CORRIENTE EN EL SEMICONDUCTOR

Existen dos mecanismos de

conduccin de corriente en un
semiconductor:

CORRIENTE DE ARRASTRE

Producida por dos tipos de portadores de

carga, a saber:

Electrones Libres, como en el caso de los

conductores.

Electrones que saltan entre enlaces atmicos

incompletos,( huecos) como se presenta en
la Figura , en ella se representan, en un
modelo de dos dimensiones, los enlaces
covalentes de tres tomos de Silicio.
Inicialmente el primer tomo presenta un
enlace incompleto con su vecino de arriba, y
hemos supuesto que el Campo Elctrico
externo est aplicado hacia la derecha, tal
como se indica:

En la anterior Figura hemos supuesto que el relleno del hueco

es producido por electrones del tomo vecino. Es posible que el
hueco sea rellenado por un electrn libre del Cristal, con lo cual
el hueco desaparece.
Tambin es posible aadir al semiconductor impurezas con
valencia 5. Estos tomos comparten cuatro electrones con los
vecinos y les sobra uno que con muy poca energa trmica se
convierte en un electrn libre. A los semiconductores dopados
con estas impurezas Donadoras de electrones( negativas) se
les conoce como tipo n. La concentracin de impurezas
donadoras se representa con el smbolo ND.
De acuerdo con la Ley deOhm, la expresin para la Densidad
de Corriente de arrastre en un semiconductor es:

Siendo q el valor absoluto de la carga del electrn, E el Campo

Elctrico responsable de la conduccin,sla conductividad y
dondemnympson las movilidades de electrones y huecos
respectivamente, las cuales dependen de la temperatura,

CORRIENTE DE DIFUSIN
sta corriente aparece en forma espontnea cuando de un lado del
semiconductor hay mayor concentracin de portadores que en
otro lado, es decir, cuando existe un gradiente de concentracin
de portadores. Es un efecto puramente estadstico-trmico similar
al que se produce cuando una gota de tinta cae en un vaso de
agua en reposo, o cuando en una esquina de un cuarto
cerrado( sinbrisa ) se abre una botella con perfume. En todos
estos casos la difusin ocurre automticamente. De la misma
manera, la corriente de difusin en un semiconductor no necesita
campo elctrico externo aplicado para producirse.
DondeD
conoce
como de
constante
Las
Densidades
de Corriente
Difusin, de
para una dimensin
nse
estn
dadas
por:
difusin
para
electrones yDpcomo constante
de difusin para huecos. Estas constantes
dependen de la temperatura y de la
movilidad de los portadores. La direccin de
la densidad de corrienteJpse produce en la
direccin en que disminuye p con x, de all su
signo negativo.