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IMPATT DIODE

Creado por:
Walter Cunalata
Introduccin

Cuando el diodo de unin pn est polarizado inversamente,
entonces la corriente no fluye. Sin embargo, cuando la tensin
inversa excede un cierto valor, la unin se rompe y la corriente fluye
con slo un ligero aumento de voltaje. Este desglose es causado por
la multiplicacin de avalancha de electrones y agujeros en la regin
de carga espacial de la unin.
La unin pn en la condicin de avera de la avalancha presenta
caractersticas de resistencia negativa en el rango de frecuencia de
microondas. Dado que la resistencia negativa se basa en la
multiplicacin de las avalanchas y en el efecto del tiempo de
trnsito de los portadores, el dispositivo se ha denominado diodo
IMPATT (tiempo de trnsito de avalancha de impacto).
Estructura del dispositivo

La sugerencia original para un dispositivo de microondas que


emplea efecto de tiempo de trnsito fue hecha por W. T. Read
y implic una estructura n + -p-i-p + tal como la mostrada en
la figura. Este dispositivo funciona inyectando portadores en
la regin de deriva y se denomina diodo IMPATT.
El dispositivo consiste esencialmente en dos regiones:
1) La regin n + p, en la que se produce la multiplicacin de
avalancha, y
2) La regin I (esencialmente intrnseca), a travs de la cual los
orificios generados deben derivar en el movimiento al contacto p
+.
Principio de funcionamiento

En el diodo Impatt se aplica un gradiente de tensin


extremadamente alta (400kv / cm) que una normal que una
unin pn normal no puede soportar.
Un tal potencial de alto potencial, polarizacin posterior del
diodo causa un flujo de portador minoritario a travs de la
unin.
La corriente alterna es approxi 180 grados fuera de fase con la
tensin aplicada esto da lugar a la conduccin negativa y la
oscilacin es el circuito resonante.
V-I Caractersticas
Construccin
El diodo IMPATT est hecho de silicio, ya que es ms barato y
ms fcil de fabricar usando groth epitaxial.
Debajo de la figura est demostrando un diodo tpico de
Impatt. El contacto de la aleacin de oro se utiliza como tiene
baja resistencia hmica y trmica.
Clasificacin
La estructura del dispositivo se basa en el perfil de dopado.
Los tres tipos bsicos de diodos Impatt son: -
1) Zona de deriva simple (SDR) - El diodo SDR consiste en una
nica zona de avalancha y una nica zona de deriva con
estructura p + nn +.
2) Regin de deriva doble (DDR) - Un diodo DDR tiene un p +
pnn + Estructura que consta de dos capas de deriva, una para
electrones y otra para agujeros a ambos lados de la zona
central de avalancha.
3) Regin de avalancha doble (DAR) - El diodo DAR tiene una
estructura p + nipn + que consiste en una zona de deriva
intercalada entre dos zonas de avalancha. Los electrones y los
agujeros de las dos uniones se desplazan a travs de la regin
central i en direcciones opuestas y entregan potencia.
Desventajas
La desventaja. Del diodo IMPATT es que es muy ruidoso
porque la avalancha es un proceso ruidoso. El hilo de ruido
para el diodo IMPATT es 30db no son tan buenos como
klystron / gunn diode / twt amp. La gama de afinacin no es
tan buena como los diodos gunn.
Aplicaciones
Estos diodos hacen excelentes generadores de microondas
para muchas aplicaciones como:
1. Amplificador paramtrico, 2. Convertidor paramtrico
ascendente,
3. Convertidor paramtrico,
4. Parametricamplifier de la resistencia negativa.
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