Tipos de transistores de

efecto campo FET

A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET (Field Effect
Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos:

Transistor de Efecto de Campo de Unin: JFET (Junction Field Effect Transistor)

Transistor de Efecto de Campo Metal - xido - Semiconductor: MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor)

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Transistor de Efecto de Campo
Metal - xido - Semiconductor:
MOSFET
El MOSFET es un transistor que usa un aislante (normalmente SiO 2 ).
es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source), drenador (D, Drain), puerta (G,
Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato generalmente est conectado internamente al terminal de
fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales .

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Estructura bsica
Como podemos ver en la figura mostrada, en la que aparece representada la estructura bsica para
un MOSFET de canal n, partimos de una zona de material semiconductor tipo p en la que aparecen
dos zonas tipo n+ con contactos metlicos a los terminales de drenador y fuente. La zona roja
representada corresponde a una capa de material aislante, en este caso xido de silicio. Por tanto, si
nos fijamos en el terminal de puerta, vemos como tenemos una zona metlica (correspondiente al
contacto hmico) una zona de xido y una zona de semiconductor.

Es precisamente debido a esta estructura de donde le viene el nombre al dispositivo de Metal

xido Semiconductor (MOS). Adems, este dispositivo tendra un cuarto terminal, el terminal del
Sustrato (SS), aunque habitualmente ste se encuentra conectado a la fuente

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Smbolos
Los smbolos ms habituales utilizados para la representacin en circuitos de los MOSFET de
acumulacin son los que aparecen representados a continuacin

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 Transistor de Efecto de Campo de
Unin: JFET
Es un tipo de dispositivo electrnico de tres terminales que puede ser usado como interruptor
electrnicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje. Posee tres terminales,
comnmente llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S).

A diferencia del transistor de unin bipolar el JFET, al ser un dispositivo controlado por un voltaje de
entrada, no necesita de corriente de polarizacin. La carga elctrica fluye a travs de un canal
semiconductor (de tipo N o P) que se halla entre el drenaje y la fuente. Aplicando una tensin
elctrica inversa al terminal de puerta, el canal se "estrecha" de modo que ofrece resistencia al paso
de la corriente elctrica.

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Estructura bsica
Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:
- JFET de canal n.
- JFET de canal p.
En la figura siguiente se ha representado la construccin bsica de un JEFT de canal n. Podemos
observar como la mayor parte de la estructura es de material tipo n ligeramente dopado formando un
canal con contactos hmicos en ambos extremos (terminales de Drenador y Fuente). Este canal se
encuentra inserto entre dos regiones de compuerta tipo p+ (material tipo p fuertemente dopado) con
sendos contactos hmicos que constituyen los terminales de puerta. En algunos casos los dos
terminales de puerta estn accesibles (JFET de doble puerta) aunque lo ms habitual es que ambos
terminales estn cortocircuitados teniendo un nico terminal de puerta (dispositivo de tres
terminales).

En ausencia de potencial aplicado, las dos uniones p-n que aparecen estn sin polarizar. El resultado
es una regin de vaciamiento o zona de deflexin (regin carente de portadores libres) de forma
similar a la que se vio en su da al analizar en el diodo la unin p-n en ausencia de polarizacin.

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 D = Drenador: (Del ingls Drain). Es el terminal por al que salen los portadores del dispositivo
(los electrones en el JFET de canal n y los huecos en el de canal p)

S = Fuente: (Del ingls Source). Es el terminal por el que entran los portadores.

G = Puerta: (Del ingls Gate). Es el terminal mediante el que se controla la corriente de

portadores a travs del canal.

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Smbolos.
Como ya se ha comentado con anterioridad se trata, en cualquier caso, de dispositivos con tres
terminales cuyos smbolos aparecen representados:

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Funcionamiento
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las zonas de
deflexin que rodean a cada zona p al ser polarizadas inversamente.

Cuando aumentamos la tensin en el diodo puerta-surtidor, las zonas de deplecin se hacen ms

grandes, lo cual hace que la corriente que va de surtidor a drenador tenga ms dificultades para
atravesar el canalque se crea entre las zonas de deplecin, cuanto mayor es la tensin inversa en el
diodo puerte-surtidor, menor es la corriente entre surtidor y drenador.

Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensin y no por corriente. Casi todos los
electrones que pasan a travs del canal creado entre las zonas de deplecin van al drenador, por lo
que la corriente de drenador es igual a la corriente de surtidor.

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