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E (-
b) Atome (Noyau Q=Ze) et Z lectrons Q=Z
e)
Fe-
FN
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1) Action dun champ lectrique sur un systme de
charges.
a) Charge ponctuelle q: F=q E
b) Atome neutre (Noyau Q=Ze) et Z lectrons Q=Z (-e)
c) Cristal - Eapp +
) Isolant
- Einduit +
I=0
- +
Fe
-
FN Einduit = champ
dpolirisant 3
1) Action dun champ lectrique sur un systme de
charges.
a) Charge ponctuelle q: F=q E
a) Atome neutre (Noyau Q=Ze) et Z lectrons Q=Z (-e)
c) Cristal
) Isolant
) Conducteur
Eapp
I
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II) Expression de la Conductivit lectrique
Charges lies : pas de passage de courant
Expression de la conductivit:
J = v =(ne) ( E)= ne E = E
= ne S/cm)
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III) Valeurs des conductivit des matriaux
Selon leurs conductivits, les matriaux solides
peuvent tre classs en trois groupes que sont:
les isolants:
< 10-8 S/cm
(diamant et polymre tflon : 10-14 S/cm),
les semi-conducteurs :
10-8 S/cm< <103 S/cm
(silicium 10-5 S/cm 103 S/cm),
et
les conducteurs:
> 103 S/cm
(argent 106 S/cm).
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IV) Bandes dnergie dans les matriaux
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Bandes dnergie dans les matriaux
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Bandes d'nergie
Considrons un atome de silicium Si isol, les niveaux nergtiques de ses lectrons sont
discrets. Lorsque l'on rapproche de ce dernier un atome identique, les niveaux nergtiques
discrets de ses lectrons se scindent en deux sous l'interaction rciproque des deux atomes.
Plus gnralement, lorsque l'on approche N atomes, les niveaux nergtiques se scindent en
N niveaux. Ces N niveaux sont trs proches les uns des autres et si la valeur de N est grande,
ce qui le cas pour un cristal, ils forment une bande d'nergie continue. La notion de
rapprochement des atomes est donne par la distance inter-atomique d.
A prsent considrons des atomes de silicium Si arrangs aux nuds d'un rseau priodique,
mais avec une maille trs grande de telle manire que les atomes puissent tre considrs
comme isols. Les deux niveaux les plus nergtiques sont reprs par E1et E2.
Rapprochons homothtiquement les atomes les uns des autres, les tats nergtique
lectronique se scindent et forment deux bandes continues appelesbande de
conductionBC etbande de valenceBV.
Figure 1 : Formation des bandes d'nergie pour les lectrons d'atomes de Si arrangs en 10
mailles cristallines de type diamant
2) Gap dun semi-conducteur
Pour les lectrons d'un cristal de silicium (d0=2,35 ), on
constate qu'il existe deux bandes continues d'nergie (BC et BV)
et que ces bandes sont spares par une bande interdite car
d'nergie inaccessible aux lectrons. Cette rgion interdite est
appele gapet sa largeur Egest caractristique du matriau.
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3) Isolant, semi-conducteur, conducteur
Les proprits lectriques d'un matriau sont fonction des populations
lectroniques des diffrentes bandes permises. La conduction lectrique
rsulte du dplacement des lectrons l'intrieur de chaque bande.
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Reprsentation des bandes d'nergie
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Unsemi-conducteurest un isolant pour une temprature de 0 K.
Cependant ce type de matriau ayant une nergie de gap plus faible
que l'isolant (~1eV), aura de par l'agitation thermique (T=300K), une
bande de conduction lgrement peuple d'lectrons et une bande
de valence lgrement dpeuple. Sachant que la conduction est
proportionnelle au nombre d'lectrons pour une bande d'nergie
presque vide et qu'elle est proportionnelle au nombre de trous pour
une bande presque pleine, on dduit que la conduction d'un semi-
conducteur peut tre qualifie de mauvaise.
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4)
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18
5)
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6) Valeurs des Gaps et des longueurs dondes correspondantes des
semi-conducteurs usuels
Semiconducteurs
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VI) Les diffrentes familles des semi condcuteurs
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VI) Les diffrentes familles des semi condcuteurs
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VII) Effet de la temprature sur le gap dun semi-conducteur
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VIII) Semi-conducteur intrinsque et semiconducteur dop
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
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On montrera ultrieurement qu
lquilibre thermodynamique:
n . p = ni2
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VIII-2) Semi-conducteurs dops
semi-conducteur extrinsque
VIII-2-a) Dopage N:
le cinquime lectron, de latome de
Phosphore qui na pas de niveau
occuper dans la bande de valence, se
place juste en dessous la bande de S S S S
conduction. i i i i
S S S S
i i i i
S S P S
i i i
S S S S
i i i i
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Lnergie ncessaire au passage de llectron dans les tats
de la bande de conduction est trs faible. Le phosphore, qui
donne un lectron libre au solide, sappelle un
atomedonneur.Si lon remplace plusieurs atomes de silicium
(un atome sur un million par exemple) par des atomes de
phosphore on obtient autant dlectrons dans la bande de
conduction, cest--dire que si la concentration des atomes
de phosphore est NDpar cm3, on dispose alors de NDlectrons
dans la bande de conduction. Le silicium est alorsdopau
phosphore et il est de typen(comme ngatif). La
lettrenindique que la conduction lectrique se fait par les
lectrons de la bande de conduction.
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Le dopage par des atomes donneurs provoque la monte du
niveau de Fermi qui se rapproche de la bande de conduction,
indiquant ainsi que:
S S S S
i i i i
S S I S
i i n i
S S S S
i i i i
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Dopage P
Dans le silicium de typep, le niveau de Fermi se rapproche de la bande de
valence, indiquant quil y a moins dlectrons dans le silicium de
typepque dans le silicium intrinsque; la conduction lectrique se fait
dans ce cas par le dplacement des trous de la bande de valence.
il y a plus dlectrons dans le silicium de typenque dans le
silicium intrinsque.
Les trous sont majoritaires
Les lectrons sont minoritaires
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VIII-3) Energies dionisation des donneurs et
accepteurs peu profonds dans le silicium
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Calcul des conductivits du silicium intrinsque et
dop N et P
= ne S/cm)
n1400 cm2 V-1 s-1
p200 cm2 V-1 s-1
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Effet de la temprature sur la rsistivit
(conductivit) dun semi conducteur:
= n e
S/cm)
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