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Chapitre II

Calcul de la densit des charges mobiles dans un semi-conducteur

I) Structure cristalline des semi-conducteurs


I -1) Rseau direct
Les matriaux de la colonne IV cristallisent dans la structure
diamant (C, Ge, Si, etc.), .), Cette structure est constitue de deux
sous-rseaux cubique face centre (cfc), dcals l'un par rapport
l'autre du quart de la diagonale principale, c'est--dire dea
3/4[111], oareprsente le paramtre de maille du matriau.

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La plupart des matriaux III-V cristallisent dans la structure
sphalrite dite "Zinc Blende" prsente sur lafigure ci-
dessous. Cette structure, qui s'apparente celle du
diamant (C, Ge, Si, etc.), est constitue de deux sous-
rseaux cubique face centre (cfc), l'un d'lments III et
l'autre d'lments V, dcals l'un par rapport l'autre du
quart de la diagonale principale, c'est--dire de a 3/4
[111], oareprsente le paramtre de maille du matriau.

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http://www.youtube.com/watch?v=no7d8FGAvAU
Exercice sur le cristal diamant: compacit,
coordinance, masse volumique, etc

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(0,1,1) (1,1,1)

(0,0,1)
(1,0,1)
1,3,3
()
4,4,4

3,1,3
()
4,4,4 3,3,1
()
1,1,0 4,4,4
1,1,1 ()
() 2,2
4,4,4 (1,1,0)

(1,0,0)
(0,0,0)

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La cellule de Wigner-Seitz autour d'un point du rseau est la
rgion
de l'espace qui est plus proche de ce point que de n'importe quel
autre point
du rseau. La cellule de Wigner Seitz est une cellule primitive, elle
possde
de plus la symtrie du rseau de Bravais.
On l'obtient en traant des lignes qui connectent le point du rseau
considre tous les autres et en traant les plans bissecteurs de
chaque ligne.
Le plus petit polydre contenant le point considre et limite par les
plans
bissecteurs est la cellule de Wigner-Seitz. Nous donnons dans la
Figure suivante un exemple deux dimensions.

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La cellule de Wigner-Seitz du rseau f.c.c. est donne dans la Figure ci-
dessous.
Il faut remarquer que le cube entourant la cellule n'est pas le cube
conventionnel de la Fig. A.6, mais un cube dans lequel les points du
rseau sont au centre du cube et au milieu des 12 arrtes. Chacune des
12 faces est perpendiculaire la ligne joignant le point central un
point au milieu d'une arrte.

Cellule de Wigner-Seitz du rseau de Bravais cubique face centre

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I - 2) Le rseau rciproque associ un rseau
direct (rel), comme le rseau direct, de points
imaginaires appels nuds. Cest une convention
gomtrique, il na pas de signification physique.

A un rseau de Bravais donne (ou rseau direct), on associe


le rseau
rciproque, form de l'ensemble des vecteurs G tels que:

exp (iG R) = 1
ou R est un vecteur du rseau de Bravais.
Cette dfinition est troitement relie la symtrie de
translation du
rseau de Bravais. Considrons pour le montrer une grandeur
() invariante
par translation d'un vecteur R du rseau de Bravais, soit
(r + R) = (r)
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Cette fonction priodique peut tre dcompose en srie
de Fourier, soit:

(r) = G Gexp (iG


r)

La condition de priodicit
(r + R) = (r)

Implique que les vecteurs G satisfont la condition

exp (iG R) = 1

on peut dcomposer G en la somme de 3 vecteurs tels que

G = hb1 + kb2 + lb3

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ou h; k; l sont des entiers. On vrifie, en
remplaant dans

exp (iG R) = 1

Que pour un choix arbitraire de R, la


condition (exp (iG R) = 1
de G ne peut tre satisfaite que si:

ai bj = 2 ij

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Les 3 vecteurs de base b1, b2 et b3 du rseau rciproque sont dfinies par :

On peut montrer que les proprits de symtrie du rseau


rciproque sont les mmes que celles du rseau direct.
Le rseau rciproque appartient au mme groupe ponctuel que le
rseau de Bravais

a 1 . b1 = 2 a1 . b2= 0

a 2 . b2 = 2 a1 . b3= 0

a 3 . b3 = 2 + permutation
circulaire
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I - 3) Les zones de Brillouin

La notion de zone de Brillouin est ncessaire pour dcrire les


proprits
vibrationnelles ou lectroniques d'un cristal dans lequel la
symtrie de translation joue un rle essentiel.
1 re
zone de Brillouin
La 1re zone de Brillouin est la cellule de Wigner-Seitz du rseau
rciproque, c'est dire qu'elle est forme de l'ensemble des points
qui sont plus proches d'un point G0 du rseau rciproque
(gnralement G0 = (0; 0; 0))
que de n'importe quel autre point G. On peut la construire en traant
les plans bissecteurs des vecteurs joignant G0 un point G
quelconque du rseau rciproque.
Dans le cas d'un rseau direct deux dimensions carr, soit
a1 = a x et a2 = a y,
les vecteurs b1; b2 du rseau rciproque sont donns par:

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1re zone de Brillouin d'un rseau direct carr
bidimensionnel.

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La 1re zone de Brillouin d'un cristal f.c.c. a la mme forme que la
cellule de Wigner-Seitz d'un cristal b.c.c., en effet le rseau
rciproque d'un
cristal f.c.c. est b.c.c. Elle est donne dans la Figure ci-dessous, o il
est aussi
not les points de symtrie leve par les lettres ; L ;X, etc.

1re zone de Brillouin d'un rseau f.c.c. Les points de symtrie leve
sont indiqus.

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1re zone de Brillouin d'un rseau f.c.c. Les points de symtrie leve
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sont indiqus.
II) Densit dtats dans lespace rciproque
II-1) Volume dune maille lmentaire
Le volume dune cellule primitive du rseau rciproque est donn
par :

Vr=b1 . (b2 ^ b3) = (2)3 / Vd


O Vd le volume dune maille lmentaire du rseau
direct.
II-2) Densit des tats lectroniques dans le
rseau rciproque g(k) 3 dimensions:
Il y a un point k par maille lmentaire de lespace rciproque de sorte
que la densit dtats dans cet espace est : (k)= 1/Vr
De plus chaque maille du rseau rciproque correspond une maille
de lespace direct, cd un volume Vd.
La densit des tats par unit de volume du cristal est:

g(k) = 1/ (2)3

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II-3) Densit dtats pour les lectrons dans un intervalle
dnergie compris entre lnergie E et E+dE (cd entre k et k
+ dk)

nc(E) dE= g(k) . d3k = g(k) . 4 k2 dk

Avec nc (E)= nc (k) car E-Ec=2k2/2m

et donc k2= 2 m(E-Ec)/2 et dk= m1/2 (E-Ec) -1/2/ dE

Ce qui donne:
nc (E) dE= 2/83 . 4 .2m(E-Ec)/2 . m1/2 (E-Ec) -1/2/ dE

nc(E) = (1/32 2) . m3/2 (E-Ec) 1/2

De mme pour les trous dans la bande de valence:

nv(E) = (1/32 2) . m3/2 (Ev-E) 1/2

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III) Probabilit doccupation dun tat
dnergie E
Fonction de Fermi: potentiel de Fermi
III-1) Probabilit doccupation dun tat dnergie
E par un lectron

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III-2) Probabilit doccupation dun tat
dnergie E par un trou (vide dlectron)
Il va de soit que la probabilit d'occupation d'un niveau
d'nergie E par un trou est 1-fn (E) car l'absence d'un
lectron implique la prsence d'un trou et vice versa.
fp(E)=1-fn (E)

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Dans le cas o la diffrence E-EF est suprieure quelques kT, lexpression de fn se simplifie,
Car le terme en exponentiel est trs suprieur 1, do:

Ce qui correspond la statistique de Boltzmann

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Nombre dlectrons dans une tranche dnergie dE

dn= 2 nc(E) f(E,T) dE

Le facteur 2 traduit le spin (2 valeurs), cd 2 places disponibles par


niveau dnergie

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IV) Densit des charges mobiles

Ladensit d'lectronsn [cm-3] dans la bande de conduction est alors obtenue en


sommant sur toute la plage d'nergie couverte par cette bande, la place disponible pour
les lectrons l'nergie E pondre par la probabilit de trouver un lectron ce mme
niveau d'nergie :

IV-1) Densit des lectrons dans la bande de conduction

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IV-2) Densit des trous dans la bande de
valence
De mme pour ladensit des trousp [cm-3] dans la bande
de valence:

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IV-3) Cas dun semi conducteur intrinsque

IV-4) Calcul du produit n0.p0 lquilibre

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V) Calcul du niveau de Fermi
V-1) Dans un semiconducteur intrinsque

On aura

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Lquation

devient

avec

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Cette quation confirme que si n0>ni, alors EF>EFi.

Lexpression de p0 en fonction de ni est :

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V-2) Niveau de Fermi dans un
semiconducteur Dop N

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Cette quation permet de trouver Lexpression du niveau de Fermi
la temprature ambiante :

Ainsi plus la densit d'accepteurs est leve plus le


niveau de Fermi se rapproche de la bande de conduction.
A la limite si ND=Ncle niveau de Fermi entre dans la
bande de conduction, on dit alors que le semi-conducteur
est dgnr

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V-3) Niveau de Fermi dans un
semiconducteur Dop P

Ainsi plus la densit d'accepteurs est


leve plus le niveau de Fermi se
rapproche de la bande de valence.
A la limite si NA=Nv le niveau de Fermi
entre dans la bande de valence, on
dit alors que le semi-conducteur est
dgnr.

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V-4) Niveau de Fermi en fonction de la temprature

Pour un semi-conducteur de type N, on revient lquation de neutralit

On crit n0 = ND+ et on rsout lquation en EF

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De mme pour les trous dans un semi-conducteur de
type P, on crit p0 = NA- et on rsout lquation en EF

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La variation de EF en fonction de x indique que le semi-conducteur nest pas lquilibre
thermodynamique, ce qui induit un flux dlectrons et de trous.

Cette situation correspond un chantillon de semi-conducteur soumis une diffrence


de potentiel extrieure applique entre ses deux extrmits.

Structure dune jonction PN lquilibre thermodynamique


(mme semi-conducteur: homojonction)
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Vint= VA-VB= -1/q (ECA-ECB)= - 1/q (EVA-EVB)= - 1/q
(EFiA-EFiB)
En utilisant lquation :

On peut exprimer le niveau de Fermi intrinsque en fonction de EF et des densits


Des lectrons des deux cots de la jonction:

et
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En reportant ces deux expressions dans lquation prcdente, on obtient
lexpression de la diffrence de potentiel interne (built in voltage
ou diffusion potential):

En exprimant ni etp0 et n0 on trouve une autre expression du potentiel de barrire

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La Zone de Charge d'Espace (ZCE)

Les lectrons majoritaires du ct "N" ont tendance diffuser du ct "P", o ils


sont minoritaires. Quand un lectron arrive du ct "P", il se recombine avec un trou,
et, en disparaissant, il laisse du cot "N" un atome donneur ionis positivement
non compens lectriquement.

Les trous majoritaires du ct "P" ont tendance diffuser du ct "N" o ils sont
minoritaires. Quand un trou arrive du ct "N", il se recombine avec un lectron libre,
et, en disparaissant, il laisse du ct "P" un atome accepteur ionis ngativement
non compens lectriquement.

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Au voisinage de la jonction mtallurgique, il existe donc une zone dpourvue de porteurs
majoritaires et prsentant des charges fixes (atomes d'impurets ioniss) :
c'est la zone de charge d'espace ZCE (space charge region), ou encore zone dserte
(depletion region) situe entre deux zones neutres

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Les charges fixes engendrent un champ lectrique E(x) qui s'oppose au mouvement
de diffusion : champ de rtention de la diffusion (champ interne de structure)
built in voltage.

A partir de la densit des charges (x), on applique l'quation de GAUSS


qui donne le champ lectrique E(x).
En intgrant E(x) sur l'paisseur de la ZCE , on obtient le potentiel de la barrire Vb.

qVb est l'nergie minimale que doit possder un trou pour aller de la zone "P"
vers la zone "N" et -qVb est l'nergie minimale que doit possder un lectron
pour passer de la zone "N" vers la zone "P".

http://www.youtube.com/watch?v=j4o
oZzy_-5g
Animation: diode

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Figure EC3 : Jonction PN l'quilibre thermodynamique. a)
Charge d'espace, b) Champ lectrique, c) Potentiel lectrostatique.

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Champ lectrique du ct "N" : (0 < x < x ) n

quation de GAUSS : dEn(x)/dx = (x)/ = q ND/

En intgrant et en tenant compte de la condition limite : En(xn)=0 :

Remarque:
Un dopage NDconstant entrane une variation linaire du
champ En(x). Pour une jonction graduelle, la variation
linaire du dopage en fonction de x entrane une volution
du champ lectrique proportionnelle x2.
http://wiki.epfl.ch/houdre/documents/DispElec/chapitre%2005%
20jonction%20pn.pdf 54
Champ lectrique du ct "P" : (-xp < x < 0)
quation de GAUSS : dEp(x)/dx = (x)/ = - q NA/
En intgrant et en tenant compte de la condition limite : Ep(-xp) = 0 :

Remarque:
Un opage NAconstant entrane une variation linaire du
champ Ep(x). Pour une jonction graduelle, la variation
linaire du dopage en fonction de x entrane une volution
du champ lectrique proportionnelle x2.

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Pour x = 0 : Ep(0) = En(0) :
le champ lectrique est une grandeur continue dans une
homojonction, on en dduit :

NDxn= NAxp

La zone dserte s'tend plus du ct


le moins dop de la jonction.

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Ep(0) = En(0) = - q NA xp/ = - q ND xn/ =EM

Le champ lectrique est toujours ngatif, son


amplitude est maximum et grande (qq kV/cm)
dans le plan de la jonction mtallurgique.

llustration de la formation de la jonction, http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education/pn/pnformation_B/index.html


illustration ZCE, Champ lectrique, http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education/pn/pnformation2/pnformation2.html
illustration formation de l'quilibre, http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education/pn/pnformation3/index.html
Rvision quantique de la loi de Murphy : Tout plantera au moins une fois.

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Potentiel lectrique du ct "N" : (0 < x < x ) n

E = - grad V

En intgrant lquation

et en tenant compte de la condition limite : Vn(xn)=Vd,


On obtient:

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Potentiel lectrique du ct P" : (0 < x < x ) n

E = - grad V

En intgrant lquation

et en tenant compte de la condition limite : Vn(xn) = 0,


On obtient:

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Largeur de la zone de charge despace: W= xn + xp

Sachant aussi que : NDxn= NAx p, il vient:

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Exemple: Silicium
Type n: ND=1018 cm-3 et p=ni2/ND=102
cm-3
Type p: NA=1016 cm-3 et n=ni2/NA=102
cm-3
Nc=2.7x1019 cm-3 et Nv=1.1x1019 cm-3

0 =8.85x10-12 F/m
r = 11.9
q = 1.6x10-19 C

On trouve: qVbi= 0,84 eV

W = 334 nm

E max =5x104 V/cm


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Cellule solaire : animation

http://www.youtube.com/watch?v=23i-_v_tWTA

http://www.youtube.com/watch?v=2AX0qvnjSnM

http://www.youtube.com/watch?v=vSmEbsDeMhY

Animation diode

http://www.youtube.com/watch?v=4SlfaocMfdA

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V) Calcul de lnergie du niveau dimpuret
(Energie dactivation Energie
dionisation)

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Capteur de courant effet Hall

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http://www.ac-grenoble.fr/comptesimbriques/disciplines/sti-indus/s-si/ressources/dr_conversion_photovoltaique/e
xport/visu6.html?hist=1

L'nergie solaire en chiffres


Le soleil est une toile moyenne dont le cur, chauff environ 15 millions de degrs, est un racteur
thermonuclaire qui, par fusion de l'hydrogne en hlium, transforme plusieurs millions de tonnes de
sa masse en nergie rayonne. Sa temprature de surface est en moyenne de 5800K.
Puissance solaire reue par la Terre :
On donne :
Distance terre-soleil : dST= 150.109m
Rayon de la terre : R T= 6.106m
Puissance d'mission du soleil : Ps = 38,5.10 25W
Suivant le principe de conservation de la puissance, la puissance mise par le soleil se retrouve
rpartie uniformment sur la sphre de rayon = distance terre-soleil.
Surface de la sphre de rayon d ST S = 4pdST2= 12,56 . 22,5 . 10 21= 283.1021m
Puissance reue par m au niveau de la terre (hors atmosphre) = Ps / S = 38,5.10 25/ 283.1021=
1360W/m
Un calcul prcis donne une valeur moyenne de1367W/m: cette valeur s'appelle laconstante solaire.

Il est intressant de dterminer la puissance moyenne par m reue uniformment sur la surface de la
sphre terrestre (sans prendre en compte l'influence de l'atmosphre).
Vu du soleil la puissance s'applique sur un disque perpendiculaire aux rayons, d'une surface gale
p.RT. La puissance moyenne sur la sphre terrestre est gale la constante solaire multiplie par le
rapport de la surface du disque terrestre vu du soleil sur la surface de la sphre terrestre soit :
Surface de la sphre terrestre = 4.p.R T
Pmoy = constante solaire . (p.R T/4.p.RT) = constante solaire/4 =>Pmoyenne = 342W/m
Cette puissance n'arrive pas entirement au niveau du sol (ou de la mer) du fait de l'interaction avec
l'atmosphre : on peut retenir qu'unepuissance moyenne au sol de 198W/m.
La figure ci-dessous montre qu'il y a quilibre entre les puissances entrante et sortante dans
l'atmosphre : tout dsquilibre entrane videmment une augmentation ou une diminution de la
temprature au sol (cf problme du CO2 qui, par effet de serre, diminue le rayonnement renvoy et
donc provoque une lvation de la temprature)

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Mesure de la Constante Solaire et de la temprature du Soleil:
Matriel ncessaire: 1 bidon dhuile moteur (2L), en mtal, et rinc lactone
http://philippe.boeuf.pagesperso-oran
1 thermomtre acceptant 0,2C de prcision ge.fr/robert/astronomie/cstesol.htm
2L deau environ pour en remplir le bidon...
De la peinture noire mate
De quoi mesurer un intervalle de temps 10 secondes prs
Qu'est-ce que la constante Solaire?
C'est l'nergie reue de la part du Soleil, au niveau de l'orbite terrestre, par seconde et par mtre carr.
Nous, nous devrons nous contenter de ce qui est reu au niveau du sol, c'est dire ce qui reste de cette nergie aprs la traverse de notre atmosphre.

Principe de la mesure:
L'nergie reue du Soleil peut servir chauffer de la matire. L'lvation de temprature est proportionnelle l'nergie qu'absorbe ce matriau. De plus, l'absorption
sera d'autant plus efficace que le matriau en question sera sombre. En rsum, il suffira d'exposer face au rayonnement solaire, un bidon mtallique (bon conducteur
de chaleur...) peint en noir mat (trs absorbant...) et plein d'eau, et de mesurer chaque instant (toutes les minutes...) sa temprature, pour obtenir par un calcul
simple, la puissance solaire reue au niveau du sol. Les mesures seront d'autant "meilleures" que le Soleil sera haut dans le ciel et que celui-ci sera dgag...
Rsultats:
La courbe obtenue est une droite, dont la pente est en fait l'augmentation de temprature par intervalle de temps (DT/Dt ).
Calculs:
La puissance reue rchauffe le bidon mtallique, et l'eau qu'il contient:
ou P =(mbidon.cfer+meau.ceau).DT/Dt
P:Puissance reue (en Watts)
mbidon:masse du bidon
meau:masse d'eau (ces 2 masses sont en grammes)
cfer:chaleur massique du mtal du bidon: 0,46 J.g-1.K-1
ceau:idem pour l'eau: 4,18 J.g-1.K-1
DT:variation de temprature (en C ou en K, c'est pareil...)
Dt:intervalle de temps (en secondes)Enfin, pour finir, la constante Solaire:C = P / S
S: Surface du bidon faisant face au Soleil (en m2)

Trois remarques:
1/ Cette " constante " varie suivant l'tat du ciel. Elle vaut 1370 W/m2hors atmosphre, et est diminue d'environ 20 25% sur le plancher des vaches.
2/ Ne pas tenir compte des 2 ou 3 premires minutes de la courbe, qui ne refltent que le temps ncessaire au systme pour atteindre un tat stationnaire.
3/viter de secouer le bidon ou de dplacer le thermomtre en cours de mesure...

Extension possible:
La constante solaire et la distance Terre-Soleil permettent de remonter la temprature de surface du Soleil:

En effet, la puissance mise par 1 m de surface solaire (M: son mittance) est dilue le long de son trajet jusqu' la Terre. Cette dilution se fait suivant la loi
habituelle de l'inverse du carr des distances, plus prcisment:
et donc
C: constante solaire;d= 150 millions de km;R= 0,7 millions de km Il reste connatre la relation entre l'mittance du Soleil et sa temprature, c'est la loi de Stefan:
M =s. T4(s: constante de Stefan valant 5,6697.10-8W.m-2.K-4).
D'o,TK= (M/s)0,25ce qui doit donner non loin de 5800 Kelvin

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http://lns.epfl.ch/files/content/sites/l
ns2/files/lectures/solid/cours/Appendice
_A.pdf

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