ARSENIURO DE GALIO

(GAAS)
Jos Salvador Martnez Flores
Dr. Georgina Garca Ruiz
Ciencias de lo materiales
CONTENIDO
Resumen
Introduccin
Antecedentes
Objetivo
Desarrollo experimental
Resultados y discusin
Conclusin
Referencias
RESUMEN
Un material semiconductor compuesto de gran auge y
comprometedor es el GaAs, cuyos valores de
resistividad y estrecha banda prohibida hacen de este
material un buen precursor de transistores hasta
celdas fotovoltaicas.
INTRODUCCIN
Particularmente se encuentra el Arseniuro de
galio (GaAs), un material cermico con
estructura tipo blenda de zinc que tiene valores
de resistividad elctrica alta y una band gap o
zona prohibida estrecha.
ANTECEDENTES

ANTECEDENTES

Conductores Semiconductores Aislantes

10 cm-10
-6 12

10-6 cm cm 1012 cm
ANTECEDENTES
El Arseniuro de galio es
un semiconductor cuya
alienacin de la energa
mxima de la banda de
conductividad y la
energa mnima de
conductividad, se
encuentran alineadas,
por lo tanto es un
semiconductor de band
gap directo.
ANTECEDENTES
Algunos cofactores que promueven las
imperfecciones en la estructura cristalina son:

Defecto
Impurezas
Schottky

Dislocaciones Fonones
ANTECEDENTES
Los semiconductores se clasifican en:

Extrnsecos Intrnsecos
ANTECEDENTES
Semiconductores tipo n y p

Ga-Si Ga-Be
As-C
OBJETIVO
Analizar novedosos mtodos de sntesis del
Arseniuro de galio.
DESARROLLO EXPERIMENTAL
Mtodo 1. Sntesis por un nico precursor
[Me2GaAs(H)tBut]2
Materiales y equipos
GaMe3 (Trimetilgalio) (99.999%, SAFC Hitech Ltd.)
tBuAsH (Terbutilarsenico)(99.999%, Dockweiler Chemicals)
2
Tolueno (Alfa Aesar)

Vidrio Corning (15cmx4cmx0.1cm)

Reactor de pared fra.

Balanza analtica

Pipeta

Atomizador para AACVD

NOTA: Todas las reacciones se deben llevar a cabo en

una campana de extraccin con una atmsfera inerte
de nitrgeno
 DESARROLLO EXPERIMENTAL

Calentar el sustrato de
Dejar reposar la mezcla
Disolver 1g de tBuAsH2 vidrio a una temperatura
hasta alcanzar la
de 550C y atomizar la
en 15 mL de tolueno y temperatura ambiente.
solucin anterior a un
enfriar a -78C. Despus calentar a 80C
flujo de 0.5 L/min
durante 21 horas.
durante 60 min.

Disolver 0.86g de GaMe3 Remover el solvente por Despus de la deposicin,

en 15 mL de tolueno y vaco para obtener un se fluye nitrgeno hasta
enfriar a -78C. slido amarillo. enfriar.

El slido amarillo
Adicionar la primera remanente, se disuelve
solucin a la segunda en tolueno seco a una
gota a gota. concentracin de 0.033 g
mL-1.
DESARROLLO EXPERIMENTAL
Mtodo 2. Sntesis por el mtodo ec-LLS de GaAs sobre electrodos
de Galio lquido. (Fahrenkrug, Gu, & Maldonado, 2013)
Materiales y equipos
Ga(1) (99.999%, Alfa Aesar)
Polvo de As O (99.95%, Mallinckrodt)
2 3
NaOH (98%, Fisher)

Na SO (99% EMD)
2 4
H O (Barnstead Nanopure III purification system)
2
Vasos de precipitados

Balanza analtica

Vidrio de reloj

Esptula

Fuente de voltaje inverso

NOTA: Para llevar a cabo la sntesis, es necesario un reactor

electroqumico presurizado con Ar(g) a 27.5 bar, el cual a su vez
debe estar hecho de acero inoxidable grado 304 y un aislante
elctrico. Para las conexiones elctricas se usa conectores de 4 pin
aislados hermticamente a travs de la tapa del reactor.
DESARROLLO EXPERIMENTAL

Preparar las
soluciones de NaOH Mezclar las tres
Adicionar Ga(l) en el
0.1M, 0.1M de soluciones anteriores
reactor
Na22SO44 y 0.01M de en un vaso de
electroqumico.
precipitados.
As22O33

Aadir la mezcla de
las soluciones al
Calentar a 200C,
Extraer la muestra. reactor con un
durante 15 min.
potencial de -1.58V
por dos horas.
DESARROLLO EXPERIMENTAL
RESULTADOS Y DISCUSIN
RESULTADOS Y DISCUSIN
RESULTADOS Y DISCUSIN
RESULTADOS Y DISCUSIN
APLICACIN
CONCLUSIN
El arseniuro de galio es un semiconductor con
buenas propiedades tanto estructurales
(estructura tipo blenda de zinc, con posibilidad de
dopaje) como elctricas (resistividad y band gap)
que lo hacen un material que se puede emplear
en la fabricacin de celdas fotovoltaicas. Los
nuevos mtodos de sntesis demuestran la
obtencin en fase pura y como semiconductor
intrnseco.
REFERENCIAS
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