UNIDAD 3

ESTRUCTURA DE LOS SLIDOS

CRISTALINOS
Y SUS
IRREGULARIDADES

Estructura cristalina

Arreglo Atmico

Todos los materiales estn integrados por tomos los que se organizan de
diferentes maneras, dependiendo del material que se trate y el estado en el que
se encuentra

Desempea un papel muy importante en la determinacin de la estructura y del

comportamiento de un material slido.

En los metales, ciertos ordenamientos permiten una ductilidad excepcional, en

otros materiales, produce una gran resistencia.

Las imperfecciones en el arreglo atmico explican tanto la deformacin como el

endurecimiento de muchos materiales slidos.

Estructura cristalina

Sin considerar las imperfecciones en los materiales, existen tres niveles

de organizacin de tomos.

Sin orden

Ordenamiento particular (de corto alcance)

Ordenamiento general (de largo alcance)

Estructura cristalina

Sin orden: Los tomos y molculas carecen de una arreglo ordenado,

Arreglo Atmico

por ejemplo los gases se distribuyen aleatoriamente en el espacio donde

se confina el gas.

Xenn

Argn

Estructura cristalina

Ordenamiento particular (corto alcance): El arreglo se restringe

solamente a tomos circunvecinos (agua, cermicos, polmeros).
Ejemplo: agua en estado vapor, vidrios cermicos (slice), polmeros

Esquema de la estructura de un lquido

Estructura cristalina

Ordenamiento general (largo alcance): El arreglo se distribuye por

todo el material. Los tomos forman un patrn repetitivo, regular, en
forma de red.
El arreglo (red) difiere de un material a otro en forma y dimensin,
dependiendo del tamao de los tomos y del tipo de enlace entre
ellos.
En el caso de los metales, cuando estos estn en su estado slido,
sus tomos se alinean de manera regular en forma de mallas
tridimensionales. Estas mallas pueden ser identificadas fcilmente
por sus propiedades qumicas, fsicas o por medio de los rayos X

Arreglo Atmico

Grafito
Diamante

Cobre

tomos de hierro en una

superficie de cobre

Microestructura

Orden de largo alcance (cristal): al solidificar el

material, los tomos se sitan segn un patrn
tridimensional repetitivo, en el cual cada tomo
est enlazado con su vecino ms prximo
Slidos
Sin orden (amorfo): carecen de un ordenamiento
atmico sistemtico y regular a distancias
atmicas relativamente grandes.

Arreglos atmicos en el silicio (a) silicio cristalino (b) silicio amorfo

En un material cristalino, los tomos se sitan en una disposicin

repetitiva o peridica a lo largo de muchas distancias atmicas.

Modelo de las esferas rgidas: se consideran los tomos (o iones)

como esferas slidas con dimetros muy bien definidos. Las esferas
representan tomos macizos en contacto

Cristal: se define como un conjunto de tomos ordenados segn un

arreglo peridico en tres dimensiones

Estructura cristalina cbica:

(a) representacin de la
celda unidad mediante
esferas rgida
(b) celda unidad
representada mediante
esferas reducidas y
(c) agregado de muchos
tomos.

Red cristalina: disposicin tridimensional de puntos coincidentes con

las posiciones de los tomos (o centro de las esferas). Los tomos
estn ordenados en un patrn peridico, de tal modo que los
alrededores de cada punto de la red son idnticos

Red cristalina hielo

Estructura cristalina

Estructura amorfa

Celda unitaria: unidad de repeticin en la red (subdivisin de

una red que sigue conservando las caractersticas generales de
toda la red)
Al apilar celdas unitarias idnticas se puede construir toda la red.

Representacin de la red y de la celda unitaria del

sistema cbico centrado en el cuerpo

Sistemas cristalinos

Siete sistemas cristalinos:

Cbico (3)
Tetragonal (2)
Hexagonal
Ortorrmbico (4)
Rombodrico
Monoclnico (2)
Triclnico.

14 Redes de Bravais

Redes de Bravais
Cbico
Centrado en las
caras

Simple

Centrado en el cuerpo

Tetragonal

Simple

Centrada

Ortorrmbico

Centrada en
las bases
Centrada en el
cuerpo
Centrada en
las caras
Simple

Hexagonal

Rombodrica

Monoclnica

Simple

Centrada en las

bases

Triclnico

Estructuras cristalinas de elementos metlicos a 25C y 1atm

Estructura cristalina

Elemento

Hexagonal compacta

Be, Cd, Co, Mg, Ti, Zn

Cbica compacta

Ag, Al, Au, Ca, Cu, Ni, Pb, Pt

Cbica centrada en el cuerpo

Ba, Cr, Fe, W, alcalinos

Cbica-primitiva

Po

Los parmetros de red que describen el tamao y la forma de la

celda unitaria, incluyen las dimensiones de las aristas de la celda
unitaria y los ngulos entre estas.

Nmero de tomos equivalentes por celda

Si consideramos que cada punto de la red coincide con un tomo,
cada tipo de celda tendr un nmero de tomos que se contarn de
la siguiente forma:
tomos ubicados en las esquinas aportarn con 1/8 de tomo, ya
que ese tomo es compartido por 8 celdas que constituyen la red.
tomos ubicados en las caras de las celdas aportarn con de
tomo, ya ese tomo es compartido por 2 celdas que constituyen la
red.
tomos que estn en el interior de las celdas aportan 1 tomo.

Ejercicio
Calcule la cantidad de tomos por celda en los sistemas cristalinos
cbicos.

Cbico simple
(CS)

Cbico centrado en las

caras (FCC)
Cbico centrado en el
cuerpo (BCC)

Radio atmico versus Parmetro de red

En la celda unitaria, las direcciones a lo largo de las cuales los
tomos estn en contacto continuo son direcciones de
empaquetamiento compacto. En las estructuras simples, se utiliza
estas direcciones para calcular la relacin entre el tamao aparente
del tomo y el tamao de la celda unitaria.
Al determinar geomtricamente la longitud de la direccin con base
en los parmetros de red, y a continuacin incluyendo el nmero de
radios atmicos a lo largo de esa direccin, se puede determinar la
relacin que se desee.

Cbico simple (CS)

Los tomos se tocan a lo largo de la arista del cubo

a 2r

Cbico centrado en el cuerpo (BCC)

Los tomos se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo

4r
a
3

Cbico centrada en las caras (FCC)

Los tomos entran en contacto a lo largo de la diagonal de la cara del
cubo

4r
a
2

Radios atmicos y estructuras cristalinas de 16 metales comunes

Ejercicio:
Calcular el volumen de la celda unidad del cobre FCC.
radio atmico = 1,278

Ejemplo: Calcule el parmetro de red del cloruro de cesio y el volumen

de la celda unitaria

Ejercicio:
Un metal cristaliza en la red cbica centrada en el cuerpo. Si su radio
atmico es 1.24 manmetros. Cuntos tomos existirn en 1 cm3?

Nmero de coordinacin
El nmero de coordinacin es la cantidad de tomos que tocan a
determinado tomo (cantidad de vecinos ms cercanos a un tomo en
particular)

N coordinacin CS = 6

N coordinacin BCC = 8

N coordinacin FCC = 12

Factor de empaquetamiento
Es la fraccin de espacio ocupado por tomos, suponiendo que son
esferas duran que tocan a su vecino ms cercano

Factor de empaquetam iento

cantidad de tomos / celda volumen de tomos

volumen de la celda unitaria

Ejercicio:
Calcular el factor de empaquetamiento de la celda CS, BCC y FCC

Estructura
Cbica simple
(CS)

a (r)
a = 2r

Nmero de
coordinacin

Factor de
empaquetamiento

0,52

Po

Ejemplos

Cbica
centrada en el
cuerpo (CC)

a = 4r/3

0,68

Fe, Ti, W, Mo,

Nb, Ta, K, Na,
V, Cr, Zr

Cbica
centrada en
las caras
(CCC)

a = 4r/2

12

0,74

Fe, Cu, Al, Au,

Ag, Pb, Ni, Pt

Hexagonal
compacta
(HC)

a = 2r
c/a = 1,633 a

12

0,74

Ti, Mg, Zn,

Be, Co, Zr, Cd

Ejercicio
El molibdeno posee una estructura cbica centrada en el cuerpo y una
densidad de 10.2 gr/cm3. Se pide:
a)
Calcular el nmero de coordinacin y el nmero de tomos de
cada celda elemental
b)

Su radio atmico.

c)

Su factor de empaquetamiento atmico.

Densidad
La densidad terica de un material se puede calcular con las
propiedades de su estructura cristalina

Densidad

cantidad de tomos / celda masa atmica

volumen de la celda unitaria N Avogadro

Ejercicio:
Determinar la densidad del hierro BCC, cuyo parmetro de red es 0,2866
nm
Masa atmica: 55,847 g/mol

. Un clip pesa 0,59 g y es de hierro BCC. Calcule (25 pts):

a) La cantidad de celdas unitarias en el clip
b) La cantidad de tomos de hierro en el clip
c) Si por cada 100 tomos de hierro se introduce un tomo de carbono,
calcule el porcentaje de carbono en la aleacin.
a0 = 2,866
densidad = 7,87 g/cm3

masa atmica = 55,847 g/mol

Ejercicio
La densidad del potasio, que tiene una estructura BCC y un tomo
por punto de red, es 0,855 g/cm3. El peso atmico de potasio es
39,09 g/mol. Calcular:
a) El parmetro de red
b) El radio atmico del potasio

Ejercicio
Una aleacin cristaliza cbico simple, como se muestra en figura,
calcule:
a) El factor de empaquetamiento
b) La densidad terica
rA = 4,83

masa molecular tomo A: 56,78 g/mol

rB = 5,21

masa molecular tomo B: 65,98 g/mol

Ejercicio
Se tiene un metal A que cristaliza cbico simple, cuyo radio atmico es de
1,55 A.
a) Calcule el radio de un tomo que podra ubicarse en el centro de la
celda sin producir deformacin.
b) Cul el la variacin porcentual del factor de empaquetamiento de
la celda al ingresar el nuevo tomo

Ejercicio
Un metal A de radio atmico 3.78 cristaliza cbico cara centrada
a) Calcule el radio de un tomo que puede ingresar al centro de la celda
provocando que el parmetro de red aumente un 8%.
b) Calcule el nuevo factor de empaquetamiento de esta celda al ingresar
el nuevo tomo.

POLIMORFISMO Y ALOTROPA
Muchos elementos y compuestos existen en ms de una forma cristalina:
un fenmeno conocido como alotropa y polimorfismo.
Si este fenmeno ocurre en elemento puro se denomina alotropa.
En los compuesto, este fenmeno se llama polimorfismo
La existencia de una u otra estructura cristalina depende de la presin y
de la temperatura exterior.

Por ejemplo el carbono:

El grafito es estable en condiciones ambientales, mientras que el
diamante se forma a presiones extremadamente elevadas.

El hierro puro se presenta en estructura cristalina BCC y FCC en el

rango de temperaturas que va desde temperatura ambiente hasta la
temperatura de fusin a 1.539 C.

1.539
1.394

Hierro lquido
Hierro delta () BCC

Temperatura (C)

Hierro gamma () FCC

912

Hierro alfa () BCC

- 273

La transformacin polimrfica a menudo va acompaada de

modificaciones de la densidad y de otras propiedades fsicas.
En los materiales cermicos polimrficos como la SiO2 y la ZrO2, la
transformacin puede acompaarse de un cambio de volumen, que si
no se controla de manera adecuada, produce un material frgil que se
fractura con falicidad.
Circonia (ZrO2)
T Ambiente 1.170 C

Monoclnica

1170 C 2.370 C

Tetragonal

2.370 C 2.680 C

Cbica

Ejercicio

Calcular el cambio de volumen terico que acompaa a la

transformacin alotrpica en un metal puro desde la estructura
FCC a BCC. Considere que no existe cambio de volumen atmico
antes y despus de la transformacin.

IRREGULARIDADES DEL ARREGLO ATOMICO

Las imperfecciones juegan un papel fundamental en numerosas

propiedades del material: mecnicas, pticas, elctricas,

Se introducen intencionalmente para beneficiar determinadas

propiedades

Ejemplos:

- Carbono en Fe para mejorar dureza

- Cu en Ag para mejorar propiedades mecnicas
- Dopantes en semiconductores

Arreglo atmico perfecto

Clasificacin de las imperfecciones en los slidos (segn su forma y

geometra):

Dimensin

Tipo de imperfeccin

Puntual: vacancias, intersticios, impurezas

Lineal: dislocaciones

Superficial: superficie del cristal, juntas de granos,

interfases
Volumen: poros, fisuras, fases no cristalinas

Defectos puntuales:

Defecto de vacancia (a)

Defecto insterticial (b)

Defecto sustitucional (c, d)

Defectos puntuales
- Son interrupciones localizadas en los arreglos atmicos
- La alteracin afecta una regin donde intervienen varios tomos
- Se producen durante la solidificacin del material o durante el
procesamiento, debido al aumento de la energa almacenada, o bien, por
introduccin de impurezas o por dopado.
- Normalmente, las impurezas son elementos o compuestos presentes
en las materias primas, su presencia tiene efectos nocivos para las
propiedades.
- Los dopantes son elementos o compuestos que se agregan en
concentraciones conocidas, en lugares especficos de la microestructura
para beneficiar las propiedades o el procesamiento.

Defecto de Vacancias
Se produce cuando falta un tomo en la estructura cristalina
Cuando faltan tomos, es decir cuando hay vacancias, aumenta el
desorden (o la entropa) del material
Todos los materiales cristalinos tienen defectos de vacancia.
Las vacancias pueden producirse durante la solidificacin como
resultado de perturbaciones locales durante el crecimiento de los
cristales.
En los metales se pueden introducir vacancias durante la deformacin
plstica, por enfriamiento rpido desde altas a bajas temperaturas, o
como consecuencia de daos por radiacin.
Las vacancias son importantes cuando se desean mover los tomos en
un material slido (difusin).

A temperatura ambiente, la concentracin de vacancias es pequea, pero

aumenta en forma exponencial con la temperatura
Cobre

T ambiente = 1,815 x 108 vacancias/cm3

100 C

1,815 x 1011 vacancias/cm3

nv : cantidad de vacancias por cm3

Qv

n v n exp
RT

n : cantidad de tomos por cm3

Q : energa necesaria para producir un mol de
vacancias (cal/mol o joule/mol)
R : constante de los gases (1,987 cal/mol K; 8,31
joule/mol K)
T : temperatura en grados Kelvin

Ejercicio
Calcule la concentracin de vacancias en hierro a temperatura
ambiente (24 C)
A qu temperatura ser necesario calentar el hierro para que la
concentracin de vacancias obtenidas sea 2000 veces mayor que la
concentracin a temperatura ambiente?
Suponga que se requiere 18.000 cal para producir un mol de vacancias
en el hierro.

Defectos Intersticiales
Se produce cuando se inserta un tomo en una estructura cristalina en
una posicin normalmente desocupada.
Los tomos intersticiales son de mayor tamao que los sitios
intersticiales, por lo cual la regin cristalina vecina esta comprimida y
distorsionada.
Los tomos intersticiales, como el hidrogeno, estn siempre presente
como impurezas, mientras que los tomos de carbono se agregan en
forma intersticial al hierro para producir acero.
El aumento de sitios intersticiales ocupados produce un aumento de la
resistencia de los materiales metlicos

La cantidad de tomos intersticiales en la estructura

aproximadamente constante (an cuando cambie la temperatura)

es

Microestructura y propiedades

Microestructura y propiedades

Defecto Sustitucional
Se introduce un defecto sustitucional cuando un tomo es sustituido
con un tipo distinto de tomo.
Un tomo sustitucional ocupa un sitio normal en la red.
Estos tomos cuando son de mayor tamao, causa una reduccin de
los espacios interatmicos vecinos.
Cuando son de menor tamao, causando que los tomos vecinos
tengan distancia interatmicas mayores.
Los defectos sustitucionales se pueden introducir en forma de
impurezas o adicionar de manera deliberada en la aleacin.
Una vez introducidos, la cantidad de defectos no varia con la
temperatura.

tomos de soluto en posiciones sustitucional e intersticial

Defecto puntual autointersticial

Se crea cuando un tomo idntico a los de la red est en una posicin
intersticial.

Defectos puntuales
en una red metlica
de empaquetamiento
compacto

Defecto de Frenkel (o par de Frenkel)

Es un par vacancia-intersticial que se forma cuando un in salta de un
punto normal de la red a un sitio intersticial y deja atrs una vacancia.

Este defecto, que se presenta generalmente en cristales inicos,

tambin se puede presentar en los metales y en materiales con enlaces
covalentes.

Defecto de Schottky
Es un defecto exclusivo de los materiales inicos y suele encontrarse
en muchos materiales cermicos.

Cuando dos iones de carga opuesta faltan en un cristal inico, se crea

una divacante aninica-catinica que se conoce como defecto de
Schottky

Cristal inico ilustrando un defecto de Frenkel y un defecto de Schottky

Un defecto puntual importante el los cristales inicos se produce

cuando un ion de una carga reemplaza a otro de carga distinta. Por
ejemplo, cuando un ion con valencia +2 reemplaza a uno con valencia
de +1.
Para mantener el equilibrio de cargas, se crea una vacancia donde
normalmente estara localizado un catin +1.

Defectos lineales (dislocaciones)

Son defectos que provocan una distorsin de la red centrada en torno
a una lnea.
La red alrededor de la dislocacin esta distorsionada ya que los
tomos no estn en sus sitios normales.
Se crean durante la solidificacin del material, o cuando el material se
deforma plsticamente o por condensacin de vacancias.
Este defecto est presente en todos los materiales.
Son tiles para explicar la deformacin y el endurecimiento de los
metales.
Se pueden identificar tres clases de dislocaciones: de borde, de
tornillo y mixta.

Dislocacin de borde
Una dislocacin de borde se crea en un cristal por la interseccin de
un semiplano extra de tomos

La dislocacin de cua o de arista, es un defecto lineal centrado

alrededor de la lnea definida por el extremo del semiplano de tomos
extras.

La magnitud y la direccin de la distorsin reticular asociada a una

dislocacin se expresa en funcin del vector de Burgers, designado por
b.

El vector de Burgers es perpendicular a la lnea de dislocacin.

La dislocacin de borde presenta una regin de compresin donde se

encuentra el semiplano extra y una regin de traccin debajo del
semiplano extra de tomos.

Dislocacin de borde en dos dimensiones de un plano compacto

Desplazamiento de una dislocacin

Cambios en las posiciones atmicas que acompaan al movimiento de una

dislocacin de borde (cua) a medida que sta se mueve en respuesta a
una tensin de cizalle aplicada.

Representacin de la analoga entre el movimiento de una oruga y el de

una dislocacin.

Cuando se aplica una fuerza cortante en la direccin del vector de

Burgers a un cristal que contenga una dislocacin, sta se puede mover,
rompiendo los enlaces de los tomos en un plano.
El plano de corte se desplaza un poco para establecer enlaces con el
plano parcial de tomos originales.
El desplazamiento hace que la dislocacin se mueva una distancia
atmica hacia el lado.
Si continua este proceso, la dislocacin se mueve a travs del cristal
hasta que se produce un escaln en el exterior del mismo.
El cristal se ha deformado plsticamente

Lnea de dislocacin: lnea que va a lo largo de aquel borde de plano

extra de tomos que termina dentro del cristal
Plano de deslizamiento: plano definido por la lnea de dislocacin y el
vector de deslizamiento. Si la dislocacin se mueve en la direccin del
vector de deslizamiento, se dice que se mueve propiamente por
deslizamiento y la lnea de dislocacin se mueve a lo largo del plano de
deslizamiento.
Smbolo: las dislocaciones de borde se simbolizan con un signo de
perpendicular, . Cuando el signo apunta hacia arriba, el plano extra de
tomos est sobre el plano de deslizamiento y la dislocacin se le llama
positiva. Cuando el signo apunta hacia abajo, T, el plano extra de
tomos est bajo el plano de deslizamiento y la dislocacin es negativa.

Dislocacin de tornillo (helicoidal)

Una dislocacin de tornillo se puede formar en un cristal perfecto
aplicando tensiones de cizalladura en las regiones del cristal perfecto
que han sido separadas por un plano cortante.
Estas tensiones de cizalladura introducen en la estructura cristalina una
regin de distorsin en forma de una rampa en espiral de tomos
distorsionados.

La formacin de un escaln sobre la superficie de un cristal por medio de

(a) una dislocacin de cua y (b) una dislocacin helicoidal

Dislocacin mixta
La lnea de dislocacin puede presentar partes de carcter de borde y
otras de carcter de tornillo. El desorden atmico varia a lo largo de la
curva AB

Dislocacin de tornillo

Dislocacin mixta

Deslizamiento en un
monocristal de zinc

Observacin de dislocaciones en Ti3Al

(a) apilamiento de dislocaciones (b) red de dislocaciones

Importancia de las dislocaciones

Es un mecanismo que explica la deformacin plstica de los metales,
ya que el esfuerzo aplicado causa el movimiento de las dislocaciones.
El deslizamiento explica porque la resistencia de los metales es mucho
mas baja que el valor calculado a partir de la unin metlica (rompimiento
de enlaces) [103 104 ms baja que la resistencia terica]
El deslizamiento proporciona ductilidad a los metales, de lo contrario
stos serian frgiles y no podran ser conformados (materiales cermicos,
polmeros, materiales inicos)
Se controlan las propiedades mecnicas de un metal o aleacin
interfiriendo el movimiento de las dislocaciones (un obstculo introducido
en el cristal evita que una dislocacin se deslice, a menos que se
apliquen esfuerzos mayores, por lo tanto aumenta la resistencia).

Importancia de los defectos puntuales

Los defectos puntuales alteran el arreglo perfecto de los tomos
circundantes, distorsionando la red a lo largo de cientos de
espaciamientos atmicos, a partir del defecto.
Una dislocacin que se mueva a travs de las cercanas de un
defecto puntual encuentra una red en la cual los tomos no estn en
sus posiciones de equilibrio.
Esta alteracin requiere que se aplique un esfuerzo mayor para que
la dislocacin venza al defecto, incrementando as la resistencia y
dureza del material

Defectos de superficie
Son los lmites o los planos que separan un material en regiones, cada
regin tiene la misma estructura cristalina, pero distinta orientacin
Las dimensiones exteriores del material representan superficies en
donde termina el cristal. Cada tomo en la superficie ya no tiene el
nmero adecuado de coordinacin y se interrumpe el enlazamiento
atmico
El lmite de grano, que es la superficie que separa los granos
individuales, es una zona angosta donde los tomos no tienen la
distancia correcta entre s, existen zonas de compresin y otras de
traccin.

(a) Esquema que muestra el ordenamiento de los tomos en la formacin del

borde de grano. (b) Granos y lmites de grano en una muestra de acero
inoxidable.

Material policristalino

 Un mtodo para controlar las propiedades de un material es

controlar el tamao del grano, ya sea durante la solidificacin o
durante el tratamiento trmico.
En los metales, los lmites de grano se originan durante la
solidificacin cuando los cristales formados a partir de diferentes
ncleos crecen simultneamente juntndose unos con otros
Al reducir el tamao de grano, se aumenta la resistencia del material,
ya que no permiten el deslizamiento de las dislocaciones
Un material con un tamao de grano grande tiene menor resistencia
y menor dureza.

Microestructura y propiedades
Importancia de los defectos

En los materiales metlicos, los defectos como las dislocaciones,

defectos puntuales y lmites de grano sirven como obstculo a las
dislocaciones.

Es posible controlar la resistencia de un material metlico controlando

la cantidad y el tipo de imperfeccin

Endurecimiento por deformacin

Endurecimiento por solucin slida
Endurecimiento por tamao de grano

Si la dislocacin en el punto A se mueve hacia la izquierda, ser

bloqueada por el defecto puntual. Si se mueve hacia la derecha, interacta
con la red perturbada cerca de la dislocacin, en el punto B. Si se mueve
an ms hacia la derecha, quedar bloqueada por el borde de grano.

Endurecimiento por deformacin

Los tomos vecinos a una

lnea de dislocacin estn
en
compresin
y/o
traccin.

Al incrementar el nmero de
dislocaciones, se aumenta la
resistencia del material

Se
requieren
esfuerzos
mayores para mover una
dislocacin
cuando
se
encuentra
con
otra
dislocacin

Metal ms resistente

Endurecimiento por solucin slida

El defecto puntual altera la

perfeccin de la red

Se
requiere
de
mayor
esfuerzo para que una
dislocacin se deslice

Al introducir intencionalmente tomos sustitucionales o intersticiales,

se genera un endurecimiento por solucin slida

Endurecimiento por tamao de grano

Los limites de grano

alteran el arreglo
atmico

El
movimiento
de
las
dislocaciones se bloquea en
los bordes de grano

Al incrementar el nmero de granos o al reducir el tamao de stos,

se produce endurecimiento por tamao de grano.

Movimiento de los tomos en los materiales: Difusin

Difusin: mecanismo por el cual la materia se transporta a travs de la
materia

Gases

Difusin

Lquidos

Slidos

Tratamiento trmico
Difusin

Tratamientos que alteran la composicin superficial

Los tomos se mueven de manera ordenada, tendiendo a eliminar las

diferencias de concentracin y producir una composicin homognea en el
material.
Se estudiar la difusin de los tomos en los materiales slidos. La difusin
en los gases y en los lquidos es ms rpida debido a que el factor de
empaquetamiento es menos eficiente entre sus tomos o no existe.

Mecanismos de difusin
- Autodifusin
- Difusin por vacancias
- Difusin intersticial

(c)
(a y b) Difusin por vacancias en cristales FCC
(c) Difusin intersticial en el plano (100) de la red FCC

Mecanismos de difusin en los materiales. (A) Difusin por vacancia o por

sustitucin de tomos, (B) difusin intersticial, (C) difusin intersticial
desajustada, y (D) difusin por intercambio y en crculo.

Autodifusin
En los materiales puros,
los tomos se mueven o
saltan de una posicin a
otra en la red (se detecta
mediante
trazadores
radioactivos).
La autodifusin ocurre de
manera continua en todos
los materiales
No se aprecia su efecto
sobre el comportamiento
del material

Difusin por vacancias

Un tomo deja su sitio de red y
llena una vacancia cercana

Creacin de una
nueva vacancia

Flujo de tomos y
vacancias a
contracorriente

Difusin de tomos de cobre en nquel

Difusin intersticial
- Movimiento de tomos intersticiales de un sitio a otro
- En este mecanismo no se requieren vacancias
- Difusin ms rpida

Energa de activacin para la difusin:

Un tomo que se difunde debe moverse entre los tomos circundantes

para ocupar su nueva posicin.
El tomo debe atravesar una barrera de energa potencial que requiere
una energa de activacin Q. El calor proporciona al tomo la energa
para vencer esta barrera.
Normalmente se necesita menos energa para forzar un tomo
intersticial a que pase entre los tomos circundantes; en consecuencia,
la energa de activacin es menor en la difusin intersticial que en la
difusin por vacancias

Los tomos son forzados o deformados al pasar entre otros tomos durante la
difusin, se requiere de una alta energa de activacin. Generalmente el
mecanismo de difusin sustitucional requiere de mayor energa que el
intersticial

Microestructura y propiedades

Valores de Q y D0 para ciertos metales

La energa de activacin y el mecanismo de difusin:

La energa de activacin es usualmente menor en tomos que
difunden a travs de estructuras cristalinas abiertas, en
comparacin con tomos que difunden en estructuras cristalinas
compactas.
La energa de activacin es menor para la difusin de tomos en
los materiales que tienen bajas temperaturas de fusin
La energa de activacin es menor para tomos sustitucionales
pequeos comparados con tomos de mayor tamao.

Difusin en estado estacionario

Ilustracin del gradiente de concentracin

Ecuacin de flujo (Primera ley de Fick)

La velocidad a la cual los tomos se difunden en un material se mide por
la densidad de flujo (J), la cual se define como el nmero de tomos que
pasa a travs de un plano de rea unitaria por unidad de tiempo.

La primera ley de Fick determina el flujo neto de tomos:

J D

C
x

J: flujo (tomos/cm2 s)
D: Difusividad o coeficiente
de difusin (cm2/s)

Empricamente se ha encontrado que D vara exponencialmente con

la temperatura

D D 0 exp

Q
RT

Donde:
Q : energa de activacin (cal/mol)
R : constante del gas ideal (1.987 cal/mol K)
T : temperatura absoluta (K).
Do : constante para un sistema de difusin dado.
Tipo de mecanismo de difusin
D

Temperatura
Tipo de estructura de la matriz
Tipo de defectos cristalinos
Concentracin de las especies que difunden

Coeficiente de difusin D en funcin de la inversa de la temperatura

de diversos metales y cermicos

Ejercicio:
La purificacin del gas hidrgeno se realiza por difusin a travs de una
lamina de paladio. Calcular el nmero de kilogramos de hidrgeno que
pasa en una hora a travs de una lamina de 0,25 m2 de rea y 6 mm de
espesor a 600 C. Suponer un coeficiente de difusin de 1,7 x 10-8 m2/s,
que las concentraciones de hidrgeno son de 2,0 y 0,4 kg de hidrgeno por
metro cbico de paladio y que se ha alcanzado el estado estacionario.

Difusin en estado no estacionario

La concentracin del soluto

vara de un punto a otro del
material con el tiempo

Difusin de los tomos en la superficie de un material

2 ley de Fick:

C
C

x
t x
La solucin a la segunda ley de Fick permite calcular la concentracin de
muestras cercanas a la superficie del material como una funcin del tiempo
y la distancia, siempre y cuando el coeficiente de difusin D permanezca
constante, es decir que sea independiente del tiempo

Perfil de concentracin: endurecimiento del acero, cementacin o

carburacin

a) Difusin de un gas
A en un slido B
b) Perfiles de
concentracin del
elemento A

Para este caso la solucin a la 2 ley de Fick es:

Cs C x , t
erf
Cs Co

2 Dt

CS : concentracin superficial del elemento del gas que difunde en la

superficie
Co : concentracin inicial uniforme del elemento en el slido
Cx : concentracin del elemento a la distancia x de la superficie en el
tiempo t
x : distancia desde la superficie
D : coeficiente de difusin
t : tiempo

La funcin de error

Gradientes de carbono en probetas de un acero 1022

cementado a 918 C en un gas con 20% de CO 40% de H2 que
se ha aadido 1,6% y 3,8% de CH4 respectivamente

Ejercicio
a) Determinar el tiempo necesario para alcanzar una concentracin de
0,3% de carbono a 4 mm de la superficie de una aleacin hierrocarbono que inicialmente contena 0,1% C. La concentracin en la
superficie se mantiene a 0,9 %C y la probeta se calienta a 1000 C
b) El nitrgeno difunde en hierro puro a 675 C. Si la concentracin
superficial se mantiene a 0,2% N en peso cul ser la
concentracin a 2 mm de la superficie despus de 25 h?
c) Los coeficientes de difusin del cobre en el aluminio a 500 y a 600
C son 4,8 x 10-14 y 5,3 x 10-13 m2/s, respectivamente. Determinar el
tiempo aproximado necesario para conseguir, a 500 C, la misma
difusin del Cu en Al en un punto determinado, que un tratamiento
de 10 h a 600 C

Difusin en defectos cristalinos

Bordes de grano
Difusin

Dislocaciones

Superficies libres

- La frecuencia de salto es mayor en slidos con defectos (mayor

concentracin de vacancias)
- El coeficiente de difusin es mayor en varios ordenes de magnitud

Difusin y el procesamiento de los materiales:

Los procesos a base de difusin son muy importantes cuando se

utilizan o procesan materiales a temperaturas elevadas.
Crecimiento de grano
Soldadura por difusin
Sinterizacin

Crecimiento de grano

El crecimiento de grano ocurrir cuando los tomos se difundan a

travs del borde de grano de un grano a otro

Soldadura por difusin: mtodo para unir materiales

Pasos en la soldadura por difusin (a) unin del material a soldar (b)
aplicacin de presin para deformar la superficie (c) difusin en
bordes de grano (d) la eliminacin de huecos requiere difusin
volumtrica.

Sinterizacin: es un tratamiento a alta temperatura, que hace que

pequeas partculas se unan y se reduzca el volumen del espacio de los
poros entre ellas (componentes cermicos, metalurgia de polvos,
materiales compuestos)

Los tomos difunden hacia los puntos de contacto, creando puentes y

reduciendo el tamao de los poros.

Ejercicios:
1) Una forma de fabricar transistores, dispositivos que amplifican las
seales elctricas, es la de difundir tomos como impurezas en un material
semiconductor como el silicio. Supngase una oblea de silicio de 0,1 cm.
de espesor, que contienen originalmente un tomo de fsforo por cada
10.000.000 de tomos de Si, es tratada de manera de aumentar a 400
tomos de P por cada 10.000.000 de tomos de Si en la superficie.
Calcular el gradiente de concentracin
a) En porcentaje atmico por centmetro
b) En tomos/cm3 - cm
El parmetro de red del silicio es 5.4307 A y su estructura es cbica de
diamante con 8 tomos equivalentes.

2) La superficie de un acero con 0,1% de C va a ser endurecida por

carburizacin. En la carburizacin el acero se coloca en una atmsfera que
proporciona un mximo de 1,2% de C a la superficie del acero a
temperatura elevada. Entonces el carbono se difunde en la superficie del
acero. Para obtener propiedades optimas, el acero debe contener 0,45% de
C a una profundidad de 0,2 cm. por debajo de la superficie Cunto tiempo
llevar la carburizacin si el coeficiente de difusin es de 2*10-7 cm2/s?
3) Se encuentra que se necesitan 10 h para provocar que el carbono se
difunda 0,1 cm desde la superficie de un engrane de acero a 800C.
Cunto tiempo se necesita para lograr la misma penetracin del carbono a
900C? La energa de activacin para la difusin de tomos de carbono en
el hierro FCC es de 32900 cal/mol.