CONTENIDO

Captulo I: Diodos semiconductores

Captulo II: Aplicaciones del diodo
Captulo III: Transistor de unin bipolar
Captulo IV: Polarizacin de CD: BJT
Captulo V: Transistores de efecto de campo
Captulo VI: Polarizacin del FET
Captulo VII: Modelado del transistor BJT
Captulo VIII: Anlisis del pequea seal del BJT
Captulo IX: Anlisis del pequea seal del FET
Captulo X: Manejo de sistemas: efectos de RS y RL
Captulo XI: Amplificadores operacionales
 Captul
oI

Diodos
semiconductores
p n
Es el ms sencillo de los dispositivos
semiconductores que desempea un papel
vital en los sistemas electrnicos, con sus
caractersticas que se asemejan en gran
medida a las de un sencillo interruptor

Diodo de baja potencia. P K

Diodo de media potencia.
Diodo de alta potencia.

P K
Es un dispositivo de dos
terminales.

Smbolo:
P = Placa P K
K = Ctodo

DIODO IDEAL
Las caractersticas de un diodo ideal son
aquellas de un interruptor que puede conducir
corriente en una sola direccin.
+ ID Polarizacin directa

+ VD -
+ VD -
ID

ID
- +
VD

Smbolo - VD +
Caractersticas ID
Polarizacin inversa -

 El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la
regin de conduccin.
Adems, el diodo ideal, es un circuito abierto en la regin en
la que no hay conduccin

Corto circuito ID
+ VD - ID0 mA
ID ( limitada por el circuito) rd =0
(a)
Vd =0 V
VD
ID0 mA
Circuito abierto
VD +
- rd =
Vd = Mx
ID =0 (b)

Estados del diodo ideal: (a) de conduccin y (b) de no

conduccin del diodo ideal, determinados por polarizacin
aplicada.
DIODO REAL
Circuitos equivalentes del diodo: Un circuito equivalente es una
combinacin de elementos escogidos de manera adecuada para
representar de la mejor forma las caractersticas terminales
reales de un dispositivo, sistema o similar en una regin
I (mA)
particular de operacin 10
D

+ VD - 9
diodo ideal
Vd rd 8
+ -
7
0.7 V 10 6
ID ID rd
5
4

Vd 0.7 V Circuito cerrado 0.7 V(VT ) 3

2
Vd 0.7 V Circuito abierto 1
0.7 V

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 V (V)

Vd D

Para la mayor parte de las aplicaciones, la resistencia rd es
lo suficientemente pequea como para ignorarse si se
compara con otros elementos de la red.
ID

+ VD -
diodo ideal
rd Vd= 0.7 V

ID

0 Vd= 0.7 V VD

Circuito equivalente simplificado para el diodo semiconductor de silicio

Materiales semiconductores
Conductor:
Cualquier material que soporte un generoso flujo de
carga cuando se aplica una fuente de voltaje de
magnitud limitada a travs de sus terminales.

Aislante:
Es un material que ofrece un nivel muy pobre de
conduccin bajo la tensin de una fuente de voltaje
aplicada.

Semiconductor:
Es un material que tiene un nivel de conductividad
situado entre los casos extremos de un aislante y un
conductor.

RESISTIVIDAD:
R
A L
R | R |
L A
(cm 2 ) (1cm)
1 cm. ( ) ...( cm) | R | 2
...(| | ohms )
cm (1cm )

A =1 cm2. l =1 cm.

NIVELES DE RESISTENCIA
VD
Resistencia de CD o esttica: RD
ID
Vd
Resistencia de CA o dinmica: RD
I d

Niveles de energa
Cuanto ms distante del ncleo est el electrn, mayor ser el estado
de energa y cualquier electrn que haya abandonado su tomo padre
tiene un estado de energa ms alto que el de cualquier electrn en la
estructura atmica
Energa
Nivel de Valencia
(capa ms exterior que contiene los electrones orbitales)
Banda de Energa
Segundo Nivel
(siguiente capa en la estructura atmica)
Banda de Energa
Tercer Nivel ( etc. )

Etc.

Ncleo

Niveles discretos en estructuras atmicas

Bandas de valencia y de conduccin de un aislador
semiconductor y conductor

Energa Energa Energa

Banda de conduccin Electrones

libres para Banda de conduccin
establecer la
conduccin
Las Banda de conduccin
bandas
Eg > 5 e V Eg se
traslapan
Electrones Banda de valencia
de valencia
enlazados a
Banda de valencia
estructura
Banda de valencia atmica

Eg= 1.1 e V (Si)

Aislador Conductor
Eg= 0.67 e V (Ge)
Semiconductor
 Enlace covalente
Estructura atmica
del tomo de silicio:
Capas
silicio
- - -
- Si - - Si - - Si -
Ncleo
- - -
Electrones compartidos
+ Electrones - - -
orbtales
- Si - - Si - - Si -
- - -
Electrones de valencia
- - -
- Si - - Si - - Si -
- - -
+
Electrones
de valencia
Un enlace de tomos, reforzado por
(4 cada uno) los electrones compartidos, recibe el
germanio nombre de enlace covalente

Clasificacin de los semiconductores

1.- Semiconductores Intrnsecos:

son aquellos semiconductores que se han refinado con
todo cuidado para reducir las impurezas a un nivel muy
bajo)

2.- Semiconductores Extrnsecos:

Son los semiconductores que estn dopados, esto es que
tienen impurezas. Hay 2 tipos :
Semiconductores tipo n.
Semiconductores tipo p.

 Semiconductores tipo n
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia
se denominan tomos donadores, tienen un exceso de electrones
externos no encadenados a la estructura
Energa
- - -
- Si - - Si - - Si -
- - -
Quinto electrn de
Eg = 0.05eV(Si),
valencia del Banda de conduccin
- - -
antimonio 0.01eV(Ge)
- Si - - Si - - Si - Nivel de
- - -
Impureza de Banda de valencia energa
antimonio (Sb) donador
- - -
- Si - - Si - - Si -
- - -
Efecto de las impurezas donadoras sobre la
Impureza de antimonio en un material tipo n estructura de las bandas de energa

 Semiconductores tipo p
Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se
denominan tomos aceptadores. Los espacios por llenar se
denominan huecos" y tienen las caractersticas de cargas
positivas
- - -
- Si - - Si - - Si - - - -
- - - - Si - - Si - - Si -
Vacante - - -
- - -
- Si - - Si - Si - - - +
- - - - Si - - Si - - Si -
Impureza de boro (NB) - - -
- - -
- Si - - Si - - Si - Flujo de hueco
- - - Flujo de electrones
Impureza de boro en un material tipo p Flujo de electrones contra flujo de huecos

Portadores mayoritario y minoritario

En un material tipo n el En un material tipo p el

electrn se denomina portador hueco es el portador mayoritario
mayoritario y el hueco, portador y el electrn es el portador
minoritario minoritario

Tipo n Tipo p
(+) Iones donadores (-) Iones aceptores
- electrn (mayoritario) - electrn (minoritarios)
o huecos (minoritarios) o huecos (mayoritarios)

DIODO SEMICONDUCTOR
Contacto
Contacto
El diodo semiconductor se hmico rectificante

forma uniendo los materiales nodo o Placa Ctodo

tipo n y tipo p (construidos a P N

partir del mismo material
base, Ge o Si) + -
E
Puesto que el diodo es un dispositivo de dos terminales, la
aplicacin de un voltaje a travs de sus terminales implica una
de tres posibilidades
No hay polarizacin (VD = 0V)
Hay polarizacin directa (VD > 0V)
Hay polarizacin inversa (VD < 0V)

Caractersticas del diodo semiconductor de silicio
ID (mA)

20 I D I S (e kVD / Tk 1)
19
18
17
16
15
14
13
Direccin de pola-
12
11 rizacin definida
para la grfica
10
9 VD
8
+ -
7 ID
6
5
Regin de
4 polarizacin directa
3
2 (VD >0 V, ID >0 mA)
IS
1
-40 -30 -20 -10 0 0.3 0.5 0.7 1 VD (V)
-0.1A
-0.2A
Polarizacin inversa Regin de no polarizacin
-0.3A
(VD <0 V, ID =-IS) (VD =0 V, ID=0 mA)
-0.4A

Sin Polarizacin aplicada (VD = 0V)
Regin de Agotamiento

+ + + - - + + - -
+ - - + + -
- + - - + + - + -
+
- + + - - + + +
- - + + - -
+ +-+ - - - + -
+ +

V=0V

En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo

neto de carga en cualquier direccin para un diodo
semiconductor es cero

Condicin de polarizacin inversa
(VD < 0V)
IS
Imayoritarios = 0
+ + - - - - + + + + -
+ - - - - - + + + + -
+ - - - - + + + ++ -
- -
+ - - - - + + + + + +
- - - - + + + + -
+ +
- - - - - + + + + + -
Regin de Agotamiento IS
IS
+ -

La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin

inversa se denomina corriente de saturacin inversa y se
representa con IS.

 Condicin de polarizacin directa
(VD > 0V)
IS
Imayoritarios = 0
+ - - + + -
++ -
+ - + - - + + -
-
+ - - + + + -
+ + - - + + +
+ -
- - +
- - -
+
+ + + - - - +- -
- + +
Regin de Agotamiento IO
IO
+ -

El diodo semiconductor est polarizado directamente cuando

se ha establecido la asociacin entre tipo p y positivo, as como
entre tipo n y negativo.

DIODO ZENER
Ctodo
- -
El diodo Zener es un
diodo de silicio que se ha VD
diseado para que trabaje VZ IZ ID

en la zona de ruptura.

+
+
nodo
Direccin de conduccin
CIRCUITO EQUIVALENTE ZENER

VZ
VZ
rZ

Circuito equivalente Circuito equivalente

completo aproximado
La zona de polarizacin
directa en el diodo Zener
funciona igual que un ID (mA)

diodo rectificador.
En la zona inversa, antes de
llegar a la zona de ruptura Zona de
polarizacin
circula una pequea directa
corriente inversa. IS
VZ
Cuando se alcanza la 0 VD (V)
tensin de ruptura, Vz, el Zona inversa
diodo conduce
mantenindose la tensin Regin Zener
prcticamente constante Curva caracterstica de un diodo Zener

Otras observaciones
Para: Para: Para:

El diodo acta como un El diodo se encuentra Ocurre la ruptura

diodo convencional en conectado en de Zener y el diodo
directo reversa, sin llegar al mantiene un voltaje
potencial de ruptura casi constante -VZ
de Zener. Se
comporta como
circuito abierto

 DIODO EMISOR DE LUZ O LED
Un led es un diodo de unin
p-n trabajando en
polarizacin directa, el cual
en lugar de disipar la energa
en forma de calor, lo hace en
forma de luz.

Los led pueden radiar luz

roja, verde, amarilla, naranja
o infrarroja (invisible).

LED (Light Emitter Diode) = Diodo Emisor de Luz

Principio de funcionamiento

+ -

ID VD

Proceso de electroluminiscencia en el LED

 Captul
o II

Aplicaciones del
diodo
La gama de aplicaciones es interminable, aun
cuando sus caractersticas y modelos siguen siendo
los mismos.

Es importante que se comprenda la funcin y la

respuesta de diversos elementos de un sistema
electrnico sin tener que recurrir continuamente a
tediosos procedimientos matemticos. Esto se realiza
por lo general a travs del proceso de
APROXIMACIN.

Anlisis por Recta de Carga
La interseccin de la recta de carga con las caractersticas
determinar el punto de operacin del sistema.
Considrese la red con un diodoI (mA)
y sus caractersticas
siguientes.I D

Caractersticas (dispositivo)

VD

E R VR

Configuracin de diodo en serie:

0
VD (V)
Aplicando la ley de Voltaje de Kirchhoff:

E VD VR 0 E VD I D R
 Si establecemos VD = 0 V,
se obtiene:
E VD I D R ID

Caractersticas (dispositivo)
E 0V I D R
E/R
E
ID V D 0V
R Punto Q
IDQ

Si establecemos ID = 0, se Recta de carga (red)

obtiene:
E VD I D R
E 0V ( 0 A ) R
VD E ID 0 A

0 VDQ E VD

La interseccin de las dos rectas es el punto de operacin del circuito,

llamado tambin punto quiesciente (punto Q).

Problema: Para la configuracin de diodo en serie de la
figura, empleando las caractersticas del diodo que se
da, determine:
ID (mA)

a) VDQ e IDQ. 10
b) V R. 9
8
VD 7
6
ID Si 5
4
E 10 V R =1 K VR 3
2
1

0 0.5 0.8 VD (V)

Solucion

 Configuraciones de Diodo Serie con Entradas de CD:
1. Para cada configuracin debe determinarse primero el estado del diodo.
2. Luego se podr poner el equivalente apropiado.
3. Finalmente se determinar los parmetros restantes de la red.
VD

ID 0.7 V IR
Si
I

E R VR E R VR E R VR

Configuracin del diodo Determinacin del estado Modelo equivalente para

en serie. del diodo. el diodo en estado de
conduccin.

VD VT
Los niveles de Voltaje y Corriente VR E VT
son los siguientes:
VR
ID IR
R
 Ahora hemos invertido la direccin del diodo. El diodo esta
en estado de no conduccin.

VD = E

Si IR
ID = 0 A
I

E R VR E R VR E R VR

Configuracin del diodo Determinacin del estado

Modelo equivalente para
invertido en serie. del diodo.
el diodo de no conduccin.

El voltaje a travs del resistor es el siguiente:

VR = IR R = ID R = ( 0 A) R VR = 0 V

Problema: Determinar Vo e ID para el circuito en serie
de la siguiente figura:

Si Ge IR

+ 12 V Vo

ID

5.6 K

Solucion

Soluci
n:
VT1 VT2
ID IR
Vo E VT 1 VT 2 12V 0.7 V 0.3V Vo

Vo 11V 0.7 V 0.3 V

E 5.6 K Vo
VR Vo 11V 12 V
ID IR
R R 5.6 K
I D 1.96 mA

Configuraciones en Paralelo y en Serie
Paralelo
Problema: Determinar Vo, I1, ID1 e ID2 para la
configuracin de diodo en paralelo de la figura
siguiente:
I 1 0.33 K

R ID1 ID2

E 10 V D1 Si Vo
D2 Si

Solucion

Soluci
n: VR
I1 0.33 K
La corriente :
R
VR E Vo ID1 ID2
I1
R R E 10 V 0.7 V 0.7 V Vo
10 V 0.7 V

0.33 K
I1 28.18 mA

Suponiendo que los diodos tienen caractersticas similares :

I1 28.18 m A
I D1 I D 2
2 2
I D1 I D 2 14.09 m A

Entradas Sinusoidales: Rectificacin de Media
Onda
La red ms simple que se puede examinar con una seal
variable en el tiempo es el siguiente:
Vi
Vm

R
Vi Vo
0 T/2 T t

1 ciclo

Vi = Vm sen wt
El rectificador de media onda, generar una forma de
onda Vo que tendr un valor promedio de empleo particular
en el proceso de conversin de ca a cd.
 Durante el intervalo t = 0 T / 2:
Vo
Vm
R R
Vi Vo Vi Vo = Vi

0 T/2 t
Durante el intervalo t = T / 2 T:
Vo

R R
Vi Vo Vi Vo = 0 V Vo= 0 V

0 T/2 T t

 Vi
Vm
La seal de salida Vo
tiene un rea positiva Vcd = 0

neta sobre el eje con 0

t
respecto a un periodo
completo, as como un
valor promedio
determinada por:
Vo
Vm
Vcd = 0.318 Vm

Vcd = 0.318 Vm

0 t
T

 El efecto de la utilizacin de un diodo de silicio con VT = 0.7
V para la regin de polarizacin directa.
La seal aplicada debe ser en este caso al menos de 0.7 V
antes que el diodo pueda encenderse.
Vi Vo
VT
Vm
Vm - VT
0.7 V
VT = 0.7V
R
Vi Vo T/2
0 T/2 T 0 T t
t

Rectificacin debida a VT

Vcd = 0.318 (Vm - VT)

Rectificacin de Media Onda:
Voltaje Pico Inverso VPI
El VPI nominal del diodo es de fundamental importancia en el
diseo de sistemas de rectificacin.
Valor nominal VPI Vm Rectificador de media onda

V (VPI)

I=0

R
Vm Vo = IR = 0 V

Problema:

a) Dibuje la salida Vo y determine el nivel de cd de la salida

para la red de la figura.

b) Repita el inciso (a) si el diodo se sustituye por un diodo de

silicio.
Vi

20 V

R 2 K
Vi

0 T/2 T t

Soluci
n:
a) El nivel de cd Vcd = -0.318 Vm = - 0.318
V (20 V) = - 6.36 V
Vi o
es:
20 V

2 K
Vi Vo
0 T/2 T t 0 T/2 T t

20 V

Vo

b) Al emplear un diodo de silicio:

0 T/2 T t
Vcd = -0.318 (Vm 0.7 V) = - 0.318 (19.3 V)
Vcd = - 6.14 V

20 V 0.7 V = 19.3 V

Rectificacin de Onda Completa:
Red Puente
La rectificacin de Onda completa permite obtener un
mejoramiento del 100% en el nivel de cd obtenido a partir de la
entrada senoidal.
D1 D2
Vi
Vm Vo

Vi
R
0 T/2 T t
D3 D4

Rectificador puente de onda completa

Durante el periodo t = 0 T/2

conduccin
corte

Vo

Vi
R

conduccin corte

Trayectoria de conduccin para la regin positiva de Vi

Vi Vo
Vm Vm
R
Vi
Vo
0 T/2 t 0 T/2 t

Durante el periodo t = T/2 T

Vi Vo
Vo Vm
Vi
R

0 T/2 T t 0 T/2 T t
Vm

Trayectoria de conduccin para la regin negativa de Vi

Vi Vo
Vm
Vdc = 0.636 Vm

0 T/2 T t 0 T/2 T t

Empleando diodos de silicio en vez de diodos ideales.

Vo
VT = 0.7 V
Vo Vm 2 VT

Vi
R
VT = 0.7 V 0 T/2 T t

La ley de voltaje de Kirchhoff a lo Si : Vm >> 2 VT

largo de la trayectoria:
Vcd = 0.636 (Vm 2VT)
V i V T V o VT = 0
Vo = Vi 2VT VIP :
El valor pico de Vo: VIP Vm
Puente rectificador de onda completa
Vo mx = Vm 2VT

Problema:

Determine la forma de onda de salida para la red de la figura y

calcule el nivel de salida de cd y el VPI requerido para cada
diodo.

Vi
10 V
Vo

Vi
0 T/2 T t 2 K

2 K 2 K

Soluci
n
V
: i Vo
1 1
Vi (10V )
10 V 2 2
Vo
Vo 5V
Vi
0 T/2 t 2 K

2 K 2 K Vcd 0.636 (5V ) 3.18V

VIP 5 V
2 K Vo Vi Vi
5V
5V
Vi 2 K

0 T/2 t 0 T/2 Tt
Salida resultante
2 K

Diodos Zener
El anlisis de las redes que emplean diodos Zener es bastante
similar al aplicado para el anlisis de los diodos
semiconductores.
Determinar el estado del diodo.
Sustituir el modelo apropiado.
Determinar las otras cantidades desconocidas de la red.
Equivalencias de diodo Zener para los estados de conduccin y
de no conduccin.

VZ V
VZ

( VZ > V > 0 V )
conduccin
no conduccin
 Vi y R fijas

La ms sencilla de las redes con diodo Zener. El voltaje cd aplicado

est fijo, al igual que lo est el resistor de carga.
El anlisis se divide fundamentalmente en dos pasos:
Paso 1: Determnese el estado del diodo Zener extrayndolo del
circuito y calculando el voltaje a lo largo del circuito abierto
resultante.
R IZ R
VZ RL RL
Vi Vi
V VL
PZM

Por la regla del divisor de voltaje:

RL Vi Si V VZ " estado de conduccin"
V VL
R RL Si V VZ " estado de no conduccin"
Paso 2: Sustityase el circuito equivalente apropiado y
resulvase para las incgnitas deseadas
IR R
VL VZ
IL
IZ

VL RL Por la ley de la corriente de

Vi VZ
Kirchhoff, la corriente del diodo
PZM
Zener ser:
IR IZ IL
IZ IR IL
Donde :
V VR Vi VL
IL L e IR
RL R R

La potencia disipada por el diodo Zener se determina por :

PZ VZ I Z la cual debe ser menor que la PZM

Problema:

a) Para la red de diodo Zener de la figura, determine:

VL, VR, IZ y PZ.

b) Repita la parte (a) con RL = 3K.

VR

R = 1 K
IZ
VZ = 10 V
RL 1.2 K
Vi 16 V

PZM = 30 mW

 Soluci b) Aplicando la ecuacin se obtiene:
R V
V L i
3 K ( 16V )
12 V
a)n : la red se R RL 1 K 3 K
Redibujando
obtiene:RL Vi 1.2 K (16 V )
V 8.73 V
R RL 1 K 1.2 K R = 1 K IL
IZ
IR
R RL
IL
Vi VZ VL
1 K IZ PZM

V RL
Vi 16 V VL
1.2 K

Ya que V = 12V es mayor que VZ

Puesto que V = 8.73V es menor que = 10V, el diodo est en estado de
VZ = 10V, el diodo esta en estado de VLconduccin
VZ 10 V
no conduccin. VR Vi VL 16 V 10 V 6 V
VL V 8.73 V
VR Vi VL 16 V 8.73V 7.27 V I L 3.33 mA y I R 6 mA
I Z I R I L 2.67 mA
IZ 0 A
PZ VZ I Z 10 V ( 2.67 mA ) 26.7 m W
y PZ VZ I Z VZ ( 0 A ) 0W

 Vi fijo, RL variable
Por causa del voltaje VZ, hay un intervalo especfico de valores
del resistor. RL Vi
Para determinar la resistencia de carga VL VZ
R RL
mnimo:
A partir de la regla del divisor de voltaje y R VZ
RL mn
Vi VZ
resolviendo para RL, tenemos:
VL VZ
Hallando el valor mximo de IL: I L mx
RL RL mn

Hallando el voltaje a travs de R: VR Vi VZ

VR
IR permanece fijo en : IR
R
La corriente Zener: I Z I R I L

La sustitucin de IZM por IZ establece el mnimo IL I L mn I R I ZM

como: VZ
RL mx
La resistencia de carga mxima como: I L mn
Problema:
a) Para la red, determine el rango de RL e IL que dar
como resultado a VRL mantenido a 10 V.

b) Determine el wataje nominal del diodo.

1 K IR

R IZ IL

Vi 50 V RL
VZ = 10 V
IZM = 32 mA

 Soluci
n : las ecuaciones correspondientes:
Aplicando
R VZ (1 K) (10 V ) b) Pmx VZ I ZM (10 V ) ( 32 m A )
a) RL mn
Vi VZ 50 V 10 V Pmx 320 m W
RL mn 250 VL VL contra RL e IL
VR Vi VZ 50V 10 V
10 V
VR 40 V
a)
VR 40 V
IR
R 1K RL
0 250 1.25 K
I R 40 m A VL
I L mn I R I ZM 40 mA 32 mA
10 V
I L mn 8 m A
b)
VZ 10 V
RL mx
I L mn 8 m A IL
0 8 mA 40 mA
RL mx 1.25 K
RL fijo, Vi variable

Por causa del voltaje VZ, hay un intervalo especfico de valores

RL Vi
del resistor. VL VZ
R RL
El mnimo voltaje para activar ( RL R ) VZ
Vi = Vi mn se determina mediante Vi mn
RL

El valor mximo de Vi est limitado por la corriente

Zener mxima IZM. Puesto que IZM = IR - IL I R mx I ZM I L

Como IL se fija a VZ / RL e IZM es el valor mximo

de IZ, el Vi mximo se define mediante:
Vi mx VR mx VZ
Vi mx I R mx R VZ
Problema:

Determine el intervalo de valores de Vi que mantendrn en el

estado de conduccin al diodo Zener de la figura.
220 K IR

R IZ IL

Vi RL 1.2 K VL
VZ = 20 V
IZM = 60 mA

 Soluci
n :
( RL R ) VZ (1200 220 ) ( 20 V )
Vi mn
RL 1200
Vi mn 23.67 V
V V 20 V VL
IL L Z
RL RL 1.2 K
I L 16.67 m A 20 V

I R mx I ZM I L 60 m A 16.67 m A
I R mx 76.67 m A 10 20 30 40 Vi
23.67 V 36.87 V
Vi mn I R mx VZ
VL contra Vi:
(76.67 mA) (0.22 K) 20 V
Vi mn 36.87 V

 Captulo
III

Transistores
 Tipos de transistores

NPN
Bipolares
PNP

Transistores Canal N (JFET-N)

Unin
Canal P (JFET-P)

Efecto de
campo Canal N
Metal-Oxido- (Mosfet-N)
Semiconductor
Canal P
(Mosfet-p)

* FET : Field Effect Transistor

 Captulo
III

Transistores de
unin bipolar
(BJT)

Construccin del transistor
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres
capas, compuesto ya sea de dos capas de material tipo n y una de
tipo p o dos capas del material p y una de tipo n. El primero se
denomina transistor npn y el segundo transistor pnp.
E C E C
p n p n p n
B B

VEE VCC VEE VCC

El emisor se construye estrecho y muy dopado, la base es

estrecha y menos dopada y el colector es la zona ms ancha
La abreviatura BJT (bipolar junction transistor = transistor de unin bipolar)

 OPERACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR
PNP
Una unin p-n de un transistor est polarizado
inversamente, en tanto que la otra presenta
polarizacin directa
E E
R
+ - + -

- - - - -

+
- +

+
+

+
+

+
+

- - - - - -

+
+

+ -

+
-

+
- -
-

+ +
-
+ +

+
+

+
+

- - - - - -

+
+
-

+
-
+

- - - -

+
-

+
+

-
+

+
+

P N N P

+ - + -
 Operacin del transistor
Una unin p-n de un transistor est polarizado inversamente, en
tanto que la otra presenta polarizacin directa
Potadores mayoritarios Potadores minoritarios Potadores mayoritarios Potadores minoritarios
p n p
E + -+ + -+ -- + - - + E
-- +- - + - C IE ICO C IC
-+ - -
p n n + + p
+ -- + + -- - + - +
+ -+- + + -++ -+ - - +
Regin de
+ - B B + -Regin de Regiones de B
agotamiento agotamiento agotamiento
IB
+ - + -

VEE VCC VEE VCC

Unin polarizada directamente de Unin polarizada inversamente de Flujo de portadores mayoritarios y
un transistor pnp un transistor pnp minoritarios de un transistor pnp

Por la ley de corriente de Kirchhoff: IE = IC + IB ...(A)

Adems: IC = IC mayoritaria + ICO minoritaria

 OPERACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR
PNP

Portadores minoritarios Portadores mayoritarios

R B

E C

P N P

Por la ley de corriente de Kirchhoff: IE = IC + IB ...(A)

Adems: IC = IC mayoritaria + ICO minoritaria
CONFIGURACIN DE BASE COMN
La flecha del smbolo grfico define la direccin de la corriente
de emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo
IE IC IE IC
E p n p C E C
B
IB IB
+ - + - B
Notacin y
smbolos que
se emplean VEE VCC Transistor pnp
en la
configuracin
IE IC IE IC
base comn
E n p n C E C
B
IB
IB B
- + - + Transistor npn
VEE VCC
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo
de tres terminales, se requiere de dos conjuntos de caractersticas,
uno para los parmetros de entrada o punto de manejo y el otro
para el lado de salida
Parmetros de Entrada:
VCB = 20V
IE (mA) Caractersticas del punto de excitacin
o entrada para un transistor
8 VCB = 10V
amplificador de silicio de base comn
7
VCB = 1V
6

5
4
Resistencia de entrada:
3 Z i 10 100
2
1

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

VBE (V)

Parmetros de Salida:

El conjunto de caractersticas de salida o colector tiene tres regiones

I (mA)
bsicas de inters: C

Regin activa (rea no sombreada)

Regin activa 7
7 mA

Regin de corte 6
6 mA

Regin de saturacin
5 mA
Regin de saturacin 5
4 mA
4
3 mA
3
Resistencia de salida: 2
2 mA
IE = 1 mA
1
Z 0 50 K 1M IE = 0 mA
0
1 0 5 10 15 20
Regin de corte n

VCB (V)

En la regin activa la unin colector-base est
inversamente polarizada, mientras que la unin base-
emisor se encuentra polarizada en forma directa.

En la regin de corte ambas uniones, colector-base y

base-emisor, de un transistor estn inversamente
polarizadas.

En la regin de saturacin las uniones colector-base y

base-emisor estn polarizadas directamente.

Ntese de la figura anterior que la corriente de colector aumenta

a una magnitud esencialmente igual a la corriente del emisor.
IC IE
Ntese el incremento exponencial en la corriente de colector a
medida que el voltaje VCB se incrementa ms all de los 0V.

 Una vez que el transistor est en el estado encendido o de
conduccin, se supondr que el voltaje de base a emisor sera:
VBE = 0.7V
IE (mA) IE (mA) IE (mA)
Cualquier VCB
8 8 8
7 7 7
6 6 6

5 5 5
4 4 4
3 3 3
2 2 2
0.7 V 0.7 V
1 1 1

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VBE (V) VBE (V) VBE (V)

Desarrollo del modelo equivalente que se emplea para la regin, base a

emisor de un amplificador en modelo de cd

El valor de alfa () :

En el modelo de CD los niveles El alfa de ca se denomina

de IC e IE debidos a los formalmente el factor de
portadores mayoritarios estn amplificacin de base comn en
relacionados por una cantidad corto circuito
denominada alfa
IC I C
cd ca
IE I E VCB constante

Para la mayora de las situaciones las magnitudes de ca y de cd se

encuentran bastante cercanas, permitiendo usar la magnitud de una por
otra:
IC
I C I E I CBO
IE

Polarizacin

La flecha del smbolo define la direccin del flujo convencional

para IE IC. Las alimentaciones de CD se insertan entonces con
una polaridad que sostendr la direccin de la corriente resultante.
En el transistor npn las polaridades estarn invertidas
E C

IE IC IE

B
IB = 0 A

+ - + -
VEE VCC

CONFIGURACIN DE EMISOR
COMN
Son los transistores que se encuentran con mayor frecuencia
IC

C
IC

IB n
VCC IB
p
Notacin y B
n
smbolos que VBB
IE
se emplean IE E
en la Transistor npn
configuracin IC Transistor pnp
emisor IC
comn C

IB p IB
n VCC
B
p
VBB IE
E
IE
 Para describir en forma completo el comportamiento de la
configuracin de emisor comn necesitamos de dos conjuntos
de caractersticas, uno para la entrada o circuito de la base y
una para la salida o circuito del colector. otro para el lado de
Caractersticas de un transistor de silicio en la configuracin de emisor comn
IC (mA) IB (A) VCE = 1V
100
8 90 VCE = 10V
90 A
Regin de saturacin

7 80 A 80
70 A VCE = 20V
6 70
60 A
5 50 A 60
4 40 A 50
3 30 A 40
(Regin activa ) 20 A
2 30
10 A
1 IB = 0A 20

0 15 20 10
5 10
VGE(sat)
ICEO ICBO Regin de corte 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VBE (V)
Caractersticas del colector Caractersticas de base

Hacemos algunas equivalencias: Modelo de segmentos lineales
equivalente para las
I C I E I CBO caractersticas de base
I C ( I C I B ) I CBO IB (A)
100
I B I CBO
IC 90
1 1
80
Para referencia futura, a la
corriente de colector definida 70
por la condicin IB = 0A se le 60
asignar: 50
40
I CBO
I CEO 30
1 I B 0 A 20 0.7 V
10
VBE (V)
Para propsitos de amplificacin 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
lineal (la menor distorsin) el
corte para la configuracin de El transistor en la regin activa
emisor comn se determinar o de conduccin el voltaje de
mediante IC = ICEO. base a emisor es 0.7V.

El valor de beta () :
En el modo de cd los niveles Para situaciones de ca se
de IC e IB se relacionan por ha definido :
una cantidad beta: I
ca C
IC I B
cd VCE constante
IB ca es el factor de amplificacin de
corriente directa de emisor comn.
Aunque y no sean exactamente iguales podemos
formar algunas relaciones con ecuaciones ya dadas
anteriormente:
I E I C I B , como I E I C / adems I B I C /
IC I 1 1
I C C 1 ( 1)



1 1
 Polarizacin

Determinacin del arreglo de polarizacin apropiada para una

configuracin de transistor npn de emisor comn

IC

IC
+
VCC
-
IB IE IB IE
+
V
- BB

El mismo enfoque se puede aplicar a los transistores pnp,

solamente cambiara todas las corrientes y las polaridades se
invertiran.

CONFIGURACIN DE COLECTOR COMN
La configuracin comn se emplea fundamentalmente para
propsitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene una
elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida,
que es lo opuesto a las configuraciones de base comn y de
emisor comn
IE E IE
VBB
IB n E
VEE IB
Notacin y p
B B
smbolos que n
se emplean IC
C IC
en la
configuracin
colector
comn IE
IE E
VBB
E
IB n IB
p VEE
B B
n
C IC
IC
Transistor NPN Estructura de un Transistor PNP Estructura de un
transistor NPN transistor PNP
 Captulo
IV

Polarizacin de
CD: BJT
 Todo anlisis o diseo de
circuitos amplificadores
electrnicos (con presencia
del BJT) tiene dos VBE = 0.7 V
componentes:

Componentes de CD IE =(+1)IBIC
Componentes de CA

Las relaciones usadas para IC = IB

estos clculos son:

 Punto de operacin
IC (mA)
80 A
70 A
IC(mx) 2
5 60 A
2 50 A
0
PCmx 40 A
Saturacin 15
30 A
B
1 20 A
0
D
10 A
5 C
IB = 0A
A
0 5 10 15 20 VCE(V)
VCE(sat) VCE(mx)
Corte
Diversos puntos de operacin dentro de los lmites de operacin de un transistor

Para el BJT que se polarizar en su regin de
operacin lineal o activa debe cumplirse:

1. La unin de base a emisor debe estar polarizada

directamente ( voltaje de la regin p ms positivo)
con un voltaje resultante de polarizacin directa
entre la base y el emisor de aproximadamente 0,6
a 0,7 V.

2. La unin de base a colector debe estar polarizada

inversamente ( regin n ms positivo) estando el
voltaje de polarizacin inversa en cualquier valor
de los lmites mximos del dispositivo.

La operacin en las regiones de corte, de
saturacin y lineal de las caractersticas del
BJT se obtienen con lo siguiente

1.Operacin en la regin lineal:

Unin base-colector con polarizacin directa
Unin base-colector con polarizacin inversa

2.Operacin en la regin de corte:

Unin base-emisor con polarizacin inversa

3.Operacin en ela regin de saturacin

Unin base-emisor con polarizacin directa
Unin base-colector con polarizacin directa

Circuito de polarizacin fija
Por la ecuacin de voltaje de Kirchhoff:

VCC VBE
VCC VCC I B RB VBE 0 IB
RB

I C I B
RC IC Seal de Adems sabemos:
RB salida
de ca Aplicando la LVK en la malla colector-
emisor:
IB C C2
+ VCE I C RC VCC 0 VCE VCC I C RC
VCE
B -
C1 + VCE VC V E
Seal de VBE E Por ndices dobles: (VE=0V)
entrada
-
de ca VC VCE

Anlogamente: V BE V B V E (VE=0V)
V B V BE

Problema: Determine las siguientes cantidades para la
configuracin de polarizacin fija

VCC =+12 V

(a) I BQ e I CQ
RC =2.2 k
(b) VCEQ RB =240 k IC
C2
Salida
(c) V B y VC de ca
IB 10F
+
(d) V BC Entrada
C1
de ca VCE =50
10F
-

Solucin

 Circuito de polarizacin estabilizada de emisor
Por la ecuacin de voltaje de Kirchhoff:
VCC VBE
VCC I B RB VBE I E RE 0 (I E ( 1 )I B ) IB
RB ( RC RE )

Aplicando la LVK en la malla colector-emisor:

VCC I E RE VCE I C RC VCC 0 VCE VCC I C ( RC RE )

IC
Adems del grfico: VE I E RE
RC
RB
Vo VCE VC VE VC VCE VE
C2 Por ndices dobles:
IB

Vi VBE VB VE VB VBE VE
C1
IE
VC VCC I C RC
RE
Del grfico:
VB VCC I B RB

Problema: Para la red de polarizacin de emisor.
Determine

+20 V

(a) I B
(b) I C IC 2 k
430 k 10F
(c) VCE
Vo
(d) VC IB
(e) VE Vi =50
10F
(f) VB
(g) V BC
1 k 40F

Solucin

 Polarizacin con divisor de voltaje
R1 R2
Primero hallamos el equivalente RTh de : RTh R1 || R2
R1 R2
R2
Ahora aplicamos la regla del divisor de voltaje ETh VR2 VCC
R1 R2
Ahora aplicamos LVK
VCC VCC
ETh I B RTh VBE I E RE 0
Como: I E ( 1) I B
RC

R1
RC
ETh VBE
IB
Vo RTh ( 1) RE
C2 RTh
Adems VCE VCC I C ( RC RE )
Vi
C1 VE I E RE

ETh
VC VCC I C RC
R2 RE
RE VB ETh

Problema: Determine el voltaje polarizado de cd VCE y
la corriente IC para la configuracin con divisor de
voltaje
+22 V

10 k
IC
39 k 10F
Vo

+ =140
Vi VCE
10F -
3.9 k
1.5 k 50F

Solucin

 Polarizacin de CD con
retroalimentacin de voltaje
En la malla de base a emisor:

VCC I C' RC I B RB VBE I E RE 0 con I C' I C I B e I E IC

VCC
VCC VBE
Reemplazando IB
RC RB ( RC RE )
RB I C
Vo
IC C2 Adems sabemos : I C I B
IB +
Vi
VCE En la malla de colector-emisor:I C
'
IC e I E IC
C1 -
IE
I E RE VCE I C' RC VCC 0
RE
Reemplazando VCE VCC I C ( RC RE )

Problema: Determine los niveles quiescentes de IICC y Q

VVCE
CE para la configuracin siguiente
Q

10 V

4.7 k

250 k
Vo
10F

Vi
+
VCE
10F -

1.2 k

Solucin

 Tipos de transistores

NPN
Bipolares
PNP

Transistores Canal N (JFET-N)

Unin
Canal P (JFET-P)

Efecto de
campo Canal N
Metal-Oxido- (Mosfet-N)
Semiconductor
Canal P
(Mosfet-p)

* FET : Field Effect Transistor

 Captul
oV

Transistores de
efecto de campo
FET I /V
DSS P
 Es un dispositivo de tres terminales que se usa para una alta
variedad de aplicaciones que coinciden en gran parte con los
BJT.

ID
IC

(Corriente de control) IB
BJT FET
+

(Voltaje de control ) VGS

-
Amplificador controlado por corriente Amplificador controlado por voltaje
COMPARACION DE UN BJT - FET
Es un dispositivo controlado Es un dispositivo controlado
por corriente por voltaje
El nmero de terminales es El nmero de terminales es
tres : C, E, B tres: D, S, G.
IC = f (k IB) ID = f (k VGS)
Es un dispositivo bipolar Es un dispositivo unipolar
(Ie- y IHuecos) (Ie- IHuecos)
C D

B G IG = 0
IE = I C + I B
ID = I S
E S
En el FET se establece un campo elctrico por
medio de las cargas presentes que controlan la
trayectoria del circuito de salida, sin necesidad de
un contacto directo entre la cantidad que controla
y la que es controlada.

Dentro de la familia de los FET se divide en :

JFET MOSFET, y este ltimo a su vez se
clasifica en mosfet incremental y decremetal.
 Construccin del FET
Drenaje (D)
Contactos ohmicos
Canal n

Compuerta (G)
p n p

Regin de agotamiento Regin de agotamiento

Fuente (S)
Si : VGS = 0V
ID (mA)
D Pinch off (voltaje de estrangulamiento)
IDSS
+ VGS = 0V

VDD
G 0 20V
p n p Casi lineal

VGS = 0V -

S VP VDS (V)

Cuando VDD es mximo, ID se hace constante

Si : VGS < 0V
IE (mA)
D
IDSS VGS = 0V
+
VGS = -1V
VDD VGS = -2V
G 0 20V
p n p VGS = -3V

VGS = -4V
:
VGS = 0V - :

S VP VDS

Si VGS << 0, ID = 0 mA
Dispositivos de canal p
El JFET de canal p se construye exactamente de la misma
manera que el dispositivo de canal n, pero invirtiendo los
materiales tipo p y tipo n como se muestra en la siguiente
figura. D
I D

G VDD
IG= 0A
n p n VDS

VGS

VGS = VGG -I
S

S
 Caractersticas de un JFET de canal P
ID (mA)
IDSS

Regin ruptura
VGS = 0V

VGS = +1V
VGS = +2V
VGS = +3V
VGS = +5V
VGS = +4V

VP
VDS
 observe que para los niveles altos de VDS las curvas
ascienden sbitamente a niveles que parecen ilimitados. la
ascensin vertical es una indicacin que ha ocurrido una
ruptura y que la corriente al final del canal (en la misma
direccin que se encuentra normalmente).
Para el dispositivo de canal n, tambin ocurren para este
si se aplica suficiente cantidad de voltaje.
Smbolos:
Los smbolos grficos para los JFET de canal n y canal p se
presentan en la siguiente figura:

Canal N Canal P
 Caractersticas de transferencia
Para el transistor BJT la corriente de salida IC y la corriente de
entrada IB estaban relacionadas por medio del factor beta:
Control variable
I C f ( I B ) I B
Constantes

Y para el caso de los JFET no se da esta relacin lineal, la

ecuacin que define el funcionamiento del JFET es la
determinada por la ecuacin de Shockley :
Control variable
VGS 2
I D I DSS (1 ) VP = Voltaje pinch off
VP IDSS = Corriente mxima VGS = 0V

Constantes
Las caractersticas de transferencia definidas por Shockley se
mantiene sin afectarse por la red en la red en la que se
cumple el dispositivo.

IE (mA)

IDSS VGS = 0V

VGS = -1V
VGS = -2V

Ecuacin Shockley:
VGS = -3V
(funcin de transferencia)
VGS = -4V
:
:
-VGS
VP VDS
Aplicaciones de ecuacin de Shockley

Permite examinar los niveles especficos de una

variable y hallar el nivel resultante.

1.Hallar ID cuando VGS = 0

VGS 2 0
I D I DSS (1 ) I DSS (1 ) 2 I D I DSS
VP VP

2.Hallar ID cuando VGS = VP

VGS 2 V
I D I DSS (1 ) I DSS (1 P ) 2 I D 0
VP VP
Mosfet tipo decremental

Los mosfet se dividen en dos familias uno de

tipo decremental y otro de tipo incremental, los
trminos decremental e incremental definen los
modos de operacin, MOSFET significa
transistor de efecto de campo de metal oxido
semiconductor
 No hay conexin elctrica entre el terminal de compuerta
(Gate) y el canal de mosfet.
La capa aislante sio2 en la construccin del mosfet es la que
permite una alta impedancia del dispositivo.
Tambin al mosfet se le conoce como un dispositivo FET de
compuerta aislada (IGFET) SiO2
Drenaje D

n
Contactos de metal
Sustrato Sustrato SS
G n p
(compuerta)

S fuente
Regiones con dopado tipo n
MOSFET de tipo incremental da canal n
VGS = 0
IE (mA)
Pinch off
D (voltaje de estrangulamiento)

n VGS = 0V
e

e SS VDD
G ne p
(0V-15V)
VGS = 0V
n
S
ID = IS = IDSS

VP VDS

MOSFET de tipo incremental da canal n con VGS = 0 V y un voltaje aplicado VDD

 VGS < 0
ID ID (mA)
D
+ IDSS VGS = 0V
n e-
+ VGS = -1V
e- VDD
p SS VGS = -2V
G n
+ VGS = -3V
e-
(-10V 0V)
n + VGS = -4V
S e- :
ID
:
VP VDS

VGS << 0V entonces ID = 0mA, significa que el canal est

desapareciendo, si desaparece ID = 0mA
 Mosfet de tipo decremental de canal p
La construccin de un mosfet de tipo decremental de canal p es exactamente
inverso al de un tipo n, esto es, ahora hay un sustrato tipo n y canal tipo p como
se muestra en la siguiente figura.

G p n SS

S
 CARACTERISTICAS DE UN
MOSFET DECREMENTAL TIPO P
ID (mA) ID (mA)

IDSS IDSS VGS = -1V

VGS = 0V
VGS = +1V
VGS =+ 2V
VGS =
:
:
VDS (V) VP GS = VP VDS
 Smbolos:
D D

Canal n: SS
G G
S S

D D

Canal p: SS
G G
S S
 Mosfet tipo incremental
Ausencia de canal

ID (mA)
ID
IDSS VGS = 8V
D n
VGS = 6V
+ e
e + VDD
+ e + SS
G e +p VGS = 4V
+ e
e +
+ e +
VGS = 2V
S n
VGS =
IS=ID
:
:
VP VDS
Formacin de canal en el MOSFET tipo incremental de canal n
 Ecuacin del funcionamiento del Mosfet
incremental

I D ( Encencido)
I D k (VGS VT ) 2 k
(VGS encendido VT ) 2

Caractersticas de transferencia de un mosfet incremental

ID (mA)
VGS = 8V

VGS = 5V
VGS = 3V
VGS = 2V
VGS = 1V
:
:
VT VDS
 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL
DE CANAL P
ID (mA)

IDSS VGS = -8V

D VGS = -6V
p VGS = -4V

G
p n SS VGS = -2V
p
VGS =
S :
:
-4 -2 VP VDS
Smbolos:

Canal n Canal p

D D

G G

S S

 Captulo
VI

Polarizacin del
FET
Relaciones generales que se pueden aplicarse al
anlisis de cd para todos los amplificadores FET

I G 0mA FET: JFET y MOSFET

2
VGS
I D I DSS 1 JFET y MOSFET decremental

VP

I D K VGS VT
2

MOSFET incremental
I Dencendido
K
VGS encendido VT 2
Existen diversas configuraciones, de las
cuales las mas utilizadas son:

Configuracin de polarizacin fija

Configuracin de autopolarizacin

Polarizacin por divisor de voltaje

 Configuracin de polarizacion fija

Por la ecuacin de voltaje de Kirchhoff: VGG VGS 0 VGS VGG

VDD VGS 2
Utilizando la ecuacin Shockley I D I DSS (1 )
RD
VP
Aplicando la LVK en la malla D-S:
D

G C2 VDS I D RD VDD 0 VDS VDD I D RD

C1
S Por ndices dobles: VDS VD VS (VS=0V)
RG
VD VDS
VGG
Anlogamente: VGS VG VS (VS=0V)
VG VGS
Problema: Para la red de polarizacin. Determine
16 V
(a) VGS
(b) I D
2k
(c) V DS
D
(d) V D
(e) VS
G
(f) VG IDSS = 10mA
+
VP = -8v
VGS
- S

1M
- 2V
+
 Solucin :
(a) VGS VGG 2V VGS = -2V
VGS 2 2V 2
(b) I D I DSS (1 ) 10mA(1 )
VP 8V
10mA(1 0.25) 2 10mA(0.75) 2 10mA(0.6525)
5.625mA ID = 5.625mA
(c) V DS V DD I D R D 16V (5.625mA)(2k)
16V - 11.25V 4.75V VDS = 4.75mA
(d) V D VDS 4.75V
(e) VG VGS 2V VGS = -2V
(f) VS 0V
VS = 0V
 Configuracin de autopolarizacion

Por la ecuacin de voltaje de Kirchhoff: VGS VRS 0 VGS I D RS

VGS 2
ID
VDD
Utilizando la ecuacin Shockley I D I DSS (1 )
VP
RD
I D RS 2 I D RS 2
I D I DSS (1 ) I D I DSS (1 )
D VP VP
V0
G C2
Vi
+
Aplicando la LVK en la malla drenador- s:
C1
VGS - S VRS VDS VRS VDD 0 VDS VDD I D ( RD RS )
RG RS
VS I D RS
VG 0V
VD VDS VS VDD VRD
Problema: Para la red de polarizacin
Determine
(a) VGS 20 V

(b) I D ID

(c) V DS
3.3 k
(d) VS
D
(e) VG
(f) V D
G IDSS = 8mA
+ VP = -6v
VGS
- S

1M RS 1k
Solucin :
(a) VGS I D RS
(b) I D 2.6mA ID = 2.6mA
(c) VDS VDD I D ( RS RD )
20V - (2.6mA)(1k 3.3k)
20V - 11.18V 8.82V
VS I D RS (2.6mA)(1k) 2.6V VDS = 8.82V

(d) VG 0V
VD VDS VS 8.82V 2.6V 11.42V
VD VDD I D RD 20V (2.6mA)(3.3k) 11.42V VS = 2.6V
(e)
VD = 11.42V
(f)
 Polarizacion por divisor de voltaje
R1 R2
RTh R1 || R2
Primero hallamos el equivalente RTh de : R1 R2

Ahora aplicamos la regla del divisor de voltaje R2

ETh VR2 VDD
VDD
R1 R2
RD
R1
Ahora aplicamos LVK
VG VGS VRS 0
V0

Vi
C2 VGS VG VRS
C1
Sustituyendo: VRS I S RS I D RS
R2 RS

Obtenemos: VGS VG I D RS
Adems VDS VDD I D ( RD RS )
VD V DD I D RD
VS I D RS
VDD
I R1 I R 2
R1 R2
Problema: Determine lo siguiente para la red:
+16 v

2.4K
(a) VGS 2.1M 10F

(b) I D Vo
C2
(c) V D
IDSS =8mA
Vi
(d) VS VP =-4v
5F
(e) VDS
270K
(f) VDG 1.5K 20F

Solucin
SOLUCIN: RTh R1 || R2
R1 R2 ( 2.1M)(270 k)
239.24 k
R1 R2 2.1M 270 k
R2V DD ( 270k)(16V)
ETh 1.82 V
R1 R2 2.1M 0.27 M
VGS VG I D RS
1.82 - I D RS .................(1)
Aplicando la ecuacin de shockley, tenemos que : ID = -1.8V
I D 2.4mA en (1) VGS 1.8V
V D V DD I D R D
16V ( 2.4mA)(2.4k 1.5k)
VD = 6.64V
6.64V
V DS V D VS 10.24V 3.6V
VDS = 6.64V
6.64V
V DG V D VG 10.24V 1.8V
8.42V VDG = 8.42V

MOSFET DE TIPO DECREMENTAL

Para la configuracin de autopolarizacin de la figura. Determine:

14 V

VGSQ
I DQ 1.2 k

I DQ IDSS = 6 mA
VP = -4 V
+
VGSQ
-
VDS 1 M 0.43 k V

VD Solucin
 VGS VS 0 VGS I DQ RS 0.43KI DQ ................(1)
2
V
I DQ I DSS 1 GS
VP
2
V
2
0.43KI DQ
SOLUCIN: I DQ I DSS 1 GS 6mA 1
VP 4V

0 0.1849 I D2 Q 6.1DQ 16
I DQ 1 30.12mA
I DQ 2 2.87mA

I DQ I DSS
I DQ 2.87 mA IDQ = 2.87mA
VGS 0.43KI DQ . 0.43K(2.87mA) 1.23V
VGS 1.23 V
VDD I DQ ( RD RS ) VDS 0
VGS = 1.23V

V DS 14 2.87mA(1.2 K 0.43K) 9.32V

VDS 9.32 V VDS = 9.32V
VD VDD I DQ R D 14V (2.87 mA)(1.2 K) 10.56 V
V D 10.56 V VD = 10.56V
MOSFET DE TIPO INCREMENTAL

Para la red de la figura. Determine:

I DQ 22 V

VGSQ 1.2 k

V DSQ
1 M + VGS(Th) = 4 V

VD ID(encendido) = 5 mA
VGS(encendido) = 7 V
+ -
VS -
0.51k
V DS

Solucin
SOLUCIN:
I D ( encendido )
K
(VGS ( encendido ) VGS (Th ) ) 2
I D ( encendido ) 5mA
K 0.55 10 3 A / V 2
(VGS ( encendido ) VGS (Th ) ) 2 (7V 4V ) 2

VGSQ V DSQ V DD I DQ ( R D RS ) VGS Q 22V 1.71I DQ .................(1)

I DQ K (VGS VT ) 2
I DQ K (VGS VT ) 2 0.55 10 3 A / V 2 (22V 1.71I DQ 4V ) 2
0 1.637 I D2 Q 35.477 I DQ 181.44
I DQ 1 13.401mA I DQ 2 8.2705mA ID= 8.27mA
I DQ 8.27 mA
VGS Q 22V 1.71KI DQ VGS Q 22V 1.71K(8.27 mA) 7.857V
VGS= 7.9V
VGSQ 7.9V
VGSQ VDSQ 7.9V
V DSQ 7.9V VDSQ = 7.9V
V D VDD I DQ RD VD 22 V (8.27 mA)(1.2 K) 12.075 V
V D 12.075 V VD = 12.075V
VS I DQ RS VS (2.87 mA)(0.51K) 4.217 V
VS 4.217 V VS = 4.217V
V DS VD VS 12.075V 4.217V 7.85V
VDS 7.858 V VDS = 7.858V
 REDES COMBINADAS
1.Para la red de la figura. Determine:
20 V

VG
VGSQ
330 k 1.1 k
I DQ
IE 91 k VC

IB
=160
VD
VC IB IE
VD

+ IDSS = 6 mA
VP = -6 V
-
18 k 1.2 k

Solucin
 R2 18 K
VG VTh VDD 20V 3.3V
R1 R2 91K 18 K
VG 3.3 V VG= 3.3V
VGSQ VG I DQ RS VGSQ 3.3V 1.2 KI DQ ....(1)
2
VGS
2
3.3V 1.2I DQ
I DQ I DSS 1 6mA 1
VP 6V
2
0 1.44 I DQ 28.32 I DQ 86.49
I DQ 1 15.8mA
I DQ 2 3.78mA
I DQ I DSS ID= 3.78mA
I DQ 3.78mA
VGSQ 3.3V 1.2 K(3.78mA) 1.237V
VGSQ 1.237 V
I E I DQ 3.78mA IE= 3.78mA
I E 3.78mA
IE 3.78mA
I E ( 1) I B I C I B 0.0234mA IB= 23.4uA
1 160 1
I B 23.4A
VBE VB VE
VBE V B VD
VD VB VBE VBB I B RB V BE 20V (23.4A)(330 K) 0.7V 11.55V
V D 22.55 V VD= 22.55V
VC VCC I E RC 20V (3.78mA)(1.1K) 15.84V
VC 15.84 V VC= 15.84V
 Captulo
VII

Modelado
del
transistor BJT re
Un modelo es la combinacin de elementos de
circuito, seleccionados adecuadamente, que
mejor aproximan el comportamiento real de un
dispositivo semiconductor en condiciones
especficas de operacin
Vi Vo

Seal senoidal

El transistor se puede utilizar como un dispositivo

amplificador. Es decir la seal de salida amplificada es
mayor que la seal de entrada.
 Amplificacin en el dominio de ca

Corriente estacionaria establecida por una fuente de cd

i
I (constante)
I R I
E
I
I

Efecto de un elemento de control sobre el flujo en estadot

estacionario del sistema elctrico
ic (V)
i
C i R i I
B
E
E i i
t
Anlisis del amplificador a pequea
seal
Para encontrar el equivalente de ca para una red de
transistores, se procede del modo siguiente:

El establecimiento de todas las fuentes de cd a cero y su

reemplazo por un corto circuito equivalente
El reemplazo de todos los capacitores por un corto
circuito equivalente
La eliminacin de todos los elementos sustituidos por los
cortos circuitos equivalentes introducidos en los pasos dos
primeros pasos
El dibujar de nuevo la red en una forma ms lgica y
conveniente
Circuito de transistores
VCC

RC
R1
Parlante
Micrfono
+
C2
RS
RL Vo

-
C1

+
R2
Vi
RE C3
-
 Circuito de la figura redibujado para el
anlisis de pequea seal ca
Ii Ib Ic Io
Circuito
equivalente del
B transistor para C
+ pequea seal +

Vi Vo
+ Zi E Zo

VS
- -

-
 Anlisis de sistemas de dos puertos
Ii Io

+ +
Vi
Sistema de Vo
Zi dos puertos Zo
- -

Impedancia de entrada, Zi: Vi

Zi
Para el extremo de la entrada, la Ii
impedancia de entrada Zi se define por
la ley de Ohm. 100kHz
La impedancia de entrada de un amplificador de transistor BJT es de
naturaleza puramente resistiva, y dependiendo de la manera en que se emplee
el transistor, puede variar de unos cuantos ohms hasta el orden de los
megaohms

Ii R sensor

Determinacin de Zi: + +
Sistema de
VS Zi Vi
dos puertos
- -
Vs Vi
Ii
Rsensor

Vi Vi Rsensor
Zi Zi
Ii Vs Vi
Ejemplo: Para el sistema de la figura determine el nivel
de la impedancia de entrada

Ii R sensor=1k

+ +

VS=2 mV Zi Sistema de
Vi=1.2 mV
dos puertos
- -

Solucin:
Vs Vi 2mV 1.2mV 0.8mV
Ii 0.8A
Rsensor 1k 1k
Vi 1.2mV
Zi 1.5k
Ii 0.8A
Impedancia de entrada, Zi:

La impedancia de salida se determina en las terminales de salida viendo

hacia atrs dentro del sistema con la seal aplicada fijada en cero.
R fuente R sensor

+ +

Sistema de Io
VS=0V Vo VS
dos puertos
Zo -
-

100kHz

V Vo Vo
Io Zo
Rsensor Io
Ejemplo: Para el sistema de la figura determine el nivel
de la impedancia de salida

R sensor
Io

+ +
20k

Sistema de VS =1V
Vo =680 mV
dos puertos
Vi =1V
- Zo -

Solucin:
V Vo 1V 680mV 320mV
Io 16A
Rsensor 20k 20k
Vo 680mV
Zo 42.5k
Io 16
Ganancia de voltaje, Av

Una de las caractersticas ms importantes de Vo

un amplificador es la ganancia de voltaje de Av
Vi
pequea seal de ca, que se determina por:
Adems: R fuente

+ + +

VS Zi AvNL
Vi Vo

- - -

Vo
Av
NL
Vi RL ( circuito abierto )
Para amplificadores de transistor, la ganancia de
voltaje sin carga es mayor que la ganancia de voltaje
con carga.

Algunos clculos matemticos:

Z iVS
Vi
Z i RS
Vi Zi

VS Z i RS
Vo Vi Vo
AVS
VS VS Vi
Vo Zi
AVS AVNL
VS Z i RS
Ejemplo
Para el amplificador BJT de la figura, determine:

(a) Vi
(b) Ii
(c) Zi
R fuente
(d) AvS
+ + +

VS Zi AvNL
Vi Vo

- - -
Solucin:
Vo V 7.68V
(a ) AVNL y Vi o 24mV
Vi AVNL 320
VS Vi 40mV 24mV
(b) I i 13.33
3
RS 1.2k
Vi 24mV
(c ) Z i 1.8k
I i 13.33A
Zi
(d ) AVS AV
Z i RS NL
1.8k
(320)
1.8k 1.2k
192
Ganancia de corriente, Ai

La ltima caracterstica numerica por discutir es la

ganancia de voiltaje y esta definida por:

Io
Ai
Ii
Para amplificador BJT, la ganancia de corriente
oscila entre los valores apenas menores a 1 y un
nivel que puede exceder los 100.
Determinacin de la ganancia de corriente con
carga:
Ii Io

+ +

BJT RL V0
Vi
Amplificador
Zi
- -

Vi Vo
Ii y Io
Zi RL
Io Vo / RL Io Zi Zi
Ai Ai Av
Ii Ii / Zi I i RL RL
EL MODELADO DE TRANSISTOR re

El modelo re emplea un diodo y una fuente controlada de

corriente para duplicar al comportamiento de un transistor en
la regin de inters. Recurdese que una fuente de corriente
controlada por corriente es aquella donde los parmetros de la
fuente de corriente se controlan por medio de una corriente en
otra parte de la red. De hecho, en general:

Los amplificadores de transistor BJT se conocen

como dispositivos controlados por corriente
 Configuracin de base comn

Ie Ic Ie Ic
E C e c
I c= I e

B B b b
Transistor BJT de base comn Modelo re para la configuracin

Ie Ic
e c
I c= I e
re 26 mV
re
IE
b b

Modelo equivalente re de base comn

Para la configuracin de base comn, los valores tpicos
de Zi varan entre unos cuantos ohms y un valor hasta de Zi=re
alrededor de 50

Para la configuracin de base comn, los valores tpicos

de Zo se hallan en el orden de los megaohms. Zo=
En general para la configuracin de base comn, la impedancia de entrada
es relativamente pequea mientras que la impedancia de salida es bastante
alta.
Para la ganancia de voltaje:

Vo I o RL ( I C ) RL I C RL I e R L R L R L
Av Av
Vi I e Z i I e re I e re re re
Para la ganancia de voltaje:
I o I C I e
Ai Ai 1
Ii Ie Ie
 Configuracin de emisor comn

Ic Ic

C c
I c= I b

Ib Ib

B b

E E e e
Transistor BJT de emisor comn Modelo aproximado para la configuracin
I c I b ;
I e ( 1)I b
Ic

I e I c I b I b I b c

I e I b I c= I b

Ii =Ib

Zi
Vi Vbe

Vbe I b I e b
Ii Ib
;
Zi + + Ie

Vi Vbe I e re I b re Ib Ib Vi Vbe

e
- -
Z i re e

Para la configuracin de emisor comn, los valores tpicos de Zi que se definen

mediante re oscilan desde unos cuantos cientos de ohms hasta el orden de los kilohms,
con valores mximos de entre 6 y 7 kilohms.
 Insercin de ro en el circuito equivalente de transistor

c
Z o ro
r0
Vo I o R L
Z0
Para la configuracin de emisor comn, los valores
tpicos de Zo se encuentran en el intervalo que va de los
e 40 a los 50k

Determinacin de la ganancia de voltaje y corriente para el

amplificador de transistor de emisor comn
Ii =Ib Io =Ic= Ib VO I o R L I o R L I b R L Vo I R
Av b L
Vi I i Z i I b re Vi I b re
+ +
Amplificador de RL
transistor BJT Av
Vi Zo = V0 re
Zi = re de ro
RL
emisor comn IO Io Ib
- - Ai Ai ro
Ii Ib Ib
 EL MODELO EQUIVALENTE HBRIDO

Ii Io
1 2
+ + Vi=h11Ii+h12V0

Vi V0

I0=h21Ii+h22V0
- -
1 2

Si fijamos abreviadamente Vi Si Ii se hace igual a cero Vi

h11 h12
V0=0 (corto circuito en las Ii V0 0
abriendo las conexiones de V0 I 0
i
terminales de salida). ohms entrada se producir: adimensional
 Captulo
VIII

Anlisis de
pequea
seal del BJT
 Configuracin de emisor comn con
polarizacin fija
VCC

RC C Vo
RB Io
Vo Io
C C2 Ii B
B Vi RC
Vi
C1 Zo Zo
RB
Ii Zi E
E
Zi

Configuracin de emisor comn Red despus de la eliminacin de los

con polaridad fija efectos de VCC, C1 y C2
 Ii Ib Ic
Clculo de Z i :
Z i R B || re + Zi b
Ib
c Io +
Z i re
R B 10 re Vi RB re RC Vo

Clculo de Z o : Z o RC - Zo -
Clculo de Av :
VO I o RC
V o I (b i ) RC
I o I b Vi Vo RC
V o RC AV

Vi Vi re Vi re
Ii
Z i re
Clculo de Ai :
IO
I O I b I i Ai
Ii
 Problema: Para la red de la figura. Determine

(a)Determine re
+12 V
(b)Encuentre Z0 (con ro )
(c) Calcule Zo(con ro )
(d) Determine A v (con ro ) 3 k
470 k I0 10F
(e) Encuentre A i (con ro )
Vo
(f) Repita los incisos (c) al (e) incluyendo ro 50k Ii
en todos los clculos y compare los resultados Vi =100
10F ro=50k
Zi Z0

1 k

Solucin
Soluci
n : (a) IB
VCC VBE 12 V 0.7 V
RB

470 k
24.04 A

I E ( 1) I B (101)(24.04 A) 2.428 mA
26mV 26mV
re 10.71
IE 2.428mA
(b) re (100)(10.71) 1.071
Z i RB || re 470 k || 1.071 1.069
(c) Z O RC 3k
R 3k
(d) AV C 280.11
re 10.71
(e) Ai 100
(f) Z o ro || R C 50 k || 3k 2.83k
r || R C 2.83k
Av o 264.24
re 10.71 k
r (50 k)(100)
Ai o 94.34
ro RC 50 k 3 k
Polarizacin por divisor de voltaje
VCC

ii

R1 RC

C Vo
ii
C2 R1 R2
B R ' R1 || R2
Vi
Z0 R1 R2
C1
E
Zi
R2
RE CE
Clculo de Z i : Z i R ' || re
Clculo de Z o : Z o RC
Clculo de Av :
Ii Ib Ic
V0 I o RC I 0 I b
Vo I b RC b c Io
+ Zi +
Vi R Ib
RC

RC C Vi Vi R

re
Vo
rere - Zo -
V R
AV o C
Vi re e e
Clculo de Ai :
R' I i I R'
Ib b I b
R ' re Ii R ' re
I0 I I I R'
Ai O O b Ai
Ib Ii Ib Ii R ' re
Problema: Para la red de la figura. Determine

(a) re +22 V

(b) Z i
(c) Zo
6.8 k
I0
(d) A v 56 k 10F
(e) A i Vo

(f) Los parmetros de los

=90
incisos (b) al (e) Vi
Zo
10F
si ro 1 / hoe 50k
y compare los resultados Ii 8.2 k
1.5 k 10F

Zi

Solucin
 (a) CD : Al probrar re 10 R2 , empleando el enfoque aproximado
Soluci VB
R2
VCC
8.2 k(22 V)
2.81V
R1 R2 56 k 8.2 k
n : VE VB VBE 2.81V 0.7V 2.11V
VE 2.11V
IE 1.41mA
RE 1.5k
26mV 26mV
re 18.44
IE 1.41mA
(b) R' R1 || R2 (56) || (8.2) 7.15
Z i R ' || re (7.15) || (90)(18.44) (7.15) || (1.66k) 1.35k
(c) Z O RC 6.8k
RC 6.8k
(d) AV re

18.44
368.76

R' (7.15 k)(90)

(e) Ai 73.0
R ' re 7.15 k (90)(18.44 k)
(f) Z i 1.35k
Zo ro || R C 50 k || 6.8k 5.98k
ro || R C 5.98k
Av 324.3
re 18.44 k
Zi 1.35 k
Ai Av (324.3) 64.38
RC 6.8 k
 Configuracin de polarizacin de
emisor para emisor comn
SIN DERIVACION
VCC
Ii Ib Ic

b c
RC + +
RB Ib
IO Io
Zi re
Vo Zb Zo
Ii C2
Vi RB RC Vo
Vi
C1 e
Zo Ie=(+1)Ib
Zi RE
RE
- -
La impedancia de entrada de un transistor con un
resistor sin derivacin RE se determina por: Z b re ( 1) RE
Como >>1: Z b re RE (re RE ) y RE>>re: Z b RE

Calculando Zi : Z i RB || Z b Calculamos Zo : Z 0 RC
Calculando Av : Calculando Av :
RB I i Ib RB
Ib
Vi Ib
Zb RB Z b I i RB Z b
Vi I0
V0 I 0 RC I b RC RC I 0 I b
Zb Ib
Vo R I0 I0 Ib RB
Av C Z b (re RE ) Ai
Vi Zb
Ii Ib Ii RB Z b
adems Z b RE :
I0 RB I0
V R
AV 0 C Ai Av
Vi RE I i RB Z b Ii
RC
CON DERIVACION: Z b re Av
re
Problema:
Para la red de la figura. Sin CE (sin derivacin)
Determine :
+20 V

(a) re
5.6 k
(b) Z i I0
270 k 10F
(c) Zo Vo
(d) Av
=120
(e) Ai Vi
Zo
10F

CE
Ii
1.2 k 10F

Zi

Solucin
Soluci
V V 20 V 0.7 V
n
(a) I: B
CC
R ( 1) R
BE

270 k (121)1.2k
46.5 A
B E

I E ( 1) I B (121)(46.5A ) 5.63 mA
26mV 26mV
re 4.62
IE 5.63mA
(b) Z b re ( 1) RE (120)(4.62) (121)(1.2) 145.75
Z i RB || Z b 270k || 145.75k 94.65k
(c) Z O RC 5.6k
RC (120)5.6k
(d) AV 4.61
Zb 145.75
Z 94.65k
(e) Ai AV i (4.61) 77.92
RC 5.6 k
 Configuracin de emisor seguidor

VCC
Ii Ib

b c
+
Ib
RB
Zi re
C
Ii
B Vi RB
Vi
C1 C2 e Io +
E Vo
Zb Zo
Zi RE Vo
RE IO -
- Ie=(+1)Ib
Zo
La impedancia de entrada se determina del mismo
modo como se describi en la seccin anterior: Z i RB || Z b
Z b re ( 1) RE Z b (re RE ) Z b RE
Calculamos Zo :
Vi V ( 1)Vi Vi
Ib I e ( 1) I b ( 1) i I e
Zb Zb re ( 1) RE [ re /( 1)] RE
re r Vi
1 e re I e Z 0 RE || re RE re Z 0 re
1 re RE
Calculamos AV :
Vi V
Por divisor de voltaje : I b ( 1) I e ( 1) I b ( 1) i
Zb Zb
REVi V RE V0
V0 AV 0 Adems : re RE RE AV 1
re RE Vi re RE Vi
Ahora calculamos Ai :
RB I i I RB I
Ib b I 0 I e ( 1) I b o ( 1)
RB Z b I i RB Z b Ib
Io Io Ib RB RB Z
Ai ( 1) 1 Ai Ai AV i
Ii Ib Ii RB Z b RB Z b RE
Problema:
Para la red de emisor de la figura. Determine :

+12 V

(a) re
(b) Z i
220 k
(c) Z o
(d) Av
(e) Ai Vi
=100

10F 10F
Vo
Ii
I0
3.3 k
Zi
Zo

Solucin
Soluci
V V 12 V 0.7 V
n
(a) I :
B CC BE
R ( 1) R

220 k (101)3.3k
20.42 A
B E

I E ( 1) I B (101)(20.42A) 2.062 mA
26mV 26mV
re 12.61
IE 2.062mA
(b) Z b re ( 1) RE (100)(21.61) (101)(3.3k) 334.56k
Z i RB || Z b 220k || 334.56k 132.72k
(c) Z O RE || re 3.3k || 12.61 12.56 re
V0 RE 3.3k
(d) AV 0.996 1
Vi RE re 3.3k 12.61
Zi 132.72k
(e) Ai AV (0.996) 40.06
RE 3.3 k
 Configuracin de base comn
Ii Ie Ic
E C
Clculo de Z i : RE || re
+ I0 +
Clculo de Z o : Z o RC
RE RC
B Clculo de Av :
Vi Z0 V0
Zi VO I o RC ( I c ) RC I e RC
VEE VCC
Vi V
- - adems : I e Vo i RC
re re
Configuracin de base comn
Ie V R R
Ii Ic AV o C C
Vi re re
e c Io Clculo de Ai :
+ Zi +
Ie como RE re :
Vi R RC Vo
re
- Zo - I e I i I 0 I e I i
IO
Ai 1
b b Ii
Sustitucin del circuito equivalente re
Problema:
Para la red base comn de la figura. Determine :

Ie
(a) re
(b) Z i +
Ii I0 +

(c) Z o 1 k =0.98 5 k
Vi Z0 V0
(d) Av Zi
2V 8V
(e) Ai - -

Solucin
 Solucin:
VEE VBE 2 V 0.7 V
(a) IE 1.3 mA
RE 1 k
26mV 26mV
re 20
IE 1.3mA
(b) Z i RE || rE 1k || 20 19.61 re
(c) Z O RC 5k
RC 5k
(d) AV 250
re 20
(e) Ai 0.98 1
 Configuracin de colector con
retroalimentacin
VCC

RC

RF I0
- RF +
Vo
B C
Ii C2
C Ic Io
+ Ii Ib I +
Vi B
Vi re Ib RC Vo
C1 Z0 - Zi Zo -
E
Zi

Sustitucin del circuito equivalente

re de ca
Configuracin de retroalimentacin
en colector
Primero se determinar la ganancia de voltaje, seguida por la ganancia de corriente y los
niveles de impedancia
AV : En el nodo C : I 0 I b I '
Para los valores tpicos, I b I ' y I 0 I b V0 I O RC ( I b ) RC
Vi V0 R
Al sustituir I b Vi /re obtenemos : V0 RC AV C
re Vi re
Ai : Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff en torno de la malla exterior : Vi VRF Vo 0
y I b re ( I b I i ) RF I 0 RC 0 con I 0 I b tenemos : I b re I b RF I i RF I b RC 0
I0
factorizando : I b ( re RF RC ) I i RF sustituyendo I b I 0 / : ( re RF RC ) I i RF

RF I i RF I i
despejamos I O tenemos : I 0 y re RF , RC I0
re RF RC RF RC
I RF I R
y para RF RC : Av 0 finalmente la ganancia de corriente queda : Av 0 F
I i RC I i RC
 V0 Vi V0
Z i : De la figura : I b I i Como V0 Vi : I b I i
RF RF
V r
y Vi I b re I i 0 re I i re e V0
RF RF
r A V
Al sustituir V0 AvVi : Vi I b re e v i
RF
re
r A V re 1 re
Luego : Vi 1 e v I i re i
RF I i 1 re ( Av / RF ) RF
Av
xy x
Para elementos en paralelo : x || y
x y 1 x / y
RF V R
donde : x re y y finalmente la impedancia de entrada queda : Z i i re F
Av Ii Av
Z 0 : Para calcular Z0 hacemos Vi igual a cero. El efecto de re se elimina y RF aparece en
paralelo con RC .
Z 0 RC||RF
Problema:
Para la red de la figura. Determine :

9 V

(a) re 2.7 k
(b) Av 180 k I0
Vo
(c) Ai Ii 10 F
(d) Z i Vi
=200
(e) Z o 10 F

Zi Z0
Soluci
n
(a) I :
V V CC BE

9 V 0.7 V
11.53 A
RF RC
B
180 k (200)2.7k
I E ( 1) I B (201)(11.53A) 2.32 mA
26mV 26mV
re 11.21
IE 2.32mA
RC 2.7k
(b) Av 240.86
re 11.21
RF (200)(180k)
(c) Ai 50
RF RC 180 k (200)(2.7 k)
RF 180k
(d) Z i re (200)(11.21) 0.56k
Av 240.86
(e) Z O RC || RF 2.7 k || 180 2.66
 Configuracin de colector con
retroalimentacin en CD
VCC

RC
RF1 RF2 I0
Ii Ib
Vo
C2
C3 Io
C1 + Zi Ib +
Vi Vi RF1 re RF2 RC Vo

Z0 - Zo -
Ii

Zi
R

Configuracin de retroalimentacin Sustitucin del circuito equivalente

CD en el colector re en la red de ca
Clculo de Z i : Z i R F1 || R F1 || re
Clculo de Z o : Z o RF2 || RC
Clculo de Av : R' R F2 || RC y Vo I b R'
V V Vo R F2 || RC
adems I b i V0 i R ' Av
re re Vi re
Clculo de Ai :
RF1 I i Ib RF1
Para la seccin de entrada : I b o
R F1 re Ii RF1 re
RF2 I b Io R F2
Para la seccin de salida : I o o
RF2 RC I b R F2 RC
IO IO Ib R F2 R F1
La ganancia de corriente : Ai
Ii Ib Ii RF2 RC R F1 re
RF1 R F2 Zi
Ai o Ai Av
( RF1 re )( R F2 RC ) RC
Problema:
Para la red de la figura. Determine :

12 V

(a) re 3 k
(b) Z i 120 k 68 k I0
Vo
(c) Z o 0.01 F
10 F

(d) Av 10 F
Vi =140
(e) Ai
Ii
Z0

Zi
Soluci
n : V V 12 V 0.7 V
(a) IB CC BE
18.6 A
R F RC (120 k 68 k) (140)3k
I E ( 1) I B (141)(18.6 A) 2.62 mA
26mV 26mV
re 9.92
IE 2.62mA
(b) Z i re (140)(9.92) 1.39k
(c) Z O RC || RF2 3k || 68k 2.87 k
R' RC || RF2 2.87 k
RC || RF2 2.87k
(d) Av 298.3
re 9.92
RF1 R F2 (140)(120k)(68k)
(e) Ai 132.54
( RF1 re )( RF2 RC ) (120 k 1.39 k) (68 k 3 k)

 Captulo
IX

Anlisis de
pequea
seal del FET
gm
INTRODUCCIN
Los dispositivos FET pueden emplearse para
construir circuitos amplificadores de pequea seal
brindando ganancia de voltaje a una resistencia de
entrada muy alta.
El FET puede utilizarse como un dispositivo lineal en
circuitos amplificadores o como dispositivo digital en
circuitos lgicos.
Los dispositivos FET tambin son ampliamente
utilizados en aplicaciones de alta frecuencia y en
aplicaciones de acoplamiento (interfasado).
 MODELO DE PEQUEA SEAL
DEL FET
Para efectuar el anlisis de ca empleando FET, necesitamos
primero obtener un circuito equivalente de ca para el dispositivo.
Un voltaje de compuerta a fuente controla la corriente de
drenaje fuente (canal) en un FET .
Esta accin de una seal de voltaje en un conjunto de terminales
que afecta la corriente en otro conjunto de terminales, se
describe por medio de una conductancia de transferencia, o
parmetros de transconductancia gm.
MODELO DE PEQUEA SEAL DEL
FET
Donde gm se define generalmente como:
corriente de drenaje fuente
gm
voltaje de compuerta fuente

Para un dispositivo FET el valor de gm puede

obtenerse a partir de la ecuacin de Shockley.
VGS 2 I DSS
g m g mo 1 g mo
VP VP

El valor de gm0 es el valor de la transconductancia FET en

el punto de polarizacin VGS = 0 V.
Problema:

Calcule el valor de gm para un JFET con los parmetros IDSS = 8

mA y VP = -4 V, para los puntos de polarizacin de cd con:

a) - 0.5 V.
b) - 1.5 V.
c) - 2.5 V.
Solucin
Empleando la ecuacin para calcular gmo, obtenemos:
:
2 I DSS 2 ( 8 mA )
g mo 4 mS
VP 4V
a) Para VGS = - 0.5 V.
VGSQ 0.5V
g m g mo 1 4mS 1 3.5 mS
VP 4V
b) Para VGS = - 1.5 V.
VGSQ 1.5V
g m g mo 1 4mS 1 2.5 mS
VP 4V

c) Para VGS = - 2.5 V.

VGSQ 2.5V

g m g mo 1
4mS 1 1.5 mS
VP 4V
 Circuito equivalente FET de CA

D
D Id ID
G G
gmVgs rd
Vgs S Vgs
S

El modelo de ca, muestra una resistencia ca de salida

entre las terminales de drenaje a fuente con valor de rd
Resistencia de salida del FET, rd
ID (mA)
VGS = 0V

VDS
rd VGS
ID
VGS = -1V
VDS ID
rd VGS constante VDS
ID VGS = -2V

0 VDS
Los datos de la hoja de especificaciones del dispositivo proporciona
un valor de conductancia de salida, yos, cuyo valor reciproco es la
resistencia de salida rd. Es decir:
1
rd
yos
Impedancia de Entrada, Zi
Z i (FET )

Impedancia de Salida, Z0
1
Z 0 ( FET ) rd
yos

Ganancia de Voltaje, AV
Vo Vds ( g m Vgs ) rd
AV ( FET ) g m rd
Vi Vgs Vgs
Las hojas de especificaciones exhiben el valor de gm como:
gm = yfs
 CIRCUITO EQUIVALENTE DE CA:
CIRCUITOS JFET BSICOS
+ VDD Circuito equivalente de ca
XC1 = 0 G D XC2 = 0

Vi V0
RD
RG gmVgs rd RD
C2
D
V0
C1 VGG = corto
S
VDD = corto
G
Vi
S
RG Circuito equivalente de ca dibujado de nuevo
G D

VGG
Vi RG Vgs gmVgs rd RD V0

S
Circuito amplificador JFET
 Amplificador FET con polarizacin por
divisor de voltaje
R1 RD
+ VDD
XC1 = 0 G D
Vi XC2 = 0 V0

R2 gmVgs rd
RD
R1 C2
V0 S
C1 Circuito equivalente de ca
Vi

R2 G D
RS
CS
Vi R1 R2 Vgs gmVgs RD V0
rd

S
Circuito amplificador FET
Circuito equivalente de ca dibujado de nuevo
 GANANCIA DE VOLTAJE

La ganancia de voltaje de un amplificador FET puede

obtenerse del circuito equivalente de ca.

Vo ( g m Vgs ) ( RD || rd )
Vo
Vo g m Vgs ( RD || rd ) AV g m ( RD || rd )
AV Vi
Vi Vgs

Si el valor de la resistencia del dispositivo, rd, es mucho

mayor que la resistencia del circuito, RD, la ecuacin es
casi igual a:
Vo
AV g m RD r R
Vi d D
Problema:

Calcule la ganancia de voltaje del circuito amplificador FET en

la figura: +9V

2.2 K
C2
D
V0
C1 0.05 F Datos de la hoja de
G especificaciones:
Vi
0.05 F S yos = 40 S

10 M IDSS = 8 mA
750 20 F VGS(apagado) = - 4 V
 Solucin 2 I DSS 2 ( 8 mA )
Empleando la ecuacin: g mo 4 mS
: VP 4V

Los clculos de polarizacin de cd resultan en que IDQ = 2.4 mA, VGSQ = - 1.8 V.
En el punto de polarizacin de cd, resulta:

VGSQ 1.8V
g m g mo 1 4mS 1 2.2 mS
VP 4V
Tambin:
1 1
rd 6
25 K
yos 40 *10

La ganancia de voltaje del circuito se calcula entonces:

AV g m ( RD // rd )
AV ( 2.2 *10 3 ) ( 2.2 K // 25 K ) 4.45
 Ganancia de Voltaje del amplificador
FET con resistencia de fuente
(suponiendo que rd )
+ VDD
Vo g m RD Ntese que la ganancia se
AV reducir a gmRD si RS se
Vi 1 g m RS encuentra en derivacin.
RD
C2 G D
V0
Vi V0
Vi C1
Vgs gmVgs

RG RD
RG S
RS

RS

Circuito amplificador FET Circuito equivalente de ca

 Ganancia de Voltaje de un amplificador
FET con resistencia de fuente
(rd presente)
VO VS I o RD I o RS
I o g m Vgs g m Vgs
rd rd
G D
Vi Vgs Vi I o RS
Vgs gmVgs rd

RG RD
V0 Vo
S
VO VS
AV
Vi
RS rd
I0
g m RD
AV
1 g m RS ( RD RS ) / rd
 Impedancia de entrada
La impedancia de entrada de un circuito FET se debe
principalmente a la resistencia entre la terminal de compuerta y
la tierra.

+ VDD
Z i RG
RD
C2 G D
D
V0
C1 G
Vi Vi RG gmVgs rd RD V0
S Zi
RG S
Zi
RS
CS
 Impedancia de entrada
Para el circuito divisor de voltaje, es:

R1 R2
+ VDD Z i R1 // R2
R1 R2
RD
R1 C2
V0 G D
C1
Vi
Vi R1 R2 gmVgs RD V0
rd

Zi R2 Zi
RS S
CS
Impedancia de salida de CA
La impedancia que se observa desde la salida hacia el circuito
amplificador es bsicamente la que se debe a la resistencia del
dispositivo entre drenaje y fuente, y el resistor de polarizacin,
RD.
+ VDD
rd RD
Z o rd // RD
RD
rd RD
C2
D
V0 D
C1 G
Vi Z0
gmVgs rd RD V0
S
RG Z0
RS S
CS
Problema:

Calcule la impedancia de entrada y salida del circuito

amplificador FET en la figura:
+9V

2.2 K
C2 Datos de la hoja de
D especificaciones:
V0
C1 0.05 F
G yos = 40 S
Vi
0.05 F IDSS = 8 mA
S
10 M VGS(apagado) = - 4 V
750 20 F
 Solucin
:
Empleando la ecuacin para la impedancia de entrada es:

Z i RG 10 M
Para las especificaciones del dispositivo dadas, el valor de rd es:

1 1
rd 25 K
yos 40 S
La impedancia de salida de ca del circuito se calcula entonces empleando la
ecuacin:
rd RD
Z o rd // RD
rd RD
Entonces:

Z o 25 K // 2.2 K 2.0 K
 CIRCUITO FUENTE SEQUIDOR
(DRENAJE COMN)
+ VDD

D
G S
C1 G V0
Vi
Vi C2
S gmVgs
V0 rd RS
RG RG
RS D

Ganancia de Voltaje:
Vo ( g m Vgs ) ( RS // rd )
El voltaje Vgs es : Vgs Vg Vs Vi Vo Vo g m ( RS || rd )
AV
Vo g m ( Vi Vo ) ( RS // rd ) Vi 1 g m ( RS || rd )
 CIRCUITO FUENTE SEQUIDOR
(DRENAJE COMN)
G S
Vi V0
Zi
gmVgs Zo
rd
RG RS
D

Impedancia de Entrada: Impedancia de Salida:

La impedancia de entrada es el valor de
la resistencia de compuerta La impedancia de salida de un circuito
FET fuente seguidor es la impedancia
Z i RG que se obtiene viendo hacia la fuente:

Si el circuito tiene un divisor de voltaje

en la compuerta: 1
Z o RS || rd ||
Z i R1 || R2 gm
Problema:

Calcule la ganancia de voltaje y las impedancias de entrada y

salida para el siguiente circuito:

+9V IDSS = 16 mA
VP = - 4 V
D
0.05 F
yos = 25 S
G

S 0.05 F
V0
Vi
1 M 2.2 K
400 mV
 Solucin
De los clculos de cd, V = -2.86 V. 2 I DSS 2 (16 mA )
: transconductancia del dispositivo
GSQ g mo 8 mS
La VP 4V
es:

VGSQ 2.86 V
g m g mo 1 8mS 1 2.28 mS
VP 4V
La resistencia de salida de ca 1 1
rd 6
40 K
del dispositivo es: yos 25 *10

g m ( RS || rd ) (2.28 mS ) (2.2 K || 40K)

La ganancia de AV 0.83
voltaje se obtiene: 1 g m ( RS || rd ) 1 (2.28 mS ) (2.2 K || 40 K)

La impedancia de salida es :
La impedancia de entrada : 1 1
Z o RS || rd || 2.2 K || 40 K ||
Z i RG 1 M gm 2.28 *10 3
Z o 362
CIRCUITO DE COMPUERTA COMN
+ VDD

RD S D
C1 C2
S D
gmVgs
Vi RS V0
Vi V0 RD
RS
G
G

Ganancia de voltaje: Impedancia de Entrada:

Vo 1
AV g m RD Z i RS ||
Vi gm
Impedancia de Salida:
Si se incluye rd la ecuacin ser:

AV g m ( RD || rd ) Z o RD || rd
Problema:

Calcule la ganancia de voltaje y las impedancias de entrada y

salida para el siguiente circuito:
+ 12 V

3.6 K

V0
10 F IDSS = 10 mA

10 F VP = - 4 V

Vi 1.1 K
100 mV
Solucin
:
De los clculos de polarizacin de cd resultan en VGSQ = -2.2 V.
Con gmo = 5 mS, el valor de gm para la condicin de polarizacin es:

VGSQ 2.2 V
g m g mo 1 5mS 1 2.25 mS
VP 4V

La ganancia del amplificador es (para rd muy grande)

AV g m RD 2.25 mS (3.6 K) 8.1

Y el voltaje de salida es:

Vo AV Vi 8.1 (100 mV ) 0.81V

AMPLIFICADOR MOSFET DE TIPO
INCREMENTAL

G pMOS D

Vgs gmVgs rd

D 1
G nMOS g m y fs rd
yos
S
 AMPLIFICADOR MOSFET DE TIPO
INCREMENTAL
RG
+ VDD
Ii
G D
RD V0
C2
V0 Zi Zo
RG D gmVgs rd RD
Vi Vgs
Vi G
C1 S S

Impedancia de Entrada:
Ganancia de voltaje:
RG
V
AV o g m ( RD || rd ) Zi
Vi 1 g m ( RD || rd )
Determinacin del valor de gm : Impedancia de Salida:
g m 2 k ( VGSQ VT )
Z o RD || rd || RG
k = 0.3 mA / V2
Problema:

Calcule el voltaje para el siguiente circuito:

+ VDD
- 12 V

2 K
0.05 F
V0
D VGS(Th) = - 3 V
10 M
G Yfs = 2 mS
Vi = 10 mV
0.01 F S
Yos = 20 S
 Solucin
:
Los clculos de polarizacin de cd resultan en V
los datos de la hoja de especificaciones.
GSQ = - 6.1 V e ID = 2.9 mA. De

1 1
rd 6
50 K
Yos 20 *10

Empleando la ecuacin:
g m 2k (VGSQ VT ) 2 (0.3*10 3)(6.1V 3V )
g m 1.86 mS

La ganancia de voltaje:
Vo
AV g m ( RD || rd ) 1.86 *10 3 (2 K || 50 K)
Vi
AV 3.6
El voltaje de salida es:
Vo AV Vi 3.6 (10 mV ) 36 mV
 Captul
oX
Manejo de
sistemas:
efectos de RS
y RL RS /RL
 SISTEMAS DE DOS PUERTOS
Parmetros importantes de un sistema de dos puertos:
Ii Io

Zi AVNL Zo
Vi Vo
AiNL

Thvenin
Los niveles de impedancia y las ganancias se determinan para condiciones de
ausencia de carga (ausencia de RL) y ausencia de una resistencia de fuente (RS).
Ii Io
Ro
Z Th Z o Ro
Vo Ri AVNLVi
AVNL Vi Zi Zo Vo
Vi ETh AVNL Vi
Vo AVNL Vi
Sustitucin de elementos internos para el sistema de dos puertos.
Problema:

Para la red de transistor de polarizacin fija de la figura; dibuje

el equivalente de dos puertos:

12 V

3 K
470 K Io
Ii Vo
10 F
Vi
Zo
10 F
= 100
Zi
ro = 50 K
 Solucin
: Zi = 1.07 K
Se sabe que: Zo = 3 K
AVNL = -280.11

Empleando la informacin anterior, se puede dibujar el equivalente de dos

puertos. Ntese, en particular, el signo negativo asociado a la fuente de
voltaje controlada, revelando una polaridad opuesta para la fuente
controlada que se indica en la figura. Tambin se revela un desfasamiento
de 180 entre los voltajes de entrada y salida.

Ro=3 K

Vi Ri= 1.07 K -280.11Vi Vo

 EFECTO DE UNA IMPEDANCIA DE
CARGA (RL)
Ii Io
Ro

Vi Ri AVNLVi RL Vo

Ganancia de Voltaje: Corriente de Salida:

V RL Vo
AV o AVNL Io
Vi RL Ro RL
Relacin entre el voltaje aplicado y la La ganancia de Corriente:
corriente de entrada:
Zi
Ii
Vi Vi

Ai AV
Z i Ri RL
Problema:
En la figura, se ha aplicado una carga al amplificador a transistor de
polarizacin fija:
Determine las ganancias de voltaje y corriente haciendo uso del
manejo de sistemas de dos puertos.

12 V

RC 3 K
RB 470 K
Ii Vo
CC
Vi
Zo
RL 2.2 K
= 100
Zi
 Solucin
:
Zi = 1.071 K (con re = 10.71 y =100)
Se sabe que: Zo = 3 K
AVNL = -280.11

La aplicacin de la ecuacin, nos conduce a:

RL 2 .2 K
AV AVNL (280.11)
RL Ro 2.2 K 3 K
AV 118 .5

Para la ganancia de corriente:

Zi 1.071 K
Ai AV (118 .51) 57.69
RL 2.2 K
( En este caso, Zi no se ve afectada por la c arg a aplicada)
 EFECTO DE LA IMPEDANCIA DE LA
FUENTE (RS)
Ii
RS Ro

VS Ri AVNLVi
Vi Vo
Zi

Por divisor de voltaje se obtiene:

La corriente de entrada, se altera por
Ri VS la presencia de una resistencia de
Vi fuente como sigue:
Ri RS
Ri VS
Vo AVNL Vi ; Vi VS
Ri VS Ii
Vo Ri Ri RS
AVS AVNL
VS Ri RS
Problema:

De la figura, se aplica una fuente con una resistencia interna al

amplificador a transistor de polarizacin fija .
Determine la ganancia de voltaje AVS = Vo / Vs Qu porcentaje de la
seal aplicada aparece en las terminales de entrada del amplificador?
12 V

3 K
470 K
RS
= 100
0.5 K
Zo Vo
VS Vi
Zi
 Solucin
:
El equivalente de dos puertos para la red es:
RS Ro

0.5 K 3 K
VS Ri AVNLVi
Vi 1.071 K Vo
Zi -280.11Vi

Para la ganancia de voltaje:

Vo Ri 1.071 K
AVS AVNL (280.11)
VS Ri RS 1.071 K 0.5 K
AVS 190.96
De la ecuacin: RV (1.071 K) VS
Vi i S 0.6817 VS
Ri RS 1.071 K 0.5 K
O 68.2 % de la seal disponible alcanza el amplificador y un 31.8 %
se pierde al cruzar la resistencia interna de la fuente
 EFECTO COMBINADO DE RS Y RL
IS RS Ii Io
Ro

VS Vi Ri AVNLVi RL
Zi Vo

En el extremo de entrada:
Vi Ri
Puesto que Ii = Vi / Ri:
VS Ri RS
Ri
Ai AV
En el extremo de salidas: RL
Vo RL AVNL
AV
Vi RL Ro Empleando IS = VS / (RS + Ri) :

RS Ri
La ganancia total AVS = Vo/VS resultar: Ais AVS
RL
Vo Ri RL
AVs AVNL
VS Ri RS RL Ro
 Proble
ma
Para :
el amplificador de etapa simple de la figura, con R L = 4.7 K y RS
= 0.3 K, determine:
(a) AVS
(b) AV = Vo / Vi
(c) Ai
Los parmetros de dos puertos para la configuracin de
polarizacin fija son Zi = 1.071 K, Zo = 3 K y AVNL = -280.11
12 V

3 K
470 K
Vo
RS 10 F 20 F
= 100
0.3 K
Zo RL 4.7 K
VS Vi
Zi
 Solucin
:
(a) Calculando A VS

Vo Ri RL 1.071 K 4.7 K
AVs AVNL (280.11)
VS Ri RS RL Ro 1.071 K 0.3 K 4.7 K 3 K
AVs 133.57

(b) Hallando AV = Vo / Vi
Vo RL AVNL ( 4.7 K) (280.11)
AV 170.98
Vi RL Ro 4.7 K 3 K

(c) Calculando Ai

Ri 1.071 K
Ai AV ( 170.98) 38.96
RL 4.7 K
RS Ri 1.071 K 0.3 K
Ais AVS (133.57) 38.96
RL 4.7 K
REDES DE EMISOR COMN
Polarizacin Fija:
RS Ro

RC
VS Vi Ri re AVNLVi Vo RL
Zi Zo

RL AVNL Vi
Vo
RL Ro

RL || RC
AVNL RC / re y Ro RC AV
re
Vo R ( RC / re )
L
Vi RL RC
REDES DE EMISOR COMN
Polarizacin Fija:
Si el modelo re se sustituye por el transistor, se obtendr:

RS

Zo
VS Vi re Ib RC RL Vo
Zi

La ecuacin para la ganancia ser:

Z V Zi
Vi i S AVs AV
Z i RS Z i RS
Vo V V Las respectivas impedancias sern:
AVs i o
VS VS Vi Z i re Z o RC
REDES DE EMISOR COMN
Polarizacin por divisor de voltaje:
VCC

RC Io
R1
RS Ii Ib C2

C1 Zo RL Vo
VS Vi R2
RE CE
Zi

RC || RL
AV
re
Z i R' || re R' R1 || R2
Zi
Z o RC AVs AV
Z i RS
 REDES DE EMISOR COMN
Polarizacin de emisor comn sin derivacin:
Las respectivas
VCC
impedancias sern:

RC Io
Z i RB || RE
RB
RS Ii
C2 Z o RC
C1 Zo RL V La ecuacin para las
o
VS Vi ganancias:
RE
Zi
RC || RL
AV
RE

Vo Zi Io Zi
AVs AV Ai AV
Vs Z i RS Ii RL
 REDES DE EMISOR COMN
Retroalimentacin de colector:

VCC Las respectivas

impedancias sern:
RC Io
RF RF
RS Ii
Z i re ||
C2 AV
C1 Zo RL Vo
VS Vi
Zi Z o RC || RF

La ecuacin para la Vo Zi RC || RL
ganancia de voltaje AVs AV AV
ser:
Vs Z i RS re
Proble
ma :

El amplificador con retroalimentacin de colector tiene los siguientes

parmetros del sistema sin carga: AVNL = -280.11, Zo = RC||RF = 2.66 K
y Zi = 0.553 K, con re = 11.3 y = 200. Haciendo uso del manejo de
sistemas, determine:
(a) AV 9V

(b) AVS
(c) Ai 2.7 K I
180 K o

0.6 K Ii
= 200
C1
3.3 K Vo
VS Vi
Zi Zo
 Solucin
(a) Para :el sistema de dos puertos:
RC || RL 2.7 K || 3.3K
AV 131.42
re 11.3
RF 180 K
Z i re || (200) (11.3 ) || 0.853 K
AV 131.42
El manejo del sistema resultar en la configuracin de la figura con el valor
de Zi controlado por RL y la ganancia de voltaje. Ahora la ecuacin de la
ganancia de dos puertos se puede aplicar (con leve diferencia en AV debida
a la aproximacin Ib >> IRF)
RL AVNL (3.3K)(238.94)
AV 132.3
RL Ro 3.3K 2.66 K
0.6 K 2.66 K

VS Vi 0.853 K -238.94Vi Vo 3.3 K

Zi Zo
 Solucin
: A
(b) Hallando VS

Vo Zi 0.853 K
AVs AV ( 132.3)
Vs Z i RS 0.853 K 0.6 K
AVs 77.67

(c) Calculando Ai

Io Zi 0.853 K
Ai AV ( 132.3)
Ii RL 3.3 K
Ai 34.2

Z i RS 0.853 K 0.6 K
o Ai AVS ( 77.67)
RL 3.3 K
Ai 34.2
 REDES DE EMISOR SEGUIDOR
VCC
b c
Ib

RB RS re Ib
RS Ii Ib Vi
Io
C1 VS Ie = (+1)Ib e

VS Vi C2 RE* Vo
RE
Zi RL Vo
Zo

Circuito equivalente re
Configuracin de Emisor-seguidor con RS y RL (RE* = RE || RL)

Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff: Al fijar el valor de Ie = (+1)Ib y

+1 , tenemos:
VS I b RS I b re ( 1) I b R 'E 0
VS
De manera que:
VS Ie
Ib ( RS / re ) R 'E
RS re ( 1) R 'E
 REDES DE EMISOR SEGUIDOR
Redes resultantes de la aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff:

RS/ + re RS/ + re
Io
Ie Zo

VS RE* Vo VS RE RL Vo

La Ganancia de Voltaje es: Para la impedancia de salida:

Vo
R'E VS Z b re R ' E ; Z i RB || Z b
R'E ( RS / re )
Z i RB || re RE || RL
Vo RE || RL
AVs
VS RE || RL RS / re La ecuacin de ganancia:

RE RE || RL
Estableciendo R AVNL AV
Z o RE || S re RE R e RE || RL r e
Zo:
REDES DE BASE COMN

RS C1 Ii Io

C2
RE RC
VS Vi RL Vo
Zi Zo
VEE VCC

RC || RL
Ganancia de Voltaje: AV
re

Ganancia de Corriente: Ai 1
 Proble
ma :
Para el amplificador de base comn,los parmetros de dos puertos sin carga
son (haciendo uso de = 1): Zi = re =0.553, AVNL = 250, Zo = 5 K.
Empleando el modelo equivalente de dos puertos, determine:
(a) AV
(b) AVS
(c) Ai

0.2 K Ii =1 Io

10 F 10 F
1 K 5 K
VS Vi 8.2 K Vo
2V 8V
 Solucin
: equivalente de pequea seal de ca:
(a) La red
0.2 K Ii Io
5 K

VS Vi 1 K 20 250Vi 8.2 K Vo
Zi

RC || RL 5 K || 8.2 K
AV 155.3
re 20
(b) Hallando AVS
Vo Ri 20
AVs AV (155.3) 14.12
Vs Ri RS 20 200
(c) Calculando Ai
Zi 20
Ai AV (155.3) 0.379
RL 8.2 K
 REDES DE FET
Resistencia de fuente con derivacin:
+ VCC

RD AV g m ( RD || RL )
C2
D
Rse C1 G
Los niveles de Impedancia
S permanecen en:
Z0
RG RL V0
VS
Zi Vi
RS
Z i RG
CS

Z o RD
 REDES DE FET
Resistencia de fuente sin derivacin:

La ecuacin para la ganancia

+ VCC de voltaje ser:

Vo g m ( RD || RL )
AV
RD
Vi 1 g m RS
C2
D
Rse C1 G Las respectivas
impedancias sern:
Z0
RL
VS Zi Vi
RG V0
Z i RG
RS

Z o RD
Proble
ma :

Para el amplificador FET,los parmetros de dos puertos sin carga son: AVNL =
-3.18, Zi = R1 || R2 = 239 K, Zo = 2.4 K, con gm = 2.2 mS.
(a) Determine AV y AVS .
+ VCC

R1 RD
2.1 M 2.4 K
C2
D
Rse C1 G

1 K
RS1 Z0
R2 300 K RL V0
VS Zi Vi 270 K 4.7 K

1.2 K RS2
 Solucin
: equivalente de pequea seal de ca:
(a) La red

1 K Ii 2.4 K Io

Zo
VS Vi 239 K -3.18Vi 4.7 K Vo
Zi

Vo g ( R || R ) (2.2mS ) (4.7 K || 2.4 K)

AV m D L
Vi 1 g m RS 1 (2.2 mS )(0.3 K)
AV 2.105

Vi Vo Ri (239 K)
AVS AV (2.105)
VS Vi R i Rse 239 K 1 K
AVS 2.096 AV
 REDES DE FET
Fuente seguidor:
La ecuacin para la ganancia de
voltaje ser:

+ VCC Vo g m ( RS || RL )
AV
Vi 1 g m ( RS || RL )
Rse C1 G
Las respectivas
C2 impedancias sern:
RG
VS RL
Z i RG
Zi RS Z0 V0

1
Z o RS ||
gm
 REDES DE FET
Compuerta comn:
+ VDD
La ecuacin para la ganancia de
voltaje ser:

RD AV g m ( RD || RL )
C2
D

Los niveles de Impedancia

permanecen en:
Rse C1 Z0
S
RL V0 RS
Zi
VS Vi
RS 1 g m RS
Zi

Z o RD
 Captulo
XI

Amplificadore
s
operacionales -
+
INTRODUCCION:

Un amplificador o amp-op es un amplificador

diferencial de muy alta ganancia con una alta
impedancia de entrada y baja impedancia de
salida. Los usos tpicos del amplificador son
proporcionar cambios en amplitud de voltaje
(amplitud y voltaje).
La siguiente figura muestra un amp -op bsico.
Entrada 1
+ salida

Entrada 2 -
 Entrada simple (de una sola entrada)

La operacin de una sola entrada resulta cuando la seal de entrada se

conecta a una entrada con la otra conectada a tierra. En la figura 14.2a, la
seal se aplica a la entrada con el signo mas, lo que resulta en una salida con
la misma polaridad que la seal de entrada aplicada. La figura 14.2b
muestra una seal de entrada aplicada a la entrada con el signo menos,
siendo entonces la salida opuesta en fase a la seal aplicada.

+ +
VO
VO

VI - -
VI

14.b
14.a
Entrada diferencial (de doble entrada)

Adems de utilizar solamente una entrada, es posible aplicar seales en cada una de las
entradas, siendo esto una operacin de doble entrada. La figura 14.3a muestra una
entrada, Vd, que se aplica entre las dos terminales de entrada (recurdese que ninguna de
las entradas est a tierra ), con la salida amplificada que resulta en fase con la que se
aplico entre las entradas con los signos ms y menos. La figura 14.3b ilustra la misma
accin resultante cuando dos seales se aplican por separado a las entradas, siendo la
seal diferencial. V1 V2

+
+ Vd
VO
VO
Vd
V1 -
-
V2

14.3a 14.3b
Salida doble

Mientras que la operacin analizada hasta ahora ha sido de una sola salida, al
amp op tambin puede operarse con salidas opuestas, como se ilustra en la
figura 14.4 Una seal aplicada a cualquiera de las entradas dar por resultado
seales en ambas terminales de salida, siendo siempre estas salidas opuestas en
polaridad . La figura 14.5 muestra una sola entrada con una salida doble. Como
se ve, la seal aplicada a la entrada positiva resulta en dos salidas amplificadas
de dolarizacin opuesta la figura 14.6 muestra la misma operacin con una sola
salida entre las terminales de salida (no con respecto a tierra). Esta seal de
salida diferencial es Vo1 Vo2. la salida diferncial tambien se conoce como seal
flotante debido a que ninguna terminal de salida es la terminal de tierra (de
referencia ) notese que la salida diferencial es dos veces mayor que V o1 Vo2,
puesto que estas son de polaridad opuesta y restarlas se tiene como resultado al
doble de sus amplitudes (es decir: 10V (10V)=20V). La figura 14.7 muestra la
operacin de entrada diferencial, salida diferencial. La entrada se aplica entre
las dos terminales de entrada y la salida se toma de entre las dos terminales de
salida. Esta es la operacin diferncial completa.
 V01
Vi1
+ V01 +

Vi 2 - V02
Vi -
V02

14.4 14.5

V01 V01
+ +
Vd Vd Vd
Vi - -
V02 V02

14.6 14.7
 Operacin con modo comn

Cuando las mismas seales de entrada se aplican a ambas entradas, se

obtiene como resultado la operacin en modo comn, como se ilustra en la
figura siguiente. en forma ideal, las dos entradas estn igualmente
amplificadas y ya que resultan en seales de polaridad opuesta en la salida,
estas seales se cancelan, obtenindose una salida de 0V, en la practica, se
obtiene una pequea seal de salida.

+
VO

-
Vd
Rechazo en modo comn

Una caracterstica significativa de una conexin diferencial es

que las seales que son opuestas en las entradas son altamente
amplificadas, mientras que las que son comunes a las dos entradas son
apenas ligeramente amplificadas (la operacin global es amplificar la seal
mientras que se rechaza la seal comn a las dos entradas). Puesto que el
ruido (cualquier seal de entrada indeseable) es generalmente comn a
ambas entradas, la conexin diferencial tiende a suministrar una
atenuacin de esta entrada indeseable, mientras que se proporciona una
salida amplificada de la seal diferencial aplicada a las entradas. Esta
caracterstica de operacin, conocidos como rechazo en modo comn.
OPERACIN DIFERENCIAL Y EN MODO COMUN

Una de las mas importantes caracterstica de una conexin

de circuito diferencial, como se suministra en un amp-op, es la
capacidad del circuito para amplificar en gran medida seales que
son opuestas a las dos entradas, mientras que slo amplifican
ligeramente las seales que son comunes a las dos entradas. Un amp-
op proporciona una componente de salida que se debe a la
amplificacin de la diferencia de las seales aplicadas a las entradas
positiva y negativa y un componente debido a las seales de entrada
opuestas es mucho mas grande que las seales de entrada comn el
circuito proporciona un rechazo en modo comn que se describe por
medio de un valor numrico conocido como la relacin de rechazo
en modo comn (CMRR)
Entradas diferenciales
Cuando se aplican entradas por separado al amp-op, la seal
diferencial resultante es la diferencia entre las dos entradas

VVdd VVi1i1 VVii22

Entradas comunes

Cuando ambas seales de entrada son las mismas, se puede

definir un elemento de seal comn debido alas dos entradas
como el promedio de la suma de las dos seales

11
VVcc ((VVi1i1 VVi 2i 2))
22
Voltaje de salida

Puesto que cualesquiera seales aplicadas a un amp-op tienen

en general los mismos componentes en fase que fuera de fase,
la salida resultante puede expresarse como:

VV00 AAddVVdd VVccAAcc

Vd = voltaje diferencial
Vc = voltaje comn
Ad = ganancia diferencial del amplificador
Ac = ganancia en modo comn del amplificador
Relacin de rechazo en modo comn

Al haberse obtenido Ad y Ac (como en el procedimiento de

medicin con anterioridad), podemos ahora calcular un valor para
la relacin de rechazo en modo comn (CMRR), la cual se define
por medio de la ecuacin siguiente:

A
Add
CMRR
CMRR A
Acc

El valor de CMRR se puede tambin expresar en trminos

logartmicos como:

A
Add
CMRR (log)
CMRR(log) 20
20log
log10
10 A
Ac c
 FUNDAMENTOS DEL AMP -OP

Un amplificador operacional es un amplificador de muy alta

ganancia con una impedancia de entrada muy alta (normalmente de algunos
megaohms ) y baja impedancia de salida (menor que 100). El circuito bsico
empleando un amplificador diferencial con dos entradas (positiva y negativa) y
por lo menos una salida. La figura siguiente ilustra una unidad bsica de amp
op. La entrada (+) produce una salida que se encuentra en fase con respecto de
la seal aplicada, mientras que una seal en la entrada (-) resulta en una salida
de polaridad opuesta .

Entrada inversora
-
Amp -op salida
Entrada no inversora +
 El circuito equivalente de ca para el amp -op aparece en la figura
a .Como se aprecia la seal de entrada que se aplica entre las terminales
de entrada ve una impedancia de entrada, R1, normalmente muy alta. El
voltaje de salida aparece como la ganancia del amplificador multiplicada
por la seal de entrada tomada a travs de una impedancia de salida, R 0, la
que generalmente es muy baja. Un circuito amp -op ideal, como se muestra
en la figura b . tendria una impedacia de entrada infinita, cero
impedancia de salida y una ganancia de voltaje infinita.

Vd Ri Ad.Vd V0 Vd Ad.Vd V0

(a) (b)
La conexin bsica del circuito utilizando un amp -op se ilustra en la
figura adjunta como se aprecia, el circuito proporciona una operacin
como multiplicador de ganancia constante o modificador de escala.
Una seal de entrada, Vi, se aplica a travs del resistor Ri a la entrada.
Luego la salida se conecta de nuevo hacia la misma entrada (en
retroalimentacin) a travs del resistor R f , la entrada se conecta a
tierra. Puesto que la seal V1 se aplica a la entrada.
Rf

R1
V1
+
Amp -op VO
-
En forma general se tiene para la figura anterior:

VV0 RRf
0 f

VV1 RRi
1 i

Ganancia unitaria
Si Rf = Ri, la ganancia es:
RRf
Ganancia de voltaje = f
11
RRi
i

De tal modo que el circuito proporciona una ganancia de voltaje unitaria con
una inversin de fase de 180. Si Rf es exactamente Ri, la ganancia de voltaje es
exactamente 1
Ganancia de magnitud constante

Si Rf es algn mltiplo de R1, la ganancia total del amplificador es una constante.

Por ejemplo, si Rf = 10/R1, entonces

RRf
Ganancia de voltaje = f
10
10
RRi
i

Y el circuito proporciona una ganancia de voltaje de exactamente 10 junto con una

inversin de fase de 180 con respecto a la seal de entrada. Si seleccionamos
valores de resistor precisos para Rf y Ri , podemos obtener un amplio intervalo de
ganancias, con una ganancia tan precisa como lo permiten los resistores empleados
y ligeramente afectada nicamente por la temperatura y otros factores del circuito.
 Tierra virtual
El voltaje de salida est limitado por el voltaje de alimentacin, por lo
general de unos volts. Las ganancias de voltaje, como se estableci antes, son muy
altas, Si, por ejemplo: Vo = -10 y Av = 20 000 el voltaje de entrada es:

Vi 10V
Vi 0.5mV
AV 20000

Si el circuito tiene una ganancia total (V 0/Vi) de 1, es valor de Vi sera

10V. Por lo tanto el valor Vi, comparado con todos los dems voltajes, es
pequeo y puede considerarse igual a 0V.
Ntese que auque Vi = 0V no exactamente 0V. El voltaje de salida es de unos cuantos
volts, debido a que una entrada muy pequea de Vi produce una ganancia muy grande
de AV. El hecho de que Vi = 0V, conduce al concepto de que una entrada del
amplificador hay un corto circuito o tierra virtual. El concepto de corto virtual implica
que auque el voltaje es cercano a cero V, no hay corriente de entrada del amplificador a
tierra. La figura adjunta describe el concepto de tierra virtual. La lnea gruesa se emplea
para indicar que podemos considerar que existe un corto con Vi = 0V, pero que ste un
corto virtual por el hecho de que no circula corriente a travs del corto a tierra. La
corriente circula nicamente a travs del resistor R 1 y a travs de Rf como se indica.
R1 Rf

V1 VO
Vi = 0V
Ii = 0
CIRCUITOS PRCTICOS DE LOS AMP - OP

El amp op puede conectarse en un ggran nmero de circuitos para

diversas caracteristicas de operacin.

Amplificador inversor

RRf
VV0 fVV1 Rf
0 RRi 1
i

R1
V1
+ Rf
Amp -op V0 V1
- Ri
Amplificador no inversor

La conexin de la figura adjunta muestra un circuito de amp op que trabaja como

multiplicador de ganancia constante no inversor.

R
VV1 R1 1 VV0
1 R R 0
R1 1 Rf f

V1 = 0 Rf
V1 + Rf
V0 1 V1
Amp -op R1

- V1
R1 V0
R1 Rf
Seguidor unitario
El seguidor unitario, como el de la figura siguiente (a) proporciona una ganancia
de 1 sin inversin de polaridad o fase. A partir del circuito equivalente (vea figura
(b)) es claro que:
VV00 VV11
Y que la salida es de la misma polaridad y magnitud que la entrada. El circuito
acta en forma muy similar a la de un emisor, excepto en que la ganancia es
mucho ms prxima al valor exacto de 1.

_
Amp op Vi = 0
Vo
+ Vo
V1 V1

(a) (b)
 Amplificador sumador

RRf Rf Rf
fV RfV RfV

VV0 3
RR1 V1 RR2 V2 RR3 V3
1 2
0
1 2 3
R1
R1
Rf Rf
V1 R2
R2
V2 R3
R3 +
V3 Amp -op V0 Rf
V0
-
 Integrador

Si la componente de retroalimentacin utilizada es un capacitor, como

se muestra en la figura, el circuito resultante ser un integrador

11
VV00((tt))
RC
RC
VV11((tt))dt
dt

c R c

R
V1 I I
+ V1 VO
Amp -op VO Vi = 0V
-
Diferenciador

Un circuito diferenciador se ilustra en la siguiente figura, Mientras que no

parece tan til como los circuitos descritos anteriormente, el diferenciador
proporciona una operacin til, obtenindose la siguiente relacin resultante
para el circuito
dV
dV11((tt))
VV00((tt)) RC
RC
dt
dt
R

c
V1
+
Amp -op VO
-
Elaborado por:

ESPIRITU ROJAS Elvis Edison

LUNA VALDEZ Miluska Almida
PEREZ SAENZ Efran
Huancayo, julio del 2004