El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky fue inventado
por el fsico alemn Walter H. Schottky. A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unin PN, el diodo Schottky tiene una unin Metal-N. QU ES?
Estn normalmente formados por metales como platino y
silicio, es decir un diodo Schottky surge de la unin de un platino, con silicio de tipo n. Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa (VF) muy pequea, del orden de 0.3 V o menos. Reciben tambin el nombre de diodos de recuperacin rpida (Fast recovery) o portadores calientes. SIMBOLO CARACTERISTICAS
Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de
potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta velocidad. APLICACIONES
La principal aplicacin en este tipo de diodos se realiza en
fuentes de baja tensin en la cuales las cadas en los rectificadores son significativas. Circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de energa DESVENTAJAS Las dos principales desventajas del diodo Schottky son: 1. El diodo Schottky tiene poca capacidad de conduccin de corriente en directo (en sentido de la flecha). Esta caracterstica no permite que sea utilizado como diodo rectificador. Hay procesos de rectificacin (por ejemplo fuentes de alimentacin) en que la cantidad de corriente que tiene que conducir en sentido directo es bastante grande. 2. El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR). CONCLUSION
Nos podemos dar cuenta que el diodo Schottky tiene un
segmento muy especial dentro de la electrnica y sus aplicaciones y es especficamente el de trabajar a altas frecuencias de hasta 300MHz, eliminando picos de corriente y en conmutacin altsima, con bajos niveles de tensin, umbral bajo y, debido a su construccin, tiempos de respuesta mucho ms rpidos.