Universidade Federal do Rio Grande do Sul

Departamento de engenharia Qumica

Problemas Especiais em Destilao

Eficincia de Torres de
Destilao

Eng Cibele Vencato

Eng Daniela Molina
Eng Samuel Facchin

04/28/17 Problemas Especiais em Destila 1/22

o
 Definies Preliminares

Eficincia Global
Nt
EOC
Nr
Eoc = eficincia global
Nt = n de pratos tericos
Nr = n de pratos reais

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 Definies Preliminares

Eficincia de Ponto
yn

yn yn 1
EOG n
y
n
*
y n 1 Ponto
yn-1

yn* = composio do vapor em equilbrio no

estgio
yn = composio do vapor no estgio
yn-1 = composio do vapor do estgio anterior

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 Definies Preliminares

Eficincia de Murphree
yn

y*n
yn yn 1
EMV
x'n xn-1

y
n
*
y n 1 Prato
xn

y
n-1

A eficincia de Murphree a razo entre a variao de

concentrao no estgio e a variao de concentrao que
ocorreria em um estgio ideal.
Matematicamente a integrao da eficincia de ponto ao
longo de todo o estgio considerado.

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 Definies Preliminares

Relao entre a eficincia global e a eficincia

de Murphree
ln 1 EMV 1 GM
EOC m
ln LM
m = inclinao da curva de equilbrio
GM = Vazo de vapor pela rea de borbulhamento [lbmol/ft.s]
LM = Vazo de Lquido pela rea de borbulhamento [lbmol/ft.s]

A definio acima foi estabelecida por Lewis e est

fundamentada nas seguintes considerao:
Overflow molar constante;
EMV constante

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 Fundamentos da Eficincia de
Ponto

A eficincia de ponto est fundamentada na teoria dos

dois filmes.
A teoria postula a existncia de resistncia transferncia
de massa nas duas fases na regio prxima a interface;

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 Fundamentos da Eficincia de
Ponto
A taxa de difuso molar na interface pode ser definida
como:

N kG i' M ,G yi y Fase Vapor

N k L i' M , L x xi Fase Lquida
N K OG i' M ,G y * y Global em relao ao vapor
N = taxa de difuso molar
[moles/s];
i = rea interfacial total

ai AB h f ai = rea interfacial por unidade de volume [ft/ft]

i' AB = rea de borbulhamento [ft]
12
hf = altura da espuma no prato [in]
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 Fundamentos da Eficincia de
Ponto
Balano Material no Estgio: LMAB
x+dx
GMAB
y+dy

dN GM AB dy LM AB dx
dN

Unidades de Transferncia: LMAB

x
GMAB
y

dy kG ai h f M ,G dx k L ai h f M , L
NG NL
yi y 12 GM x xi 12 LM
dy K OG ai h f M ,G
N OG *
y y 12 GM
y* a composio do vapor em equilbrio com a composio x na
corrente bulk do lquido.

04/28/17 Problemas Especiais 8/22

 Fundamentos da Eficincia de
Ponto
Filme
Lquido
yi

y Lquido
Vapor
x

xi

Filme
Gasoso

A partir das relaes de equilbrio na interface e global em relao ao

vapor:
y m x b
*
yi m xi b
1 1 m M ,G
Chega-se a seguinte relao:
K OG kG k L M , L

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 Fundamentos da Eficincia de
Ponto
Na maioria dos sistemas de destilao a resistncia
transferncia de massa est concentrada na fase vapor, dessa
forma o termo 1/NG dominante.
Dessa forma podemos estabelecer uma relao entre as
unidades de transferncia e a eficincia de ponto.

EOG 1 exp N OG
A expresso acima foi obtida atravs da seguinte integrao,
considerando que na direo vertical o lquido est perfeitamente
misturado e o vapor est em escoamento empistonado:

n
dy yn* yn
N OG * ln *
n 1
y y y
n y n 1

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 Fundamentos da Eficincia de
Ponto
Esquema para converter resistncias de fases em eficincia:
Resistncia
Resistncia
do Filme do Filme
Gasoso Lquido

EOG
Modelo de mistura do lquido
Soma de:
Modelo de mistura do vapor Modelo para
- zonas de escoamento
-Mistura perfeita; mistura no
empistonado;
- Escoamento empistonado. prato
- back mix;
- Zonas de estagnao.
EMV,dry

Correo para Clculo do vazamento

vazamento de lqudo e de lqudo e arraste de
arraste de vapor vapor

EMV

EMC EOC

EOC

04/28/17 Problemas Especiais 11/22

Fundamentos da Eficincia de
Ponto
Relao entre Eficincia de Ponto e Eficincia
de Murprhee
Primeiro modelo desenvolvido por Lewis;
Definiu trs casos de mistura entre lquido e vapor,
considerando sempre escoamento empistonado para o
lquido:
Caso 1: Vapor perfeitamente misturado entre os pratos. A direo
do lquido no tem importncia significativa;
Caso 2: Vapor no se mistura entre os pratos. Lquido se desloca
na mesma direo nos pratos sucessivos;
Caso 3: Vapor no se mistura entre os pratos. Lquido se desloca
em direes alternadas direo nos pratos sucessivos;

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Fundamentos da Eficincia de
Ponto

Caso 1 Caso 2 Caso 3

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 Fundamentos da Eficincia de
Ponto
Os casos propostos por Lewis fornecem a
eficincia mxima atingvel no estgio.
A maioria dos modelos de eficincia de
estgio so baseados no caso 1.
Para esse caso Lewis derivou a seguinte
relao:
exp EOG 1
E MV ,dry

No considera os efeitos de arraste de vapor e
vazamento de lquido.

04/28/17 Problemas Especiais 14/22

 Fundamentos da Eficincia de
Ponto
Colburn props a seguinte correo, considerando que no prato h mistura perfeita
do lquido:

E MV ,dry
E MV e = taxa de arraste [lbmol/h]
e L0= vazo de lquido [lbmol/h]
1 E MV ,dry
L0

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Predio da Eficincia do Prato

Mtodos Tericos
AIChe
Chan & Fair
Zuiderweg
Mtodos Empricos
Correlao de OConnell
Correlao de MacFarland, Sigmund & Van
Winkie
Interpolao de Dados

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 Fatores que afetam a Eficincia
dos Estgios
Erros no equilbrio lquido-vapor;
Padres de escoamento do lquido e m distribuio em
grandes pratos
Pratos grandes tem a tendncia de originar m distribuio de lquido ao longo do
prato, o que faz com que a eficincia baixa.
M distribuio de lquido nos pratos;
Zonas de estagno na periferia do prato diminuem a rea ativa e reduzem a
eficincia do prato;
M distribuio de vapor nos pratos;
O escoamento empistonado do vapor reduz a eficincia do prato onde h zonas de
estagnao;
Mistura no Downcomer;
A reduo de eficincia gerada pela mistura ineficiente em um downcomer
ralativamente pequena, mas ser intensificada pela presena de zonas de
estagnao no prato

04/28/17 Problemas Especiais 17/22

 Fatores que afetam a Eficincia
dos Estgios
Altura do vertedouro;
Aumento na altura do vertedouro aumenta a rea interfacial e o tempo de
contato entre as fases, acarretando um pequeno aumento na eficincia;
Comprimento do percurso do lquido;
Comprimento maior, maior tempo de contato entre vapor e lquido, o que
aumenta a eficincia. No entanto para se ter maior comprimento, deve-se
ter um coluna com dimetro maior, o que pode levar a formao de canais
e zonas de estagnao o que reduz a eficincia;
Frao de rea perfurada;
Eficincia aumenta com a reduo da frao de rea perfurada
Frao de rea perfurada = rea perfurada/rea ativa

04/28/17 Problemas Especiais 18/22

Fatores que afetam a Eficincia
dos Estgios
Dimetro dos furos;
Regime de espuma reduo no dimetro acarreta aumento de eficincia
pequeno ou negligencivel;
Regime de spray reduo no dimetro acarreta reduo na eficincia
Cargas de lquido-vapor;
Aumento na carga de vapor aumenta a rea interfacial mas diminui o
tempo de contato, geralmente o tempo de contato dominante, o que faz
com que a eficincia caia com o aumento da carga de vapor;
Aumento da carga de lquido aumenta a eficincia do prato, pois
aumenta o holdup do lquido e, com isso, aumenta o tempo de contato
entre vapor e lquido

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Fatores que afetam a Eficincia
dos Estgios
Razo de refluxo:
A razo de refluxo no afeta significativamente a eficincia;
Viscosidade:
A eficincia aumenta com a reduo da viscosidade do lquido;
Volatilidade Relativa:
A eficincia aumenta com a reduo da volatilidade relativa;

04/28/17 Problemas Especiais 20/22

Fatores que afetam a Eficincia
dos Estgios
Tenso Superficial:
H incertezas quanto a relao entre tenso superficial e eficincia.
Normalmente difcil separar os efeitos de tenso superficial de outras
propriedades fsicas;
Presso:
A eficincia aumenta levemente com a presso no regime de espuma.
Presses maiores que 150 a 300 psia arraste do vapor no lquido do
downcomer se torna importante e com um aumento maior da presso h
queda na eficincia;

04/28/17 Problemas Especiais 21/22

 Fatores que afetam a Eficincia
dos Estgios
Arraste de lquido-vapor:
Ambos diminuem a eficincia,pois representam a contaminao das
correntes com impurezas
Weeping
O curto-circuito de lquido contamina os pratos inferiores com material
mais voltil e reduz a eficincia;

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