Topico08e09 Memorias Ram

Memrias RAM
Cursos: Sistemas de Informao

Tpicos: 8 e 9
Memria RAM
RAM (Random Access Memory ou Memria de Acesso Randmico)
Segundo a tecnologia dividi-se em SRAM e DRAM.
SRAM (Static RAM)
Neste tipo de memria os valores binrios so armazenados
atravs de dispositivos lgicos digitais (flip-flops e portas lgicas)
e tem como principais caractersticas:
Velocidade elevada (as mais rpidas na hierarquia)
Seus dados permanecem armazenados enquanto a memria
for alimentada por energia eltrica;
Capacidade pequena de armazenamento
Preo elevado por byte armazenado
Est antes da DRAM, no caminho CPU-Memria, com o objetivo de
absorver rapidamente as informaes fornecidas pela CPU e transferilas para a DRAM.
Material de Apoio para
Organizao e Arquitetura de
Computadores - Grupo OAC
Memria DRAM - Dynamic RAM - Memria principal

a memria principal do computador.
Ela feita de clulas que armazenam dados com cargas de componentes

eletrnicos chamados capacitores. A presena ou ausncia de cargas em
carga pode ser interpretada como bit 1 ou 0.
Como o capacitor tem a tendncia natural de se descarregar, a DRAM

necessita de uma regenerao da carga armazenada periodicamente para
manter os dados armazenados. Esse processo chamado de refresh
Muitas vezes, quando dizemos que o nosso computador tem 256 ou 512
MB de memria ou de RAM, na verdade estamos nos referindo DRAM.
A DRAM uma memria relativamente rpida e que tem o objetivo de

armazenar o maior volume de dados na troca dinmica CPU-Memria.
Esquema da Memria DRAM e Memria SRAM
1. O dispositivo/CPU envia os dados para a

SRAM, que os absorve rapidamente.
2. A SRAM envia os dados para a DRAM
3. Caso a DRAM no seja suficientemente

grande para armazenar os dados, envia-os
para o HD, que possui um espao
reservado para servir de memria
temporria.
4. A informao retorna, quando necessrio,
realizando o caminho inverso.
Registradores
responsvel pela execuo das instrues, manipulao de
dados e produo do resultado das operaes.
Dispositivo de memria onde o processador armazena, em seu

interior, as instrues antes de sua interpretao e acionamento dos
dispositivos da UCP.
Possui maior velocidade de transferncia dentro do sistema,

menor capacidade de armazenamento (8 a 64 bits) e maior custo.
So memrias de semicondutores, necessitando de energia para

funcionar.
Memria Cache
um tipo de memria de alta velocidade que fica prxima CPU e
consegue acompanhar a velocidade de trabalho da CPU.
Usa-se a tecnologia com circuitos de alta velocidade, por serem memrias
estticas so denominadas SRAM.
Por ser uma memria cara raramente encontramos quantidades de
memria cache maiores que 2 MB, em computadores comuns.
Idia:
Colocar na memria cache os dados e instrues que so mais
comumente utilizados pelo processador.
Chamada de regra 80/20, ou seja, 20% dos dados/instrues so
usados 80% das vezes no computador.

De acordo com a proximidade do processador so atribudos nveis de

cache:
Cache L1 (level 1)
Cache L2 (level 2)
Em alguns casos Cache L3 (level 3)
Quando o processador consegue acessar a informao corretamente

atravs do cache, e em alto desempenho chamado de cache hit
("acerto").
Se a informao no estiver no cache, ela vai ter que ser lida da memria
RAM, o que um processo mais lento, este caso chamado de cache
miss ("erro").


Relao CPU, Cache e Memria Principal

Encapsulamento de Memria
Encapsulamento o nome que se d ao formato fsico dos chips.
Os chips de memria so frgeis placas de silcio, que precisam ser

encapsulados em alguma estrutura mais resistente antes de serem
transportados e encaixados na placa-me.
Assim, como temos vrios tipos de encapsulamento diferentes para

processadores, temos vrios formatos de mdulos de memria.

10
Mdulos de Encapsulamento de Memria
Mdulo DIP (Dual In Line Package)

Mdulo SIPP (Single In Line Pin Package) de 30 vias
Mdulo SIMM (Single In Line Memory Module) de 30 vias
Mdulo DIMM (Double In Line Memory Module)
Mdulo RIMM (Double In Line Memory Module) de 168 vias

11
Encapsulamento de Memria DRAM

Mdulo DIP (Dual In Line Package)
So encapsulamentos de plstico ou cermica, que protegem o chip,
facilitam a dissipao de calor, e tornam mais acessveis seus terminais,
facilitando o encaixe ou a soldagem.
Porm, trazia vrias desvantagens, por dificultar ou mesmo impossibilitar
atualizaes de memria ou a substituio de mdulos defeituosos.
um tipo de encapsulamento de memria antigo e que foi utilizado em
computadores XT e 286, principalmente como mdulos EPROM, que eram
soldados na placa. Tambm muito utilizado em dispositivos com circuitos
menos sofisticados.

12
Mdulo SIPP (Single In Line Pin Package) de 30 vias

O mdulo SIPP foi a primeira idia de se criar um mdulo mais fcil de
manipular que os chips de memria no formato DIP que existiam na poca.
Porm, continuava a usar os terminais presentes nos chips de memria
do formato DIP, apesar dos chips de memria estarem fixados a uma placa
(PCB).
Por no ter um manuseio simples ele foi logo substitudo pelo formato
mais interessante, o formato SIMM.

13

uma evoluo do padro SIPP, sendo o primeiro tipo a usar um slot para
sua conexo placa-me. Estes pentes no padro SIMM tinham capacidade
de armazenamento de 1 MB a 16 MB. Usado nas plataformas 386 e 486, nos
primeiros modelos.

Capacidade de armazenamento entre 4 MB a 64 MB.

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Mdulo DIMM (Double In Line Memory Module)

Padro que surgiu aps o tipo SIMM, muito utilizado em placa-me de
processadores Pentium II, Pentium III e em alguns modelos de Pentium 4 e
processadores equivalentes de empresas concorrentes.
Os pentes de memria DIMM empregam um recurso chamado ECC (Error
Checking and Correction - deteco e correo de erros) e tem capacidades
mais altas que o padro anterior: de 16 a 512 MB.
mdulo no formato DIMM 184 vias

15
Mdulo RIMM (RAMBUS In Line Memory Module) de 168 vias

usado somente nos mdulos de memria que utilizam os chips com
tecnologia Rambus .
Cada mdulo s capaz de transferir 16 bits de cada vez, mas o controlador
de memria agrupa 4 acessos memria antes de entregar os dados para a
CPU, formando assim os 64 bits necessrios.
mdulo no formato
RIMM 184 vias
Continuity -RAMBUS
C-RIMM
Este um mdulo de memria

"vazio" e deve ser instalado nos
soquetes de memria RIMM que
ficariam vazios em placas me que
usam a memria RIMM
16
Exemplo de ligao de mdulos:

Utilizando o mdulo de memria para
disponibilizar um espao de endereamento
de 64k octetos num processador que tem 20
bits de endereo e tem um barramento de
dados de 8 bits.
Embora a memria possa ter uma estrutura
interna complexa, ela apresenta-se para o
processador de uma forma semelhante ao
do mdulo simples, neste caso com 16
linhas de endereo e 8 de dados.
Conjunto de chips formando um banco de memrias RIMM

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Funcionamento:
Para cada bit 1 ou 0 a ser armazenado, temos um minsculo capacitor;
quando o capacitor est carregado eletricamente temos um bit 1 e quando
ele est descarregado temos um bit 0.
Para cada capacitor temos um transstor, encarregado de ler o bit

armazenado em seu interior e transmiti-lo ao controlador de memria.
A memria RAM voltil justamente devido ao capacitor perder sua carga

muito rapidamente, depois de poucos milsimos de segundo.
utilizado um waffer de silcio como base e um laser para marc-lo. Os

chips de memria so compostos basicamente de apenas uma estrutura
bsica: o conjunto capacitor/transstor, que repetida alguns milhes de
vezes.
18
Acesso aos Dados:

Para ler e gravar dados na memria, assim como controlar todo o trnsito
de dados entre a memria e os demais componentes do micro, usado
mais um circuito, chamado controlador de memria, que faz parte do
chipset localizado na placa me.

19
Do ponto de vista do processador, a memria RAM dividida em linhas (Row) e

colunas (column). Cada acesso feito enviando os valores CAS(Columm
Adress Strobe) e RAS (Row Adress Strobe), que correspondem a estes
endereos de linha e coluna. Combinados os dois endereos acessado o bit
de dados desejado.
Para acessar um determinada posio, seja para gravar ou ler dados, o
controlador de memria primeiro gera o valor RAS, ou o nmero da linha que
est relacionada posio, sendo gerado em seguida o valor CAS, que
corresponde coluna dessa posio.
Valor do CAS 8 coluna
Valor
do
RAS
9
Linha

20
Outros tipos de encapsulamento

SOJ (Small Outline J-Lead)
Este encapsulamento tem este nome porque os terminais do chip se
dobram em forma de J. No se encaixa em furos do PCB, montado num
processo mais parecido com uma colagem do chip e muito usado
atualmente nas placas de circuito.
Este processo chamado de tecnologia de montagem em superfcie (SMT).

21
sTSOP (Shrink Thin Small Outline Package)

Uma variao do encapsulamento TSOP com a metade de seu tamanho.
Permite mais memria em menos espao.

22
CSP (Chip Scale Package)

Ao contrrio dos encapsulamentos j apresentados o CSP no usa pinos
para se conectar ao PCB.
Ao invs disso ele possui pequenas esferas de metal em sua parte inferior,
este padro de encaixe chamado de BGA (Ball Grid Array).
As memrias do tipo RDRAM e DDR-2 usam este tipo de encapsulamento.

23
Tecnologias das memrias RAM
Regular
FPM (Fast Page Mode)
EDO (Extended Data Out)
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory )
DDR (Double Data Rate)
DDR2 (Double Data Rate 2)
Rambus

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Regular
Foram o primeiro tipo de memria usado em micros PC. O acesso feito
enviando primeiro o endereo RAS e em seguida o endereo CAS, da
forma mais simples possvel.
Foi fabricado com velocidades de acesso a partir de 150 ns, suportava o
barramento de 4,77 MHz do PC original.
Foram desenvolvidas posteriormente verses de 120, 100 e 80 ns para
serem utilizadas em micros 286.
As memrias regulares so encontradas apenas na forma de mdulos DIP,
e foram utilizadas em micros XT, 286 e em alguns dos primeiros micros
386.

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FPM (Fast Page Mode)

uma tecnologia que permite rpido acesso aos dados que esto na
mesma linha da memria.
Os chips com tecnologia FPM so geralmente encontrados em mdulos
SIMM (30 e 72 vias). Mas tambm podem ser encontrados em mdulos
DIMM de 168 vias e SODIMM.
No sincronizadas com o processador.
As memrias FPM vm com cdigos que indicam o seu tempo de acesso,
medido em nanosegundos.

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EDO (Extended Data Out)

uma evoluo da tecnologia FPM.
Nela a leitura de dados da memria otimizada, fazendo com que os chips
com tecnologia EDO sejam cerca de 10 a 20% mais rpidos que os chips
FPM.
Chips com tecnologia EDO so encontrados comumente em mdulos
SIMM de 72 vias e tambm em mdulos DIMM de 168 vias e SODIMM.
No sincronizada com o processador.
As memrias EDO vm com cdigos que indicam o seu tempo de acesso,
medido em nanosegundos.

27
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory )

Permite que as memrias sejam sincronizadas com o processador.
Assim o controlador de memria sabe exatamente em que ciclo de clock a
informao estar disponvel para o processador, evitando que o
processador espere os dados. Funciona sincronizada pelo sinal de clock.
A mudana no sinal registrada na subida ou descida do sinal de clock.
No intervalo entre a subida e a descida do sinal de clock o mesmo
permanece num estado imutvel ou instvel.
O uso do clock do sistema com memrias DRAM permite que o sistema
trabalhe de maneira bastante rpida, pois este previsvel.
As memrias SDRAM vm com cdigos em nanosegundos, mas na
verdade eles no indicam o tempo de acesso e sim o tempo de ciclo, ou
seja, o clock com o qual a SDRAM trabalha.

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DDR (Double Data Rate)

As memrias DDR que funcionam a 100 MHz de clock real, o clock do chip
de memria e do buffer de E/S tambm de 100 MHz.
O mdulo DDR trabalha com um clock de 100 MHz, mas o clock dos dados
efetivo de 200 MHz, pois as transferncias de dados so feitas na subida e
na descida do sinal de clock.

29

uma aplicao de DDR duas vezes, ento o nome DDR2.
Nas memrias DDR2 com chips que trabalham a 100 MHz de clock real, o
buffer de E/S usa a tcnica de DDR para dobrar o clock do mdulo para
200 MHz. E o DDR age novamente dobrando os 200 MHz e fazendo com
que o clock dos dados efetivo chegue a 400 MHz.
So de 400 e 533MHz. Mas logo teremos DDR2 de 667 MHz e 800 MHz. A
DDR2 de 533 MHz est sendo chamada de PC2 4200, pois sua taxa de
transferncia chega a 4200 MB/seg.
Caractersticas
DDR
DDR2
Clock
266, 333, 400 MHz
400, 533, 667,

800MHz
Encapsulamento
TSOP e FBGA
FBGA
Voltagem
2.5/2.6V
1.8V
Densidade
64MB-1GB
256MB-1GB
CAS(latency)
2, 2.5 e 3 clocks
3, 4, 5 cloks

30

31
Memria
Velocidade
SDRAM PC-100
800 MB/s
SDRAM PC-133
1.064 MB/s
DDR- 200 ou PC-1600
1.600 MB/s
DDR- 266 ou PC-2100
2.100 MB/s
DDR- 333 ou PC-2700
2.700 MB/s
DDR- 400 ou PC-3200
3.200 MB/s
Dual DDR-226
4.200 MB/s
Dual DDR-333
5.400 MB/s
Dual DDR-400
6.400 MB/s
DDR2-533 (133 MHz) ou PC2-4200
4.200 MB/s
DDR2-667 (166 MHz) ou PC2-5300
5.300 MB/s
DDR2-800 (200 MHz) ou PC2-6400
6.400 MB/s
DDR2-933 (233 MHz) ou PC2-7500
7.500 MB/s
DDR2-1066 (266 MHz) ou PC2-8500
8.500 MB/s
DDR2-1200 (300 MHz) ou PC2-9600
9.600 MB/s

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Como sugere a lgica, as memrias DDR3 realizam 8 acessos por ciclo,

contra os 4 acessos por ciclo das memrias DDR2. Assim como na
tecnologia anterior, os acessos so realizados a endereos subjacentes, de
forma que no existe necessidade de aumentar a freqncia "real" das
clulas de memria.
Inicialmente, os mdulos DDR3 foram lanados em verso:

DDR3-1066 (133 MHz x 8) PC3-8500
DDR3-1333 (166 MHz x 8) PC3-10667
DDR3-1600 (200 MHz x 8) PC3-12800
Apesar do aumento no nmero de transferncias por ciclo, os buffers de

dados continuam trabalhando a apenas o dobro da freqncia das clulas
de memria. Ou seja, a freqncia interna (das clulas de memria) de um
mdulo DDR3-1600 de 200 MHz e a freqncia externa (dos buffers de
dados) de 400 MHz.
As clulas de memria realizam 8 transferncias por ciclo de clock (em vez

de 4, como nas DDR2) e os buffers de dados (que operam ao dobro da
freqncia) realizam 4 transferncias por ciclo de clock, em vez de apenas
duas, como nos mdulos DDR2.
33
Os mdulos DDR3 utilizam tambm 8 bancos em vez de 4, o que ajuda a reduzir

o tempo de latncia em mdulos de grande capacidade. Elas tambm trouxeram
uma nova reduo na tenso usada, que caiu para apenas 1.5V, ao invs dos
1.8V usados pelas memrias DDR2. A reduo na tenso faz com que o
consumo eltrico dos mdulos caia proporcionalmente, o que os torna mais
atrativos para os fabricantes de notebooks.
Somadas todas essas melhorias, os tempos de acesso "reais" dos mdulos

foram sensivelmente reduzidos. Em vez de de trabalharem com tempos de
acesso 10-10-10-30, a gerao inicial de mdulos DDR3 capaz de trabalhar
com temporizao 9-9-9-24, ou mesmo 7-7-7-15.
Apesar disso, muitos mdulos de alto desempenho podem precisar de tenses

mais altas, como 1.6V ou mesmo 1.7V para trabalharem na freqncia mxima.
Assim como no caso dos mdulos DDR2, os fabricantes podem ajustar a tenso
de operao de acordo com as necessidades do projeto e voc pode tambm
utilizar tenses mais altas por conta prpria ao fazer overclock.
Os mdulos DDR3 utilizam os mesmos 240 contatos dos mdulos DDR2 e

mantm o mesmo formato. A nica diferena visvel (fora etiquetas e cdigos de
identificao) a mudana na posio do chanfro, que passou a ser posicionado
mais prximo do canto do mdulo. O chanfro serve justamente para impedir que
mdulos de diferentes tecnologias sejam encaixados em placas incompatveis.
34
Rambus - Rambus Dynamic RAM
Todos os slots devem ser preenchidos os slots no utilizados devem ser

preenchidos com mdulos de continuidade.
Consegue atingir taxas de at 3,2 GB/s com o seu controlador (chipset),
enquanto o barramento operando a 100 MHz trabalha a 800 MB/s, a 133
MHz, 1 GB/s e a 200 MHz, 1,6 GB/s.
Essas seriam as taxas utilizadas por memrias SDRAM.
Ou seja, em um barramento de 100 MHz, a memria Rambus pode oferecer
um desempenho 4 vezes maior que as atuais memrias SDRAM.

35
Classificao das memrias - Resumo
MEMRIAS
ROM
ROM
MSCARA
RAM
PROM
EPROM
ESTTICA
FLASH
UVPROM
E2PROM

DINMICA
36

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Ela feita de clulas que armazenam dados com cargas de componentes

Como o capacitor tem a tendncia natural de se descarregar, a DRAM

A DRAM uma memria relativamente rpida e que tem o objetivo de

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1. O dispositivo/CPU envia os dados para a

3. Caso a DRAM no seja suficientemente

Dispositivo de memria onde o processador armazena, em seu

Possui maior velocidade de transferncia dentro do sistema,

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mdulo no formato DIMM 168 vias

mdulo no formato DIMM 240 vias

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Este um mdulo de memria

Exemplo de ligao de mdulos:

Conjunto de chips formando um banco de memrias RIMM

Para cada capacitor temos um transstor, encarregado de ler o bit

A memria RAM voltil justamente devido ao capacitor perder sua carga

utilizado um waffer de silcio como base e um laser para marc-lo. Os

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