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PELCULAS
Homoepitaxia:
La capa que se crece es qumicamente
similar al sustrato (ejemplo, Si sobre Si).
Heteroepitaxia:
La capa que se crece difiere en trminos
Crecimiento epitaxial de la regin P de un transistor
Tipo MOSFET. qumicos, estructura cristalina, simetra o
parmetros de red con respecto al sustrato
(ejemplo: AlGaAs sobre GaAs, GaN sobre Si
MBE (Molecular Beam Epitaxial)
La oblea:
Se mantiene a una T controlada
(400-900 C)
Es bombardeada por los haces de
los materiales que estn en las celdas
de efusin, de manera que las
molculas que la alcanzan puedan
crecer sobre la superficie con la
orientacin cristalogrfica del sustrato.
Gira constantemente para obtener
La cmara
presenta condiciones de ultra alto va
capas uniformes.
() y est llena de nitrgeno para impedir
la contaminacin e interacciones entre compues
Velocidad de crecimiento ~ 1nm/s.
Celdas de fusin:
Son pequeos crisoles, pueden ser de cuarzo, nitruro de
boro piroltico (PNB) o grafito piroltico (PG).
Estn acoplados con termopares, de este modo se tiene
un control preciso de la temperatura.
Se disean para la evaporacin y sublimacin de
compuestos en rangos de temperatura de 200-1400 C.
Los materiales estndar utilizados en los crisoles son Al,
Ga, In. Tambien pueden utilizarse como una fuente de
dopantes (Si o B).
Se puede mantener una presin de vapor fija para cada
uno de los materiales.
Contienen una pequea apertura de cara a la oblea y los
haces atmicos pueden ser obturados on/off a gran
velocidad.
Ventajas y desventajas
Ventajas:
Versatilidad y simplicidad de su principio de operacin.
El entorno de UHV da lugar a que los haces de tomos o molculas sean
direccionados hacia el cristal del sustrato donde se forman las capas
cristalinas.
Se pueden emplear tcnicas de medida y caracterizacin in situ
(espectroscpa de masas, microscopa SEM, difractmetros) para estudiar
los procesos que tienen lugar en el crecimiento del cristal.
Monitorizacin y herramientas de diagnstico (Sistema de difraccin de
reflexin de electrones muy energticos, RHEED, proporciona informacin
acerca de la limpieza de la superficie del sustrato).
Posibilidad de introducir una gran variedad de dopantes y gran control de su
perfil de dopado.
No hay reacciones qumicas complejas
Gran calidad de los sustratos obtenidos.
Desventajas:
Elevado coste del equipo.
Bajas velocidades de crecimiento
Solo el posible realizar el crecimiento de un oblea a la vez
Recuperados el 27/noviembre/2016
https://www.physik.uni-kl.de/hillebrands/research/methods/molecular-b
eam-epitaxy/
https://repositorio.uam.es/bitstream/handle/10486/2617/1444_granado
s_ruiz_daniel.pdf?sequence=1
http://ocw.usal.es/ensenanzas-tecnicas/materiales-electronicos/conteni
do/MaterialesElectronicos/Tema_3_EPItaxia.pdf