Transistores

Dispositivos Electrnicos

Historia del Transistor

El desarrollo de la electrnica y de
sus mltiples aplicaciones fue posible
gracias a la invencin del transistor, ya
que este super ampliamente las
dificultades que presentaban sus
antecesores, las vlvulas. En efecto, las
vlvulas, inventadas a principios del siglo
XX, haban sido aplicadas exitosamente
en telefona como amplificadores y
posteriormente popularizadas en radios y
televisores.

Transistor y Vlvula

Historia del Transistor

Uno de los mayores
inconvenientes de las vlvulas, era
que consuman mucha energa para
funcionar. Esto era causado
porque calientan elctricamente un
filamento (ctodo) para que emita
electrones que luego son colectados
en un electrodo (nodo),
establecindose as una corriente
elctrica. Luego, por medio de un
pequeo voltaje (frenador), aplicado
entre una grilla y el ctodo, se logra el
efecto amplificador, controlando el
valor de la corriente, de mayor
intensidad, entre ctodo y nodo.

Lmpara incandescente de
Thomas Edison

Historia del Transistor

Los transistores, desarrollados en
1947 por los fsicos Shockley, Bardeen y
Brattain, resolvieron todos estos
inconvenientes y abrieron el camino,
mismo que, junto con otras invenciones
como la de los circuitos integrados
potenciaran el desarrollo de las
computadoras. Y todo a bajos voltajes,
sin necesidad de disipar energa (como
era el caso del filamento), en
dimensiones reducidas y sin partes
mviles o incandescentes que pudieran
romperse.

Fotografa del primer transistor

construdo porW. Shockley, J. Bardeen y
W. Brattain (1947)

Concepto del Transistor

El transistor es un dispositivo electrnico, semiconductor que
cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador.
El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor
("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra
prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios,
televisores, grabadores, reproductores de audio y vdeo, hornos de
microondas, lavarropas automticos, automviles, equipos de
refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras,
impresoras, lmparas fluorecentes, equipos de rayos X, tomgrafos,
ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

Caractersticas
Los materiales empleados para su elaboracin son, entre otros,
el Germanio y el Silicio, porque tienen la propiedad de que puede
acelerarse grandemente el movimiento de los electrones por
medio de una corriente elctrica.
El tamao y peso de los transistores es bastante menor que los
tubos de vaco.
En cuanto a su estructura, se encuentran formados por tres
elementos:
Emisor: que emite los portadores de corriente,(huecos o
electrones). Su labor es la equivalente al ctodo en los
tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.
Base: que controla el flujo de los portadores de corriente.
Su labor es la equivalente a la rejilla ctodo en los tubos de
vaco o "lmparas" electrnicas.

Caracters
ticas
Colector: que capta los portadores de corriente emitidos
por el emisor. Su labor es la equivalente a la placa en los
tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.
Posee amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin).
Sirve como generador de seal (osciladores, generadores de
ondas, emisin de radiofrecuencia).
Permite la conmutacin, actuando en interruptores (control de
rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control de lmparas).
Es detector de radiacin luminosa (fototransistores)
El consumo de energa es sensiblemente bajo.

Tipos de transistores
BJT

PNP
NPN

Canal P
JFET
Canal N
FET MESFET Canal N

Acumulacin

MOSFET
Deplexin
BJT: Transistores bipolares de unin.

Canal P
Canal N

Canal P
Canal N

FET: Transistores de efecto de campo.

JFET: Transistores de efecto de campo de unin.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxidosemiconductor.
Dispositivos Electrnicos

CARACTERSTICAS COMUNES
Son dispositivos (tpicamente) de 3 terminales.
Dos de los tres terminales actan como terminales de
entrada (control).
Dos de los tres terminales actan como terminales de
salida. Un terminal es comn a entrada y salida.

is

ie
Ve

Entrada

Cuadripolo
Dispositivos Electrnicos

Vs

Salida

CARACTERSTICAS COMUNES
is

ie

La potencia consumida en
la entrada es menor que la
controlada en la salida.

Ve

Entrada

Cuadripolo

Vs

Salida

La tensin entre los terminales de entrada determina

el comportamiento elctrico de la salida.
La salida se comporta como:
Fuente de corriente controlada (zona lineal o activa).
Corto circuito (saturacin).
Circuito abierto (corte).

CARACTERSTICAS COMUNES
is
Zona Activa

Vs

Zona de
Corte

Vs

Vs

Vs

Vs=0
is=0

is
+

is

is

is
Zona de
Saturacin

Vs
ATE-UO Trans 04

EL TRANSISTOR BJT

Dispositivos Electrnicos

TRANSISTORES BIPOLARES
BJT de transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar Juncin
Transistor).
Son aquellos que utilizan la corriente como elemento de control
para obtener la seal y su comportamiento como dispositivo
conmutador.
Estos solo funcionan cuando estn en polarizacin directa (se
dice que estn en saturacin) y en polarizacin inversa no
funcionan (se dice que estn en corte). A base de estos se
construyen los circuitos integrados y otros tipos de transistores.
El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los
electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material
polarizado de forma opuesta.

Pueden ser de dos tipos:

NPN

PNP

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas

negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas).

La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores

PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la
caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si
bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminacin entre ellas.

Su diferencia radica en la direccin del flujo de la corriente,

indicada por la flecha que se ve en ambos grficos.

Estructura Fsica y Modos de Operacin

El BJT es un dispositivo de tres terminales con dos
combinaciones de materiales semiconductores.
Dichas combinaciones generan dos tipos de BJT :
npn y pnp.
Cada uno de los terminales mostrado se conocen
como Emisor (E), Base (B) y Colector (C).
Dependiendo de la polarizacin de las uniones el BJT
tiene diferentes modos de operacin

Dispositivos Electrnicos

En principio es similar a dos diodos

Un transistor es similar a dos diodos,

el transistor tiene dos uniones: una
entre el emisor y la base y la otra
entre la base y el colector. El emisor y
la base forman uno de los diodos,
mientras que el colector y la base
forman el otro. Estos diodos son
denominados: "Diodo de emisor" (el
de la izquierda en este caso) y "Diodo
de colector" (el de la derecha en este
caso).

Estructura Fsica y Simbologa del BJT

Dispositivos Electrnicos

Estructura Fsica y Modos de Operacin

Cada uno de los modos de operacin tiene su aplicacin.
El modo activo se usa para amplificacin
El modo de corte y saturacin se usan para aplicaciones de
conmutacin.

Unin
emisor-base

Unin
Colector-base

Corte

Inversa

Inversa

Activa

Directa

Inversa

Saturacin

Directa

Directa

Modo

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Relaciones de corrientes en un BJT

iC

iB

VCE

VBE = 0.7V

VEB =

iB

+
0.7V
-

iE

iE iC iB
iC
iB

iC iE

iE
+

VEC

iC

Donde:
llamado ganancia de corriente en emisor
comn.
Dispositivosganancia
Electrnicos
llamado
de corriente en base comn.

GANANCIA DE CORRIENTE dc
dc se define como la ganancia de corriente de un transistor. Es la
relacin entre la corriente de colector y la corriente de base.
La ganancia de corriente es una gran ventaja de un transistor y ha
llevado a todo tipo de aplicaciones.
Para transistores de baja potencia (menores a 1W, la ganancia de
corriente es tpicamente de 100 a 300.
Los transistores de alta potencia (por encima de 1W) normalmente
tienen ganancias de entre 20 y 100.

ALFA DE CONTINUA dc
Otro parmetro de los transistores es el dc (alfa en dc).
Se define como la relacin entre la corriente de colector
y la corriente de emisor.
Como habamos visto, estas dos corrientes son casi
iguales, as que el valor de dc ser ligeramente menor
que 1.

CURVAS CARACTERSTICAS
I B g(VBE , VCE )
VCE poca influencia. Se simplifica.

IB g(VBE )
IB

IB

VBE

VBE

IC f (VCE , I B )
IC

mA
IB 100 A

12
10

IB 80 A

IB 60 A

IB 40 A

IB 20 A

2
0

10

VCE

Zonas de funcionamiento en la curva

caracterstica
mA IC

IB 100 A

12

8
6

IB 80 A

Saturacin

10

IB 60 A

R.A.N.

IB 40 A

IB 20 A

2
0

Corte
0

10

VCE V

APLICACIONES
Corrientes pequeas controlan corrientes grandes:
Ejemplo: Un microprocesador desea controlar el encendido de
una lmpara:
1. Uso Incorrecto

2. Uso correcto con transistores

APLICACIONES
Amplifican pequeas seales como: seales de sonido, o
voltajes pequeos.