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DIODO SCHOTTKY

FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA
INTEGRANTES

Almanza Jaral Alejandro


Hernndez Laguna Araceli
Patlan Garca Isabel Selene

6-A ITM
ORIGEN

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky fue inventado


por el fsico alemn Walter H. Schottky.
A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una
unin PN, el diodo Schottky tiene una unin Metal-N.
QU ES?

Estn normalmente formados por metales como platino y


silicio, es decir un diodo Schottky surge de la unin de un
platino, con silicio de tipo n.
Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa (VF)
muy pequea, del orden de 0.3 V o menos.
Reciben tambin el nombre de diodos de recuperacin rpida
(Fast recovery) o portadores calientes.
SIMBOLO
CARACTERISTICAS

Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de


potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales
La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales
de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en
circuitos de alta velocidad.
APLICACIONES

La principal aplicacin en este tipo de diodos se realiza en


fuentes de baja tensin en la cuales las cadas en los
rectificadores son significativas.
Circuitos de alta velocidad para computadoras donde se
necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante
su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de
energa
DESVENTAJAS
Las dos principales desventajas del diodo Schottky son:
1. El diodo Schottky tiene poca capacidad de conduccin de
corriente en directo (en sentido de la flecha).
Esta caracterstica no permite que sea utilizado como diodo
rectificador. Hay procesos de rectificacin (por ejemplo fuentes de
alimentacin) en que la cantidad de corriente que tiene que
conducir en sentido directo es bastante grande.
2. El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen
inversamente (VCRR).
CONCLUSION

Nos podemos dar cuenta que el diodo Schottky tiene un


segmento muy especial dentro de la electrnica y sus
aplicaciones y es especficamente el de trabajar a altas
frecuencias de hasta 300MHz, eliminando picos de corriente
y en conmutacin altsima, con bajos niveles de tensin,
umbral bajo y, debido a su construccin, tiempos de
respuesta mucho ms rpidos.

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