Comienza 14-03-2017

Termina 22-06-2017

Aulas Martes 10-12

Jueves 14-16

1 Evaluacin 35% nota .

2 Evaluacin 35% nota
Problemas 30% nota.
CRISTALOGRAFIA Y ESTRUCTURAS
Cdigo 8108285-2

Martn Emilio Mendoza Oliveros

E-mail: mmendozao76@gmail.com
 Resumen

Introduccin
Constituyente de la materia, propiedades, protones, electrones,
cargas elctricas.
Aisladores, conductores y resistencias
Corriente, voltaje, resistencia.
Ley de ohm, resistencia especfica, variacin de la resistencia con
la temperatura.
Problemas
 Ingenieria de Materiales

https://es.wikipedia.org/wiki/Ciencia_de_materiales
Ingenieria de Materiales
 Constitucin de la Materia
Como entender electricidad, magnetismo?

Materiales constituidos por tomos

tomo: partcula mas

pequea de un elemento
que conserva las
caractersticas de este.

Electrones, protones,
neutrones, quarks

El nmero de protones =
nmero de electrones.
tomo de Bohr

Ncleo es aprox. 10-12 cm

Orbita del electrones aprox. 3x10-8 cm
La masa de un protn o neutrn es aprox. 1.67 x10-27 Kg = 1 uma
La masa de um tomo = masa de protones + masa de neutrones
A= Z+N
La masa del electrn es 9.11 x10-31 Kg (despreciable)
Carga del electrn = 1.60 x10-19 C
 Distribucin de electrones en las rbitas
Cada rbita: contiene una mxima cantidad de electrones.
Z = nmero atmico : # electrones = # protones

Cantidad mx de e- = 2*n2

Fuerzas de atraccin y repulsin entre cargas

 Carga Elctrica
La propiedad de ejercer fuerzas de atraccin o repulsin.

tomo
de Si, Z=14

tomo con carga: quito e-, tengo iones, en

tomo neutro, fuerzas este caso tomo carga positiva.
compensadas, carga total= cero Electrones de Valencia
Que caractersticas da el
pozo de potencial?
Conductores, semiconductores, aislantes
Conductores: oponen poca resistencia al paso de electrones. Los que oponen
mucha resistencia: malos conductores o aislantes

Comparacin entre a) modelo

de Bohr y b) mecnica Esquema de energas relativas
ondulatoria en trminos de a los e- para varias capas y
distribucin electrnica subcapas
Callister. Ciencia e Ingenieria de Materiales
Banda de
energa de los
electrones 2s
Energa

Separacin entre bandas de energa

Banda de
energa de los
electrones 1s

Separacin interatmica Separacin

interatmica
Separacin
interatmica
de equilibrio

Callister. Ciencia e Ingenieria de Materiales

 Recordando

Enlace Inico Enlace Covalente

No direccional. Direccional.
Altas energas de enlace: 3-8eV/ Comparte e- de valencia ej: metano
tomo; 600 1500 KJ/mol.
Temperaturas de fusin elevadas.
Cermicas son duras quebradizas,
aislantes. Propiedades son
consecuencia de la configuracin
electrnica y/o naturaleza de el
enlace.
Algunas molculas no metlicas
como H2, Cl2, F2, asi como
molculas contiendo tomos
disimilares (CH4), H2O, HNO3 y HF
son covalentes.
 Recordando
Ncleo de los iones Enlace Metlico

Metales poseen 1, 2 o mximo 3 e-

de valencia.
Esos e- se estn mas o menos libres
forman una nube de e-.
Los e- restantes junto con los ncleos
forman ncleos inicos.
Presenta carcter no direccional.
Energas dbiles o fuertes varan
entre 68 kJ/mol (0.7eV/tomo) para
Hg y 850 kJ/mol (8.8eV/tomo) para W.
Temperaturas de fusin entre -39 y
3410oC.

Nube de electrones
CdTe y tomos de La
HAADF-
STEM

http://www.wpi-aimr.tohoku.ac.jp/ikuhara_labo/HAADF1.jpg
 Material Cristalino
Un material cristalino es aquel en el cual los tomos estn situados en un
arreglo que se repite o que es peridico a lo largo
de grandes distancias, existe orden de largo
alcance, de modo que cuando ocurre una solidificacin los tomos se
posicionan en un patrn tridimensional repetitivo.

Algunas propiedades de los slidos cristalinos dependen de la estructura

cristalina del material o sea de la forma que segn la cual los tomos, iones
o molculas estn organizadas espacialmente.

Que materiales son cristalinos em condiciones normales de solificacin?

Que sera un Material NO Cristalino o amorfo?

Clasificacin de los materiales segn su estructura cristalina

Lmite de grano entre dos cristales de TiO2 Carbono amorfo

Imgenes tomadas en un TEM

 Cristalografa

Ciencia que se ocupa del estudio de la materia cristalina, de las

leyes que gobiernan su formacin y de sus propiedades
geomtricas, qumicas y fsicas.

Formada por las palabras griegas kristallos cristal y graphos que

significa descripcin.

Cristalografa trata de explicar:

Como est organizada la materia cristalina (estructura)
Como crecen los cristales
Que propiedades presenta debido a su organizacin.
Cristalografa
Se clasifica en:
Cristalografa geomtrica estudia morfologa externa de los cristales y su
simetra. Desde el punto de vista macroscpico la materia cristalina e s
considerada como un medio homogneo, discreto, aniso trpico y
simtrico.

Cristalografa qumica: estudia la disposicin de los tomos en la materia

cristalina, su estructura. Considera cristal real, imperfecciones al
contrario de la geomtrica.

Cristalografa fsica: estudia propiedades fsicas de los cristales,

intentando relacionarlas con la composicin qumica y la estructura. Se
deriva n de la interaccin de la radiacin X con la materia, electrones,
neutrones, luz sincrotrn etc.
 Mineral
Producto natural e inorgnico.
Slido homogneo por naturaleza.
Con composicin qumica fija o variable.
Disposicin atmica ordenada tridimensionalmente.
Puede ser homogneo en propiedades fsicas y qumicas o mostrar
variaciones sistemticas pequeas.
Compuestos por tomos, iones o molculas.

Mineraloga puede dividirse en:

Qumica. Composicin y propiedades qumicas.
Fsica. Estudia propiedades fsicas, mecnicas, pticas, elctricas,
magnticas, etc.
Determinativa. Describir tcnicas de identificacin y determinacin de
minerales.
Descriptiva. Describen propiedades cristalogrficas.
Mineralognesis. Gnesis de los materiales.
Mineraloga aplicada: prospeccin, explotacin.
Cristal
Slido en estado cristalino que bajo determinada condiciones de
formacin aparece con la forma de poliedro, es decir limitado por caras
cristalinas, en general con elevado grado de simetra tridimensional.

Slido en el cual los constituyentes sean tomos, molculas o iones

estn organizados en un patrn tridimensional bien definidos que se
repiten en el espacio, formando una estructura con una geometra
especfica.
Magnetosome chain superstructure in
uncultured magnetotactic bacteria

Phys. Biol. 7 (2010) 046016 (11pp)

Propiedades de un medio ordenado peridicamente
Homogeneidad. Ordenacin peridica, los puntos son idnticos entre si.
La distribucin alrededor de un punto es siempre la misma.

Anisotropa. Una direccin es anistropa, cuando vara segn la

direccin en que se considere.

Simetra. Propiedad que hace que un objeto mediante una operacin

coincida consigo mismo.
 Microscopio electrnico de transmisin. Posiciones reales de tomos de
Silicio. Se observa disposicin peridica de grupos atmicos

Titan- DIMat-INMETRO-Brasil
 Red
Un medio ordenado peridicamente puede ser representado por una red.
 Red
Ordenacin peridica infinita de puntos o nudos en una, dos o tres
direcciones en el espacio.

Tipos de red:
Monodimensionales: repeticin peridica de un nudo en una direccin.

Bidimensionales: repeticin peridica de puntos en un plano.

Tridimensionales o espaciales: repeticin peridica de puntos en el espacio.

Buscar cuantos y cuales son las estructuras cristalinas en
trminos de a, b,c y de los ngulos, alfa, beta y gama.
 Elementos de Red
Multiplicidad

Celda elemental: Porcin de la red que por repeticin o traslacin genera la

red completa.
Multiplicidad: Nmero de puntos o nodos que hay por cada celda elemental.
Tipos de clula:
Primitiva: limitado por vectores primitivos. Multiplicidad 1
Mltiple: limitado por vectores no primitivos. Multiplicidad mayor de 1

Vector primitivo Vector no primitivo

http://blog.utp.edu.co/metalografia/
3-cristalografia/
Elementos de Red
Fila Reticular:
Sucesin de puntos o nudos de la red. Los puntos estn alineados y
equidistantes entre si. Para definirlos se usan los ndices [uvw].

Filas fundamentales: Las que estn definidas por las translaciones mas
racionales de la red. Densidad de nudos suele ser la mxima.

Filas fundamentales Filas no fundamentales

Elementos de Red

Familia de filas o planos reticulares:

Serie de filas o planos paralelos entre si.
Hay inmeras familias de planos
crecimiento
Elementos de Red
Motivo:
Unidad material que se repite peridicamente (tomos, molculas etc).
Red:
Esquema de repeticin del motivo.

Mismo motivo, diferente red

 Cristal
Motivo

Red
La diferencia entre cristal y red consiste en que el cristal es un medio continuo,
mientras que la red es discontinua.
Puntos corresponden a repeticiones sucesivas de elementos que se
repiten
Se llama espacio a la distancia entre los planos
de uma misma familia
dhkl

dhkl
Notacin cristalogrfica
Ejes cristalogrficos.
Conjunto de lneas imaginarias paralelas a las aristas limitantes de las
principales caras de un cristal y que se interceptan en el centro de la
clula unitaria.
Sistemas Cristalinos
Sistemas Cristalinos (7)
Empaquetamiento de tomos

Empaquetamiento compacto Empaquetamiento no compacto

Sistema cbico simple

A-A
Sistema cbico de cuerpo centrado (BCC)
Body center cubic (BCC)
Cbico de cuerpo centrado (CCC)

A-B-A
Sistema cbico de cara centrada (FCC)
Face center cubic (FCC)

A-B-C
Hexagonal Compacto (HCP)
Hexagonal close packed (HCP)
A-B-A
Estructuras Compactas
Secuencia de construccin de estructuras compactas

c) Hexagonal compacta, d) cbica centrada en las caras http://ocw.uc3m.es/

Radio Atmico y Estructura de Algunos Metales
Redes de Bravais
Redes de Bravais (14)
Grupos Espaciales (230)
Por combinacin de redes cristalinas, redes de Bravais

Grupos espaciales en 2D
Grupos espaciales en 3D
Grupos espaciales en 3D
Direcciones Cristalogrficas

El espacio en la red es infinito...

La escoja de un origen es completamente arbitrario, una vez que
cada punto del reticulado cristalino es idntico.
La designacin de puntos, direcciones y planos especficos fijados
en el espacio absoluto sern alterados caso el origen sea cambiada.
Todas las designaciones sern auto-consistentes si parten del
origen como referencia absoluta.
Ejemplo: Dada un origen cualquier, habr siempre una direccin
[110] definida unvocamente, y [110] siempre har exactamente el
mismo ngulo con la direccin [100].
Direcciones Cristalogrficas

(o,o,o)

Son representadas entre corchetes=[uvw]

Familia de direcciones= <uvw>
Direcciones Cristalogrficas

Si la substraccin da negativa, se
coloca una barra sobre el nmero
Los nmeros deben ser divididos
o multiplicados por un factor
comn para dar nmeros enteros
 [001]
[111]
[112]

[101]
[021]

[010]

[100] [110]
Algunas direcciones de la familia de direcciones <100>
Estas dos direcciones pertenecen a la misma familia?
Direcciones para el Sistema Cbico

<110> La simetra de esta estructura permite que

las direcciones equivalentes sean
agrupadas para formar una familia de
<111> direcciones:
<100> <100> para las caras
<110> para las diagonales de las caras
66
<111> para las diagonales del cubo
Direcciones para el Sistema Cbico de Cuerpo Centrado

En el sistema BCC los tomos

se tocan a lo largo de la
diagonal del cubo, que
corresponde a la familia de
direcciones <111>
La direccin <111> es la de
mayor empaquetamiento para
el sistema BCC.
Direcciones para el Sistema Cbico de Cara Centrada

En el sistema FCC los

tomos se tocan a lo largo de
la diagonal de la cara que
corresponde a la familia de
direcciones <110>
La direccin <110> es la de
mayor empaquetamiento
para el sistema BCC
Planos Cristalinos. Por que son importantes?
Para la determinacin de la estructura cristalina. Los mtodos de
difraccin miden directamente la distancia entre planos paralelos de
puntos del reticulado cristalino. Esta informacin es usada para
determinar los parmetros de reticulado de un cristal.
Los mtodos de difraccin tambin miden los ngulos entre los planos
del reticulado. Estos son usados para determinar los ngulos inter-
axiales de un cristal.
Para la deformacin plstica
La deformacin plstica (permanente) de los metales ocurre por el
deslizamiento de los tomos, unos sobre os otros en el cristal. Este
deslizamiento tiende a acontecer preferencialmente a lo largo de
planos y direcciones especficos del cristal (planos compactos).

 Planos Cristalinos. Por que son importantes?

Para las propiedades de transporte
En ciertos materiales, la estructura atmica en determinados planos causa
el transporte de electrones y/o acelera la conduccin en estos planos, y
relativamente, reduce la velocidad en planos distantes de estos.
Ejemplo 1: Grafito
La conduccin del calor es mas rpida en los planos unidos
covalentemente sp2 de que en las direcciones perpendiculares a estos
planos.
Ejemplo 2: superconductores a base de YBa2Cu3O7
Algunos planos contienen solamente Cu e O. Estos planos conducen pares
de electrones (llamados pares de cobre) que son los responsables por la
superconductividad. Estos superconductores son elctricamente aislantes
en direcciones perpendiculares a los de los planos Cu-O.
Planos Cristalinos.
Son representados de manera similar a las direcciones
Son representados por los ndices de Miller = (hkl)
Planos paralelos son equivalentes teniendo los mismos ndices
familias {hkl}
Indices de Miller, Planos Cristalinos
En una red cristalina pueden trazarse, en las ms variadas direcciones,
series de infinitos planos paralelos y equidistantes entre s, conteniendo
cada uno de ellos sucesiones lineales de puntos reticulares.

La distancia d entre dos planos consecutivos de una misma familia, se

denomina distancia interplanar.

Cada serie de planos divide a los ejes cristalogrficos en un nmero entero

de partes iguales. El plano cuyas intersecciones con los ejes sean a/h, b/k
y c/l, donde h,k,l, son nmeros enteros sin ningn divisor comn, es el
plano ms cercano al origen perteneciente a una misma familia de planos
paralelos y equidistantes.

Los nmeros h,k,l, identifican la posicin y orientacin del plano respecto a

los ejes cristalogrficos y son denominados ndices de Miller,
escribindose con la notacin (hkl).
Indices de Miller, Planos Cristalinos
stos se hallan directamente reduciendo a los menores nmeros enteros los
valores inversos de las intersecciones fraccionarias con los ejes
cristalogrficos.

Cuando un plano es paralelo a alguno de los ejes, lo intersecta en el infinito y

el ndice de Miller correspondiente es cero (1/=0).

En el sistema hexagonal se suele emplear un tercer ndice i, para designar

completamente a los planos. La existencia de este nuevo ndice viene
impuesta por la conveniencia de utilizar un tercer eje, a3, coplanar con a1 y
a3.

Desde este punto de vista, los planos en este sistema se designan con los
ndices (hkil), denominndose ndices de Miller-Bravais. No obstante, el valor
de i se deduce directamente de los valores h y k, ya que h+k+i=0.
Indices de Miller, Planos Cristalinos
Son conceptos elementares en geometra para la descripcin de direcciones y
planos cristalogrficos.

Planos Cristalogrficos

(hkl) plano
{hkl} famlia de planos
Planos Cristalinos.

Planos (010)
Son paralelos a los ejes x y z
(paralelo la cara)
Cortan un eje (en este ejemplo: y
en 1 y los ejes x e z en )
1/ , 1/1, 1/ = (010)
Planos Cristalinos.

Planos (110)
Son paralelos a un eje (z)
Cortan dos ejes (x e y)
1/ 1, 1/1, 1/ = (110)
Planos Cristalinos.

Planos (111)

Cortam os 3 eixos cristalogrficos

1/ 1, 1/1, 1/ 1 = (111)
Planos Cristalinos.

Cuando las
intersecciones
no son obvias se
disloca el plano
hasta obtener las
intersecciones
correctas

Fonte: Prof. Sidnei Paciornik, Departamento de

Cincia dos Materiais e Metalurgia da PUC-Rio
Planos Cristalinos.
La simetra del sistema cbico hace con que la familia de planos tengan el
mismo arreglo y densidad.
Deformacin en metales envuelve deslizamiento de planos atmicos. El
deslizamiento ocurre mas fcilmente en los planos y direcciones de mayor
densidad atmica.
Planos Cristalinos de Mayor Densidad Atmica en el
Sistema BCC.

La familia de planos {110} en el

sistema BCC es el de mayor
densidad atmica.
Planos Cristalinos de Mayor Densidad Atmica en el
Sistema FCC.

La familia de planos {111} en el

sistema FCC es el de mayor
densidad atmica.
 z

y
Direcciones en el sistema Hexagonal. Miller- Bravais.

[uvtw]

En redes hexagonales, se acostumbra utilizar un cuarto ndice por

comodidad, este puede ser obtenido a partir de los otros ndices de la
base: t = -(u+v)
[uvtw] t = -(u+v)
 [1120]

t = -(u+v)

M. Bizarro. http://www.iim.unam.mx
 u =1
v= 1
w=1

Prof. Scott Ramsay. Universidad de Toronto

 u =1
v= 1
w=1

u =1/3 (2*1 -1) = 1/3 X3=1

v= 1/3 (2*1 -1) = 1/3 X3=1

t= -(1/3+1/3) =-2/3 X3 =-2

w=1 X3 = 3

Prof. Scott Ramsay. Universidad de Toronto [1123]

 u =0
v= 2
w=1

Prof. Scott Ramsay. Universidad de Toronto

 u =0
v= 2
w=1

u =1/3 (2*0 -2) = -2/3 X 3 = -2

v= 1/3 (2*2 -0) = 4/3 X3=4

t= -(-2/3 + 4/3) =-2/3 X3 =-2

w=1 X3 = 3

Prof. Scott Ramsay. Universidad de Toronto [2423]

Planos cristalogrficos en el sistema Hexagonal. Miller-
Bravais.

www.elecnet.chandra.ac.th
 Planos cristalogrficos en el sistema Hexagonal. Miller-
Bravais.

Ibrahim Abuawwad
Morfologa Cristalina
Ren Hay (1743-1822) demostr que la forma
cristalina externa de un mineral (morfologa) era
un reflejo de su orden interno (ordenamiento
atmico.
Morfologa Cristalina
La frecuencia con que la cara de un cristal
aparece es proporcional a el nmero de nodos
que posee (LEY DE BRAVAIS).
Ley de Steno
De la constancia de los ngulos interfaciales.
Los ngulos entre las caras equivalentes de los
cristales del mismo mineral (substancia)
medidos a la misma temperatura son
constantes.
http://pendientedemigracion.ucm.es/info/investig/teaching/pptcrista.htm
Hidro elctrica Central Trmica

Central Nuclear Central Elica

 Generacin de Energa Fotovoltaica

Generacin de energa por movimiento de olas Pila galvnica

 Nanomateriales para aplicaciones elctricas

http://www.nanowerk.com/
http://www.intechopen.com
 Constitucin de la Materia
Como entender electricidad, magnetismo?

Materiales constituidos por tomos

tomo: partcula mas

pequea de un elemento
que conserva las
caractersticas de este.

Electrones, protones,
neutrones, quarks

El nmero de protones =
nmero de electrones.
tomo de Bohr

Ncleo es aprox. 10-12 cm

Orbita del electrones aprox. 3x10-8 cm
La masa de un protn o neutrn es aprox. 1.67 x10-27 Kg = 1 uma
La masa de um tomo = masa de protones + masa de neutrones
A= Z+N
La masa del electrn es 9.11 x10-31 Kg (despreciable)
Carga del electrn = 1.60 x10-19 C
 Distribucin de electrones en las rbitas
Cada rbita: contiene una mxima cantidad de electrones.
Z = nmero atmico : # electrones = # protones

Cantidad mx de e- = 2*n2

Fuerzas de atraccin y repulsin entre cargas

 Carga Elctrica
La propiedad de ejercer fuerzas de atraccin o repulsin.

tomo
de Si, Z=14

tomo con carga: quito e-, tengo iones, en

tomo neutro, fuerzas este caso tomo carga positiva.
compensadas, carga total= cero Electrones de Valencia
Un tomo al que se le ha quitado un
nmero determinado d electrones queda cargado Catin
positivamente, a causa de un exceso de protones.

Si le aadimos electrones a los que en estado

neutro le corresponden la carga del tomo sera
negativa, al tener exceso de electrones. Anin

La carga se mide por el nmero de electrones que un cuerpo tiene

de ms o de menos comparado
con el nmero de protones.
Ley de Coulomb
La propiedad de ejercer fuerzas de atraccin o repulsin.

F= fuerza de atraccin o repulsin entre dos cuerpos

Q= carga
d = distancia
K= constante de proporcionalidad

La unidad de carga en el sistema internacional de medidas es el Coulomb (C).

Es la carga elctrica transportada en 1 segundo por una corriente de 1 Amperio.

1 Culombio = 6.023x1018 electrones = 2.78 x10-4 Ampere-hora

Electricidad
Ej. Metal conductor: cobre. Si una cierta cantidad de e- se traslada de un
tomo a otro a lo largo de todo el material, se genera una corriente elctrica
hay movimiento de cargas elctricas (electrones).
Conductores, semiconductores, aislantes
Conductores: oponen poca resistencia al paso de electrones. Los que oponen
mucha resistencia: malos conductores o aislantes

Comparacin entre a) modelo

de Bohr y b) mecnica Esquema de energas relativas
ondulatoria en trminos de a los e- para varias capas y
distribucin electrnica subcapas
Callister. Ciencia e Ingenieria de Materiales
Banda de
energa de los
electrones 2s
Energa

Separacin entre bandas de energa

Banda de
energa de los
electrones 1s

Separacin interatmica Separacin

interatmica
Separacin
interatmica
de equilibrio

Callister. Ciencia e Ingenieria de Materiales

 Conductor, semiconductor, aislante

<2eV

>2eV

La energa de Fermi es la energa del nivel ms alto ocupado por un sistema

cuntico a temperatura cero (0 K)
Que caractersticas da el
pozo de potencial?
 Recordando

Enlace Inico Enlace Covalente

No direccional. Direccional.
Altas energas de enlace: 3-8eV/ Comparte e- de valencia ej: metano
tomo; 600 1500 KJ/mol.
Temperaturas de fusin elevadas.
Cermicas son duras quebradizas,
aislantes. Propiedades son
consecuencia de la configuracin
electrnica y/o naturaleza de el
enlace.
Algunas molculas no metlicas
como H2, Cl2, F2, asi como
molculas contiendo tomos
disimilares (CH4), H2O, HNO3 y HF
son covalentes.
 Recordando
Ncleo de los iones Enlace Metlico

Metales poseen 1, 2 o mximo 3 e-

de valencia.
Esos e- se estn mas o menos libres
forman una nube de e-.
Los e- restantes junto con los ncleos
forman ncleos inicos.
Presenta carcter no direccional.
Energas dbiles o fuertes varan
entre 68 kJ/mol (0.7eV/tomo) para
Hg y 850 kJ/mol (8.8eV/tomo) para W.
Temperaturas de fusin entre -39 y
3410oC.

Nube de electrones
Corriente elctrica y electrnica

Es un movimiento de electrones.
Tiene el mismo sentido que llevan los electrones, mismo sentido que la
corriente electrnica, de negativo a positivo.
Controversia con libros antiguos, corriente elctrica en sentido contrario
que la electrnica (movimiento de protones no de electrones). Se habla
de corriente real (electrnica) y convencional (movimiento de positivo a
negativo)
Cantidad de electricidad, Culombio
Comparacin caudal de agua y cantidad de electrones que pasa por un
hilo.

Complicado expresar la
corriente elctrica en
electrones, se expresa en
Culombio. 1C= 6 trillones de e-
 Intensidad
Comparacin caudal de agua: # de Litros /segundo.
En electricidad ser # de electrones (culombios/segundo).
La intensidad se mide en amperios (A). Cuando en un segundo
pasa un culombio, se dice que la corriente tiene una intensidad de un
amperio.

I= Q/t Amperios = (Culombios)/ segundos

Em electrnica Amperio es muy grande para las corrientes que se controlan.

Se usa mA (miliamperio), dispositivos de nanotecnologia (nA o pA).
Resistencias
Es la oposicin que un cuerpo presenta al movimiento de los electrones.
La resistencia se mide en ohmios ().
Comparacin con tubera: agua = tubo de mayor o menor dimetro, tubo
largo o corto, interior liso o rugoso. Y en metales?
El tipo de material que esta constituido el conductor tendr influencia en la
resistencia de acuerdo con:

R= (L/A)
L= longitud del cuerpo conductor
A = superficie que presenta al paso de la corriente
= resistividad, depende del tipo de material

Valores: K, M
 Representacin esquemtica de la resistencia.
R

Valores de resistividad
de algunos metales
usados en electrnica.

http://electronicatublogdelsena.blogspot.com.co
 Ejercicio
Calcular la resistencia de un cable de cobre de 100m de longitud y 2
milmetros de dimetro, sabiendo que la resistividad del cobre es 1.678 -m

R= (L/A)

A= (D2/4) = 3.14* ((0.002)2 /4)=3.14x10-6 m

R = 1.678 * (100/3.14x10-6 )

R= 53.4 x106
Resistencias en serie
La oposicin al paso de la
corriente de varias resistencias
en serie es igual a la suma de la
oposicin que presenta cada
una de ellas.

Resistencias en paralelo

3
R paralelo = (R1*R2)/(R1+R2)
R= 1.33
4
Resistencias equivalentes en paralelo
Tensin o potencial de un cuerpo
Cantidad de carga elctrica, positiva o negativa (segn la cantidad de
e- sea menor o mayor que los protones) que tiene un cuerpo por
unidad de volumen.
Cuerpos con igual carga pero diferente volumen no tienen la misma
tensin.
Tensin se mide en voltios (V) . Puede tener carcter positivo o
negativo, segn la carga elctrica que predomine.
 Diferencia de tensin o diferencia de potencial
Es la diferencia entre tensiones existentes entre dos cuerpos.

Se le llama tensin o voltaje (dato de verdadero inters).

Definicin rigurosa: diferencia de potencial existente entre dos puntos ,

seria el trabajo que es necesario realizar con la unidad de carga
elctrica para trasladarla desde un punto a otro punto en sentido
contrario a la direccin del campo elctrico creado por ellos.

Paso de e- desde el polo negativo al positivo que los atrae depende

nicamente de la diferencia entre sus tensiones y no de los voltajes
absolutos que puede tener cada cuerpo.
Ley de Ohm El caudal de
agua que pasa entre los dos
depsitos depende de modo
directamente proporcional del
desnivel entre
sus alturas, e inversamente de
la resistencia, que oponga la
tubera que las une.

Cuerpos con diferentes tensiones, el

que sea mas positivo atraer
electrones del otro
Ley de Ohm
I (Amperios) = V (voltios)/ R (ohmios)
 Referencias

William D. Callister. Materials Science and Engineering. 7th edition.

Zbigniew D. Jastrzebski. The Nature and Properties of Engineering Materials. 2sd

edition.

Electrotecnia Bsica. Departamento de Electrnica IES Juan de la Cierva.

Dawes, CH. L. Tratado de electricidad, Tomo 1 y II.

Senneer, Adolf. Principios de electrotecnia.