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Universidad de Oviedo

Leccin 5

EL MOSFET DE POTENCIA

Sistemas Electrnicos de Alimentacin


5 Curso. Ingeniera de Telecomunicacin
Ideas generales sobre el transistor de Efecto de Campo de Metal-xido-
Semiconductor

El nombre hace mencin a la estructura interna: Metal Oxide


Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Es un dispositivo unipolar: la conduccin slo es debida a un tipo


de portador
Los usados en Electrnica de potencia son de tipo acumulacin

D D
EL MOSFET DE POTENCIA

G G
S S
Canal N Canal P
Conduccin debida Conduccin
a electrones debida a huecos

Los ms usados son los MOSFET de canal N


La conduccin es debida a los electrones y, por tanto, con mayor
movilidad menores resistencias de canal en conduccin
Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin

Curvas caractersticas del MOSFET

- Curvas de salida
ID
D ID [mA]
+ VGS = 4,5V
G VDS 4
+ S -
EL MOSFET DE POTENCIA

VGS = 4V
VGS
- 2 VGS = 3,5V
Referencias normalizadas VGS = 3V
VGS = 2,5V VDS [V]
0 2 4 6
VGS < VTH = 2V

- Curvas de entrada:
No tienen inters (puerta aislada del canal)
Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin

Zonas de trabajo
ID [mA]
ID
VGS = 4,5V
2,5K 4
VGS = 4V
D
+
2 VGS = 3,5V
G VDS
S - 10V VGS = 3V
+
EL MOSFET DE POTENCIA

VGS VGS = 2,5V


- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente


(sin inters en electrnica de potencia)

Comportamiento como circuito abierto


Ideas generales sobre los MOSFETs

Precauciones en el uso de transistores MOSFET


- El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos
- El xido se puede llegar a perforar por la electricidad esttica de
los dedos. A veces se integran diodos zener de proteccin
- Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los MOSFET
de enriquecimiento
EL MOSFET DE POTENCIA

S G D D

N+ N+
G
P-
S
+

Substrato
Estructura de los MOSFETs de Potencia

Estn formados por miles de celdas puestas en paralelo (son


posibles integraciones de 0,5 millones por pulgada cuadrada)
Los dispositivos FET (en general) se paralelizan fcilmente
Algunas celdas posibles

Fuente Fuente Puerta


Puerta
EL MOSFET DE POTENCIA

n+ n+ n+ p
p n-
n-
n+ S
n+ G
Drenador
Drenador Estructura en
trinchera D
Estructura planar
(D MOS) (V MOS)
Encapsulados de MOSFETs de Potencia

En general, semejantes a los de los diodos de potencia (excepto los


encapsulados axiales)
Existe gran variedad
Ejemplos: MOSFET de 60V
EL MOSFET DE POTENCIA

RDS(on)=9,4m, ID=12A
RDS(on)=12m, ID=57A

RDS(on)=5,5m, ID=86A RDS(on)=9m, ID=93A


RDS(on)=1.5m, ID=240A
Encapsulados de MOSFETs de Potencia

Otros ejemplos de MOSFET de 60V


EL MOSFET DE POTENCIA

RDS(on)=3.4m, ID=90A
Caractersticas fundamentales de los MOSFETs de potencia

1 -Mxima tensin drenador-fuente


2 -Mxima corriente de drenador
3 -Resistencia en conduccin
4 -Tensiones umbral y mximas de puerta
5 -Velocidad de conmutacin

1 Mxima tensin drenador-fuente


Corresponde a la tensin de ruptura de la unin que forman el substrato (unido a
EL MOSFET DE POTENCIA

la fuente) y el drenador.
Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qu pequea
circulacin de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)
1 Mxima tensin drenador-fuente

La mxima tensin drenador-fuente de representa como VDSS


o como V(BR)DSS

Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia

Baja tensin Media tensin Alta tensin


15 V 100 V 500 V
EL MOSFET DE POTENCIA

30 V 150 V 600 V
Ejemplo de 45 V 200 V 800 V
clasificacin 55 V 400 V 1000 V
60 V
80 V
2 Mxima corriente de drenador
El fabricante suministra dos valores (al menos):

- Corriente continua mxima ID

- Corriente mxima pulsada IDM


EL MOSFET DE POTENCIA

La corriente continua mxima ID depende de la


temperatura de la cpsula (mounting base aqu)

A 100C, ID=230,7=16,1A
3 Resistencia en conduccin

Es uno de los parmetro ms importante en un MOSFET.


Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo

Se representa por las letras RDS(on)

Para un dispositivo particular, crece con la temperatura


Para un dispositivo particular, decrece con la tensin de
puerta. Este decrecimiento tiene un lmite.
EL MOSFET DE POTENCIA

Drain-source On Resistance, RDS(on) (Ohms)


3 Resistencia en conduccin

Comparando distintos dispositivos de valores de ID semejantes,


RDS(on) crece con el valor de VDSS
EL MOSFET DE POTENCIA
3 Resistencia en conduccin

En los ltimos tiempos se han mejorado sustancialmente los valores


de RDS(on) en dispositivos de VDSS relativamente alta (600-1000 V)

MOSFET de 1984
EL MOSFET DE POTENCIA

MOSFET de los aos 2000


4 Tensiones umbral y mximas de puerta
La tensin puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para que
comience a haber conduccin entre drenador y fuente

Los fabricantes definen la tensin umbral VGS(TO) como la tensin


puerta-fuente a la que la corriente de drenador es 0,25 mA, o 1 mA
Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-4 V
EL MOSFET DE POTENCIA
4 Tensiones umbral y mximas de puerta

La tensin umbral cambia con la temperatura


EL MOSFET DE POTENCIA
4 Tensiones umbral y mximas de puerta
La mxima tensin soportable entre puerta y fuente es
tpicamente de 20V
EL MOSFET DE POTENCIA
5 Velocidad de conmutacin
Los MOSFET de potencia son ms rpidos que otros dispositivos
usados en electrnica de potencia (tiristores, transistores bipolares,
IGBT, etc.)
Los MOSFET de potencia son dispositivos de conduccin unipolar. En
ellos, los niveles de corriente conducida no estn asociados al aumento
de la concentracin de portadores minoritarios, que luego son difciles de
eliminar para que el dispositivo deje de conducir
La limitacin en la rapidez est asociada a la carga de las capacidades
EL MOSFET DE POTENCIA

parsitas del dispositivo


Hay, esencialmente tres:

- Cgs, capacidad de lineal D


- Cds, capacidad de transicin Cds k/(VDS)1/2
Cdg

- Cdg, capacidad Miller, no lineal, muy importante Cds


G
S
Cgs
5 Velocidad de conmutacin
Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran informacin de
tres capacidades distintas de las anteriores, pero relacionadas con ellas:

- Ciss = Cgs + Cgd con Vds=0 ( capacidad de entrada)

- Crss = Cdg (capacidad Miller)

- Coss = Cds + Cdg ( capacidad de salida)


EL MOSFET DE POTENCIA

Coss

Ciss
5 Velocidad de conmutacin
Ejemplo de informacin de los fabricantes
EL MOSFET DE POTENCIA

Ciss = Cgs + Cgd


Crss = Cdg
Coss = Cds + Cdg
5 Velocidad de conmutacin

La carga y la descarga de estas capacidades parsitas generan


prdidas que condicionan las mximas frecuencias de conmutacin
de los MOSFET de potencia

Carga y descarga de un condensador desde una resistencia

En la carga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV12
V1 R - Energa almacenada en C = 0,5CV12
EL MOSFET DE POTENCIA

C
En la descarga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV12

Energa total perdida: CV12 = V1QCV1

Adems, en general estas capacidades parsitas retrasan las


variaciones de tensin, ocasionando en muchos circuitos convivencia
entre tensin y corriente, lo que implica prdidas en el proceso de
conmutacin
5 Velocidad de conmutacin

Anlisis de una conmutacin tpica en conversin de energa:


- Con carga inductiva
- Con diodo de enclavamiento
- Suponiendo diodo ideal
EL MOSFET DE POTENCIA

IL

Cdg

Cds V2
V1 R
Cgs
5 Velocidad de conmutacin
Situacin de partida:
- Transistor sin conducir (en bloqueo) y diodo en conduccin
- Por tanto: vDG = V2, vDS = V2 y vGS = 0

iDT = 0 y iD = IL

- En esa situacin, el
interruptor pasa de B a A
IL
EL MOSFET DE POTENCIA

iD
vDG
+ iDT
Cdg + +
- +
-
A - vDS V2
V1 R + Cds -
B
vGS Cgs
-
5 Velocidad de conmutacin
iDT = 0 hasta que vGS = VGS(TO)

vGS vDS = V2 hasta que iDT = IL


BA
VGS(TO)
Pendiente determinada
vDS por R, Cgs y por Cdg(V2)
EL MOSFET DE POTENCIA

IL
iDT IL iD
vDG
+ iDT
Cdg + +
- +
A - - vDS V2
V1 R + + Cds -
B
vGS -
Cgs
-
5 Velocidad de conmutacin
La corriente que da V1 a travs de R se
emplea fundamentalmente en descargar
vGS
Cdg prcticamente no circula
BA
corriente porCgs vGS = Cte
VGS(TO)

vDS
EL MOSFET DE POTENCIA

IL
iDT IL
vDG
+ iDT
Cdg + +
- +
A - - vDS V2
V1 R + + Cds -
B
vGS -
Cgs
-
5 Velocidad de conmutacin
Cgs y Cdg se continan

vGS V1
BA
Constante de tiempo determinada
VGS(TO) por R, Cgs y por Cdg(V1)
vDS
EL MOSFET DE POTENCIA

IL
iDT IL
vDG
+ iDT
Cdg -
+
- +
A vDS V2
V1 R + + Cds -
B
vGS -
Cgs
-
5 Velocidad de conmutacin

vGS V1
BA
VM
VGS(TO) Valoracin de prdidas entre t0 y t2:

vDS - Hay que cargar Cgs (grande) y


descargar Cdg (pequea) VM voltios

- Hay convivencia tensin corriente


EL MOSFET DE POTENCIA

entre t1 y t2
iDT iDT
IL

iDT
Cdg + + +
t0 t1 t2 t3
- -
PVI vDS V2
+ + Cgs Cds -
vGS -
-
5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de prdidas entre t2 y t3:
vGS V1 - Hay que descargar Cds hasta 0 e
BA invertir la carga de Cdg desde V2-VM
VM
VGS(TO) hasta -VM
vDS - Hay convivencia tensin corriente
entre t2 y t3

iCdg+iCds+IL
EL MOSFET DE POTENCIA

iDT iCdg iDT = IL


IL
iCds
Cdg + + +
t0 t1 t2 t3
- IL
PVI - vDS
+ + Cgs Cds -
vGS -
-
5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de prdidas a partir de t3:
vGS V1
BA - Hay que acabar de cargar Cgs y Cdg
VM hasta V1
VGS(TO)
- No hay convivencia tensin
vDS
corriente salvo la propia de las
prdidas de conduccin
EL MOSFET DE POTENCIA

iDT iCdg iDT = IL


IL
iL
Cdg -
+
t0 t1 t2 t3
+ IL
PVI vDS
+ + Cgs Cds -
vGS -
-
5 Velocidad de conmutacin

Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga


de puerta: vGS
- La corriente que da la fuente V1 es aproximadamente
constante entre t0 y t3 (comienzo de una exponencial, con
IV1 V1/R)
- De t0 a t2, la corriente IV1 se ha encargado
iV1 Qdg
esencialmente en cargar Cgs. Se ha suministrado una
carga elctrica Qgs Qgs
EL MOSFET DE POTENCIA

- De t2 a t3, la corriente Iv1 se ha encargado en invertir la


carga de Cdg. Se ha suministrado una carga elctrica Qdg
t0 t2 t3
- Hasta que VGS = V1 se sigue suministrando carga. Qg
es el valor total (incluyendo Qgs y Qdg) Qg
- Para un determinado sistema de gobierno (V1 y R),
cuanto menores sean Qgs, Qdg y Qg ms rpido ser el
iV1 R
transistor
- Obviamente t2-t0 QgsR/V1, t3-t2 QdgR/V1 y PV1 = V1QgfS, V1
siendo fS la frecuencia de conmutacin
5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga de puerta:
Informacin de los fabricantes

IRF 540

BUZ80 MOSFET de 1984


EL MOSFET DE POTENCIA

MOSFET de los aos 2000


5 Velocidad de conmutacin

Otro tipo de informacin suministrada por los


fabricantes: conmutacin con carga resistiva

VDS VGS
90%

10%
EL MOSFET DE POTENCIA

td on tr td off tf iDT
RD
td on : retraso de encendido
D
+
tr : tiempo de subida RG vDS
G
td off : retraso de apagado + + S -
tf : tiempo de bajada vGS
-
5 Velocidad de conmutacin

Otro tipo de informacin suministrada por los


fabricantes: conmutacin con carga resistiva

IRF 540
EL MOSFET DE POTENCIA

iDT
RD
td on : retraso de encendido
D
+
tr : tiempo de subida RG vDS
G
td off : retraso de apagado + + S -
tf : tiempo de bajada vGS
-
Prdidas en un MOSFET de potencia
Prdidas por convivencia tensin corriente entre drenador y fuente

vGS

vDS Pcond = RDS(on)iDT(rms)2


EL MOSFET DE POTENCIA

Pconm = fS(w on + w off)

iDT

PVI Won Prdidas en conmutacin

Prdidas en
conduccin Woff
Prdidas en un MOSFET de potencia

Prdidas en la fuente de gobierno


iV1

vGS V1 R

Circuito terico
iV1 Qdg
EL MOSFET DE POTENCIA

Qgs
iV1

t0 t2 t3 V1
Qg
RB
PV1 = V1QgfS
Circuito real
El diodo parsito de los MOSFETs de potencia

El diodo parsito suele tener malas caractersticas, sobre


todo en MOSFETs de alta tensin

IRF 540
EL MOSFET DE POTENCIA

G
S
El diodo parsito de los MOSFETs de potencia

El diodo parsito en un MOSFET de alta tensin


EL MOSFET DE POTENCIA
Caractersticas trmicas de los MOSFETs de potencia
Es vlido todo lo comentado para los diodos de potencia
EL MOSFET DE POTENCIA

Este fabricante denomina mounting base a la cpsula


y suministra informacin de la RTHja = RTHjc + RTHca