo innecesaria la pila.
Tambin se est utilizando en los prototipos de
automviles elctricos.
89
El valor de la capacidad de un condensador viene

definido por la siguiente frmula:
en donde:
C: Capacidad
Q1: Carga elctrica almacenada en la placa 1
V1 V2: Diferencia de potencial entre la placa 1 y la 2
90
En cuanto al aspecto constructivo, tanto la forma de las

placas o armaduras como la naturaleza del material
dielctrico son sumamente variables.
Existen
condensadores
formados
por
placas,
usualmente de aluminio, separadas por aire, materiales
cermicos, mica, polister, papel o por una capa de
xido de aluminio obtenido por medio de la electrlisis.
91
El condensador ideal puede definirse a partir de la
siguiente ecuacin diferencial:
donde C es la capacidad, u(t) es la funcin diferencia

de potencial aplicada a sus terminales e i(t) la
corriente resultante que circula.
92
Comportamiento en corriente continua

Un condensador real en CC (DC en Ingls) se
comporta prcticamente como uno ideal, es decir,
como un circuito abierto. Esto es as en rgimen
permanente ya que en rgimen transitorio, esto es, al
conectar o desconectar un circuito con condensador,
suceden
fenmenos
elctricos
transitorios
que
inciden sobre la d.d.p. en sus bornes (ver circuitos

serie RL y RC).
93

En ca, un capacitor ideal ofrece una resistencia la
paso de la corriente que recibe el nombre reactancia
capacitiva, Xc , cuyo valor viene dado por la inversa
del producto de la frecuencia en radianes por la C
que es la capacitancia.
Si la pulsacin se expresa en radianes por segundo

(rad/s) y la capacidad en faradios (F), la reactancia
resultar en ohmios.
94
Diagrama cartesiano de las tensiones y corriente en

un condensador
95
Tipos de dielctricos utilizados en capacitores

Condensadores de aire
Se trata de condensadores, normalmente de placas
paralelas, con dielctrico de aire y encapsulados en
vidrio.
Como la permitividad elctrica relativa es la unidad,
slo permite valores de capacidad muy pequeos. Se
utiliz en radio y radar, pues carecen de prdidas y
polarizacin en el dielctrico, funcionando bien a
frecuencias elevadas.
96
Condensadores de mica
La mica posee varias propiedades que la hacen
adecuada para dielctrico de condensadores: bajas
prdidas, exfoliacin en lminas finas, soporta altas
temperaturas y no se degrada por oxidacin o con
la humedad.
Sobre una cara de la lmina de mica se deposita
aluminio, que forma una armadura. Se apilan varias
de estas lminas, soldando los extremos
alternativamente a cada uno de los terminales.
Estos condensadores funcionan bien en altas
frecuencias y soportan tensiones elevadas, pero
son caros y se ven gradualmente sustituidos por
otros tipos.
97
Condensadores de papel
El dielctrico es papel parafinado, bakelizado o
sometido a algn otro tratamiento que reduce su
higroscopa y aumenta el aislamiento.
Se apilan dos cintas de papel, una de aluminio, otras
dos de papel y otra de aluminio y se enrollan en
espiral. las cintas de aluminio constituyen las dos
armaduras, que se conectan a sendos terminales.
Se utilizan dos cintas de papel para evitar los poros
que pueden presentar.
98
Condensadores electrolticos
Es un tipo de condensador que utiliza un electrolito, como su
primera armadura, la cual acta como ctodo.
Con la tensin adecuada, el electrolito deposita una capa
aislante (la cual es en general una capa muy fina de xido de
aluminio) sobre la segunda armadura o cuba (nodo),
consiguiendo as capacidades muy elevadas.
Son inadecuados para funcionar con corriente alterna.
La polarizacin inversa destruye el xido, produciendo un
corto entre el electrolito y la cuba, aumentando la temperatura,
y por tanto, arde o estalla el condensador consecuentemente.
99
Condensadores de polister o Mylar

Est formado por lminas delgadas de polister sobre las
que se deposita aluminio, que forma las armaduras. Se
apilan estas lminas y se conectan por los extremos.
Del mismo modo, tambin se encuentran condensadores de
policarbonato y polipropileno.
Condensadores styroflex
Otro tipo de condensadores de plstico, muy utilizado en
radio por responder bien en altas frecuencias y ser uno de
los primeros tipos de condensador de plstico.
100
Condensadores cermicos
Utiliza cermicas de varios tipos para formar el
dielctrico. Existen tipos formados por una sola lmina
de dielctrico, pero tambin los hay formados por
lminas apiladas.
Dependiendo del tipo, funcionan a
frecuencias, llegando hasta las microondas.
distintas
Condensadores sncronos
Es un motor sncrono que se comporta como un
condensador.
101
Dielctrico variable
Este tipo de condensador tiene una armadura mvil
que gira en torno a un eje, permitiendo que se
introduzca ms o menos dentro de la otra.
El perfil de la armadura suele ser tal que la variacin
de capacidad es proporcional al logaritmo del ngulo
que gira el eje.
102
Cdigo de lectura de capacitores
Las dificultades comienzan a partir de los 100 picofaradios,

ya que los fabricantes utilizan identificaciones dispares.
El primer sistema es el japons:
Las dos primeras cifras indican los dos primeros nmeros
de capacidad. El tercer nmero, al igual que las resistencias,
indican el nmero de ceros que hay que agregar a los dos
primeros.
103
Por ejemplo:
100 120 150 picofaradios se muestran como 101 121
151.
1000 1200 1500 picofaradios se muestran como 102
122 152, etc...
Otro sistema es utilizar los nanofaradios:
En el caso se 1000 1200 1800 2200 pf se marcan 0
001 00015 00018 00022.
Como no siempre hay sitio en las carcasas de los
condensadores para tanto nmero, se elimina el primer
cero y se deja el punto, .001 - .0015 - .0018 - .0022.
104
LOS CONDENSADORES POLISTER
Adems de ir identificado como un sistema que ya

hemos visto, pueden marcarse con otro sistema que
utiliza la letra griega . As pues, un condensador de
100.000 picofaradios, lo podemos encontrar marcado
indistintamente como 10nf - .01 - 10.
En la practica la letra sustituye al 0, por tanto 01
equivale a 0.01 microfaradios. Entonces, si
encontramos condensadores marcados con 1 - 47
-82, tendremos que leerlo como 0.1 - 0.47 - 0.82
microfaradios.
105
Tambin en los condensadores de polister, al valor de

la capacidad, le siguen otras siglas o nmeros que
pudieran despistar. Por ejemplo 1 k, se puede
interpretar como 1 kilo, es decir, 1000 pf, ya que la
letra K se considera el equivalente a 1000, mientras
que su capacidad es en realidad 1 microfaradio.
106
La sigla .1M50 se puede interpretar errneamente

como 1.5 microfaradios porque la letra M se
considera equivalente a microfaradios, o bien en
presencia del punto, 150.000 picofaradios, mientras
que en realidad su capacidad es de 100.000
picofaradios.
Las letras M, K o J presentes tras el valor de la
capacidad, indican la tolerancia:
107
M = tolerancia del 20%

K = tolerancia del 10%
J = tolerancia del 5 %
Tras estas letras, aparecen las cifras que indican la
tensin de trabajo.
Por ejemplo:
15M50 significa que el condensador tiene una
capacidad de 150.000 picofaradios, que su
tolerancia es M = 20% y su tensin mxima de
trabajo son 50 voltios.
108
La mayora de los capacitores que superan el valor

de 1 uF poseen impreso su valor como por ejemplo
1uF , 22uF , 100uF , etc , por lo que no tendremos
inconvenientes a la hora de controlar su valor.
Pero existen algunos , especialmente aquellos en
que su valor es inferior a 1uF , que poseen una cifra
de tres nmeros solamente.
Lo primero que debemos tener en cuenta es que los
valores en estos casos pasan a expresarse en
PICOFARADIOS .
109
De las tres cifras, las dos primeras son las que se

consideran ms significativas, siendo la tercera el
multiplicador.
Los valores de multiplicacin los vemos en la siguiente tabla:
Tercer Dgito
Multiplicador
10
100
1,000
10,000
100,000
6 no se usa
7 no se usa
8
.01
.1
110
Luego de los tres dgitos encontramos generalmente una letra

que nos indicar la tolerancia de fabricacin expresada en
porcentaje .
La siguiente tabla nos muestra los distintos porcentajes que
encontraremos .
Letra
Tolerancia del Capacitor
+/- 0.5 pF
+/- 1%
+/- 2%
+/- 3%
+/- 5%
+/- 10%
+/- 20%
+100% ,-0%
+80%, -20%
111
Las unidades submltiplos de uF

Estas seran : Picofaradios y Nanofaradios
Las equivalencias pueden verse en la siguiente tabla:
102
1.000 pF
1 F
0,001 uF
103
10.000 pF
10 F
0,01 uF
104
100.000 pF
100 F
0,1 uF
105
1.000.000 pF
1.000 F
1 uF
112
Capacitores cermicos tipo placa, grupos 1 y 2
113
Capacitores cermicos tipo disco, grupo 1
114
Capacitores cermicos tipo disco, grupo 2
115
Capacitores cermicos tubulares con cdigo de colores
116
CDIGO DE MARCAS
117
Capacitores de plstico
CDIGO DE COLORES
118
CDIGO DE MARCAS
119
Tipos de capacitores
Capacitores electrolticos
Estos capacitores siempre indican la capacidad en
microfaradios y la mxima tensin de trabajo en voltios.
Dependiendo del fabricante tambin pueden venir indicados
otros parmetros como la temperatura y la mxima frecuencia a
la que pueden trabajar.
Tenemos que poner especial atencin en la identificacin de la
polaridad. Las formas ms usuales de indicacin por parte de
los fabricantes son las siguientes:
120
Capacitores de tantalio
Actualmente estos capacitores no usan el cdigo de
colores (los ms antiguos, si). Con el cdigo de
marcas la capacidad se indica en microfaradios y la
mxima tensin de trabajo en voltios. El terminal
positivo se indica con el signo +:
121
Clasificacin de los capacitores cermicos

Cermicos de clase I (estable):
Este tipo de capacitores empleados, usualmente a base de dixido
de titanio o titanato de calcio con aditivos, pueden ser usados para
lograr las caractersticas deseadas, stas son el coeficiente de
temperatura nominal sobre el rango de 25 a 85 C, la constante
dielctrica relativa de 6 a 500 y un factor de potencia de 0,4 o
menor.
Los capacitores cermicos de clase I son utilizados en circuitos
resonantes, alta frecuencia y acoplamiento, dielctricos de
temperatura compensada, estabilidad dielctrica y otras
aplicaciones donde un alto Q son esenciales. Conocidos tambin
como NP0 o Negativo Positivo Cero.
122
Cermicos de clase II [XR7] (semiestable):

Son usados cuando la miniaturizacin es requerida
para aplicaciones de radiofrecuencia, filtros y
acoplamiento de etapas, donde el Q y la estabilidad
pueden estar comprometida.
La clase II est subdividida en dos subgrupos, estable
e inestable.
a) Los cermicos estables (estable k).
b) Los cermicos inestables (alto k).
123
a) Los cermicos estables (estable k) tienen una

constante dielctrica de 250 a aproximadamente 2400,
tienen una caracterstica no lineal de temperatura
definida dentro de un rango de -60 a 120 C.
b) Los cermicos inestables (alto k) tienen una
constante dielctrica de 3000 a 10000. Estos valores de
alto k son obtenidos por formulaciones especiales de
titanatos y aditivos. El rango de operacin de
temperatura es de 55 a 85 C o menos (dependiendo
de la frmula usada) causado por la disminucin del k
de un 30 al 80%.
124
Cermicos de clase III [Z5U] (propsitos generales):

En estos diseos un disco cermico aislante con un
tratamiento de calor es aplicado en una atmsfera
reducida para que disminuya la resistividad por debajo
de 10 W-cm.
Los electrodos de plata son aplicados en la superficie y
son soldados al mismo tiempo, un capacitor formado
entre el electrodo y el cuerpo semiconductor aplicados
a ambos lados del disco, es decir, que la terminacin
est hecha por dos capacitores en serie.
125
Los capacitores de clase I son relativamente

insensibles a los cambios en la capacitancia y el
factor de disipacin debido a los efectos del voltaje
de las corrientes continuas y alternas, los de clase
II y III muestran un incremento en los factores de
capacitancia y disipacin cuando se aumenta el
voltaje de AC, tambin muestran un cambio
negativo en la capacitancia y el factor de disipacin
la aplicacin de voltajes de DC.
126
Clase I (estable)
Capacitancia
[pF]
Vdc [V]
Capacitancia
[pF]
Vdc [V]
1-10000
200
1870-100000
50
82-39000
100
1-4700
200
270-82000
50
390-18000
100
1-680
200
2200-68000
50
82-2200
100
1-220
100
270-5600
50
82-560
50
1-270
500
200-5100
50
1-4700
500
10-3300
100
1-3300
200
110-6800
50
348-12000
100
240-10000
25
127
Clase II (semiestable)
Capacitancia
[pF]
Vdc [V]
Capacitancia
[pF]
Vdc [V]
47-330000
100
47-47000
500
5600-680000
50
12000-1000000
25
100-12000
200
10-10000
200
1000-100000
100
1200-100000
100
100-1000
1500
12000-100000
25
10-1500
500
10-1000000
100
10-1500
200
5600-3300000
50
10-3000
300
510-3900
1600
10-5000
500
128
Clase II (semiestable)
Capacitancia
[pF]
Vdc [V]
0.02-0.47
0.01-0.2
0.01-0.47
12
18
25
129
Bobina
Qu es un inductor?
Comportamientos ideal y real
130
Qu es un inductor?
Un
inductor o bobina es un componente pasivo de un

circuito elctrico que, debido al fenmeno de la
autoinduccin, almacena energa en forma de campo
magntico.
Un
inductor est constituido usualmente por una

cabeza hueca de una bobina de material conductor,
tpicamente alambre o hilo de cobre esmaltado.
Existen
inductores con ncleo de aire o con ncleo de

un material ferroso, para incrementar su capacidad
de magnetismo entre la Intensidad (inductancia).
131
El inductor consta de las siguientes partes:
Pieza polar:
Es la parte del circuito magntico situada entre la
culata y el entrehierro, incluyendo el ncleo y la
expansin polar.
Ncleo:
Es la parte del circuito magntico rodeada por el
devanado inductor.
132
Devanado inductor:
Es el conjunto de espiras destinado a producir el flujo
magntico, al ser recorrido por la corriente elctrica.
Expansin polar:
Es la parte de la pieza polar prxima al inducido y que
bordea al entrehierro.
Polo auxiliar o de conmutacin:
Es un polo magntico suplementario, provisto o no, de
devanados y destinado a mejorar la conmutacin.
Suelen emplearse en las mquinas de mediana y gran
potencia.
133
Culata:
Es una pieza de sustancia ferromagntica, no

rodeada por devanados, y destinada a unir los polos
de la mquina.
La bobina almacena energa elctrica en forma de

campo magntico cuando aumenta la intensidad de
corriente, devolvindola cuando sta disminuye.
134
Matemticamente
se
puede
demostrar
que
la
energa,
almacenada por una bobina con
inductancia , que es recorrida por
una corriente de intensidad,
viene dada por:
135
Comportamientos ideal y real
La
bobina ideal puede definirse a partir de

la siguiente ecuacin:
donde,
L es la inductancia, u(t) es la funcin

diferencia de potencial aplicada a sus bornes
e i(t) la intensidad resultante que circula.
136
Una
bobina ideal en CC se comporta como un

cortocircuito (conductor ideal) mientras que la real
se comporta como una resistencia cuyo valor RL
ser el de su devanado.
Esto
es as en rgimen permanente ya que en

rgimen transitorio, esto es, al conectar o
desconectar un circuito con bobina, suceden
fenmenos electromagnticos que inciden sobre la
corriente (circuitos serie RL y RC).
137
Diagrama cartesiano de las tensiones y corriente en una bobina
138

En CA, una bobina ideal ofrece una resistencia al
paso de la corriente que recibe el nombre de
reactancia inductiva, XL, cuyo valor viene dado por el
producto de la pulsacin
por la inductancia,
L:
Si la pulsacin est en radianes por segundo (rad/s) y

la inductancia en henrios (H) la reactancia resultar
en ohmios.
139
Al conectar una CA senoidal v(t) a una bobina

aparecer una corriente i(t), tambin senoidal variable,
por lo que aparece una fuerza contraelectromotriz,
-e(t), cuyo valor absoluto es igual al de v(t).
Por tanto, cuando la corriente i(t) aumenta, e(t)
disminuye
para
dificultar
dicho
aumento;
anlogamente, cuando i(t) disminuye, e(t) aumenta
para oponerse a dicha disminucin.
140
Dado que la tensin aplicada, v(t)es igual a -e(t), o lo

que es lo mismo, est desfasada 180 respecto de
e(t), resulta que la corriente i(t) queda retrasada 90
respecto de la tensin aplicada. Consideremos por lo
tanto, una bobina L, a la que se aplica una tensin
alterna de valor:
Circuito en
forma ideal
Circuitos equivalentes de una

bobina real en a) CC, en CA b) y
c).
141
De
acuerdo con la ley de Ohm circular una

corriente alterna, retrasada 90 ( / 2) respecto
a la tensin aplicada, de valor:
donde
si se representa el valor eficaz de
la corriente obtenida en forma polar:
Y operando matemticamente:
142
II.- Dispositivos de Estado Slido

de Dos Terminales (Diodos).
143
Material semiconductor
144
Un semiconductor es una sustancia que se comporta

como conductor o como aislante dependiendo de la
temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los
elementos qumicos semiconductores de la tabla
peridica se indican en la tabla adjunta.
Elemento
Electrones en
la ltima capa
Grupo
Cd
II B
2 e-
Al, Ga, B, In
III A
3 e-
Si, C, Ge
IV A
4 e-
P, As, Sb
VA
5 e-
Se, Te, (S)
VI A
6 e-
145
El elemento semiconductor ms usado es el silicio, aunque

idntico comportamiento presentan las combinaciones de
elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V
respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd).
Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre.
La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes,
teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.
146
Los electrones de la capa ms externa se conocen como

electrones de valencia. Cuando elementos muy puros, como
el silicio y el germanio, se enfran desde el estado lquido,
sus tomos se colocan en patrones ordenados que se llaman
cristales.
Los electrones de valencia determinan la forma caracterstica

o estructura reticular del cristal resultante.
Los tomos de silicio y germanio tienen cuatro electrones de

valencia cada uno. Aunque los electrones de valencia son
retenidos con fuerza en la estructura cristalina, pueden
romper sus enlaces y, por tanto, moverse en forma de
conduccin.
147
Esto sucede si se proporciona suficiente energa externa

(por ejemplo, en forma de luz o calor).
Debido a la interaccin entre tomos en un cristal, es
posible que los electrones de valencia posean niveles de
fuente de energa dentro de un intervalo de valores.
As como existe un intervalo o banda de fuente de energas
para los electrones de valencia, hay otro intervalo de
valores de fuente de energa para los electrones libres, es
decir, aquellos que rompen el enlace y forman un canal de
conduccin.
148
Tipo de semiconductores
Semiconductores intrnsecos
Es un cristal de silicio que forma una estructura tetradrica
similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus
tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad.
Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente,
algunos electrones pueden, absorbiendo la energa necesaria,
saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente
hueco en la banda de valencia (1).
Las energas requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12
y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
149
150
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo

que los electrones pueden caer desde el estado energtico
correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la
banda de valencia liberando energa.
A este fenmeno, se le denomina recombinacin, a una
determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares
e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la
concentracin global de electrones y huecos permanece
invariable.
151
Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas

negativas) y "p" la concentracin de huecos
(cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
siendo ni la concentracin intrnseca del
semiconductor,
funcin
exclusiva
de
la
temperatura. Si se somete el cristal a una
diferencia de tensin, se producen dos corrientes
elctricas.
152
Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade
un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos
trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina
extrnseco, y se dice que est dopado.
Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la
estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de
silicio.
153
Conduccin en los materiales.

En las figuras se presentan tres diagramas de niveles de
fuente de energa.
154
En la figura (a) las bandas de fuente de energa se

encuentran muy separadas.
La regin sombreada con amarillo representa una
banda prohibida de niveles de fuente de energa en
el cual no se encuentran electrones.
Cuando esta banda es relativamente grande, como
se muestra en la figura, el resultado es un aislante.
Si la banda es ms o menos pequea (del orden de
un electrn volt (eV), la cantidad de energa cintica
que aumenta un electrn cuando cae a travs de un
potencial de 1 V o 1.6 x 10 19 J), el resultado es un
semiconductor.
155
En los tomos de silicio y germanio, los electrones se

mantienen juntos con suficiente fuerza.
Los electrones interiores se encuentran a gran
profundidad dentro del tomo, mientras que los
electrones
de
valencia
son
parte
del
enlace
covalente: no pueden desprenderse sin recibir una

considerable cantidad de energa.
156
En calor y otras fuentes de energa provocan que los

electrones en la banda de valencia rompan sus
enlaces covalentes y se conviertan en electrones
libres en la banda de conduccin. Por cada electrn
que deja la banda de valencia, se forma un " hueco.
157
La conduccin provocada por los electrones en la banda

de conduccin es diferente de la conduccin debida a los
huecos dejados en la banda de valencia.
En semiconductores puros, existen tantos huecos como
electrones libres.
158
Semiconductor extrnseco: TIPO N
+
+
+
+
+
+
+
Electrones libres
+
+
+
+
Impurezas grupo V
300K
tomos de impurezas ionizados
Los portadores de carga en un semiconductor tipo N son

electrones libres
Semiconductor extrnseco: TIPO P

Huecos libres
300K
tomos de impurezas ionizados
Los portadores de carga en un semiconductor tipo P son huecos.

Actan como portadores de carga positiva.
Diodo
s
P
161
Simbologa general de los

diodos
162
Nombre
Smbolo
Nombre
Diodo
rectificador
Diodo zener
Diodo led
Fotodiodo
Diodo tunel
Diodo
Schottky
Smbolo
163
Qu es un diodo?
Un diodo (del griego: dos caminos) es un dispositivo
semiconductor que permite el paso de la corriente elctrica en
una nica direccin con caractersticas similares a un
interruptor.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V)
consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de
potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce),
y por encima de ella como un circuito cerrado con una
resistencia elctrica muy pequea.
164
El diodo es el dispositivo no lineal ms simple de

dos terminales, y que tiene diversas aplicaciones
en la electrnica.
Debido a este comportamiento, se les suele
denominar rectificadores, ya que son dispositivos
capaces de suprimir la parte negativa de cualquier
seal, como paso inicial para convertir una
corriente alterna en corriente continua.
Su principio de funcionamiento est basado en los
experimentos de Lee De Forest.
165
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin

llamados vlvulas termoinicas constitudos por dos
electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un
aspecto similar al de las lmparas incandescentes.
El invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose
Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en
observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
166
Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco

tienen un filamento (el ctodo) a travs del cual circula la
corriente, calentndolo por efecto Joule.
El filamento est tratado con xido de bario, de modo que al
calentarse emite electrones al vaco circundante los cuales son
conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por un
muelle doble, cargada positivamente (el nodo), producindose
as la conduccin.
Filamento
167
Evidentemente, si el ctodo no se calienta, no podr ceder

electrones.
Por esa razn, los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco
requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes
de poder funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha
facilidad.
Los diodos PN, son uniones de dos materiales
semiconductores extrnsecos tipos P y N, por lo que tambin
reciben la denominacin de unin PN.
Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por
separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal, el
nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que
podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son
neutros.
168
DIODO SEMICONDUCTOR
P
NODO
ZONA
TRANSICIN
-
NODO
Zona libre de cargas.

Solo quedan los iones fijos.
N
CTODO
CTODO
SMBOLO
Fue descubierto accidentalmente en los laboratorios Bell

por Russel Ohl en 1940
La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
-
Semiconductor tipo P
+
+
+
+
+
+
Semiconductor tipo N
La unin P-N en equilibrio
Zona de transicin
-
Semiconductor tipo P
+
+
+
+
+
+
Semiconductor tipo N
Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona

de carga espacial denominada zona de transicin. Que acta como
una barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de

electrones del cristal N al P (Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una
zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes
denominaciones como zona de carga espacial, de
agotamiento, de deplexin, de vaciado, etc.
172
La acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones

negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que
actuar sobre los electrones libres de la zona n con una
determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la
corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una

diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de
potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los
cristales son de germanio.
173
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado

el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando
uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la
zona de carga espacial es mucho mayor.
Al dispositivo obtenido se le denomina diodo, que cuando
no se encuentra sometido a una diferencia de potencial
externa, se dice que no est polarizado.
Dado que los electrones fluyen desde la zona N hacia la
zona P, al extremo P se le denomina nodo
(representndose por la letra A) mientras que al extremo N
se le denomina ctodo (se representa por la letra C o K).
174
Representacin del componentes elctricos en diagrama V-I

I
V
+
V
Abierto
(R = )
I
V
Resistencia
(R)
+
V
Corto
(R = 0)
I
V
+
Batera
V
V
+
Fuente
Corriente
Polarizacin directa de un diodo.

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la
zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de
electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado
directamente conduce la electricidad.
176
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe

conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el
polo negativo al ctodo.
En estas condiciones podemos observar que:
El polo positivo de la batera repele los electrones libres

del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la
unin p-n.
El polo negativo de la batera atrae a los electrones de

valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que
empuja a los huecos hacia la unin p-n.
177
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la

batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de
carga espacial, los electrones libres del cristal N, adquieren
la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal P, los
cuales previamente se han desplazado hacia la unin P-N.
Una vez que un electrn libre de la zona N salta a la zona P
atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los
mltiples huecos de la zona P convirtindose en electrn de
valencia.
Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo
positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta
llegar al final del cristal P, desde el cual se introduce en el
hilo conductor y no llega hasta la batera.
178
La unin P-N polarizada en directa
+
+
+
+
+
+
La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a

circular a partir de un cierto umbral de tensin directa.
La unin P-N polarizada en directa
Concentracin de huecos
+
+
+
+
+
+
Concentracin de electrones
La recombinacin electrn-hueco hace que la concentracin de

electrones en la zona P disminuya al alejarse de la unin.
Polarizacin inversa de un diodo.
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona

p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de
carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza
el valor de la tensin de la batera:
181
La unin P-N polarizada inversamente
+
+
+
+
+
+
La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin

inversa no hay circulacin de corriente.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona

N, los cuales salen del cristal N y se introducen en el conductor
dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera.
A medida que los electrones libres abandonan la zona N, los tomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su
electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad y una
carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones
positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos
trivalentes de la zona P.
Estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una
vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de
silicio, de 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el
denominado hueco.
183
El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la

batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con
lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad y una
carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones
negativos.
El diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido

al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco
a ambos lados de la unin produciendo una pequea
corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa
de saturacin.
184
Adems, existe tambin una denominada corriente

superficial de fugas la cual, conduce una pequea
corriente por la superficie del diodo; ya que en la
superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de
suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces
covalentes necesarios para obtener estabilidad.
No obstante, al igual que la corriente inversa de

saturacin, la corriente superficial de fuga no es
despreciable.
185
Si se POLARIZA en una zona de funcionamiento, podremos

aplicar el principio de superposicin y sustituir el dispositivo por
un equivalente lineal.
PODEMOS CONSIDERARLO UN ELEMENTO LINEAL
VE
VS
VCC
t
Hablaremos de:
Circuito de
polarizacin (Circuito
de continua)
y de:
Circuito alterna
VAC
VS
VCC
t
ID
VE
VD
Equivalente
del diodo
RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO

CIRCUITO
LINEAL
ID
RTH
VTH
+
VD
-
Caracterst
ica del
diodo
VTH
RTH
ID
PUNTO DE
FUNCIONAMIENT
O
VD
Caracterstica del
circuito lineal
(RECTA DE
CARGA)
VTH
V
Diodos
Conductor
Semicondcutor
~ 10-6cm
=
(cobre)
~
=
~
=
Aislante
50cm (germanio)
50X10 cm
(silicio)
3
~ 10
=
12
cm (mica)
La aplicacin de los materiales semiconductores en el campo de

la electrnica es una estructura de tipo mono cristal.
Estructura de un solo cristal de Ge y Si.

188
Curva caracterstica del diodo
189
Tensin umbral, de codo o de partida (V ).

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de
polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona
de carga espacial del diodo no polarizado.
Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial

se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente,
alrededor del 1% de la nominal.
Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin

umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para
pequeos incrementos de tensin se producen grandes
variaciones de la intensidad de corriente.
190
Corriente mxima (Imax ).

Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el
diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de
la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre
todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de saturacin (Is ).

Es la pequea corriente que se establece al polarizar
inversamente el diodo por la
formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura,
admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la
temperatura.
191
Tensin de ruptura (Vr ).

Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar
antes de darse el efecto avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este
conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a
partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal
o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no
obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:
192
Efecto avalancha (diodos poco dopados).

En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que
provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin
inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando
su energa cintica de forma que al chocar con electrones de
valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin.
Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto
de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y
liberndolos a su vez.
El resultado es una avalancha de electrones que provoca
una corriente grande. Este fenmeno se produce para
valores de la tensin superiores a 6 V.
193
Efecto Zener (diodos muy dopados).

Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de
la zona de carga.
Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como
cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo
est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo
elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm.
En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de
arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente.
Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos
diodos especiales, como los Zener, se puede producir por
ambos efectos.
194
Diodo ideal
El diodo semiconductor es un bloque bsico en una amplia
variedad de sistemas electrnicos, sus aplicaciones son
variadas.
El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el
smbolo y curva caracterstica siguientes:
Unin de elementos tipo P y N

195
nodo
p
ctodo
n
i [mA]
Ge
Si
Smbolo
V [Volt.]
Silicio
Germanio
I D I S e
V D q
K T
-0.25
0.25
0.5
IS = Corriente Saturacin Inversa

K = Cte. Boltzman
VD = Tensin diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
ID = Corriente diodo
MOMENTO DE REFLEXIN:
+
V
-
FALSO
Dos trozos de material, relativamente buen conductor,

podramos pensar que debe comportarse como una
resistencia bastante pequea (idealmente un corto).
CARACTERSTICA DEL DIODO

Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y
bloquea o no permite la corriente inversa (se comporta como un cable
roto)
I
+
V
-
PRESENTA UN
COMPORTAMIENTO
NO LINEAL
Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que circula por la

superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta
corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo,
con lo que al aumentar la tensin, aumenta la
corriente superficial de fugas.
199
DIODO REAL (Distintas escalas)

Ge: mejor en conduccin
Si: mejor en bloqueo
i [mA]
30
-0.25
V [Volt.]
0.25
0.5
-0.5
Ge
Ge
Si
Si
G
e
0
i [mA]
V [Volt.]
0 1
-4
i [A]
i [pA]
V [Volt.]
0
-0.5
V [Volt.]
0
Si
-0.8
-10
DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES
I
Slo tensin
de codo
Ge = 0.3
Si = 0.6
Ideal
I
Tensin de codo y
Resistencia directa
V
Curva real
(simuladores,
anlisis grfico)
V
DIODO: LIMITACIONES
Corriente mxima
Tensin inversa
mxima
I
Lmite trmico,
seccin del conductor
Ruptura de la Unin
por avalancha
600 V/6000 A
200 V /60 A
1000 V /1 A
DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes

id
IOmax
VR = 1000V
Tensin inversa mxima
IOMAX (AV)= 1A Corriente directa mxima
VF = 1V Cada de Tensin directa
IR = 50 nA
Corriente inversa
VR = 100V
Tensin inversa mxima
IOMAX (AV)=
150mA
Corriente directa mxima
VF = 1V
Cada de Tensin directa
IR = 25 nA
Corriente inversa
VR
iS
Vd
NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener
las hojas de caractersticas de un
diodo (p.e. 1N4007). Normalmente
aparecern varios fabricantes para el
mismo componente.
Tiempo de recuperacin inversa
iS
iS
trr = tiempo de recuperacin inversa

A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce
corriente inversa.
Diodo
rectificador
El funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es el
siguiente:
En la zona directa se puede considerar como un generador
de tensin continua, tensin de codo (0.5-0.7 V para el
silicio y 0.2-0.4 V para el germanio).
Cuando se polariza en inversa se puede considerar como un
circuito abierto.
Cuando se alcanza la tensin inversa de disrupcin (zona
inversa) se produce un aumento drstico de la corriente que
puede llegar a destruir al dispositivo.
205
Este diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos

rectificadores, limitadores, fijadores de nivel, proteccin contra
cortocircuitos, demoduladores, mezcladores, osciladores, bloqueo y
bypass en instalaciones fotovolcaicas, etc.
Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las
siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas
suministradas por el fabricante):
1. La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no

(VRRR mx o VR mx, respectivamente) ha de ser mayor (del orden
de tres veces) que la mxima que este va a soportar.
2. La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al
componente, repetitiva o no (IFRM mx e IF mx respectivamente),
he de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a
soportar.
206
Circuito rectificador de media onda
Seal de entrada
207
Circuitos rectificadores de onda completa
Empleando 2 diodos
Empleando 4 diodos
Seal de entrada
208
Diodo Zener
El funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente:
En la zona directa lo podemos considerar como un generador de
tensin continua (tensin de codo). En la zona de disrupcin,
entre la tensin de codo y la tensin zener (Vz nom) lo podemos
considerar un circuito abierto.
Cuando trabaja en la zona de disrupcin se puede considerar
como un generador de tensin de valor Vf= -Vz.
El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensin
trabajando en la zona de disrupcin.
Podemos distinguir:
1.Vz
nom,Vz: Tensin nominal del zener (tensin en cuyo entorno

trabaja adecuadamente el zener).
209
2.Iz min: Mnima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a
partir de la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona
de
disrupcin
(Vz
min).
3.Iz max: Mxima corriente inversa inversa que puede atravesar el
diodo a partir de la cual el dispositivo se destruye (Vz max).
4.Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente.

Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom y Iz
max.
Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en

cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de
caractersticas suministradas por el fabricante):
5. Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una
corriente inversa mayor o igual a Iz min.
210
2.
La corriente mxima en sentido inverso ha de ser siempre menor

que Iz max.
3.
La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser

mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar
en el circuito.
211
Diodo Zener
Tensin
Zener
(VZ)
La ruptura no es
destructiva.
(Ruptura Zener).
V
Lmite mximo
Normalmente,
lmite de
potencia mxima
En la zona Zener se
comporta como una
fuente de tensin
(Tensin Zener).
Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.
Podemos aadir al
modelo lineal la
resistencia Zener.
Aplicaciones en pequeas
fuentes de tensin y
referencias.
Diodo LED
Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode
El diodo LED presenta un comportamiento anlogo al diodo

rectificador (diodo semiconductor p-n), sin embargo, su tensin
de codo tiene un valor mayor, normalmente entre 1.2-1.5 V.
Segn el material y la tecnologa de fabricacin estos diodos
pueden emitir en el infrarrojo (diodos IRED), rojo, azul, amarillo y
verde, dependiendo de cual sea la longitud de onda en torno a la
cual emita el LED.
Entre sus aplicaciones podemos destacar: pilotos

sealizacin, instrumentacin, optoaclopadores, etc
de
213
Resulta difcil distinguir, por pura inspeccin visual, el modelo del LED
as como el fabricante: los valores mximos de tensin y corriente que
puede soportar y que suministra el fabricante sern por lo general
desconocidos.
Por esto, cuando se utilice un diodo LED en un circuito, se recomienda

que la intensidad que lo atraviese no supere los 20 mA, precaucin de
carcter general que resulta muy vlida.
214
El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la

unin PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de una
cierta longitud de onda. (p.e. Luz roja)
Fotodiodo
Luz incidente
Sentido de la corriente generada
Se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero tiene

una caracterstica que lo hace muy especial: es un dispositivo
que conduce una cantidad de corriente elctrica proporcional a
la cantidad de luz que lo incide
Es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a
la incidencia de la luz visible o infrarroja, para que su
funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo
que se produce una cierta circulacin de corriente cuando es
excitado por la luz.
Los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es
decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy
pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo.
Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de
corriente de oscuridad.
216
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un

factor crtico para definir sus propiedades. Suelen estar
compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de
onda de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de
onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro material
semiconductor.
Material Longitud de onda (nm) Silicio 1901100 Germanio
8001700 Indio galio arsnico ( InGaAs) 8002600 sulfuro de
plomo<1000-3500Tambin es posible la fabricacin de
fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos medios
(longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren
refrigeracin por nitrgeno lquido.
Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo
de selenio de una superficie amplia.
217
La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que

concentra la cantidad de luz que lo incide, de manera que su
reaccin a la luz sea ms evidente. A diferencia del LDR o
fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de
oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y
puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms
pequeo. Si se combina un fotodiodo con una transistor bipolar,
colocando el fotodiodo entre el colector y la base del transistor
(con el ctodo del diodo apuntado al colector del transistor), se
obtiene el circuito equivalente de un fototransistor.
218
Los diodos basados en compuestos III-V, presentan

una corriente de fugas proporcional a la luz incidente
(siendo sensibles a una determinada longitud de
onda).
Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.
Siendo su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotmetros)
Comunicaciones
i
V
0
iopt
NOTA:
Los diodos normales presentan variaciones en
la corriente de fugas proporcionales a la
Temperatura y pueden ser usados como
sensores trmicos
i
El modelo puede ser una fuente de
corriente dependiente de la luz o de
la temperatura segn el caso
I = f(T)
T1
T2>T1
Diodo tnel
Es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se
produce el efecto tnel que da origen a una conductancia
diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica
corriente-tensin.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su
utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador).
Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre
que descubri que una fuerte contaminacin con impurezas
poda causar un efecto de tunelizacin de los portadores de
carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unin. Una
caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia
negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin
directa.
220
Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al

aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede
funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable.
Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia
para aplicaciones que involucran microondas y que estn
relativamente libres de los efectos de la radiacin.
221
Tienen dopadas mucho las dos

zonas del diodo (105 veces mayor).
ID
Zona de
resistencia
negativa.
Efecto Tnel
Aparece un efecto nuevo conocido

como efecto tnel. (Descubierto
por Leo Esaki en 1958).
Un efecto parecido (GUNN) se
produce en una cavidad tipo N de
Ga As.
El diodo GUNN fue descubierto por
Ian Gunn en 1962.
VD
Diodo GUNN
Los efectos se traducen en una

zona de resistencia negativa en la
caracterstica directa del diodo.
Esta zona se aprovecha para
hacer osciladores de microondas.
(El diodo GUNN aparece en el
oscilador local del receptor del
radar. Est presente en todos los
radares marinos actuales).
Diodo Varicap
(Varicap , Varactor or Tuning diode)
La unin PN polarizada
inversamente puede
asimilarse a un
condensador de placas
planas (zona de transicin).
Esta capacidad se llama
Capacidad de Transicin
(CT).
Notar, que al aumentar la
tensin inversa aumenta la
zona de transicin. Un
efecto parecido al de
separar las placas de un
condensador (CT
disminuye).
Dielctrico
CT
Tenemos pues una

capacidad dependiente de
la tensin inversa.
30 pF
d
VI
10 V
Un diodo Varicap tiene

calibrada y caracterizada
esta capacidad.
Uso en equipos de
comunicaciones (p.e.
Control automtico de
frecuencia en
Diodo Schottky (Schottky diode)

El efecto Schottky fue predicho
tericamente en 1938 por Walter H.
Schottky
Unin Metal-semiconductor N. Producindose el
llamado efecto schottky.
La zona N debe estar poco dopada.
Dispositivos muy rpidos (capacidades
asociadas muy bajas).
Corriente de fugas significativamente mayor.
Menores tensiones de ruptura.
Cadas directas mas bajas (tensin de codo
0.2 V).
Aplicaciones en Electrnica Digital y en
Electrnica de Potencia
ASOCIACIN DE DIODOS
Puente rectificador
Diodo de alta tensin

(Diodos en serie)
Monofsico
Trifsico
DISPLAY
APLICACIONES DE DIODOS
Detectores reflexin de
objeto
Detectores reflexin de espejo
Detectores de barrera
Sensores de luz: Fotmetros

Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color
Objetivo
LED azul
LED verde
LED rojo
Fotodiodo
LED
APLICACIN DEL EQUIVALENTE THEVENIN EN ELECTRNICA
Circuito
Lineal
(R, fuentes)
ID
Tensin Thevenin = Tensin de Vacio
+
VD
Circuito
Lineal
VTH = VVACIO
Equivalente
Thvenin
ID
+
RTH
VTH
VD
-
Resistencia Thevenin
Anular fuentes
dependientes.
tensin =
corto
corriente =
abierto
RTH
III.- Dispositivos de Estado Slido de Tres

Terminales (Transistores).
229
Simbologa general de los transistores
230
Nombre
Smbolo
Nombre
Transistor BJT
NPN
Transistor BJT
PNP
Transistor
JFET canal N
Transistor
JFET canal P
Transistor
MOSFET
deplexion canal N
Transistor
MOSFET
deplexion canal P
Transistor
MOSFET
acumulacin
canal N
Transistor
MOSFET
acumulacin
canal P
Transistor
MOSFET doble
puerta
Rectificador
controlado de
silicio (SCR)
(tiristor)
Smbolo
231
Nombre
Smbolo
Nombre
Triodo alternativo
de corriente
(TRIAC)
Triodo alternativo
de corriente
(DIAC)
Triodo Uniunin
(UJT)
Triodo Uniunin
Programable
(PUT)
Conmutador
unilateral de silicio
(SUS)
Conmutador
bilateral de silicio
(SBS)
Optocoplador
(Optotriac)
Conmutador
bilateral de silicio
(SBS)
Smbolo
232
TRANSISTORES (Panormica)
NPN
Bipolares
PNP
Canal N (jfet-n)
Transistores
Unin
Canal P (jfet-p)
Efecto de
campo
Metal-oxidosemiconductor
Canal N (mosfet-N)
Canal P (mosfet-P)
TRANSISTOR BJT
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de
encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales.
Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de
tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no
destruir el dispositivo.
El parmetro de la potencia disipada por el transistor es
especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia
disminuye a medida que crece el valor de la temperatura, siendo a
veces necesario la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora.
Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las
hojas de caractersticas de los distintos dispositivos.
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un
polmetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno
para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la
ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que
queda determinado si es un NPN o un PNP.
234
Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:

1. ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta
zona, y se comporta como una fuente de corriente
constante controlada por la intensidad de base
(ganancia de corriente).Este parmetro lo suele
proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un
mnimo para una corriente de colector dada (Ic);
adems de esto, suele presentar una variacin
acusada con la temperatura y con la corriente de
colector, por lo que en principio no podemos conocer
su valor.
2. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado
para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos
digitales, etc.), y lo podemos considerar como un
cortocircuito entre el colector y el emisor.
3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones
de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y
podemos considerar las corrientes que lo atraviesan
prcticamente
nulas
(y
en
especial
Ic).
4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar
235
236
TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor)

Base
(B)
Colector
(C)
N P N
C
En principio un transistor bipolar est formado

por dos uniones PN.
Emisor
(E)
E
SMBOLO
B
C
Para que sea un transistor y no dos diodos deben

de cumplirse dos condiciones.
1.- La zona de Base debe ser muy estrecha
(Fundamental para que sea transistor).
2.- El emisor debe de estar muy dopado.
Normalmente, el colector est muy poco dopado y
es mucho mayor.
NP N+
B
ASPECTO MAS REAL DE UN

TRANSISTOR BIPOLAR
Descubiertos por
Shockley,
Brattain y Barden
en
1947
(Laboratorios
Bell)
CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN

IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada
VCB
+
VBE
-
IB
IC
VCE
IE
En principio necesitamos
conocer 3 tensiones y 3
corrientes:
IC, IB, IE
VCE, VBE, VCB
En la prctica basta con
conocer solo 2 corrientes y dos
tensiones.
Normalmente se trabaja con IC,
IB, VCE y VBE.
IC = f(VCE, IB) Caracterstica de salida
Por supuesto las otras dos

pueden obtenerse fcilmente:
IE = I C + I B
VCB = VCE - VBE
Como esperamos de sean las caractersticas de un transistor?
En principio podemos pensar en un

equivalente con 2 diodos
E
IB
IC
Entre C y E tenemos dos diodos.

La conduccin entre C y E no debera ser
posible
VBE
VCE
Caracterstica de entrada
(Diodo)
Caracterstica de salida
(Abierto)
CORRECTO
FALSO
CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN: Efecto Transistor

C
C
B
B
E
Efecto transistor.
Conduccin de la unin C-B. La capacidad de conducir
corriente es proporcional a la corriente de base. El factor
de proporcionalidad se llama Ganancia del Transistor ()
IC
IB =
El efecto transistor se
produce nicamente
con zonas de base
muy estrechas
20
10
0
VCE
COMENTARIO:
Un smil podra ser un grifo de agua. La corriente de
base hace el papel del mando de grifo (aumentar la
mxima capacidad de agua - corriente- del grifo).
BASE
CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN

C
IC [mA]
IB [mA] =
E
ZONA DE SATURACIN:
Comportamiento como
interruptor cerrado.
30
3000
= 100
2000
20
1000
10
ZONA ACTIVA:
Comportamiento como
Fuente de Corriente.
0
VCE
ZONA DE TRANSISTOR INVERSO:

Emisor y colector intercambias papeles.
Podemos tener una INVERSA, que en el
dispositivo ideal consideraremos cero
ZONA DE CORTE:
Comportamiento como
interruptor abierto.
USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como fuente de corriente (amplificador)
RB
12 V
+
UC
-
RC
IC
UE
IB
= 100
UC
UE
PF
Electrnica
Analgica
UBIAS
12
UBIAS
En RC (p.e. altavoz) obtenemos una copia

de UE (p.e. msica).
El punto de funcionamiento cambia "al
ritmo de la msica".
Podremos aplicar el principio de

superposicin y linealizar el
transistor entorno a su punto de
funcionamiento.
Hablaremos de circuito de continua
(polarizacin) y de circuito de
alterna.
Notar la presencia de un indeseable nivel

de continua.
Necesitamos polarizar el transistor para
que siempre se comporte como una
fuente de corriente dependiente: I C = f(IB)
USOS DEL TRANSISTOR NPN: Saturacin como amplificador
RB
12 V
+
UC
-
RC
PF
IC
UE
IB
= 100
UBIAS
UC
UE
12
UBIAS
El transistor se sale de la zona de fuente

de corriente. Las tensiones del circuito
no pueden sobrepasar las de
alimentacin.
Decimos que el amplificador se satura (y
distorsiona).
TRANSISTOR BIPOLAR PNP (PNP bipolar transistor)

Base
(B)
Colector
(C)
P N P
C
Emisor
(E)
E
SMBOLO
B
N
B
Para que sea un transistor y no dos diodos

deben de cumplirse dos condiciones.
1.- La zona de Base debe ser muy estrecha
(Fundamental para que sea transistor).
C
P
Est formado como antes por dos uniones

PN. Ahora dos regiones P y una N.
2.- El emisor debe de estar muy dopado.
Normalmente, el colector est muy poco

dopado y es mucho mayor.
P+
E
ASPECTO MAS REAL DE UN

TRANSISTOR BIPOLAR
CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR PNP

IB = f(VEB, VEC) Caracterstica de entradaconocer 3 tensiones y 3

corrientes:
IE
+
+
IC, IB, IE
VEB
+
VBC
IB
VEC
IC
VEC, VEB, VBC

conocer solo 2 corrientes
y dos tensiones.
Normalmente se trabaja
con IC, IB, VEC y VEB.
Por supuesto las otras
IC = f(VEC, IB) Caracterstica de salida dos pueden obtenerse

fcilmente:
NOTAR QUE TODO

EST AL REVS QUE
ANTES
IE = IC + IB
VBC = VEC - VEB
Como esperamos de sean las caractersticas del transistor PNP?

E

C
IB
IC
Entre C y E tenemos dos diodos.

La conduccin entre C y E no debera ser
posible
VEB
VEC
(Diodo)
(Abierto)
CORRECTO
FALSO
CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR PNP: Otra vez el Efecto

Transistor
E
E
B
B
C
Efecto transistor para este caso.

Conduccin de la unin B-C. La capacidad de conducir
corriente es proporcional a la corriente de base. El factor
de proporcionalidad se llama Ganancia del Transistor ()
C
IC
IB =
El efecto transistor se
produce nicamente
con zonas de base
muy estrechas
20
10
0
VEC
BASE
COMENTARIO (SIMILAR AL ANTERIOR):
Un smil podra ser un grifo de agua. La corriente de
base hace el papel del mando de grifo (aumentar la
mxima capacidad de agua - corriente- del grifo).
CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR PNP

E
IC [mA]
B
C
ZONA DE
SATURACIN:
Comportamiento como
interruptor cerrado.
IB [mA] =
30
3000
= 100
2000
20
1000
10
ZONA ACTIVA:
Comportamie
nto como
Fuente de
Corriente.
0
VEC
ZONA DE TRANSISTOR INVERSO:

Emisor y colector intercambias papeles.
Podemos tener una INVERSA, que en el
dispositivo ideal consideraremos cero
ZONA DE CORTE:
Comportamiento
como interruptor
abierto.
USOS DEL TRANSISTOR PNP: como fuente de corriente (amplificador)
= 100
12 v
Ib
Rb
Uc
-
Ue
UE
Ic
Electrnica
Analgica
Pf
Rc
Ubias
Uc
Vec
12
Ubias
Como antes, en RC (p.E. Altavoz)
obtenemos una copia de UE (p.E.
Msica), ahora desfasada 180. Es decir,
cuando UE aumenta, IB disminuye y
viceversa.
LA SEAL SALE
DESFASADA 180
CARACTERSTICAS REALES DE LOS TRANSISTOR NPN y PNP
Caracterstica
de Entrada
Caracterstica
de Salida
TRANSISTOR BIPOLAR:
PARMETROS SUMINISTRADOS POR LOS FABRICANTES
IC
IC-MAX
Corriente mxima de colector
VCE-MAX Tensin mxima CE

PMAX
Potencia mxima
VCE-SAT
Tensin C.E. de saturacin
HFE
Ganancia
ICMAX
B
E
PMAX
SOAR
VCE-MAX
VCE
rea de operacin segura

(Safety Operation Area)
TRANSISTOR BIPOLARES
VCE = 1500
IC = 8
HFE = 20
TOSHIBA
FOTOTRANSISTOR (Phototransistor)
La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base
desempean el papel de corriente de base
El terminal de Base, puede estar presente o no.

No confundir con un fotodiodo.
FOTOTRANSISTORES (Phototransistor)
FOTOTRANSISTORES (Phototransistor)
DISTINTOS
ENCAPSULADOS
ASOCIACIN DE TRANSISTORES
OPTOACOPLADOR
Conjunto fotodiodo + fototransistor

OBJETIVO:
Proporcionar aislamiento
galvnico y proteccin elctrica.
Deteccin de obstculos.
APLICACIN TPICA DE LOS OPTOACOPLADORES:

"Encoder" ptico para medida de velocidad y posicionado
TRANSISTOR MULTIEMISOR (Multi-emitter transistor)
Transistor muy importante en Electrnica

Digital.
Base de la Tecnologa Digital TTL
E3
E1
Transistor pensado para ser integrado de

una forma compacta, bsico para la
implementacin de puertas lgicas de
varias entradas.
E2
C
NP
B
N+
E1
N+
E2
N+
E3
TRANSISTOR o MONTAJE
DARLINGTON
TRANSISTOR SCHOTTKY
1 .2
C
E
1
B
OBJETIVO:
OBJETIVO:
Aumentar la del transistor.
Aumentar la rapidez del

transistor, impidiendo la
saturacin completa del mismo.
Manejar corrientes grandes con

corrientes de base pequeas.
Uso en fuentes de alimentacin.
Uso en Electrnica Digital
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET - Field Effect Transistor)
CANAL N (JFET-N)
UNIN
CANAL P (JFET-P)
EFECTO
DE CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR
CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)
Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patent el concepto de "Field Effect Transistor".

20 aos antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.
Transistores JFET y MOSFET
261
Transistor JFET
El transistor de efecto de campo de juntura (JFET)). Principio de
funcionamiento. Caractersticas tensin - corriente de salida.
Zonas de funcionamiento. Caracterstica de transconductancia
en saturacin. Principales parmetros. Polarizacin del JFET. El
JFET en pequea seal y frecuencias medias. Ganancia de
tensin, impedancia de entrada y salida en las tres
configuraciones: Fuente Comn, Puerta Comn, Drenador
Comn.
262
Transistor MOSFET
El transistor de efecto de campo de puerta aislada
(MOSFET). Principio de funcionamiento de la
estructura MOS. El transistor propiamente dicho.
Transistor de canal N y de canal P. Tensin de corte
VT:
las
cuatro
combinaciones
posibles.
Caractersticas de salida. Zonas de funcionamiento.
Caractersticas de transconductancia en la regin de
saturacin. El MOSFET como circuito lgico inversor.
El C-MOS. Modelo equivalente sencillo y tabla de
verdad. MOSFET de potencia.
263
Construccin del transistor

JFET
264
JFET de canal N (JFET - Junction Field Effect Transistor)
Es un dispositivo simtrico (D y S son intercambiables)

D
Drenador
D (Drain)
CANAL
N
G
Puerta
(Gate) G
Fuente
(Source)
S
SMBOLO
CARACTERSTICAS DE UN JFET DE CANAL N
IG = f(VGS, VDS) Caracterstica de entradaEn principio necesitamos
VDG
+
VGS
-
IG
corrientes:
ID
VDS
IS
ID, IS, IG
VDS, VDG, VGS
conocer solo 2 corrientes y dos
tensiones.
Normalmente se trabaja con ID,
IG, VDS y VGS.
ID = f(VDS, VGS) Caracterstica de salida

pueden obtenerse fcilmente:
IS = ID + IG
VDG = VDS - VGS
Como esperamos de sean las caractersticas de un JFET de canal N?
Aproximacin intuitiva
Resistencia del canal

S
ID
IG
Entre G y S tenemos un diodo.

La conduccin entre D y S,
podemos suponerla en principio
resistiva.
VDS
VGS
(Diodo)
CORRECTO
(Resistencia)
FALSO
JFET DE CANAL N (SATURACIN DEL CANAL)

Un primer efecto que nos separa del comportamiento ideal es la saturacin del canal.
Al ser la seccin del canal muy pequea (micras), el comportamiento resistivo se mantiene
hasta determinados lmites de corriente. A partir de un cierto valor, el canal se satura y por
mucho que aumentemos la tensin, la corriente no aumenta apreciablemente.
D
SATURACIN
N
G
ID
P
VDS
S
LA CURVA AS OBTENIDA SE PARECE A

LA DEL TRANSISTOR BIPOLAR, CON LOS
MISMOS USOS Y APLICACIONES
JFET DE CANAL N (papel de la zona de transicin)

D
N
G
N
P
S
PN CON
POLARIZACIN
DIRECTA
PN CON
POLARIZACIN
INVERSA
S
PN CON
POLARIZACIN
INVERSA INTENSA
EL CANAL SE VA ESTRANGULANDO
(DISMINUYENDO SECCIN) HASTA
DESAPARECER
JFET DE CANAL N (Caracterstica real de salida)

ZONA
COMPORTAMIENTO
FUENTE DE CORRIENTE
D
ID
G
S
UGS[V]
0
-10
-20
-30
VDS
ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO

SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIN
DE PUERTA (UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE.
PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR
TENSIN.
JFET de canal P (JFET - Junction Field Effect Transistor)

Notar que es un dispositivo simtrico (D y S son intercambiables)
S
Fuente
(Source)
S
CANAL
P
G
Puerta
(Gate) G
D Drenador
(Drain)
D
SMBOLO
CARACTERSTICAS DE UN JFET DE CANAL P
IG = f(VSG, VSD) Caracterstica de entrada
VSG
+
VGD
-
IG
IS
VSD
ID
corrientes:
ID, IS, IG
VSD, VGD, VSG
conocer solo 2 corrientes y
dos tensiones.
Normalmente se trabaja con
ID, IG, VSD y VSG.
ID = f(VSD, VSG) Caracterstica de salida

pueden obtenerse
fcilmente:
IS = ID + IG
VGD = VSD - VSG
Como esperamos de sean las caractersticas de un JFET de canal P?
Aproximacin intuitiva
G
G
Resistencia del canal

D
ID
IG
Entre G y S tenemos un diodo.

La conduccin entre D y S,
podemos suponerla en principio
resistiva.
VSD
VSG
(Diodo)
CORRECTO
(Resistencia)
FALSO
JFET DE CANAL N (SATURACIN DEL CANAL)

Un primer efecto que nos separa del comportamiento ideal es la saturacin del canal.
Al ser la seccin del canal muy pequea (micras), el comportamiento resistivo se mantiene
hasta determinados lmites de corriente. A partir de un cierto valor, el canal se satura y por
mucho que aumentemos la tensin, la corriente no aumenta apreciablemente.
ID
P
G
Saturacin
VS
La curva as obtenida se parece a la del transistor bipolar,

con los mismos usos y aplicaciones
JFET DE CANAL P (papel de la zona de transicin)
P
G
D
PN CON
POLARIZACIN
DIRECTA
D
PN CON
POLARIZACIN
INVERSA
D
PN CON
POLARIZACIN
INVERSA INTENSA
EL CANAL SE VA ESTRANGULANDO
(DISMINUYENDO SECCIN) HASTA
DESAPARECER
JFET DE CANAL P (Caracterstica real de salida)

ZONA COMPORTAMIENTO
FUENTE DE CORRIENTE
S
ID
G
D
USG[V]
0
-10
-20
-30
VSD

SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIN DE
PUERTA (USG) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE.
PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.
TRANSISTORES MOSFET
(MOS - Metal Oxide Semiconductor + FET - Field Effect Transistor )
CANAL N (JFET-N)
UNIN
CANAL P (JFET-P)
EFECTO
DE CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR
CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)
Dr Martn Atalla y Dr Dawon Kahng desarrollaron en primer

MOSFET en los laboratorios Bell en 1960
TRANSISTOR MOSFET - canal N
Drenador
(Drain)
Puerta
(Gate)
Aislante (si O2)

Fuente
(Source)
N
P
Substrato
(Substrate)
Seccin
Canal
(Channel)
Vista superior
TRANSISTOR MOSFET - canal N

G
N
P
NOTAR:
Substrato
NOTAR QUE EN
PRINCIPIO ES UN
DISPOSITIVO
SIMTRICO
METAL
OXIDO
SEMICONDUCTOR
Substrato
G
SMBOLO
De momento, vamos a
olvidarnos del substrato.
Posteriormente veremos
que hacer con este terminal
"inevitable" para que no
afecte a la operacin del
dispositivo.
Que no moleste!!
CARACTERSTICAS DE UN MOSFET DE CANAL N
IG = f(VGS, VDS) Caracterstica de entrada
VDG
VGS
IG
ID
corrientes:
ID, IS, IG
VDS, VDG, VGS
VDS
IS

dos tensiones.
ID = f(VDS, VGS) Caracterstica de salida
Normalmente se trabaja con

ID, IG, VDS y VGS.
pueden obtenerse
fcilmente:
IS = ID + IG
VDG = VDS - VGS
Como esperamos de sean las caractersticas de un MOSFET de canal N?

G
S
ID
Entre D y S tenemos dos diodos.
ID
Substrato
La conduccin entre D y S no debera ser

posible
VGS
VDS
(Abierto)
(Abierto)
CORRECTO
Cierto si no
actuamos sobre la
puerta (G)
PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL N

UGS = 0
D
S
N
Situacin de partida.
No es posible la conduccin en
ningn sentido
Substrato

UGS = 5
G
++++++++++
-----------
Substrato
Por atraccin electrosttica la zona bajo la puerta

(CANAL) se enriquece de cargas negativas (minoritarios
de la zona P).
El CANAL, as enriquecido, se comporta como una zona
N (CANAL N)

UGS = 20
G
++++++++++
--------------------P
Substrato
Al aumentar la tensin de puerta (VGS), aumenta el

canal.
La situacin es parecida al JFET, solo que ahora vamos
aumentando el canal a medida que polarizamos
positivamente la puerta (G)
MOSFET DE CANAL N (Caracterstica real de salida)

Zona comportamiento
fuente de corriente
ID
UGS[V]
+15
+10
+5
0
VDS
Zona de comportamiento resistivo
Como antes, la tensin de puerta (ugs) juega el papel de la corriente de base.

Podemos decir que es un dispositivo controlado por tensin.
MOSFET DE CANAL N ( Que pasa con el substrato?)

D
G
canal
Substrato
P
D
Substrato
Canal.
Aparece entre D y S
en paralelo a los
diodos iniciales
Se observa que los diodos juegan un papel

secundario en la operacin del dispositivo.
Debemos asegurar que nunca entren en

operacin.
EL SUBSTRATO se conecta al punto mas
negativo del circuito.
Para un solo transistor, se conecta a la
FUENTE (S).
En los circuitos integrados se conectar el
SUBSTRATO a la alimentacin negativa
MOSFET DE CANAL N
Se une con S
G
canal
Substrato
P
D
D
G
S
COMENTARIO:
Aunque a veces se dibuje el
smbolo con un diodo, tener
en cuenta que NO ES UN
COMPONENTE APARTE.
ID
G
S
S
Diodo parsito
(Substrato - Drenador)
UGS[V]
=+15 V
=+10 V
=+5 V
=0V
VDS
MOSFET DE CANAL N (precauciones con la puerta)

D
La puerta (G) es muy
sensible.
Puede perforarse con
tensiones bastante
pequeas (valores tpicos de
30 V).
No debe dejarse nunca al
aire y debe protegerse
adecuadamente.
ID
- 30 V
+ 30 V V
GS
G
S
Precaucin, sensible a la electrosttica
MOSFET - N con canal inicial: Cargas Activas

D
CANAL INICIAL
N
P
ID
UGS[V]
=+5 V
=0V
=-5 V
= -10 V
VDS
Acumulacin
Deplexin
MOSFET - N con canal inicial: Cargas Activas

ID
Las cargas activas se emplean
para sustituir a resistencias en
circuitos integrados (polarizacin
de amplificadores, etc)
UGS[V]
=0V
VDS
D
Carga activa
S
CURVA DE SALIDA TPICA DE UN MOSFET DE CANAL N DE POCA CORRIENTE
Comportamiento
resistivo
Fuente de corriente
(aumenta
significativamente
con la tensin VDS)
TRANSISTOR MOSFET - canal P
Drenador
(Drain)
Puerta
(Gate)
Aislante (si O2)

Fuente
(Source)
P
N
Substrato
(Substrate)
Seccin
Canal
(Channel)
Vista superior
Transistor MOSFET - canal P

G
P
N
Notar:
Metal
Oxido
Semiconductor
Substrato
G
Smbolo
Substrato
Notar que en
principio es un
dispositivo
simtrico
De momento, vamos a
olvidarnos del substrato.
Posteriormente veremos que
hacer con este terminal
"inevitable" para que no
afecte a la operacin del
dispositivo.
Que no moleste!!
Caractersticas de un MOSFET de canal P
IG = f(vsg, VSD) caracterstica de entrada
Vsg
Vgd
Ig
Is
Id, is, ig
Vsd, vgd, vsg
Vsd
Id
corrientes:
ID = f(vsd, VSG) caracterstica de salida

dos tensiones.
Normalmente se trabaja
con id, ig, vsd y vsg.
pueden obtenerse
fcilmente:
I s = i d + ig
Vgd = vsd - vsg
Como esperamos de sean las caractersticas de un MOSFET de canal P?
En principio podemos pensar en

un equivalente con 2 diodos
Substrat
o
Substrat
o
D
ID
Entre D y S tenemos dos diodos.
ID
La conduccin entre D y S no debera

ser posible
VSG
(Abierto)
CORRECTO
VSD
(Abierto)
Cierto si no
actuamos sobre la
puerta (G)
PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL P

USG = 0
D
S
P
Situacin de partida.
No es posible la conduccin en ningn
sentido
Substrato

USG = 5
G
---------- --------+++++++++++
Substrato
Por atraccin electrosttica la zona bajo la puerta (CANAL) se

enriquece de cargas positivas (minoritarios de la zona N).
El CANAL, as enriquecido, se comporta como una zona P (CANAL
P)

USG = 20
G
---------- --------++++++++++++
++++++++++++
Substrato
Al aumentar la tensin de puerta (VSG), aumenta el canal.

La situacin es parecida al JFET, solo que ahora vamos
aumentando el canal a medida que polarizamos negativamente la
puerta (G)
MOSFET DE CANAL P (Caracterstica real de salida)

ZONA COMPORTAMIENTO
FUENTE DE CORRIENTE
Substrato
G
ID
USG[V]
+15
+10
+5
0
VSD

COMO ANTES, LA TENSIN DE PUERTA (USG) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE
BASE.
PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.
MOSFET DE CANAL P ( Que pasa con el substrato?)

D
G
canal
Substrato
N
Se observa que los diodos juegan un papel
secundario en la operacin del dispositivo.
S
Canal.
Aparece entre D y S
en paralelo a los
diodos iniciales
Substrato
S
Debemos asegurar que nunca entren en

operacin.
EL SUBSTRATO se conecta al punto mas
positivo del circuito.
Para un solo transistor, se conecta a la
FUENTE (S).
En los circuitos integrados se conectar el
SUBSTRATO a la alimentacin positiva.
Notar que esta es una diferencia importante
con el MOSFET de canal N
MOSFET DE CANAL P ( Que pasa con el substrato?)

Se une con S
G
canal
Substrato
P
S
S
G
D
COMENTARIO:
Aunque a veces se dibuje el
smbolo con un diodo, tener en
cuenta que NO ES UN
COMPONENTE APARTE.
ID
G
D
USG[V]
=+15 V
=+10 V
=+5 V
=0V
Diodo parsito
(Substrato - Drenador)
VSD
MOSFET DE CANAL P (precauciones con la puerta)

S
La puerta (G) es muy sensible.
ID
Puede perforarse con

tensiones bastante pequeas
(valores tpicos de 30 V).
No debe dejarse nunca al aire
y debe protegerse
adecuadamente.
- 30 V
+ 30 V
VSG
G
D
Precaucin, sensible a la electrosttica
MOSFET - P con canal inicial: Cargas Activas

D
CANAL INICIAL
P
N
ID
USG[V]
=+5 V
=0V
Acumulacin
=-5 V
Deplexin
= -10 V
VSD
MOSFET - P con canal inicial: Cargas Activas

ID
USG[V]
Las cargas activas se emplean para sustituir a
resistencias en circuitos integrados
(polarizacin de amplificadores, etc)
=0V
VSD
CARGA ACTIVA
D
CURVA DE SALIDA TPICA DE UN MOSFET DE CANAL P
Comportamiento
resistivo
Fuente de corriente
(aumenta
significativamente
con la tensin VSD)
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
C
G
E
Combinacin de MOSFET y
transistor Bipolar que ana las
ventajas de los dos:
La facilidad de gobierno del
MOSFET
El buen comportamiento como
interruptor de BIPOLAR
Dispositivo reciente muy importante
en Electrnica de Potencia
Inventado por H.W. Becke y C.F. Wheatley en 1982
Con los MOSFET e IGBT para manejar corrientes elevadas se

produce un cambio de tendencia importante.
Un Transistor Bipolar de potencia es un solo dispositivo de dimensiones
(Seccin) suficiente para manejar la corriente elevada.
Un Transistor MOSFET o un IGBT de potencia, pensado para manejar

corrientes elevadas, est formado por muchos transistores integrados
colocados en paralelo
C
NP
N+
B
E
BIPOLAR DE POTENCIA
Cada punto
representa
un MOSFET
MOSFET DE
POTENCIA
(Muchos pequeos
MOSFET en paralelo,
realmente es un "Circuito
Integrado")
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS:
PEQUEOS Y GRANDES SEGN LA
APLICACIN
EL MAS PEQUEO
UNO GRANDE
Unos de los 12 SCR para un pequeo
rectificador trifsico de 500 MW y 500 KV
(Inga-Shaba, ZAIRE)
IV.- Dispositivos de Estado Slido Utilizados

como Interruptores Controlados.
312
USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor
3A
12 V
12 V
36 W
3A
12 V
12 V
36 W
= 100
40 mA
Sustituimos el interruptor principal por

un transistor.
La corriente de base debe ser
suficiente para asegurar la zona de
saturacin.
Ventajas:
No desgaste, sin chispas, rapidez,
permite control desde sistema lgico.
Electrnica de Potencia y Electrnica
digital
IC
IB = 40 mA
4A
ON
PF (ON)3 A
OFF
12 V VCE
PF (OFF)
USOS DEL TRANSISTOR PNP: Como interruptor
3A
12 V
12 V
36 W
40 mA
I
12 V
= 100
3A
12 V
36 W
IC
Al igual que antes, sustituimos

el interruptor principal por un
transistor.
La corriente de base (ahora
circula al reves) debe ser
suficiente para asegurar la zona
de saturacin.
IB = 40 mA
4A
ON
PF (ON)3 A
OFF
12 V VEC
PF (OFF)
USOS DEL MOSFET - Canal N: Como interruptor
12 V
3A
12 V
36 W
3A
12 V
12 V
36 W
I
La puerta no
puede quedar al
aire
(debe protegerse)
ID
4A
PF (ON) 3 A
Sustituimos el interruptor principal por un
transistor.
La corriente de puerta es nula (muy pequea)
UGS= 12 V
ON
OFF
12 V VDS
PF (OFF)
USOS DEL MOSFET - Canal P: Como interruptor

La puerta no puede
quedar al aire (debe
protegerse)
12 V
I 3A
12 V
I
3A
12 V
36 W
12 V
36 W
ID
USG= 12 V
4A
PF (ON) 3 A
ON
OFF
Sustituimos el interruptor principal por un

transistor.
La corriente de puerta es nula (muy pequea)
12 V VSD
PF (OFF)

Dispositivos Esime 2015

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Instituto Politcnico Nacional

Escuela Superior de Ingeniera Mecnica y Elctrica

Instituto Politcnico Nacional

I.- Caractersticas Generales de

Otra definicin es la de materiales cuya resistencia

Para aplicaciones especiales se utiliza

conductividad del cobre

este valor es a lo que se llama

Se considera que la conductividad

1913 como la referencia estndar

Los materiales aislantes tienen la funcin

El comportamiento de los aislantes se

Un material aislante de la electricidad tiene una

Se denominan dielctricos a los materiales que no

Cada material dielctrico posee una constante dielctrica k. que es

La introduccin de un dielctrico en un condensador aislado de

Disminuye el campo elctrico entre las placas del condensador.

Disminuye la diferencia de potencial entre las placas del

Aumenta la diferencia de potencial mxima

Normalmente un dielctrico se vuelve conductor

Un semiconductor es una sustancia que se comporta

Se, Te, (S)

El elemento semiconductor ms usado es el silicio,

Es un cristal de silicio que forma una estructura

La resistencia elctrica no depende de la

Adems, de acuerdo con la ley de Ohm

Por qu se da este fenmeno?

tipo de material (resistividad )

Generalmente su valor es muy pequeo y por

Resistividad de algunos materiales a 20 C

Acero inoxidable 301

Comportamiento en corriente continua:

donde R es la resistencia en ohmios, V es la diferencia de

Comportamiento en corriente alterna:

En el caso de que la seal aplicada sea senoidal,

En altas frecuencias el comportamiento es diferente,

Se obtiene as, para la corriente, una funcin senoidal

Caractersticas de las resistencias.

caractersticas ms importantes de las

Elementos de una resistencia

oposicin a la corriente, hace que parte

el caso de las resistencias, toda la

El Watt es la unidad con la que se mide la

Smbolos de resistores empleados en diagramas de circuitos

Smbolos de resistores empleados en diagramas de ubicacin de

Las resistencias de usos generales

Se fabrican utilizando una mezcla de carbn,

Las resistencias de alta estabilidad.

resistencia en la que no sea

Las aglomeradas, el elemento resistivo es una masa

Resistencia de Carbn Aglomerado

cuanto a esta clase, comprende a los

caracterstica principal de estos elementos,

Vista interna de un Potencimetro o resistencia variable.

La fabricacin de resistencia de pelcula de

3. Resina aislante. Protege

1. Terminales del dispositivo

5. Cilindro base. Estn

Resistencia de Pelcula de Carbn.

Las resistencias de montaje superficial, son

3. Seccin en la capa. Para

1. Contactos. Son realizados

Resistencia de Montaje Superficial