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CH1

SEMI-CONDUCTEUR
EN
ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
INTRODUCTION A LELECTRONIQUE DE COMMUTATION.

GENERALITES
L'lectronique de puissance est une branche de
l'lectricit qui traite de la modification de la
prsentation de l'nergie lectrique pour l'adapter
dans les meilleures conditions aux multiples utilisations
Llectronique de puissance est charge dadapter
lnergie lectrique aux besoins de la charge
utilisatrice.
Elle doit le faire avec un bon rendement nergtique,
tout en ne perturbant pas le rseau de distribution.
L'lectronique de puissance utilise des
convertisseurs statiques construits partir de
composants lectroniques.
Remarque: Les composants lectroniques actifs (Thyristors, transistors,
diodes etc ) se comportent alors comme des interrupteurs: soit ouverts,
soit ferms, soit en train de passer de l'une l'autre des situations
prcdentes

Si les composants lectroniques en commutation


taient parfaits, ils ne consommeraient aucune
nergie ltat bloqu (pas de courant), aucune
nergie ltat passant (pas de tension), et les
temps de commutation (pour passer de lun
lautre des tats prcdents) seraient infiniment
petits.
Mais les composants ne sont pas parfaits; ils consomment
de lnergie l'tat bloqu (lger courant), l'tat satur
(lgre tension) et aussi lors des commutations (passage
de l'tat bloqu vers l'tat satur et rciproquement).

Il convient de chercher rduire ces pertes


autant que possible.
Quelques exemples de convertisseurs statiques quon peut
trouver sur le march :
- ONDULEURS CHARGS DE STABILISER LNERGIE
LECTRIQUE DALIMENTATION DES SYSTMES
INFORMATIQUES SENSIBLES,
- VARIATEURS DE VITESSE CHARGS DALIMENTER
EN NERGIE LES MOTEURS LECTRIQUES LES PLUS
DIVERS (INDUSTRIES, TRACTION FERROVIAIRE,
PROPULSION LECTRIQUE DES NAVIRES),
- CONVERTISSEURS LECTRIQUES POUR ALIMENTER
LE RSEAU DE DISTRIBUTION PARTIR DUNE
SOURCE DNERGIE VARIABLE (OLIENNE, CAPTEURS
SOLAIRES )
- CHARGEURS DE BATTERIES.
-ALIMENTATIONS DCOUPAGE (DE QUELQUES
DIZAINES DE WATT AUX ALIMENTATIONS DE
SCURIT DES CENTRES DE CALCUL DE 1 MW ).
- INTERCONNEXION DES RSEAUX TRS HAUTE
Les fonctions principales de l'lectronique de puissance :

La conversion de l'alternatif vers le continu (convertisseur


AC DC):Redresseur.

La conversion du continu vers l'alternatif (convertisseur


DC AC): Onduleur.

La conversion du continu vers le continu (convertisseur


DC DC): Hacheur et alimentations dcoupage.

La conversion de l'alternatif vers l'alternatif (convertisseur


AC AC): Gradateur;

Cycloconvertisseurs ; Changeurs directs de


frquence.
Un convertisseur peut tre constitu de plusieurs fonctions
1-Les Diodes

1-1. Caractristiques statiques


La diode est linterrupteur lectronique non command
ralisant les fonctions suivantes :
Ferm dans un sens (direct),
Ouvert dans lautre (inverse).
Do les caractristiques statiques idales, figure (1-1) :
Les caractristiques relles des composants disponibles diffrent sensiblement de ces courbes.

1-1.a. Conduction directe.


Si ltat conducteur ou passant, la diode prsente une chute de tension v F non
nulle, fonction croissante de la temprature du cristal et de lintensit du courant i F.

Loin du coude correspondant aux trs faibles valeurs de i F , la caractristique directe


se confond rapidement avec son asymptote linaire et on peut exprimer: v F = f ( iF )
sous la forme :
vF = v(To) +rF iF

O v(To) est la tension de seuil (de 0.6V 1.4V ) et rF est la rsistance dynamique
apparente de la diode de (de 0.1 100m ).
La puissance dveloppe dans la diode du fait des pertes en conduction :

Le constructeur indique les valeurs maximales


acceptables :
de lintensit moyenne du courant direct : IFAV ,
de lintensit efficace du courant direct : IF RMS ,
de lintensit de pointe non rptitive : IFSM ,
de la temprature de jonction en rgime
permanent : TVJ
1-1.b. Conduction inverse.
A ltat bloqu, la diode est traverse par un courant inverse, de fuite, dintensit
trs petite devant celle du courant nominal direct (quelques A quelques mA,
suivant la valeur de IFAV ), figure (1-3).

La puissance moyenne des pertes dans la diode en rgime bloqu est


pratiquement nulle puisque pendant le blocage i R 0 et PF(b) est ngligeable
devant PF(c)

.
1-2. Comportement des diodes en rgime de
commutation
Dans la majorit des applications, les diodes sont utilises
en redressement ou en commutation ; c'est--dire quelles
sont alternativement rendues conductrices ou bloques. Il
est donc important de connatre le comportement dune
diode lors de ltablissement du courant et du blocage.
1-2-1. Commutation ltablissement
a- Description : Lorsquon tablit un courant travers une
diode initialement bloque, sa chute de tension natteint
pas immdiatement sa valeur statique vF , mais passe par
une valeur transitoire notablement plus leve et le courant
direct iF ne stablit pas ncessairement plus vite que le
permettent les autres lments de la maille, figure (1-4).
La fermeture dune diode est caractrise par les grandeurs suivantes :
Surtension la fermeture vFP : sa valeur peut atteindre plusieurs dizaines de
volts
Temps de recouvrement direct tfr : cest la dure qui scoule entre
lapplication de la tension dattaque et le passage de v F(t) une valeur de
rfrence vR ; soit dfinie en fonction de la valeur finale de v F .

-Exemple sur l ordre de grandeurs de vFP et tfr pour


diffrentes diodes :
- Pertes dnergie en commutation la fermeture.

On peut simplifier lvolution de iF(t) et de vF(t ), figure (1-5), entre 0 et tfr en admettant que ses grandeurs sexpriment :

Figure (1-5) : Evolution de vF(t) et de iF(t)


iF(t) = iF
vF(t) = ( VF - VFP). t / tfr + VFP

Lnergie dissipe dans la diode au cours de la transition est :

Si la fermeture est idale


Les pertes dnergie supplmentaire sexprime donc par :

La puissance supplmentaire dveloppe dans le


composant se calcule donc par :

O f dsigne la frquence de fermeture.


1-2-2. Commutation au blocage

Lorsquon applique brusquement une tension inverse aux


bornes dune diode en commutation, figure (1-8), on
constate quelle ne se bloque pas instantanment. Il
scoule en effet un certains temps avant quelle ne retrouve
son pouvoir de blocage, cest le temps de recouvrement
inverse
trr .
Le phnomne de recouvrement inverse peut tre dcompos en
deux phases : lorsquon ferme linterrupteur K , le courant direct
sannule et il stablit un courant irr . A linstant to le courant
dans la diode change de sens. A linstant t1 le courant inverse
passe par son maximum IRM . A cet instant la majorit de la
charge recouvre a t vacue et la diode commence
retrouver son pouvoir de blocage.
On distingue deux types de diodes selon lallure de remonte
du courant de recouvrement :
- les diodes remonte brutale (Snap off), figure (1-10)
- les diodes remonte progressive (Soft record), figure (1-11).
2- Les thyristors

2-1. Caractristique statique des thyristors

Un thyristor possde deux tats stables :


Etat bloqu : Un thyristor est bloqu dans deux situations :
- Il est polaris sous tension ngative VAK 0 ;
- Il est polaris en direct VAK > 0 , mais lintensit du courant de gchette i
G est maintenue nulle.
Etat passant : On lobtient si le thyristor, initialement polaris en direct,
reoit une impulsion de courant suffisante dans la jonction G K . Lintensit
i A est fixe par les autres lments du montage.
Le thyristor se comporte alors comme une diode, mme
aprs extinction du courant de gchette condition que son
courant danode reste suprieure celle du courant de maintien
I H . La chute de tension directe aux bornes du thyristor est :
vAK = v(To) + rT iA

v(To) : Tension de seuil
rT : Rsistance dynamique du composant

La puissance instantane dveloppe dans le


composant est :
pA (t) = v(To) iA (t) + rT iA2 (t)
Sa valeur moyenne est :
PA = v(To) IAmoy + rT IArms2

2-2-2. Blocage dun thyristor.


On rappelle que pour bloquer un thyristor conducteur,
il est ncessaire dteindre son courant direct pendant
une dure suprieure son temps de recouvrement.
Les procds de blocage sont classs en trois grandes
familles :
Blocage en tension : un thyristor auxiliaire Tha ,
command la fermeture la date to applique une
tension inverse aux bornes du thyristor bloquer,

Blocage en courant sous faible tension,

Blocage mixte et rciproque o le thyristor


bloquer est successivement priv de courant
puis plac sous tension inverse.
3- Les transistors bipolaires

Un transistor travaillant en commutation ne peut occuper de


faon stable que deux tats :
- tat bloqu, il suffit thoriquement de ne pas alimenter sa
base,
-tat satur, il faut envoyer sa base un courant suprieur
ic / ; o est le gain statique.
3-1. Commutations

a - Amorage

Lamorage est caractris :


- Un temps de retard td delay time entre linstant
dapplication de iB et le passage de ic 10% de sa valeur
finale,
- Un temps de monte tr rise time entre linstant de
passage de ic entre 10% et 90% de sa valeur finale.
Le constructeur indique le temps de fermeture ton = td + tr .
b - Ouverture

Louverture est caractrise :


- Un temps dvacuation de la charge stocke ts storage
time entre la suppression de iB et le passage de ic 90%
de sa valeur initiale,
- Un temps de descente tf fall time entre linstant de
passage de ic entre 90% et 10% de sa valeur initiale.
Le constructeur indique le temps douverture toff = ts + tf .
3-2. Problmes poss par la commutation

En admettant que le courant collecteur ic volue linairement en


fonction du temps lors des transitions (mise en conduction et
blocage). Les chronogrammes de ic , vce et PT ont les allures
indiques par la figure (1-31).
On dispose ainsi dun cycle qui traduit le fonctionnement
du transistor sur une priode de fonctionnement. La
puissance instantane est maximale au point P qui doit
rester lintrieur de laire de scurit du transistor.
Durant la commutation, les pertes sont leves. On se
propose de les rduire en ajoutant un circuit auxiliaire dit
circuit daide la commutation , figure (1-32) .

Ce circuit permet :
- louverture, un condensateur C , mis en parallle
sur Tr limite la croissance de vce ,
- la fermeture, une inductance L , mise en srie
avec le transistor, limite la monte du courant i c .
- Une diode DL permet lextinction du courant ic
avant la fermeture suivante.
- Une rsistance Rc limite le courant de dcharge
de C la fermeture.
4- Les transistors effet de champ - MOSFET

Le transistor MOSFET est un interrupteur unidirectionnel en


tension et bidirectionnel en courant.
A lavantage dune commande relativement simple qui ncessite
peu de puissance.
En lectronique de puissance, il est utilis comme lment de
commutation et par consquent prsente deux tats distincts.

Figure 6. Structure dun transistor MOSFET canal N et enrichissement, Symbole,


Caractristique.
5 - Les transistors IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor

Les concepteurs ont voulu avoir les avantages


suivants :
Tension leve ltat ouvert,
Tension faible ltat ferm,
Facile commander,
Bonnes performances dynamiques.

Figure 7. Structure dun transistor IGBT,


Symbole et Caractristiques .
Les IGBT sont trs rpandus dans les systmes de
conversion conus depuis les annes 1990. Il est
utilis dans le domaine des moyennes et fortes
puissances.
Ce composant est command en tension.
Lamorage est identique celui du MOSFET.
Ces composants sont de plus en plus utiliss dans
les systmes modernes de traitement de lnergie
lectrique, comme les onduleurs, les redresseurs,
les convertisseurs multi-niveaux,
5- Thyristors GTO
Par rapport au thyristor classique, le thyristor GTO
est en plus commandable louverture par un
courant, iG ngatif.
Du point de vu de sa commande, la gchette est
parcourue en permanence lors de la phase de
conduction, par le courant iG.
Un autre inconvnient est la prsence de pertes
importantes lors de louverture.

Figure 8. Symboles, Caractristiques relle et idale dun Thyristor GTO.


Rcapitulatif
LES INTERRUPTEURS ELECTRONIQUES
Comparaison entre les diffrents
interrupteurs entirement
commandables:

Ce tableau reprsente les caractristiques des


diffrents interrupteurs. Il est bien vident quun tel
tableau ne peut pas faire apparatre les subtilits
entre les diffrents semi-conducteurs. Il permet
davoir une vue densemble de leurs performances.