Activacin de un transistor

En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y

la unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los
portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial
emisor-base y llegar a la base .A su vez, prcticamente todos los portadores
que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base
y el colector.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del
nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est
polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En
un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en
la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados
trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se
desbalancea, permitiendo a los
Zona Activa de un Transistor Bipolar
El transistor solo amplifica en esta
zona y se comporta como una
fuente de corriente constante
intermedia, la regin activa. En esta
controlada por la intensidad de
base (ganancia de corriente).para
que un transistor funcione en la
zona activa se debe polarizar la
unin base emisor (B-E)
directamente y la unin base
colector (B-C) inversamente.
Cuando un transistor no est ni en
su regin de saturacin ni en la de
corte entonces est en una regin
regin la corriente de colector
depende principalmente de la
corriente de base y de las
resistencias que se encuentran
conectadas en el colector y emisor.
Esta regin es la ms importante si
lo que desea es utilizar al transistor
como un amplificador de seal
 EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):
va caracterstica del BJT y Zonas de Operaci
Zona
activa

Zona
saturaci Recta de
n carga

Punto de Zona Corte

Operaci
Zona
 Anlisis de
circuito
Transistor en un circuito amplificador
Se va a analizar en primer lugar el
comportamiento del transistor en
Regin Activa Normal
La operacin en RAN se da
cuando la unin BE se polariza en
directa y la BC en inversa. Los tres
puntos caractersticos de esta
regin de operacin son:
-Corriente de colector no nula:
conduccin a travs de la unin BC
pese a que est polarizada en
inversa.
-La corriente de base es muy
inferior a la de colector.
-La corriente de colector es
proporcional a la corriente de
base.
La corriente de base es muy
inferior a la de colector
Si la base es estrecha y est poco
dopada, es relativamente probable que
un electrn la atraviese sin encontrarse
con un hueco. Tpicamente, los BJT se
construyen para que se recombine el
1% de los electrones. En este caso se
obtiene una ganancia de corriente de
100, es decir, la corriente de base es
100 veces inferior a la del colector.
Como la corriente de emisor es la suma
de estas dos, es obvio que su valor es
cercano al de la corriente de colector,
con lo que en la prctica se consideran
iguales (slo operando en RAN).
La corriente de colector es
proporcional a la corriente de base
Centrando la atencin en la
recombinacin de los electrones en
la base procedentes del emisor. All
donde haba un hueco pasa a haber,
tras la recombinacin, un ion
negativo inmvil. Si desaparecen los
huecos de la base y se llena de iones
negativos, se carga negativamente, y
se repelen los electrones
procedentes del emisor. En este caso
se impedira la circulacin de
corriente, es decir, esnecesarioque
la corriente de base reponga huecos
para que haya corriente de colector.
En Conclusin
El transistor bipolar operando en la RAN se
comporta como un amplificador de corriente.
La corriente dbil se reproduce amplificada en un
factor B en I .
De nuevo hay que resear que se trata de un
modelo muy simplificado, que slo da cuenta de los
fenmenos bsicos sealados anteriormente.