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I) conductivit lectrique des matriaux

1) Action dun champ lectrique sur un systme


de charges.
a) Charge ponctuelle q:
F=q E = m a = m dv/dt
dv = q/m E dt et v=E
E
v
q> F
0
1
1) Action dun champ lectrique sur un systme
de charges.
a) Charge ponctuelle q:
F=q E = m a = m dv/dt
v= E

E (-
b) Atome (Noyau Q=Ze) et Z lectrons Q=Z
e)
Fe-

FN
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1) Action dun champ lectrique sur un systme de
charges.
a) Charge ponctuelle q: F=q E
b) Atome neutre (Noyau Q=Ze) et Z lectrons Q=Z (-e)
c) Cristal - Eapp +
) Isolant
- Einduit +
I=0
- +
Fe
-
FN Einduit = champ
dpolirisant 3
1) Action dun champ lectrique sur un systme de
charges.
a) Charge ponctuelle q: F=q E
a) Atome neutre (Noyau Q=Ze) et Z lectrons Q=Z (-e)
c) Cristal
) Isolant
) Conducteur
Eapp
I

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II) Expression de la Conductivit lectrique
Charges lies : pas de passage de courant

Charges libres (mobiles) : Passage de courant


d au dplacement des charges sous leffet dun
champ lectrique

Expression de la conductivit:

J = v =(ne) ( E)= ne E = E

= ne S/cm)
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III) Valeurs des conductivit des matriaux
Selon leurs conductivits, les matriaux solides
peuvent tre classs en trois groupes que sont:
les isolants:
< 10-8 S/cm
(diamant et polymre tflon : 10-14 S/cm),

les semi-conducteurs :
10-8 S/cm< <103 S/cm
(silicium 10-5 S/cm 103 S/cm),

et
les conducteurs:
> 103 S/cm
(argent 106 S/cm).
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IV) Bandes dnergie dans les matriaux

1) Notions de Bandes d'nergie


Considrons un atome de silicium Si isol, les niveaux nergtiques de ses
lectrons sont discrets (voirle modle de Bohr pour l'hydrogne). Lorsque l'on
rapproche de ce dernier un atome identique, les niveaux nergtiques discrets
de ses lectrons se scindent en deux sous l'interaction rciproque des deux
atomes. Plus gnralement, lorsque l'on approche N atomes, les niveaux
nergtiques se scindent en N niveaux. Ces N niveaux sont trs proches les uns
des autres et si la valeur de N est grande, ce qui le cas pour un cristal, ils
forment une bande d'nergie continue. La notion de rapprochement des atomes
est donne par la distance inter-atomique d.
A prsent considrons des atomes de silicium Si arrangs aux nuds d'un
rseau priodique, mais avec une maille trs grande de telle manire que les
atomes puissent tre considrs comme isols. Les deux niveaux les plus
nergtiques sont reprs par E1et E2. Rapprochons homothtiquement les
atomes les uns des autres, les tats nergtique lectronique se scindent et
forment deux bandes continues appelesbande de conductionBC etbande
de valenceBV. La figure ci dessous montre la formation de ces bandes en
fonction de la distance interatomique.

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Bandes dnergie dans les matriaux

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Bandes d'nergie
Considrons un atome de silicium Si isol, les niveaux nergtiques de ses lectrons sont
discrets. Lorsque l'on rapproche de ce dernier un atome identique, les niveaux nergtiques
discrets de ses lectrons se scindent en deux sous l'interaction rciproque des deux atomes.
Plus gnralement, lorsque l'on approche N atomes, les niveaux nergtiques se scindent en
N niveaux. Ces N niveaux sont trs proches les uns des autres et si la valeur de N est grande,
ce qui le cas pour un cristal, ils forment une bande d'nergie continue. La notion de
rapprochement des atomes est donne par la distance inter-atomique d.
A prsent considrons des atomes de silicium Si arrangs aux nuds d'un rseau priodique,
mais avec une maille trs grande de telle manire que les atomes puissent tre considrs
comme isols. Les deux niveaux les plus nergtiques sont reprs par E1et E2.
Rapprochons homothtiquement les atomes les uns des autres, les tats nergtique
lectronique se scindent et forment deux bandes continues appelesbande de
conductionBC etbande de valenceBV.

Figure 1 : Formation des bandes d'nergie pour les lectrons d'atomes de Si arrangs en 10
mailles cristallines de type diamant
2) Gap dun semi-conducteur
Pour les lectrons d'un cristal de silicium (d0=2,35 ), on
constate qu'il existe deux bandes continues d'nergie (BC et BV)
et que ces bandes sont spares par une bande interdite car
d'nergie inaccessible aux lectrons. Cette rgion interdite est
appele gapet sa largeur Egest caractristique du matriau.

Notons que l'nergie du bas de la bande de conduction est note


ECet que celle du haut de la bande valence est noteEVainsi
nous avons l'galit Eg=EC-EV. Prcisons que les bandes
continues d'nergie BC et BV ne sont qu'une reprsentation des
nergies

accessibles par les lectrons, ceci ne prsage en rien de


l'occupation effective de ces bandes par ces derniers.

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3) Isolant, semi-conducteur, conducteur
Les proprits lectriques d'un matriau sont fonction des populations
lectroniques des diffrentes bandes permises. La conduction lectrique
rsulte du dplacement des lectrons l'intrieur de chaque bande.

Sous l'action du champ lectrique appliqu au matriau l'lectron


acquiert une nergie cintique dans le sens oppos au champ lectrique.

Considrons prsent une bande d'nergie vide, il est vident de par le


fait qu'elle ne contient pas d'lectrons, elle ne participe pas la
formation d'un courant lectrique. Il en est de mme pour une bande
pleine. En effet, un lectron ne peut se dplacer que si il existe une place
libre (un trou) dans sa bande d'nergie. Ainsi, un matriau dont les
bandes d'nergie sont vides ou pleines est unisolant. Une telle
configuration est obtenue pour des nergies de gap suprieures ~9eV,
car pour de telles nergies, l'agitation thermique 300K, ne peut pas
faire passer les lectrons de la bande de valence celle de conduction
par cassure de liaisons lectronique. Les bandes d'nergie sont ainsi
toutes vides ou toutes pleines.

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Reprsentation des bandes d'nergie

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Unsemi-conducteurest un isolant pour une temprature de 0 K.
Cependant ce type de matriau ayant une nergie de gap plus faible
que l'isolant (~1eV), aura de par l'agitation thermique (T=300K), une
bande de conduction lgrement peuple d'lectrons et une bande
de valence lgrement dpeuple. Sachant que la conduction est
proportionnelle au nombre d'lectrons pour une bande d'nergie
presque vide et qu'elle est proportionnelle au nombre de trous pour
une bande presque pleine, on dduit que la conduction d'un semi-
conducteur peut tre qualifie de mauvaise.

Pour unconducteur, l'interpntration des bandes de valence et de


conduction implique qu'il n'existe pas d'nergie de gap. La bande de
conduction est alors partiellement pleine (mme aux basses
tempratures) et ainsi la conduction du matriau est leve.

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4)

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18
5)

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6) Valeurs des Gaps et des longueurs dondes correspondantes des
semi-conducteurs usuels

Semiconducteurs
20
VI) Les diffrentes familles des semi condcuteurs

21
VI) Les diffrentes familles des semi condcuteurs

22
VII) Effet de la temprature sur le gap dun semi-conducteur

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VIII) Semi-conducteur intrinsque et semiconducteur dop

VIII-1) Semi-conducteur intrinsque


Un semi-conducteur est ditintrinsquequand le niveau de Fermi est exactement au
milieu de la bande interdite. Cest gnralement le cas quand le semiconducteur est pur.

Notion de trou : conduction par trous

Les densits n des lectrons


et p des trous sont donnes

Dans le silicium 300 K


ni(300 K) = 1010 cm-3

Le nombre datomes de silicium dans 1 cm


est N=10 22 cm-3 24
Si Si Si Si

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Si Si Si Si

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On montrera ultrieurement qu
lquilibre thermodynamique:

n . p = ni2

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VIII-2) Semi-conducteurs dops
semi-conducteur extrinsque

VIII-2-a) Dopage N:
le cinquime lectron, de latome de
Phosphore qui na pas de niveau
occuper dans la bande de valence, se
place juste en dessous la bande de S S S S
conduction. i i i i

S S S S
i i i i

S S P S
i i i

S S S S
i i i i

es densits de dopage Nd varient de 1014 cm-3 1019 cm-3


300 K : n(300 K) = 1014 cm-3 1019 cm-3

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Lnergie ncessaire au passage de llectron dans les tats
de la bande de conduction est trs faible. Le phosphore, qui
donne un lectron libre au solide, sappelle un
atomedonneur.Si lon remplace plusieurs atomes de silicium
(un atome sur un million par exemple) par des atomes de
phosphore on obtient autant dlectrons dans la bande de
conduction, cest--dire que si la concentration des atomes
de phosphore est NDpar cm3, on dispose alors de NDlectrons
dans la bande de conduction. Le silicium est alorsdopau
phosphore et il est de typen(comme ngatif). La
lettrenindique que la conduction lectrique se fait par les
lectrons de la bande de conduction.

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Le dopage par des atomes donneurs provoque la monte du
niveau de Fermi qui se rapproche de la bande de conduction,
indiquant ainsi que:

Il y a plus dlectrons dans le silicium de typenque


dans le silicium intrinsque.

Les lectrons sont majoritaires


Les trous sont minoritaires
Les densits de dopage Nd varient de 1014 cm-3 1019 cm-3

300 K : n(300 K) = 1014 cm-3 1019 cm-3


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VIII-2-b) Dopage P
Si lon dope le silicium avec un lment de la colonne III (lindium par
exemple), qui ne possde que trois lectrons sur sa couche
extrieure, cet lment met en commun ses trois lectrons
priphriques, et il partage ainsi 7 lectrons avec ses quatre voisins.
Labsence dun huitime lectron se traduit lectriquement par la
prsence dun trou dans la bande de valence. Le silicium ainsi dop
est dit detype p(comme positif). Si Naest la concentration
datomesaccepteurs(par exemple les atomes de bore), NAest aussi
la concentration des trous dans la bande de valence.
S S S S
i i i i

S S S S
i i i i

S S I S
i i n i

S S S S
i i i i

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Dopage P
Dans le silicium de typep, le niveau de Fermi se rapproche de la bande de
valence, indiquant quil y a moins dlectrons dans le silicium de
typepque dans le silicium intrinsque; la conduction lectrique se fait
dans ce cas par le dplacement des trous de la bande de valence.
il y a plus dlectrons dans le silicium de typenque dans le
silicium intrinsque.
Les trous sont majoritaires
Les lectrons sont minoritaires

Les densits de dopage Na varient de 1014 cm-3 10

300 K : p(300 K) = 1014 cm-3 1019 cm-3

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VIII-3) Energies dionisation des donneurs et
accepteurs peu profonds dans le silicium

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Calcul des conductivits du silicium intrinsque et
dop N et P

= ne S/cm)
n1400 cm2 V-1 s-1
p200 cm2 V-1 s-1

i 1016 x 1,6 10-19 x (0,1400 + 0,0200)= 2,56 10 -4 Sm-1

Pour un dopage de 1017 cm-3


n 1,6 10-19 x (1023 x 0,1400 + 109 x 0,0200)= 2,24 103
Sm-1

p 1,6 10-19 x (103 x 0,1400 + 1017 x 0,0200)= 3,2 103


Sm-1

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Effet de la temprature sur la rsistivit
(conductivit) dun semi conducteur:

Thermistance : Capteur de temprature

= n e
S/cm)

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